JP5218297B2 - マイクロ波処理装置 - Google Patents
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Description
ータを用いずともパワーユニットの半導体素子が加熱中に反射波で破壊するのを防止することができる。
図1は、本発明の実施の形態1におけるマイクロ波処理装置の要部ブロック図である。図1において構成要素について説明する。発振部3は2400MHz〜2500MHzの帯域の元信号を発振する。パワーユニット4は、発振部3からのマイクロ波電力を増幅する機能を有する半導体素子を用いて構成した。
ネルギーが大きくなり、定格周波数で高周波出力を被加熱物に与えると、パワーユニット4の半導体素子がダメージを受け破壊してしまう可能性がある。これを回避する手段を、図5を用いて説明する。
以下、本願発明の実施の形態2について説明する。本実施の形態においては、発振部3の後段に電力分配部17を備え、複数のパワーユニットに電力を分配し、複数の給電部からマイクロ波を照射する構成としている。
成して所望のマイクロ波出力を得ようとするものである。
図8を用いて、本発明の第3の実施の形態を説明する。ここでは、位相可変器18a、18bを用いて各給電部間の位相を変えることを行っている。電力分配部17で2分配した系統の後段に位相可変部18a、18bを設けている。その後段については(実施の形態2)と同様のため、説明を割愛する。
2 制御部
3 発振部
4、4a、4b パワーユニット
5、5a、5b 給電部
6 電源部
7 加熱室
8 前段プリアンプ
9 中段プリアンプ
10 後段プリアンプ
11 ドライバー段
12 出力段
13 ファイナルアンプA
14 ファイナルアンプB
15 被加熱物
16 載置台
17 電力分配部
18a、18b 位相可変部
Claims (5)
- 被加熱物を収容する加熱室と、
発振部と、
前記発振部の出力を半導体素子で電力増幅するパワーユニットと、
前記パワーユニットの出力を透過させ前記パワーユニット方向に反射するマイクロ波電力と透過するマイクロ波電力を検出する透過波/反射波検出手段と、
前記透過波/反射波検出手段から透過してきたマイクロ波電力を前記加熱室内に放射する給電部と、
前記透過波/反射波検出手段の出力を受け前記発振部の発振周波数を制御するとともに、前記発振部の出力レベルを制御する制御部からなり、
前記制御部は、被加熱物を加熱開始する前に反射が100%であっても、前記パワーユニットの半導体素子がダメージを受けて破壊しない所定出力の電力で所要周波数帯域内を周波数掃引し反射度合いを検出し、最低反射度合いとなる周波数を決定するとともに、被加熱物の加熱時に前記最低反射度合いの値に応じて前記給電部から放射される電力を決定するように前記発振部の出力レベルを制御することとしたマイクロ波処理装置。 - 被加熱物の加熱時に給電部から放射される電力は、最低反射度合いの値を予め決めた複数の閾値と比較し閾値のレベルに応じて決定することとした請求項1に記載のマイクロ波処理装置。
- 被加熱物の加熱時に給電部から放射される電力は、最低反射度合いの値に応じた所定のテーブルより決定する、あるいは最低反射度合いの値を引数とした関数より決定することとした請求項1に記載のマイクロ波処理装置。
- 発振部の後段に電力分配部を備え、複数のパワーユニットに電力を分配し複数の給電部からマイクロ波を照射する構成とした請求項1に記載のマイクロ波処理装置。
- 複数のパワーユニットに供給するマイクロ波電力の位相を可変する位相可変部を備える構成とした請求項1または4に記載のマイクロ波処理装置。
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