JP5210138B2 - リソグラフィ装置およびデバイス製造方法 - Google Patents
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Description
ラフィ装置は例えば、集積回路(IC)、フラットパネルディスプレイ、および微細構造
を含む他のデバイスの製造において使用可能である。従来のリソグラフィ装置では、代替
的にマスクまたはレチクルと呼ばれるパターニング手段は、IC(または他のデバイス)
の個々の層に対応する回路パターンの生成に使用することができ、このパターンを、放射
線感光原料(例えばレジスト)の層を有する基板(例えばシリコンウェハまたはガラスプ
レート)上の目標部分(例えば1つあるいは幾つかのダイの一部を含む)に描像すること
ができる。マスクの代わりに、パターニング手段は個々に制御可能で、回路パターンを生
成する要素のアレイを含んでもよい。
既知のリソグラフィ装置は、パターン全体を目標部分に1回露光することによって各目標
部分が照射される、いわゆるステッパと、所定の方向(「走査」方向)にパターンをビー
ムで走査し、これと同時に基板をこの方向と平行に、あるいは反平行に走査することによ
り、各目標部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
含むものもある。従来のスキャナは、1回の走査で大面積の基板を露光することができな
い。その1つの理由は、大きい目標部分を露光することができる単体の光列を生成するの
が困難なことである。例えば、パネルの各縁に沿って2メートルのオーダの寸法を有する
パネル上にフラットパネルディスプレイ(FPD)を製造できることが好ましいが、この
ようなパターンのほぼ全幅にわたって延在する目標部分を露光できる単体の光列を生成す
ることは非常に困難である。
配置された一連の別個の光列を使用して、パネルの全幅を露光することであった。この場
合は、隣接するトラックが、パネルの全幅を露光するように突き合わせてある。残念なが
ら、隣接するトラック間に生じる小さいギャップを回避するか、隣接するトラック間の小
さい重なりを回避するために、別個の光列を相互に対して適切な位置で維持することは困
難である。このような位置合わせ不良は、製造中のデバイスの機能に影響することがあり
、FPDの場合は、ディスプレイ上に非常に目立つ線が現れることがある。
できるリソグラフィシステムおよびその使用方法である。
テムを有するリソグラフィ装置が提供される。照明システムは放射線のビームを供給する
。パターニングシステムはビームにパターンを形成する。投影システムは、パターン形成
したビームを基板の目標部分に投影する。変位システムは、ビームが所定の走査方向にて
基板上で走査されるように、基板と投影システムの間に相対的変位を引き起こす。各投影
システムは、アレイの各レンズが個々のビームの個々の部分を基板に向かって配向するよ
うに配置されたレンズのアレイを有する。各パターニングシステムは、所望のパターンを
個々のビームに与えるように制御された個々に制御可能な要素のアレイを有する。投影シ
ステムは、各ビームが基板上の一連のトラックの個々に沿って走査されるように配置され
る。トラックは、各トラックが1本のビームのみで走査される第一部分、および隣接トラ
ックと重なり、2本のビームで走査される少なくとも1つの第二部分を有するように重な
る。トラックの第一部分に配向される各ビームの第一部分の最大強度は、トラックの第二
部分に配向されるビームの第二部分の最大強度より大きく、したがってトラックの第一お
よび第二部分は、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される。
影される放射線の強度を調節することにより、個々のトラックの縁部領域における露光強
度に大きい段階的変化が生じるのを回避することができる。したがって、異なる光学エン
ジンによって走査されるトラックは、隣接トラックの相対的位置の間の位置合わせ不良に
よる悪影響を最小限に抑える方法で、相互に継ぎ合わせることができる。
。つまり、放射線のビームにパターンを形成するステップ。パターン形成したビームを、
基板テーブル上に支持された基板の目標部分に投影するステップ。基板にわたって所定の
走査方向にてビームが走査されるように、基板とビームの間に相対的変位を引き起こすス
テップ。各ビームは、レンズのアレイを通して基板に向かって配向される。個々に制御可
能な要素のアレイによってパターンがビームに与えられるように、アレイの各レンズは、
ビームの個々の部分を配向する。各ビームは、基板上にある一連のトラックの個々に沿っ
て走査される。トラックは、各トラックが1本のビームのみで走査される第一部分、およ
び隣接トラックと重なり、2本のビームで走査される少なくとも1つの第二部分を有する
ように重なる。トラックの第一部分に配向される各ビームの第一部分の最大強度は、トラ
ックの第二部分に配向されるビームの第二部分の最大強度より大きく、したがってトラッ
クの第一および第二部分は、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される。
光列のアレイにて、個々の光列によって生成することができる。隣接する光列は、走査方
向にずれてよい。あるいは、少なくとも2本の重なるビームを、共通レンズアレイにある
レンズの隣接する列を通して基板に配向することができる。隣接する列は走査方向に対し
て傾斜した方向に延在し、走査方向に対して直角の方向で隔置される。ビームは、個々に
制御可能な要素のアレイを使用してパターン形成される。一例では、ビームに与えられた
パターンは、基板の連続的走査中に連続的に更新することができる。
によって決定することができる。例えば、ビームの部分を吸収する吸収デバイスである。
この例では、吸収デバイスの少なくとも1つの周囲部分が、ビームの部分を吸収し、その
周囲部分を通して転送された放射線が個々のトラックの第二部分に投影されるように配置
することができる。様々な例で、吸収デバイスを照明システムとパターニングシステムの
間、またはパターニングシステムと基板の間に配置することができる。
送出することができ、個々に制御可能な要素のアレイによってパターン形成される。一例
では、制御デバイスを使用して要素を制御し、トラックの第二部分に配向されたビームの
成分の強度を削減する。
区域へと配向するように配置構成されたレンズのアレイを通して基板に送出される。ビー
ムの部分をトラックの第二部分に配向するアレイのレンズは、ビームの部分をトラックの
第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのビームを吸収するか、例えば部分反射な
どの他の方法で減衰するように配置構成される。
第二部分の縁部から、トラックの第二部分の他方縁部へと漸進的に低下させることができ
る。したがって、1本のビームの送出強度は、そのビームが走査する区域の縁部に向かっ
て下方向へとテーパ状になる。
および動作について、添付図面に関して以下でさらに詳細に説明する。
に本発明の原理を説明し、当業者による本発明の作成および使用を可能にする働きをする
。
能的に類似した要素を示す。
本文では集積回路(IC)の製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及している
が、本明細書で説明するリソグラフィ装置が他の用途においても使用可能であることは明
確に理解されるべきである。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用
ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、薄膜磁気ヘッド等の製造
に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて使用した「ウェハ」または
「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分」といった、より一般的な
用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。本明細書で言及する基板は
、露光前または露光後に、例えばトラック(通常はレジストの層を基板に塗布し、露光し
たレジストを現像するツール)または計測または検査ツールで処理することができる。適
宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに適用することができる。さ
らに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理することができ、したがっ
て本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指す。
に所望のパターンを生成できるように、入射する放射線ビームにパターン形成した断面を
与えるために使用できる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。
「ライトバルブ」および「空間光変調器」(SLM)という用語も、この文脈で使用可能
である。このようなパターニングデバイスの例について、以下で検討する。
ドレス可能表面を有することができる。このような装置の基本的原理は、例えば反射性表
面のアドレスされた区域は、入射光を回折光として反射し、アドレスされない区域は入射
光を非回折光として反射することである。適切な空間フィルタを使用して、非回折光を反
射ビームから除去し、回折光のみを基板に到達させることができる。この方法で、ビーム
はマトリクスアドレス可能表面のアドレスパターンに従ってパターン形成される。
。回折性光学超小型電気機械システム(MEMS)デバイスのアレイも、対応する方法で
使用することができる。各回折性光学MEMSデバイスは、入射光を回折光として反射す
る格子を形成するために相互に対して変形可能である複数の反射性リボンを含むことがで
きる。
ミラーアレイを含むことができ、各ミラーは、適切な局所的電界を適用するか、圧電手段
を使用することによって軸線の周囲で個々に傾斜させることができる。この場合もミラー
はマトリクスアドレス可能であり、したがってアドレスされたミラーは入射放射線ビーム
を異なる方向でアドレスされていないミラーへと反射し、この方法で反射ビームはマトリ
クスアドレス可能ミラーのアドレスパターンに従ってパターン形成される。必要なマトリ
クスアドレス指定は、適切な電子的手段を使用して実施することができる。
マブルミラーアレイを有してよい。本明細書で言及したミラーアレイに関するさらなる情
報は、例えば米国特許第5,296,891号および第5,523,193号、およびP
CT特許出願第WO98/38597号および第WO98/33096号で見ることがで
き、これらは参照により全体が本明細書に組み込まれる。
許第5,229,872号で与えられ、これは参照により全体が本明細書に組み込まれる
。
変動技術および多重露光技術を使用する場合、個々に制御可能な要素のアレイ上に「表示
」されるパターンは、最終的に基板上または基板の層に伝達されるパターンとは非常に異
なる可能性があることを理解されたい。同様に、最終的に基板上に生成されるパターンは
、個々に制御可能な要素のアレイ上に任意の瞬間に形成されるパターンには対応しないこ
とがある。これは、基板の各部分に形成される最終的パターンが、所与の期間にわたって
、または個々に制御可能な要素のアレイ上のパターンおよび/または基板の相対的位置が
変化する所与の露光回数にわたって蓄積する配置構成である場合であり得る。
で説明するリソグラフィ装置が他の用途においても使用可能であることは明確に理解され
るべきである。例えば、これは、DNAチップ、MEMS、MOEMS、集積光学システ
ム、磁気ドメインメモリ用ガイダンスおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ
、薄膜磁気ヘッド等の製造に使用され得る。こうした代替的な用途においては、本文にて
使用した「ウェハ」または「ダイ」といった用語は、それぞれ「基板」または「目標部分
」といった、より一般的な用語に置き換えて使用され得ることが当業者には理解される。
本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック(通常はレジストの
層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール)または計測または検査ツールで
処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上およびその他の基板処理ツールに
適用することができる。さらに、基板は、例えば多層ICを生成するために、複数回処理
することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み
層を含む基板も指す。
ビームといったような粒子ビームのみならず、紫外線(UV)放射線(例えば、365n
m、248nm、193nm、157nm、あるいは126nmの波長を有する)および
超紫外線(EUV)放射線(例えば、5nm〜20nmの範囲の波長を有する)を含むあ
らゆるタイプの電磁放射線を網羅するものとして使用される。
または浸漬流体の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学シス
テム、反射光学システム、および反射屈折光学システムを含むさまざまなタイプの投影シ
ステムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「レンズ」
なる用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」なる用語と同義と見な
される。
および反射屈折光学構成要素などの様々なタイプの光学構成要素も含むことができ、こう
した構成要素もまた以降において集約的に、あるいは単独的に「レンズ」と称する。
び/または2つもしくはそれ以上のマスクテーブル)を有するタイプのものである。この
ような「多段」機械においては、追加のテーブルが並列して使用される。もしくは、1つ
以上の他のテーブルが露光に使用されている間に予備工程が1つ以上のテーブルにて実行
される。
板を水などの比較的高い屈折率を有する液体に浸漬するタイプでもよい。浸漬液は、例え
ばマスクと投影システムの第一要素との間など、リソグラフィ装置の他の空間に適用して
もよい。浸漬技術は、投影システムの開口数を増加させるため、当技術分野で周知である
。
に改造するために)流体と基板の照射部分の間の相互作用を可能にする流体処理セルを設
けることができる。
図1は、本発明の実施形態によるリソグラフィ投影装置100を概略的に示したもので
ある。装置100は少なくとも放射線システム102、個々に制御可能な要素104のア
レイ、オブジェクトテーブル106(例えば基板テーブル)および投影システム(「レン
ズ」)108を含む。
に使用することができ、この特定の場合は放射線ソース112も有する。
ム110にパターンを適用するために使用することができる。概して、個々に制御可能な
要素104のアレイの位置を投影システム108に対して固定することができる。しかし
、代替配置構成では、個々に制御可能な要素104のアレイは、投影システム108に対
して正確に配置されるために位置決めデバイス(図示せず)に接続することができる。本
明細書で示すように、個々に制御可能な要素104は反射タイプである(例えば個々に制
御可能な要素の反射性アレイを有する)。
ハまたはガラス基板)を保持する基板ホルダ(特には図示せず)を設けることができ、オ
ブジェクトテーブル106は、基板114を投影システム108に対して正確に配置する
ために、位置決めデバイス116に接続することができる。
のような材料から作成したレンズ要素を有する反射屈折システム、またはミラーシステム
)は、ビーム分割器118から受け取ったパターン形成ビームを基板114の目標部分1
20(例えば1つまたは複数のダイ)に投影するために使用可能である。投影システム1
08は、個々に制御可能な要素104のアレイの像を基板114に投影することができる
。あるいは、投影システム108は、二次ソースの像を投影することができ、これに対し
て個々に制御可能な要素104のアレイにある要素がシャッタとして作用する。投影シス
テム108は、二次ソースを形成し、基板114上に微小スポットを投影するマイクロレ
ンズアレイ(MLA)も有してよい。
。ビーム122は、直接的に、または例えばビーム拡大器などの調整デバイス126を通
り越した後、照明システム(照明装置)124へと供給される。照明装置124は、ビー
ム122の強度分布の外部および/あるいは内部放射範囲(一般的にそれぞれ、σ−ou
terおよびσ−innerと呼ばれる)を設定する調節デバイス128を有してよい。
また、照明装置124は一般的に、積分器130およびコンデンサ132のような他の構
成要素を含む。この方法で、個々に制御可能な要素104のアレイに当たるビーム110
は、その断面に亘り所望する均一性と強度分布とを有する。
うに)リソグラフィ投影装置100のハウジング内にあってよいことを留意されたい。代
替実施形態では、ソース112はリソグラフィ投影装置100から離れてもよい。この場
合、放射線ビーム122は(例えば適切な配向ミラーの助けにより)装置100へと配向
される。この後者のシナリオは、ソース112がエキシマレーザである場合に多い。この
シナリオは両方とも本発明の範囲内と想定されることを理解されたい。
な要素104のアレイと交差する。ビーム110は、個々に制御可能な要素104のアレ
イで反射した後、投影システム108を通過し、これはビーム110を基板114の目標
部分120に集束させる。
38を受け取るベースプレート136上の干渉測定デバイス134)の助けにより、オブ
ジェクトテーブル106は、ビーム110の経路における異なる目標部分120に位置を
合わせるために正確に運動可能である。個々に制御可能な要素104のアレイに位置決め
デバイスを使用する場合、これは、例えば走査中にビーム110の経路に対して個々に制
御可能な要素104のアレイの位置を正確に補正するために使用可能である。一般的に、
オブジェクトテーブル106の運動は、図1には明示的に図示されていないロングストロ
ークモジュール(粗動位置決め)およびショートストロークモジュール(微動位置決め)
の助けで実現される。同様のシステムは、個々に制御可能な要素104のアレイの位置決
めにも使用することができる。ビーム110は、オブジェクトテーブル106および/ま
たは個々に制御可能な要素104のアレイが必要な相対的運動を提供するために固定位置
を有する一方、代替的/追加的に運動可能にできることが理解される。
、基板テーブル106を固定することができる。その場合、基板テーブル106には平坦
な最上面に複数の開口を設け、開口を通して気体を供給し、基板114を支持できる気体
クッションを提供する。これは従来、空気支承構成と呼ばれている。基板114は、ビー
ム110の経路に対して基板114を正確に位置決めできる1つまたは複数のアクチュエ
ータ(図示せず)を使用して、基板テーブル106上で動作する。あるいは、開口を通る
気体の通過を選択的に開始および停止することによって、基板114を基板テーブル10
6上で運動させることができる。
ためのものとして説明してきたが、本発明は、この使用法に制限されず、装置100はレ
ジストなしのリソグラフィに使用するパターン形成ビーム110の投影に使用できること
が理解される。
1.ステップモードにおいては、個々に制御可能な要素104のアレイ上の全パターン
を、1回の作動(すなわち1回の「フラッシュ」)で目標部分120に投影する。次に基
板テーブル106がx方向および/あるいはy方向で異なる位置へと移動し、異なる目標
部分120がパターン形成ビーム110によって照射される。
2.走査モードにおいては、基本的にステップモードと同じであるが、1回の「フラッ
シュ」で所与の目標部分120が露光されない。代わりに、個々に制御可能な要素104
のアレイは速度vで所与の方向(y方向などのいわゆる「走査方向」)に移動可能であり
、したがってパターン形成ビーム110が個々に制御可能な要素104のアレイを走査す
る。それと同時に基板テーブル106が速度V=Mvで同じ方向または反対方向に動作す
る。ここでMは投影システム108の倍率である。この方法で、解像度を妥協することな
く、比較的大きい目標部分120を露光することができる。
3.パルスモードにおいては、個々に制御可能な要素104のアレイが基本的に静止状
態に維持され、パルス状放射線システム102を使用して全パターンを基板114の目標
部分120に投影する。基板テーブル106は基本的に一定の速度で移動し、したがって
パターン形成したビーム110は基板106にまたがる線を走査する。個々に制御可能な
要素104のアレイ上のパターンは、要求に応じて放射線システム102のパルス間で更
新され、基板114上の必要な位置で連続する目標部分120が露光するようにパルスの
タイミングをとる。その結果、パターン形成したビーム110は基板114全体を走査し
て、基板114の細片ごとに完全なパターンを露光することができる。線ごとに基板11
4全体を露光するまで、このプロセスを繰り返す。
4.連続的走査モードにおいては、基本的にパルスモードと同じであるが、ほぼ一定の
放射線システム102を使用し、パターン形成したビーム110が基板114を走査し、
それを露光するにつれて、個々に制御可能な要素104のアレイ上のパターンを更新する
。
することができる。
図2は、本発明の1つの実施形態によるマイクロレンズアレイを含む光学投影システム
を示す。図2に示す装置は、要素2の2次元アレイを支持する下面を有するコントラスト
デバイス1を有する。要素2のアレイにある各要素の角度位置は選択的に制御することが
できる。ビーム分割器3をコントラストデバイス1の下に位置決めする。照明ソース4が
放射線ビーム5をビーム分割器3へと配向する。放射線ビーム5は、コントラストデバイ
ス1の下面へと反射する。コントラストデバイス1の要素の1つは、ビーム5の成分部分
を反射し、ビーム分割器3およびレンズ6、7および8によって画定された投影光学系を
通して戻すように図示されている。この例では、最下レンズ8が視野レンズであり、これ
はマイクロレンズアレイ9へと配向されるほぼテレセントリック系のビームを生成する。
一例では、マイクロレンズアレイ9は小型レンズの2次元アレイを有する。各レンズは、
自身に入射した光を基板10の上面へと集束するように配置構成される。
ストデバイス1の要素2ごとに、マイクロレンズアレイ9にある個々のレンズが照明され
る。光の個々のスポットは、マイクロレンズアレイ9の照明されたレンズによって基板1
0の上面へと投影される。この配置構成では、コントラストデバイス1が基板10上に描
像されるが、他の配置構成も可能であることを理解されたい。例えば、投影システム6、
7、8の瞳を基板10に描像することができる。
投影システムを示す。図3では、マイクロレンズアレイ9の下で基板テーブル11に支持
された基板10が図示されている。投影光学系は長方形12で表される。図2のコントラ
ストデバイス1の3つのコントラスト要素2が、投影光学系12の上に図示されている。
図示の配置構成では、基板テーブル11がマイクロレンズアレイ9の下で矢印13の方向
に直線上に移動する。
のスポットの配向(orientation)の略図である。図4は、図2および図3のマイクロレン
ズアレイ9にある個々のレンズの位置間の関係、および図3の基板テーブル11の変位方
向を示す。変位方向は、図4では矢印13で表す。この方向は線14に平行であり、これ
はマイクロレンズアレイ9のレンズの列に平行に延在するさらなる線15に対して傾斜す
る。隣接列のレンズは、レンズ15に対して直角に延在する列を画定するために位置合わ
せされる。各レンズは、長方形のアレイ状のスポットのうち異なるスポットに光を投影し
、その1つを数字16で識別する。レンズは長方形の2次元アレイで配置構成され、これ
は基板テーブルの運動の方向13に対してわずかに傾斜し、したがってコントラストデバ
イス1の個々の要素によって個々のレンズに送出される照明ビーム5を適切に制御するこ
とによって、基板10の表面全体を露光することができる。
の線は、重なるほど相互に対して十分に近い。
ンズアレイ9の下で前進させ、任意の時に露光すべき区域が位置決めされる場所の上にあ
る個々のレンズが、コントラストデバイス1の関連する要素を適切に制御することによっ
て照明される。
図5は、本発明の1つの実施形態による光列のアレイの配置構成の略図である。この例
では、装置は連続的操作モードで動作する。基板17は基板テーブル18上に位置決めさ
れ、矢印19の方向にて基板テーブル18上で変位可能である。基板テーブル18上では
ブリッジ20が位置決めされ、これは例えば6つの光列21を支持し、これはそれぞれ、
円で示した空間を占有して、長方形22で表したフットプリントを有するビームを送出す
る構成要素を組み込む。
光学的フットプリント22が基板17上で走査される。各光列21は、基板17の表面上
にある個々のトラックを露光するために使用可能である。トラックは、矢印19で示す方
向に平行に延在し、矢印19に対して直角の方向では光学的フットプリント22の寸法に
対応する幅を有する。
行で配置構成される。6つの光列21は、矢印19で示す方向に対して直角の方向に分布
するが、矢印19に対して直角の方向で隣接する光列は、矢印19の方向にオフセットも
する。この例では、これは通常、各光列21を構成する機器が、例えば長方形22で表す
ような光学フットプリントの面積より大きいフットプリントを占有しなければならないの
で必要である。したがって、図5で示す6つの光列21が、矢印19に対して直角に延在
する基板17上の線を露光すべき場合、この線のうち最初の3つの区間は、基板17がブ
リッジ20に対して第一位置にある場合に、左端行の3つの光列21[のうち左端行]で露
光され、その線の他の3つの部分は、基板17がさらに変位した後、光列21の右端行で
露光される。
対する位置を概略的に示す。図6は、基板テーブル18上に配置された基板17上の図5
の光列21によって露光可能なトラック23を表す。各トラック23は、破線で表した境
界を有する。
トラック23との重なりを概略的に示す。中心トラック23は、線24および25で示し
た縁部の間に延在する。隣接トラック23は、一方側が線26で示す位置まで、他方側は
線27で示す位置まで延在する。一方側は影区域28で、他方側は影区域29で示した隣
接トラック23が重なる領域がある。
域28および29を除いて均一である。同様に、隣接トラック23は、区域28および2
9を除いて均一の強度である。
域に到達する放射線の強度とほぼ同じであるように、区域28の露光に寄与する2本のビ
ームの強度を変調する。例えば、図示された3つのトラック23全部が、ある特定の瞬間
に全く同じ強度の照明を受けるように意図されている場合、重なり区域28および29を
含む全ての区域は、ほぼ同じ放射線強度を受け取る。
存在すると仮定すると、基板17がその光列21の下で走査されるにつれ、各トラック2
3の中心区域が1つの光列21によって露光され、区域28および29は2つの連続的段
階で露光される。基板17の関連部分として実行される第一露光ステップは、図5で示す
光列21の左手行のうち1つの下を通過して行われる。基板17のその同じ区域で実行さ
れる第二ステップは、図5で示す光列21の右手行の下を通過して行われる。
図8A、図8Bおよび図8Cは、本発明の様々な実施形態により、2本のトラック23
間で重なる領域の幅にわたって強度の連続的変化が存在する場合に、隣接トラック23の
重なる領域におけるビームの強度を概略的に示す。例えば、これらのグラフは図7で示し
、重なり28および29の区域を含む3つのトラック23に送出されるビームの強度を表
す。
を、そのビームによって送出され、必要とされるパターンが均一の100%の強度である
と仮定して示す。強度は、各領域28および29にわたって100%からゼロへとテーパ
状になることが分かる。言うまでもなく、ビームが、ゼロ強度のパターン区域および10
0%強度のパターン区域を含むようにパターン形成されると、図8Aのグラフで示す全体
的パターンは、図示のように均一にならないが、本発明を説明する目的で、下にある基板
に必要な露光では均一性があると仮定する。
ームによって送出されるビームの強度を示す。これらのビームもそれぞれ、領域28、2
9の一方の先端における100%から他方の先端におけるゼロ強度までのテーパ状態を有
する。
出される強度の合計を示す。強度は領域28および29にわたって一定である。図7の中
心トラック23の露光に寄与する3本のビームに多少の位置合わせ不良、例えば10%の
位置合わせ不良があった場合、全体的な強度分布は多少変動するが、せいぜい名目100
%強度値の±10%である。したがって、露光トラック23間の位置合わせ不良の重大性
は大幅に低下する。
強度の代替階段状変動を示す。したがって、図9は、図8で示したものの代替強度分布を
示す。図8で示すように任意の特定トラック23の縁部に向かって強度を連続的に下降さ
せてテーパ状にするのではなく、強度を階段状に低下させることができる。図9で示すケ
ースでは、個々の段がそれぞれ、全体的な名目100%強度の20%を表す。位置合わせ
不良がこれらの5段階のうち1つの幅以内であったと仮定すると、全体的な強度線量は名
目値から±20%を超えて発散しない。
することができる吸収デバイス30、31、32または33の代替位置を概略的に示す。
一例では、減衰デバイスは吸収性ガラスプレートでよく、したがって投影されたビームは
、図8で示したものと同様の強度分布を有する。
る単純なガラスプレートでよく、したがって、プレートを透過しているビームの強度は、
プレートの2つの対向する縁部に向かって漸進的に低下する。
分割器3の間、デバイス31で示すようにビーム分割器3と制御可能なコントラストデバ
イス2の間、デバイス32で示すようにビーム分割器3の1つの表面上、または視野レン
ズ8とマイクロレンズアレイ9の間に配置されたデバイス33が示すように、光列中の他
の適切な位置に位置決めすることができる。いずれのケースでも、デバイス30、31、
32または33は、走査方向に平行に延在するビームの縁部に沿ってビームの部分の相対
的強度を低下させる目的を果たす。
図11および図12は、本発明の実施形態により、制御可能な反射性要素を使用して、
ビームの一部分の強度を調節する方法を概略的に示す。一例では、ミラーのアレイを使用
して、最大強度(例えば「白」)、最小強度(例えば「黒」)、および中間強度(例えば
「グレー」)を送出することができる。最大強度は、コントラストデバイス1の面に平行
に延在するように個々のミラー2(アレイ2で示す)を位置決めすることによって、コン
トラストデバイス1によりマイクロレンズアレイ9の1つのレンズ34に送出される。ミ
ラー2をこのように配置した状態で、曲線35によって表されるミラー2が反射した光の
強度分布は、開口プレート36の開口を中心とする。開口を通過するビームは、線37で
示す中心軸線を有し、光の小さいビームを形成するように線38で示すレンズによって集
束され、これは基板10上のレンズ34によって集束される。レンズ34が送出するビー
ムは、39で示す軸線で対称である。線35が示す強度分布が、開口プレート36にある
開口の中心で対称であるならば、ミラー2が反射する光の大部分(例えば「白い」)が基
板10に到達し、これは最大強度に対応する。
、レンズ34に到達する光がほぼなく(例えば「黒」)、その結果、基板10の最小強度
の露光になる。しかし、ミラー2を比較的小さい角度だけ回転すると、反射ビームが開口
プレート36の開口に対して変位するが、反射光の一部が開口を通過する。
ットするが、部分的にその開口に重なることが分かる。したがって、一部の光がレンズ3
4に到達するが、基板10に送出される光の強度は、図11で示したケースと比較すると
低下している。
たレンズを有するマイクロレンズアレイ9のレンズの行に送出される。走査方向に平行に
延在するレンズが、コントラストデバイス1からグレー強度のビームを受け取り、したが
って重なる光列間の強度関係を達成することができる。
ムを示す。このような配置構成では、解像度はコントラストデバイス1のグレー値の関数
として変動し、これはミラー2の傾斜である。
。このような配置構成では、解像度はグレー値に依存しない。
するように位置決めされたマイクロレンズアレイを組み込んだ3つの光列の配置構成(例
えば光学的フットプリント)を概略的に示す。3つの光列の光学的フットプリントは、重
なるこれらの列の光学的フットプリントの部分のグレーレベル照明を使用する。図13で
は、走査方向を矢印40で示す。第一光列は、長方形41で示す光学的フットプリントを
有する。その光学的フットプリントは、露光すべき基板の区域の縁部まで延在し、その縁
部は線42で示される。光学的フットプリント41は、線43と44の間に画定された領
域とも重なり、その領域は、隣接する光列の長方形45で示す光学的フットプリントの右
手側とも重なる。光学的フットプリント45は、線46および47で境界を区切られた領
域と重なり、これは長方形48で示す光列の右手側とも重なる。
るように位置決めされたミラー2(例えば図11および図12参照)から光を受け取る一
連のレンズの行を構成する。光学的フットプリント41の右手側は、全強度の放射線を受
け取る。隣接する光列との重なりがないからである。しかし、隣接する光列との重なりが
ある全てのケースにおいては、光学的フットプリントの重なる部分に送出される放射線の
ビームの強度を低下させる。
マイクロレンズアレイの縁部分を概略的に示す。つまり、図14は、基板上の重なるトラ
ックを露光するように配置構成された2つのマイクロレンズアレイに個々のレンズを配置
することを概略的に示す。図13では、ミラーアレイを適切に制御することによって、重
なる部分が受け取る放射線の強度を低下させる。しかし、図14で示すケースでは、光学
的フットプリントの重なる部分に寄与するレンズが、入射放射線のある割合を吸収するか
、他の方法で変化させるように処理される。したがって、例えば図8で示すように、隣接
する光学的フットプリント間で重なる領域にわたり、ほぼ一定の照明レベルを維持するこ
とができる。
9の1つの隅部が図示されている。これらのレンズはそれぞれ、下にある基板上のスポッ
トを露光する。そのスポットの位置を、小さい円51で示す。マイクロレンズアレイ49
は静止状態であるが、下にある基板に対して矢印52の方向に移動する。これは、マイク
ロレンズアレイ49の下にある基板の変位に基づく。したがって、マイクロレンズアレイ
49は、図13で示すマイクロレンズアレイ45の1つの隅部として表すことができる。
レイ53は、図13で示す光学的フットプリント41の左手上隅部に対応する。この場合
も、個々のレンズを円50で、個々の照明スポットを円51で示す。
行に延在する2本の線間のスペース55として示されたトラックを照明する。次の行の隣
接レンズがスペース57を照明し、次の行の隣接レンズ58がトラック59を照明する。
これらのトラックはわずかに重なり、したがって3つのレンズ54、56および58が全
て、同じ強度の放射線ビームを受け取り、その結果、トラック55、57および59と重
なる区域の露光がほぼ均一になる。
61および62と位置合わせされる。したがって、これらのレンズ60、61および62
はそれぞれ、トラック55、57および59の個々のトラックを照明することができる。
例えば、完全に位置合わせされ、図14の2つのマイクロレンズアレイで示した6つのレ
ンズ54、56、58、60、61および62がそれぞれ、100%の放射線ビームを送
出するアレイの他の全レンズと比較して、50%の放射線ビームを送出する場合、2つの
マイクロレンズアレイによって露光される全トラックは、均一な100%の露光となる。
露光を可能にする。行の各レンズには、受け取った全放射線の一部が吸収されるように表
面処理を施す。例えば、レンズ60は、入射ビームの1/64を吸収し、レンズ61は2
/64を、レンズ62は3/64を、および以下同様に吸収するように製造することがで
き、レンズ54は63/64を、レンズ56は62/64を、レンズ58は61/64を
、および以下同様に吸収するように配置構成される。したがって、この例では、2つのマ
イクロレンズアレイが横断するトラックがほぼ完全に位置合わせされている場合、各トラ
ックが入射ビームのちょうど64/64を送出することになる。マイクロレンズアレイが
、例えば1トラックの幅だけ位置合わせ不良である場合、重なる区域が1トラックだけ減
少する結果、任意の2つの光列間の境界線をまたぐ最大強度の変動が、重なる区域にわた
って所望の強度を1/64低下させる。
、入射ビームのある割合を吸収させるように仮定することができる。走査方向52に対す
る列の傾斜角度、およびレンズ50のピッチは、各列が64のトラックを露光できるよう
なものであり、それぞれの幅がレンズのピッチの1/64であることも仮定する。
列を、例えば放射線吸収材料の層などで処理し、下にある基板に適切な放射線強度を送出
することも理解される。
平方マイクロメートルのオーダであり、各ミラーがマイクロレンズアレイにあるレンズア
レイの個々のアレイを照明する。各レンズは、基板にて1.25マイクロメートル直径の
スポットを送出することができる。各マイクロレンズアレイは、例えば200行のレンズ
を収容するマイクロレンズアレイの(例えば走査方向での)深さを有する例えば500の
レンズの行(例えば走査方向に対して横方向)を有することができる。この例では、20
0のレンズの各列が、250マイクロメートル幅9のトラック(200×1.25マイク
ロメートル)を露光することができる。
ーム」は、レンズのアレイを含む個々の光列によって生成され、そのアレイのレンズは全
て、1本のビームの複数の部分を基板に向かって配向するものと仮定する。上記の実施形
態および/または例のうち1つまたは複数は、2つの隣接する光列の光学的フットプリン
トの重なる部分に当てはまる。しかし、1つの光列のレンズのアレイ内で、レンズの隣接
する列間に発生し得る描像エラーを減少できる他の例もある。この例では、各「ビーム」
は、1つの光列内でレンズの1つのアレイにあるレンズの個々の列を使用して生成する。
本発明のこの追加的な用途について、図15および図16に関してさらに説明する。
クの図である。この実施形態は、図13および図14で示した実施形態と最も類似してい
るが、それぞれが4列のレンズc1、c2、c3およびc4で構成されたレンズ63、6
4を含み、各列が10行のレンズr1からr10を画定するように配置構成された2つの
光列を組み込む。走査方向が矢印65で示され、したがってアレイ63のレンズの列は線
66間に画定された区域に寄与し、アレイ64のレンズの列は、線67間に画定された区
域に寄与する。したがって、アレイ63の右手列の最初の4行(列c4、行r1からr4
)にあるレンズと、アレイ64の左手列の最後の4行(列c1、行r7からr10)にあ
るレンズとの間に重なる区域がある。レンズの2アレイの照明の最大強度を、線68およ
び69で示す。したがって、2つの光列の光学フットプリント間の「シーム(seam)」にて
、均一な最大強度が達成される。
って生成された重なるトラックの図である。これは、図15で示す実施形態のように隣接
するレンズアレイ間ではなく、1つのレンズアレイにある異なるレンズ列間に重なる「シ
ーム」を設けることを示す。1つのレンズアレイ70を図16で示し、このアレイは、1
3の行r1からr13で配置構成された4列のレンズc1からc4を有する。
73の間に配置されたゾーンなどで隣接する列の重なりがあることが分かる。重なり合う
各列内で、最大強度を線74で示す。列c1、c2およびc3の行r1からr3、および
列c2、c3およびc4の行r10からr13は、最大強度が低下している。その結果、
照明された光列が走査した基板上のトラックの全幅にわたる最大強度は、ほぼ一定である
。レンズの隣接列に送出されたパターン形成ビームを異なる「ビーム」と見なすことによ
り、隣接するビームが走査されるトラックが重なり合い、ビームの重なる部分と重ならな
い部分との最大強度は、基板上の全目標表面が、ほぼ同じ最大強度の放射線に露光される
ような強度であることが分かる。
以上、本発明の様々な実施形態を説明してきたが、これは例示によってのみ提示された
もので、制限ではないことを理解されたい。本発明の精神および範囲から逸脱せずに、形
態および細部を様々に変更できることが当業者には明白である。したがって、本発明の幅
および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれにも制限されず、請求の範囲およびその
等価物によってのみ定義されるものとする。
2 2次元アレイ
3 ビーム分割器
4 照明ソース4
5 放射線ビーム
6,7,8 レンズ
9 マイクロレンズアレイ
10 基板
11 基板テーブル
12 投影光学系
13 基板テーブルの移動方向
16 スポット
17 基板
18 基板テーブル
19 基板の移動方向
20 ブリッジ
21 光列
22 フットプリント
23 トラック
24,25,26,27 線
28,29 重なり区区域
30,31,32,33 吸収デバイス
34 レンズ
35 光の強度分布
36 開口プレート
37 中心軸線
39 線
40 走査方向
41 フットプリント
43,44 線
45 フットプリント
46,47 線
48 光列
49 マイクロレンズアレイ
50 レンズ
51 照明スポット
52 基板に対するマイクロレンズアレイの移動方向
53 マイクロレンズアレイ
54 レンズ
55 スペース(トラック)
56 レンズ
57 スペース(トラック)
58 レンズ
59 スペース(トラック)
60,61,62 レンズ
63,64レンズ
c1,c2,c3,c4 レンズ
r1〜r13 レンズ
65 走査方向
66〜69 線
70 レンズアレイ
71 走査方向
72,73 線
74 最大強度
Claims (12)
- リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な要素のアレイを有するパターニングシステムと、
パターニングシステムからのパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第一部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度が、第二部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度より大きく、かつその第一部分および第二部分が、全体としてほぼ同じ最大強度の放射線に露光し、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とするリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な要素のアレイを有するパターニングシステムと、
パターニングシステムからのパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
前記投影システムは、パターン形成されたビームが透過する減衰デバイスを有し、
減衰デバイスの少なくとも1つの周囲部分が、パターン形成されたビームのある割合を減衰し、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、減衰デバイスは、周囲部分を透過したパターン形成されたビームが第二部分へと投影されるように配置され、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とするリソグラフィ装置。 - 減衰デバイスが、放射線のビームを供給する照明システムとパターニングシステムの間で配置される、請求項2に記載の装置。
- 減衰デバイスが、パターニングシステムと基板の間に配置される、請求項2に記載の装置。
- リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な要素のアレイを有するパターニングシステムと、
パターニングシステムからのパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
前記個々に制御可能な要素のアレイは、パターン形成されるビームの最大、最小、または少なくとも1つの中間強度の成分のうち少なくとも1つを基板へと配向するために個々の要素を制御するように配置され、
当該リソグラフィ装置はさらに、各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、中間強度の成分を第二部分へと配向し、最大強度の成分を第一部分へと配向することによって、第一部分へと配向されたパターン形成されたビームの成分と比較して、第二部分へと配向されたパターン形成されたビームの成分の強度を低下させるために、前記個々に制御可能な要素のアレイにある各要素を制御する制御デバイスを有し、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とするリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な要素のアレイを有するパターニングシステムと、
パターニングシステムからのパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、レンズのアレイは、パターン形成されたビームの一部を第二部分へと配向するアレイのレンズが、パターン形成されたビームの一部を第一部分へと配向するアレイのレンズより多くのパターン形成ビームを減衰するように配置構成され、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とするリソグラフィ装置。 - リソグラフィ装置であって、
個々に制御可能な要素のアレイを有するパターニングシステムと、
パターニングシステムからのパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影システムとを有し、当該投影システムは、レンズのアレイを有し、アレイの各レンズはパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向し、さらに、
アレイのレンズは、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置され、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とするリソグラフィ装置。 - デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第一部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度が、第二部分に配向されるパターン形成されたビームの最大強度より大きく、かつその第一部分および第二部分が、全体としてほぼ同じ最大強度の放射線に露光し、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とする方法。 - デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、
パターン形成されたビームを減衰デバイスを通して伝送することと、を含み、
パターン形成されたビームの少なくとも1つの周囲部分は、減衰デバイスの比較的高度に減衰する周囲部分によって強度が低下し、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、減衰デバイスは、周囲部分を透過したパターン形成されたビームが第二部分へと投影されるように配置され、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とする方法。 - デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、
パターン形成ステップが、
パターン形成されたビームの成分を1つのトラックの第一部分の1つ、またはトラックの第二部分の1つへと配向するために、個々に制御可能な要素のアレイの個々の要素を制御することと、
高くても中間の強度の成分がトラックの第二部分の1つへと配向され、最大強度の成分が、トラックの第一部分の1つへと配向されるように、個々の要素を制御することとを含み、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とする方法。 - デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、
配向ステップが、
パターン形成されたビームの部分をトラックの1つの第一部分へと配向するアレイのレンズより、パターン形成されたビームの部分を1つのトラックの1つの第二部分へと配向するアレイのレンズの方が、パターン形成されたビームを多く減衰することを含み、
基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とする方法。 - デバイス製造方法であって、
個々に制御可能な要素のアレイで放射線のビームにパターンを形成することと、
パターン形成されたビームを基板の目標部分にレンズのアレイを通して投影することと、
パターン形成されたビームが所定の走査方向にて基板全体で走査されるように、基板とパターン形成されたビームとの間に相対的変位を引き起こすことと、
アレイの各レンズを通してパターン形成されたビームの対応する部分を基板へと配向することと、
アレイのレンズを、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって配向されるパターン形成されたビームが基板の表面上の部分的に重なり合う複数のトラックのうちの対応するひとつのトラックを走査するように配置することと、を含み、
各トラックのうち、他のいずれのトラックとも重なり合わない部分を第一部分と呼び、隣接トラックと重なり合う部分を第二部分と呼ぶとき、基板の走査方向に沿ったレンズの列のそれぞれによって対応するトラックの第一部分および第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度について、第二部分へ配向されるパターン形成されたビームの強度が、その対応するトラックの第一部分に隣接するトラックの第二部分の縁部からその対応するトラックの第二部分の他方縁へと漸進的に低下し、
トラックの第二部分は、そのトラックに対応するレンズの列に含まれる複数のレンズに対応することを特徴とする方法。
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KR102151254B1 (ko) * | 2013-08-19 | 2020-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광장치 및 그 방법 |
KR20150087949A (ko) * | 2014-01-23 | 2015-07-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 마스크리스 노광 장치 |
EP3155647A4 (en) * | 2014-06-13 | 2018-01-24 | Intel Corporation | Ebeam universal cutter |
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EP3559752A4 (en) * | 2016-12-23 | 2020-08-19 | ASML Netherlands B.V. | PRODUCTION OF UNIQUE CHIPS WITH A LITHOGRAPHY SYSTEM WITH MULTIPLE CARRIER PART JETS |
KR20240013769A (ko) * | 2021-05-25 | 2024-01-30 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 증가된 디지털 포토리소그래피 정밀도를 위한 브릿지 보강재들 |
KR20240017069A (ko) * | 2021-07-05 | 2024-02-06 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 그리고 노광 데이터 작성 방법 |
CN117677902A (zh) * | 2021-07-20 | 2024-03-08 | Asml荷兰有限公司 | 用于具有增加的公差的光刻工具的***和方法 |
Family Cites Families (44)
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JP2504434B2 (ja) | 1987-01-28 | 1996-06-05 | 株式会社東芝 | 荷電粒子ビ―ム描画方法 |
US5523193A (en) * | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
EP0527166B1 (de) * | 1990-05-02 | 1995-06-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. | Belichtungsvorrichtung |
EP0480437B1 (en) * | 1990-10-12 | 1997-01-02 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Scanning and exposing method using a plurality of optical beams and apparatus therefor |
JPH04240718A (ja) | 1991-01-24 | 1992-08-28 | Jeol Ltd | 可変成形型荷電粒子ビーム描画方法 |
US5229872A (en) * | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
US6219015B1 (en) * | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
JP3224041B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) * | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) * | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) * | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) * | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
EP0991959B1 (en) | 1996-02-28 | 2004-06-23 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
US6538723B2 (en) * | 1996-08-05 | 2003-03-25 | Nikon Corporation | Scanning exposure in which an object and pulsed light are moved relatively, exposing a substrate by projecting a pattern on a mask onto the substrate with pulsed light from a light source, light sources therefor, and methods of manufacturing |
JPH1050599A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Nikon Corp | 露光装置の制御方法 |
ATE216091T1 (de) | 1997-01-29 | 2002-04-15 | Micronic Laser Systems Ab | Verfahren und gerät zur erzeugung eines musters auf einem mit fotoresist beschichteten substrat mittels fokusiertem laserstrahl |
US6177980B1 (en) * | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) * | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
CN1166987A (zh) | 1997-06-18 | 1997-12-10 | 武汉大学 | 含d-半乳糖基的顺磁性金属配合物磁共振成像造影剂 |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
JPH11251219A (ja) | 1998-03-02 | 1999-09-17 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法及びディスプレイ装置の製造方法 |
KR20010088343A (ko) | 2000-02-18 | 2001-09-26 | 시마무라 테루오 | 노광방법 및 장치, 그리고 디스플레이장치의 제조방법 |
JP2001297975A (ja) | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
KR100827874B1 (ko) * | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
TWI226972B (en) * | 2000-06-01 | 2005-01-21 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby |
EP1246014A1 (en) | 2001-03-30 | 2002-10-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
RU2187160C1 (ru) * | 2000-12-29 | 2002-08-10 | Кумахов Мурадин Абубекирович | Устройство для рентгеновской литографии |
EP1251402B1 (en) | 2001-03-30 | 2007-10-24 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3563384B2 (ja) * | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
JP4114184B2 (ja) | 2001-12-28 | 2008-07-09 | 株式会社オーク製作所 | 多重露光描画装置および多重露光描画方法 |
DE10312989A1 (de) | 2002-03-28 | 2003-11-06 | Toshiba Kk | Lithographiesystem mit Strahl aus geladenen Teilchen, Lithographieverfahren, das einen Strahl aus geladenen Teilchen verwendet, Verfahren zum Steuern eines Strahls aus geladenen Teilchen, und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils |
EP1369731A3 (en) * | 2002-06-07 | 2008-02-13 | FUJIFILM Corporation | Exposure head and exposure apparatus |
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