JP5217659B2 - セラミック電子部品、およびセラミック電子部品の製造方法 - Google Patents

Description

本発明はセラミック電子部品、およびその製造方法に関するものであり、特に、セラミック電子部品の外部電極、およびその外部電極をめっきにより形成する方法に関する。

従来より、セラミック電子部品として代表的な積層セラミックコンデンサは、複数の積層された誘電体セラミック層と、その界面に沿って形成された複数の層状の内部電極とを含む積層体に対し、前記積層体の表面に露出した内部電極を電気的に接続するよう複数の外部電極が形成されている。この従来の積層セラミックコンデンサの例を図３に示す。

図３によると、積層体１０２における、複数の内部電極１０４が露出する面、および複数の内部電極１０５が露出する面に、これらの複数の内部電極を電気的に接続するよう、外部電極が形成されている。一般的な外部電極の形成方法は、まず金属成分とガラス成分とを含む金属ペーストを前記露出する面に塗布し、熱処理して焼き付けることにより、ペースト電極層１０６および１０７が形成される。

そして、ペースト電極層１０６および１０７の表面に、Ｎｉを主成分とする第１のめっき層１０８および１０９が形成され、さらにその表面に、Ｓｎを主成分とする第２のめっき層１１０および１１１が形成される。すなわち外部電極は、ペースト電極層、第１のめっき層、および第２のめっき層の３層構造より形成される。

外部電極は、積層セラミックコンデンサがはんだを用いて基板に実装される際に、はんだとの濡れ性の高さが求められる。同時に、電気的に絶縁された状態の複数の内部電極を電気的に接続する役割が求められる。はんだ濡れ性の確保の役割はＳｎを主成分とする第２のめっき層１１０および１１１が果たしており、内部電極の電気的接続の役割は、ペースト電極層１０６および１０７が果たしている。第１のめっき層１０８および１０９は、はんだ実装時にはんだ喰われを防ぐため、第２のめっき層１１０および１１１の下地として役割をなしている。

しかし、ペースト電極層１０６および１０７は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、この積層セラミックコンデンサの寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層の体積を確保する必要が生じる分、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生ずる。一方、めっき層はその厚みが数μｍ程度であるため、仮に第１のめっき層および第２のめっき層のみで外部電極を構成できれば、実効体積をより多く確保することができる。

たとえば、特許文献１には、積層体の内部電極層の露出した側壁面に対し、側壁面に露出した内部電極層が短絡されるようにその全面に無電解めっきによって導電性金属層を析出させる方法が開示されている。しかしこの方法では、側壁面に対する無電解めっきによる導電性金属層の固着力が弱いという問題があり、これが信頼性上に問題を引き起こす懸念がある。

一方、特許文献２には、セラミック素地表面に対し、ガラス粉を分散させた無電解めっき層を形成することにより、密着性に優れた外部電極を形成している。
特開昭６３−１６９０１４号公報 特開平０５−３４３２５９号公報

しかしながら、特許文献２に記載されている外部電極の形成方法では、その後に熱処理を行った際、その熱処理の条件によってはめっき層にブリスタが発生しやすいという問題があった。ブリスタが生じた場合、水分が浸入して信頼性が劣化するなどの問題が生じることがあり、また、外観も好ましくない。

また、特許文献２に記載されている外部電極の形成方法では、仮にガラス粒子をめっき金属と同時に共析させようとした際、ガラスが十分に析出しないという問題があった。また、めっき浴中にてガラスが溶解消失するという問題もあった。

本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであって、実効体積率と信頼性に優れたセラミック電子部品、およびその製造方法を提供するものである。

すなわち本発明は、セラミック素体とセラミック素体の表面に形成された複数の外部電極とを備えるセラミック電子部品であって、前記外部電極が、金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を含み、当該ガラス粒子の少なくとも一部が前記セラミック素体に付着していることを特徴とする。

また、本発明においては、前記セラミック素体が、複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層の界面に沿って形成された複数の内部電極層とを含む積層体であり、前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層が、前記積層体の表面に露出した内部電極層を電気的に直接接続するよう形成されていることも好ましい。

また、前記めっき層の主成分がＣｕであり、かつ、前記金属膜の主成分がＮｉであることも好ましい。

本発明は、本発明のセラミック電子部品を製造するための製造方法にも向けられる。

すなわち本発明は、セラミック素体を用意する工程と、金属膜で被覆されたガラス粒子を用意する工程と、前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき浴を用意する工程と、前記めっき浴を用いて、前記セラミック素体に対してめっきを行い、前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を形成する工程と、を備える前記ガラス粒子の少なくとも一部が前記セラミック素体に付着したセラミック電子部品の製造方法である。

また、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、前記セラミック素体が、複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層の界面に沿って形成された複数の内部電極層とを含む積層体であり、かつ、前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を形成する工程が、前記めっき浴を用いて、前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部にめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき層を形成するようにめっきする工程であることが好ましい。

また、本発明のセラミック電子部品の製造方法においては、前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を形成する工程の後に、前記ガラスの軟化点以上の温度において熱処理する工程を備えることも好ましい。

本発明によれば、外部電極が実質的にめっき層のみで形成されるため、実効体積率に優れたセラミック電子部品を得ることができる。また、めっき層が金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層であるため、固着力が高く、ブリスタが少なく、信頼性に優れたセラミック電子部品を得ることができる。

また、めっき層を形成する面が、積層体における内部電極が露出する面である場合、熱処理が施された際、セラミック層と内部電極層との界面における隙間がガラス成分により充填され、
セラミック層と内部電極との界面から水分が浸入するのを防ぐことができる。したがって、より信頼性に優れた積層セラミック電子部品を得ることができる。

また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、めっき浴中に分散したガラス粒子が金属膜で被覆されているため、めっき析出と同時にガラス粒子が共析しやすくなる。したがって、めっき層中のガラス粒子の含有比率や分散度を容易に制御することができる。また、ガラス粒子が金属膜で被覆されているため、ガラス粒子がめっき浴中で溶解消失しにくくなり、めっき浴の管理が容易となる。さらに、ガラス粒子が金属膜で被覆されているため、ガラス粒子の凹凸部にめっき液などの水分が付着しにくいため、熱処理時にブリスタが発生しにくくなる。

また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、めっき工程の後にガラス軟化点以上の温度で熱処理することにより、ガラス成分とセラミック素体との固着力をより一層強くすることができ、信頼性により優れたセラミック電子部品を得ることができる。

本発明のセラミック電子部品は、その外部電極の形成において、ペースト電極、スパッタ電極、蒸着電極などを伴わず、セラミック素体に対し、直接めっき層を形成することが前提となる。そして、前記めっき層が金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層であることを特徴とする。本発明のセラミック電子部品について、積層セラミックコンデンサの例を図１に示す。

図１によれば、積層セラミックコンデンサ１において、複数の積層された誘電体セラミック層３と、前記誘電体セラミック層の界面に沿って形成された複数の内部電極４、５とを含む積層体２に対し、前記積層体２の表面に露出した複数の内部電極４、５をそれぞれ電気的に接続するよう、外部電極が形成される。

外部電極は、まず内部電極４、５の露出する面に対し、金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層である第１のめっき層６、７が形成される。その上に、必要に応じて耐はんだ喰われの役割をなす第２のめっき層８、９が形成される。さらにその上に、必要に応じてはんだ濡れ性を確保するための第３のめっき層１０、１１が形成されることにより構成される。第２のめっき層８、９、および第３のめっき層１０、１１においては、特に金属膜で被覆されたガラス粒子の分散は必須でない。また、図１においては、第１のめっき層６、７中の金属膜で被覆されたガラス粒子の表示は省略されている。また、図１では、外部電極が、第１のめっき層６、７、第２のめっき層８、９および第３のめっき層１０、１１からなる３層構造となっているが、本発明の目的を損なわなければ必ずしも３層構造である必要はない。

図１では、第３のめっき層１０、１１は、はんだに対し濡れ性が良好なことが求められるため、ＳｎやＡｕなどを主成分とすることが望ましい。また、第２のめっき層８、９は、はんだ喰われを防ぐための下地の役割を果たすものであることが求められるため、Ｎｉ等を主成分とするものが好ましい。そして、第１のめっき層はの主成分は特に限られるものではないが、セラミック素体上へのつきまわりを重視すると、Ｃｕなどが好ましい。

また、第１〜第３のめっき層は、通電処理により金属を析出させる電解めっきによるものであってもよいし、還元剤を用いて金属を析出させる無電解めっきによるものであってもよい。

次に、第１のめっき層６が積層体２の内部電極の露出面に形成されている部分の拡大図を図２に示す。図２では、第２のめっき層８および第３のめっき層１０は省略されている。

図２に示すように、第１のめっき層６の中には、金属膜で被覆されたガラス粒子２０が分散して存在している。これは、ガラス粒子２１の表面のほぼ全面が金属膜２２により被覆された状態である。ただし、熱処理などが施されたときは、ガラス粒子２１が流動して球形に近い形状からから別の形状に変形したり、金属膜２２が第１のめっき層６中に拡散したりすることがある。

このガラス粒子２０のうち少なくとも一部が誘電体セラミック層３に付着することにより、第１のめっき層６の固着力が強くなる。また、ガラス成分が、誘電体セラミック層３と内部電極層４との界面に充填された場合、めっき液などの水分の浸入が効果的に防がれる。

このガラス粒子２１の種類は特に限られるわけではないが、たとえば、Ｂ-Ｓｉ系ガラスがあげられる。詳しくは、Ｂ-Ｓｉ-Ｂｉ系、Ｂ-Ｓｉ-アルカリ金属系、Ｂ-Ｓｉ-アルカリ金属-（Ｔｉ，Ｚｒ）系、Ｂ-Ｓｉ-アルカリ土類金属系、Ｂ-Ｓｉ-アルカリ金属-アルカリ土類金属系、Ｂ-Ｓｉ-Ｚｎ-アルカリ金属系、Ｂ-Ｓｉ-Ｚｎ-アルカリ土類金属系、などが挙げられる。また、ガラス粒子の大きさは、０.０１〜７μｍ程度が熱処理時の接合性のうえで好ましく、第１のめっき層６中のガラス粒子の含有割合は、０.１〜２０体積％程度が好ましい。

また、ガラス粒子２１を被覆する金属膜２２の主成分は、本発明の目的を損なわない限り、特に限定されるものではないが、できればめっき金属と同種金属か、電気化学的に貴な金属が好ましい。これは、めっき浴中において、ガラス粒子２１を被覆する金属膜２２とめっき金属との置換反応を防ぐためである。たとえば、めっき金属種がＣｕの場合は、ガラス粒子２１を被覆する金属膜２２として適する金属として、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｐｔなどがあげられ、めっき浴の成分によってはＮｉなども適する。また、めっき金属種がＮｉの場合は、これに加えて、Ｓｎなども適する。

金属膜２２の被覆厚みは、ガラスを十分に被覆し、かつ粒径を抑えるために、０．０５〜２μｍ程度が好ましい。

次に、本発明のセラミック電子部品の製造方法について、図１の積層セラミックコンデンサを例にとり説明する。

めっき前の積層体２は、露出している複数の内部電極４が、それぞれ電気的に絶縁された状態になっている。まず、この内部電極４の露出部分に対し、めっきによりめっき析出物を析出させる。そして析出しためっき析出物をさらに成長させ、隣り合う内部電極４の露出部におけるめっき析出物を互いに接続させる。これを内部電極４の露出する全面にて進めることにより、内部電極４の露出する面に対し、直接、均質で緻密な第１のめっき層６を形成する。

いわば、本発明におけるめっき方法は、めっき析出物の成長力および展性の高さを利用したものである。電解めっきの場合は誘電体セラミック層３の厚みが１０μm以下である場合、無電解めっきの場合は誘電体セラミック層３の厚みが２０μm以下である場合、前記成長しためっき析出物が互いに接続しやすくなるので好ましい。

また、めっき前における、内部電極４の露出する面に対する内部電極の引っ込み量が、１μｍ以下であることが好ましい。これが１μmより大きいと、内部電極４の露出部分に電子が供給されにくく、めっき析出が生じにくくなるためである。この引っ込み量を小さくするには、サンドブラストやバレル研磨などの研磨を行えばよい。

さらに、めっき前における、内部電極４の露出する面に対して内部電極の端部が突出していることが好ましい。これは、サンドブラストなどの研磨条件を適宜調整することにより達成されるが、この研磨の際に内部電極４の突出した部分が被めっき面に平行な方向に伸びるため、隣り合う内部電極端部に析出しためっき析出物が互いに接続するのに要するめっき成長が低減される。このとき、電解めっきの場合は誘電体セラミック層３の厚みが２０μｍ以下、無電解めっきの場合は誘電体セラミック層の厚みが５０μｍ以下であれば、前記成長しためっき析出物が互いに接続しやすくなるので好ましい。

なお、第１のめっき層６、７が形成されれば、第２のめっき層８、９や第３のめっき層１０、１１は通常のめっき方法にて容易に形成できる。

次に、めっき方法の詳細について説明する。

電解めっきの場合は、例えば、給電端子を備える容器中に、前記外部電極を形成する前の積層体および導電性メディアを投入し、金属イオンまたは金属錯体を含むめっき浴に浸漬し、前記容器を回転、揺動、または振動させながら通電する。被めっき物が積層体である場合は、内部電極の露出端を析出開始点として利用することができるが、被めっき物表面がセラミックのみからなる場合は、表面に金属微粒子を付着させるなどの前処理が必要となる。

一方、無電解めっきの場合は、めっき浴中の還元剤によりめっき析出物を析出させる。この場合、還元剤の作用を促進させる触媒が必要であるが、被めっき物が積層体である場合は、内部電極の露出端を触媒核として利用することもできる。また、内部電極に触媒能がない場合、または被めっき物の表面がセラミックのみからなる場合は、事前の触媒付与処理や、触媒能を有する金属からなる攪拌媒体を用いることが必要である。

金属膜で被覆されたガラス粒子２０が分散しためっき層を形成するには、使用するめっき浴中に金属膜で被覆されたガラス粒子２０を分散させればよい。めっき金属が析出する際、同時に金属膜で被覆されたガラス粒子が共析する。このとき、ガラス粒子を被覆する金属膜２２は、ガラス粒子２１が第１のめっき層６中に吸着するのを助ける。結果として、めっき層中のガラス粒子２１の含有割合や分散度を制御しやすくなる。さらに、ガラス粒子２１を被覆する金属膜２２には、ガラス粒子がめっき浴中にて溶解消失するのを防ぐ。

また、めっき浴中に金属膜で被覆されたガラス粒子２０を安定して分散させるには、めっき浴を適度に攪拌すればよい。めっき浴中のガラス粒子の濃度は、０.５〜５０ｇ／Ｌ程度が好ましい。ガラス粒子２１を金属膜２２で被覆する方法は、本発明の目的を損なわなければ特に限定されるものではない。たとえば、スパッタ、蒸着、無電解めっき、などの方法がある。

金属膜で被覆されたガラス粒子を含むめっき層が形成された後、ガラス粒子の軟化点以上の温度にて熱処理を行うと、めっき層中のガラス粒子が積層体側に流動、固着し、第１のめっき層６の積層体に対する固着力がより向上する。このとき、熱処理に伴うブリスタは殆ど発生しない。

なお、本発明のセラミック電子部品が図１のような積層セラミック電子部品の場合、その外部電極は実質的にめっき層のみからなるが、複数の内部電極の接続に直接関わらない部分においてであれば、ペースト電極が形成されていても差し支えない。たとえば、内部電極が露出する端面に隣接する面へも外部電極を延長させたい場合には、厚膜ペースト電極を形成させてもよい。この場合、はんだ実装が行いやすくなるとともに、めっき層の端部からの水分浸入が効果的に防止される。

セラミック電子部品としては、積層セラミックコンデンサが代表的であるが、チップインダクタ、チップサーミスタなどにも応用可能である。すなわちセラミック層は、互いに電気的に絶縁されている状態であれば、その材質は特に問われるものではない。たとえば、誘電体セラミックに限らず、圧電体セラミック、半導体セラミック、磁性体セラミックなどでも構わないし、樹脂を含んだものでも構わない。もちろん、積層型の電子部品に限らず、内部電極を含まない単純なセラミック電子部品にも適用可能である。

また、図１の積層セラミックコンデンサにおいては、外部電極は１対であるが、外部電極が複数対備えるアレイタイプのものであってもよい。

以下、本発明のセラミック電子部品、およびその製造方法の実施例について説明する。

［実施例１］
被めっき物として、長さ１.０ｍｍ、幅０.５ｍｍ、厚み０.５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用の積層体を用意した。誘電体層はチタン酸バリウム系誘電体材料からなり、内部電極はＮｉを主成分とするものであった。また、隣り合う内部電極間の誘電体層の厚みは２μｍであり、内部電極層の厚みは１μｍであった。

この積層体を乾燥後、研磨剤を用いてサンドブラスト処理を行い、内部電極の露出する積層体の面に対する内部電極の平均突出量を１μｍとした。

次に、軟化点が６００℃で、平均粒径が１.１μｍのＢ−Ｓｉガラス粉末を用意した。このガラス粉末の表面を、スパッタ法で導電化処理した後、ガラス侵食力の弱いワット浴によりＮｉめっき膜で被覆した。そして、非酸化雰囲気中にて５５０℃にて熱処理し、ガラス粒子に付着した水分を蒸発させるとともに、Ｎｉ膜の緻密性を向上させた。このＮｉ膜の厚みは平均で０．２μｍであった。

このＮｉ膜で被覆されたガラス粒子を、メルテックス社製ピロゾールからなるピロりん酸系電解めっき浴に、濃度が１０ｇ／Ｌとなるよう添加し、浴温５８℃、ｐＨ８.７の状態にて攪拌し、分散させた。

次に、上記積層体３０ｍＬを、容積３００ｍＬの回転バレル中に投入し、それに加えて、０.７mmφのはんだボールを７０ｍＬ投入した。

前記回転バレルを、前記めっき浴に浸漬し、回転数２０rpm.にて回転させながら、電流１０Ａにて通電を開始した。このようにして、内部電極の露出する積層体の表面に、Ｎｉ膜で被覆されたガラス粒子が分散した厚み５μｍのＣｕめっき層が形成された。

次に、回転バレルより積層体を取り出し、窒素雰囲気中にて昇温速度５℃／ｍｉｎにて７００℃に昇温し、１０分間キープした。

再度、上記Ｃｕめっき層を形成した積層体を回転バレルに投入し、ｐＨを４.２に調整した浴温６０℃のＮｉめっき用ワット浴に浸漬し、回転数２０rpm.にて回転させながら、電流１０Ａにて通電を開始した。このようにして、Ｃｕめっき層の上に、厚み３.０μｍのＮｉめっき層が形成された。

さらに、上記Ｎｉめっき層を形成した積層体の入った回転バレルを、ｐＨを５.０に調整した浴温３３℃のＳｎめっき浴（ディップソール社製Ｓｎ−２３５）に浸漬させ、回転数２０rpm.にて回転させながら、電流６Ａにて通電を開始した。このようにして、Ｎｉめっき層の上に、厚み３.０μｍのＳｎめっき層が形成された。

以上のようにして、積層体に対して、ペースト電極層などを形成せずに、めっき層からなる外部電極を備える積層セラミックコンデンサを得た。

積層セラミックコンデンサを１００個サンプリングし、外部電極の表面を光学顕微鏡で観察したところ、いずれの試料においてもブリスタの発生は認められなかった。

また、積層セラミックコンデンサをエポキシ基板にはんだ実装し、図１の紙面に相当する積層セラミックコンデンサの側面の中心部に対し、基板と水平な方向、すなわち紙面に垂直な方向に相当する方向に応力を印加し、外部電極が剥離した時点の応力を外部電極の固着力とした。１０個の固着力の平均値をとったところ、８０Ｎという十分な値を示した。
［実施例２］
被めっき物として、実施例１と同じ積層体、およびガラス粒子を用意した。ガラス粒子は実施例１と同様の方法にてＮｉ膜による被覆を行った。

このＮｉ膜による被覆が施されたガラス粒子を、奥野製薬社製ＯＰＣカッパーＴからなる無電解Ｃｕめっき浴に、濃度が３０ｇ／Ｌとなるよう添加し、浴温４０℃、ｐＨ１２の状態にて攪拌し、分散させた。

次に、上記積層体３０ｍＬを、容積３００ｍＬの回転バレル中に投入し、それに加えて、０.７mmφのＣｕ膜でコートされたはんだボールを７０ｍＬ投入した。

前記回転バレルを、前記めっき浴に浸漬し、回転数１２rpm.にて回転させたところ、内部電極の露出する積層体の表面に、ガラス粒子が分散した厚み５μｍのＣｕめっき層が形成された。

次に、回転バレルより積層体を取り出し、窒素雰囲気中にて昇温速度５℃／ｍｉｎにて７００℃に昇温し、１０分間キープした。

以上にようにして、Ｃｕめっき層を形成した積層体に対し、実施例１と同様の方法において、Ｎｉめっき層およびＳｎめっき層を形成した。このようにして、めっき層からなる外部電極を備える積層セラミックコンデンサを得た。

積層セラミックコンデンサを１００個サンプリングし、外部電極の表面を光学顕微鏡で観察したところ、いずれの試料においてもブリスタの発生は認められなかった。

また、外部電極の固着力を実施例１と同じ方法で測定したところ、１０個の平均値で８０Ｎを示した。

［比較例１］
被めっき物として、実施例２と同じ積層体、およびガラス粒子を用意した。

この積層体に対し、ガラス粒子に対して金属膜による被覆を行わなかったこと以外においては、実施例２と同様の無電解めっき方法にて、Ｃｕめっき層を形成した。

Ｃｕめっき層を形成した積層体に対し、実施例２と同じ条件にて熱処理を行った後、実施例１と同様の方法にて、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成した。このようにして、めっき層からなる外部電極を備える積層セラミックコンデンサを得た。

積層セラミックコンデンサを１００個サンプリングし、外部電極の表面を光学顕微鏡で観察したところ、すべての試料においてブリスタの発生が認められた。

また、外部電極の固着力を実施例１と同じ方法で測定したところ、１０個の平均値で６０Ｎという値が得られた。

本発明のセラミック電子部品の一例である積層セラミックコンデンサの断面図。 図１における、第１のめっき層の部分の拡大図である。 従来の積層セラミックコンデンサの断面図。

符号の説明

１ 積層セラミックコンデンサ
２ 積層体
３ 誘電体セラミック層
４、５ 内部電極層
６、７ 第１のめっき層
８、９ 第２のめっき層
１０、１１ 第３のめっき層
２０ 金属膜で被覆されたガラス粒子
１０６、１０７ ペースト電極層

Claims (6)

1. セラミック素体とセラミック素体の表面に形成された複数の外部電極とを備えるセラミック電子部品であって、
   前記外部電極が、金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を含み、当該ガラス粒子の少なくとも一部が前記セラミック素体に付着していることを特徴とする、セラミック電子部品。
2. 前記セラミック素体が、複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層の界面に沿って形成された複数の内部電極層とを含む積層体であり、
   前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層が、前記積層体の表面に露出した内部電極層を電気的に直接接続するよう形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品。
3. 前記めっき層の主成分がＣｕであり、かつ、前記金属膜の主成分がＮｉであることを特徴とする、請求項１または２に記載のセラミック電子部品。
4. セラミック素体を用意する工程と、
   金属膜で被覆されたガラス粒子を用意する工程と、
   前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき浴を用意する工程と、
   前記めっき浴を用いて、前記セラミック素体に対してめっきを行い、前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を形成する工程と、を備える前記ガラス粒子の少なくとも一部が前記セラミック素体に付着したセラミック電子部品の製造方法。
5. 前記セラミック素体が、複数の積層されたセラミック層と、前記セラミック層の界面に沿って形成された複数の内部電極層とを含む積層体であり、
   前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を形成する工程が、前記めっき浴を用いて、前記積層体の前記所定の面に露出した複数の前記内部電極の各端部にめっき析出物を析出させ、かつ前記めっき析出物が相互に接続されるように前記めっき析出物をめっき成長させ、それによって、連続しためっき層を形成するようにめっきする工程であることを特徴とする、請求項４に記載のセラミック電子部品の製造方法。
6. 前記金属膜で被覆されたガラス粒子が分散しためっき層を形成する工程の後に、前記ガラスの軟化点以上の温度において熱処理する工程を備える、請求項４または５に記載のセラミック電子部品の製造方法。

Images