JP5212268B2 - 多孔質バルブ金属陽極体の製造方法 - Google Patents
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Description
まず、タンタルと混じり合わない異相成分とを混合成膜する。混合成膜する手段としては、種々の手法が考えられるが、同時スパッタリング法または同時蒸着法を用いて、タンタルと異相成分を同時に混合成膜することが好ましい。これらの薄膜形成プロセスにおいては、原子あるいはクラスターレベルで飛来した物質が基材に付着することで薄膜が形成される。このため、タンタルと異相成分がナノオーダーで微細に混合された薄膜を、再現性よく容易に得ることができるためである。
前記工程で得られた混合膜を真空中で熱処理することにより、タンタルと異相成分を粒成長させる。粒成長させることにより、タンタルと異相成分のそれぞれが構造的につながり、異相成分の完全な選択的除去、および、多孔質層の安定的な構造を得ることが可能となる。
電解による異相成分の除去を行うために、熱処理された混合膜にリード線を溶接する。
本発明では、異相成分が酸化皮膜中に取り込まれる可能性のために採用され難いと考えられていた、異相成分の除去と多孔質バルブ層の陽極酸化を一つの連続した、あるいは同時的な電解によって行う点に特徴がある。
ステップ1として、最初に異相成分の除去を目的とした電解を定電圧電解で行い、次にステップ2として、陽極酸化を目的とした電解を定電圧電解で連続的に行うパターンである。
ステップ1として、最初に異相成分の除去を目的とした電解を定電流電解で行い、次にステップ2として、陽極酸化を目的とした電解を定電圧電解で連続的に行うパターンである。
異相成分の除去を目的とした電解と陽極酸化を目的とした電解を定電圧電解で同時に行うパターンである。
スパッタリングターゲットとして、純度99.99%のタンタル(Ta)ターゲットおよび銅(Cu)ターゲット(いずれもφ152.4mm、株式会社高純度化学研究所製)と、基材として、50mm×50mm、厚み50μmのTa箔(東京電解株式会社製)とを、多元スパッタリング装置(株式会社アルバック製、SBH−2206RDE)に設置し、1.0Paのアルゴン(Ar)雰囲気中、Ta−60vol%Cuの混合膜となるように電力比を調整し、TaターゲットおよびCuターゲットを同時にスパッタリングし、基材上にTa−60vol%Cuからなる厚み10μmの混合膜を基材の両面に形成した。得られた成膜材料を、高温真空炉(株式会社東京真空製、turbo−vac)中で、真空度5×10-3Pa以下の真空雰囲気で加熱を開始し、700℃×60minの条件で熱処理を行った。
熱処理工程において、1000℃×60minの条件で熱処理を行ったこと、ステップ1の電解工程において、電圧5V、時間0.5hの定電圧電解を行ったこと(なお、電圧が5Vに到達するまでの電解初期は、電流密度が0.01mA/μFVとなるように、10mm角の成膜材料1個あたり10mAの定電流を供給した)、ステップ2の電解工程において、電圧70Vに到達するまでの期間において、電流密度が0.01mA/μFVで定電流を供給し、電圧70Vに到達後、時間6hの定電圧電解を行ったこと以外は、実施例1と同様にして多孔質バルブ金属陽極体を得て、その静電容量および漏れ電流を測定した。
電解工程においてパターンBの電解を行ったこと以外は、実施例1と同様にして多孔質バルブ金属陽極体を得た。
ステップ1の電解において、電流密度が0.002mA/μFV、時間1hの定電流電解を行った(この電流密度を得るためには10mm角の成膜材料1個あたり5mAの電流を供給した)こと以外は、実施例3と同様にして、多孔質バルブ金属陽極体を得て、その静電容量および漏れ電流を測定した。
ステップ1の電解において、電流密度が0.1mA/μFV、時間0.1hの定電流電解を行った(この電流密度を得るためには10mm角の成膜材料1個あたり250mAの電流を供給した)こと以外は、実施例3と同様にして、多孔質バルブ金属陽極体を得て、その静電容量および漏れ電流を測定した。
電解工程においてパターンCの電解を行ったこと以外は、実施例1と同様にして多孔質バルブ金属陽極体を得た。
基材として50mm×50mm、厚み50μmのNb箔を用い、かかるNb箔の上にNb−60vol%Cuからなる厚み10μmの混合膜を基材の両面に形成し、高温真空炉中で、真空度5×10-3Pa以下の真空雰囲気で加熱を開始して850℃×60minの条件で熱処理を行ったこと、ステップ2における化成電圧を5.0Vとしたこと以外は、実施例1と同様に電解パターンAの電解を行い、多孔質バルブ金属陽極体を得て、その静電容量および漏れ電流を測定した。
電解工程においてパターンBの電解を行ったこと以外は、実施例7と同様にして多孔質バルブ金属陽極体を得た。
実施例1と同様にして得た成膜材料について、実施例1と同様の熱処理を行った後、得られた熱処理後の成膜材料を2.3mol/L(リットル)の硝酸水溶液に浸漬し、Cuを選択的に溶解除去した。その後、純水洗浄、乾燥を行なって、両面にTa多孔質層が形成された陽極体を作製した。
電解パターンDにおいて、時間6hの定電圧電解を行ったこと以外は、従来例1と同様にして、多孔質バルブ金属陽極体を得て、静電容量と漏れ電流を測定した。その製造条件および測定結果を表2に示す。
実施例7と同様にして得た成膜材料について、実施例7と同様の熱処理を行った後、得られた熱処理後の成膜材料を2.3mol/Lの硝酸に浸漬し、Cuを選択的に溶解除去した。その後、純水洗浄、乾燥を行なって、両面にNb多孔質層が形成された陽極体を作製した。
電解パターンDにおいて、電圧10Vの定電圧電解を行ったこと以外は、従来例3と同様にして、多孔質バルブ金属陽極体を得て、静電容量と漏れ電流を測定した。その製造条件および測定結果を表2に示す。
実施例の結果から、熱処理された混合膜から異相成分を除去してバルブ金属多孔質層を形成する工程と陽極酸化処理して酸化(誘電体)皮膜を形成する工程を連続的もしくは同時的に一括に行い工程数を減らしても、従来の特性と同じ多孔質バルブ金属陽極体を作製できることが理解される。わかった。
Claims (5)
- バルブ金属箔集電体の少なくとも一方の面に、タンタル、ニオブ、タンタル合金、およびニオブ合金のうちのいずれか一つからなるバルブ金属と、銅からなる混合膜を形成し、得られた混合膜を熱処理し、該混合膜から前記銅を選択的に除去し、得られたバルブ金属多孔質層を陽極酸化して多孔質バルブ金属陽極体を得る工程において、前記銅の除去および前記バルブ金属多孔質層の陽極酸化を一つの連続した、あるいは同時的な電解によって行うことを特徴とする、多孔質バルブ金属陽極体の製造方法。
- 前記電解において、電解液として、リン酸水溶液、シュウ酸水溶液、および硫酸水溶液のうちのいずれか一つを用い、電解液の電気伝導度を、3mS/cm以上50mS/cm以下とすることを特徴とする、請求項1に記載の多孔質バルブ金属陽極体の製造方法。
- 前記電解において、0.1V以上10V以下の中から選ばれる電圧で定電圧電解を行って、前記銅を除去した後、3V以上100V以下の中から選ばれる電圧で定電圧電解を行って、前記バルブ金属多孔質層を陽極酸化することを特徴とする、請求項2に記載の多孔質バルブ金属陽極体の製造方法。
- 前記電解において、0.001mA/μFV以上0.1mA/μFV以下の中から選ばれる電流密度で定電流電解を行って、前記銅を除去した後、3V以上100V以下の中から選ばれる電圧で定電圧電解を行って、前記バルブ金属多孔質層を陽極酸化することを特徴とする、請求項2に記載の多孔質バルブ金属陽極体の製造方法。
- 前記電解において、3V以上100V以下の中から選ばれる電圧で定電圧電解を行って、前記銅の除去と前記バルブ金属多孔質層の陽極酸化とを同一工程で行うことを特徴とする、請求項2に記載の多孔質バルブ金属陽極体の製造方法。
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