JP5206768B2 - ナノコンポジット熱電変換材料、その製造方法および熱電変換素子 - Google Patents

Description

本発明は、ナノコンポジット熱電変換材料、その製造方法およびそれを含む熱電変換素子に関し、さらに詳しくは出力因子が大きいナノコンポジット熱電変換材料、その製造方法およびそれを含む熱電変換素子に関する。

近年、地球温暖化問題から二酸化炭素排出量を削減するために、化石燃料から得られるエネルギーの割合を低減する技術への関心が益々増大しており、その１つとして未利用廃熱エネルギーを電気エネルギーに直接変換し得る熱電材料が挙げられる。
熱電材料とは、火力発電のように熱を一旦運動エネルギーに変換しそれから電気エネルギーに変換する２段階の工程を必要とせず、熱から直接的に電気エネルギーに変換することを可能とする材料である。

そして、熱から電気エネルギーへの変換は、通常熱電材料から成形したバルク体の両端の温度差を利用して行われる。この温度差によって電圧が生じる現象はゼーベックにより発見されたのでゼーベック効果と呼ばれている。
この熱電材料の性能は、次式で求められる性能指数Ｚで表わされる。
Ｚ＝α^２σ／κ（＝Ｐｆ／κ）

ここで、αは熱電材料のゼーベック係数、σは熱電材料の導電率（導電率の逆数を比抵抗という。）、κは熱電材料の熱伝導率である。α^２σの項をまとめて出力因子Ｐｆという。そして、Ｚは温度の逆数の次元を有し、この性能指数Ｚに絶対温度Ｔを乗じて得られるＺＴは無次元の値となる。そしてこのＺＴを無次元性能指数と呼び、熱電材料の性能を表す指標として用いられている。
熱電材料が幅広く使用されるためにはその性能、特に低温での性能をさらに向上させることが求められている。そして、熱電材料の性能向上には前記の式から明らかなように、より高いゼーベック係数α、より高い導電率σ（より小さい比抵抗）であることによるより高い出力因子、より低い熱伝導率κが求められる。
しかし、これらすべての項目を同時に改良することは困難であり、熱電材料の前記項目のいずれか１つを改良し、そして低い温度でも電気エネルギーに変換可能な熱電材料を提供する目的で多くの試みがなされている。

例えば、特許文献１には、所要の化合物熱電半導体の組成を有する原料合金からなる板状の熱電半導体素材を、ほぼ層状に積層充填し固化成形して成形体とし、該成形体を、上記熱電半導体素材の主な積層方向に直角又は直角に近い一軸方向より押圧して上記熱電半導体素材の主な積層方向にほぼ平行な一軸方向に剪断力が掛かるように塑性変形加工してなる熱電半導体材料が記載され、具体例として化合物熱電半導体の化学量論組成を（Ｂｉ−Ｓｂ）_２Ｔｅ_３系の組成としその化学量論組成に対して過剰のＴｅを加えて原料成形体とする熱電半導体材料が熱伝導率を低減し得ることが記載されている。しかし、前記公報にはナノコンポジット熱電変換材料については記載されていない。

特開２００４−３３５７９６号公報

また、前記の従来技術によれば、熱電半導体材料の熱伝導率は低下し得ても出力因子を大きくすることは困難であり、性能指数の改良は不十分である。
本発明者らは、熱電変換材料のさらなる性能向上を図るために熱電材料の母相中に分散材ナノ粒子が分散したナノコンポジット熱電変換材料に関する発明について特許出願（特願２００９−２８５３８０号）を行った。
前記のナノコンポジット熱電変換材料によれば熱伝導率は大幅に低下し得るがゼーベック係数αは変わらず、さらに性能指数を改良することが求められている。
従って、本発明の目的は、無配向のナノコンポジットに比べてゼーベック係数αを改善することによって低い温度でも出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料、その製造方法およびそれを含む熱電変換素子を提供することである。

本発明は、熱電材料の母相に絶縁ナノ粒子が分散していて熱電材料の軟化点以上の温度に加熱された材料を、１℃／分以上２０℃／分未満の冷却速度で圧縮下に冷却することにより熱電材料の母相の結晶粒を配向させることを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料の製造方法に関する。
また、本発明は、前記の方法によって得られるナノコンポジット熱電変換材料に関する。
さらに、本発明は、前記のナノコンポジット熱電変換材料を含む熱電変換素子に関する。
本発明において、絶縁ナノ粒子とは、粒径が１００ｎｍ以下、例えば５０ｎｍ以下、特に０．１〜１０ｎｍの範囲の絶縁微粒子を意味する。

本発明によれば、無配向のナノコンポジット熱電変換材料に比べて低い温度でもゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料を得ることができる。
また、本発明によれば、無配向のナノコンポジット熱電変換材料に比べて低い温度でもゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料を容易に得ることができる。
さらに、本発明によれば、無配向のナノコンポジット熱電変換材料に比べて低い温度でもゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料を含む熱電変換素子を得ることができる。

図１は、本発明の実施態様のナノコンポジット熱電変換材料の部分拡大模式図である。 図２は、本発明の実施態様のナノコンポジット熱電変換材料を説明するための部分拡大模式図である。 図３は、本発明の実施態様のナノコンポジット熱電変換材料を製造するために用いられる装置の模式図である。 図４は、本発明の製造方法の実施態様に用いられる配向前の熱電材料の母相中に絶縁ナノ粒子が分散している１つの結晶粒の拡大模式図である。 図５は、本発明の製造方法の実施態様で得られるナノコンポジット熱電変換材料の１つの結晶粒の拡大模式図である。 図６は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料と比較例で得られたナノコンポジット熱電変換材料とのゼーベック係数を比較して示すグラフである。 図７は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料と比較例で得られたナノコンポジット熱電変換材料との比抵抗を比較して示すグラフである。 図８は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料と比較例で得られたナノコンポジットとの出力因子を比較して示すグラフである。 図９は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料と比較例で得られたナノコンポジット熱電変換材料とのＺＴを比較して示すグラフである。 図１０は、従来技術に基づいて得られたナノコンポジット熱電変換材料のゼーベック係数と温度との関係を示すグラフである。 図１１は、従来技術に基づいて得られたナノコンポジット熱電変換材料の熱伝導率と温度との関係を示すグラフである。 図１２は、従来技術に基づいて得られたナノコンポジット熱電変換材料のＺＴと温度との関係を示すグラフである。 図１３は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ａでの高倍率ＴＥＭ像の写しである。 図１４は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ａでの倍率を変えた高倍率ＴＥＭ像の写しである。 図１５は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ａでの中倍率ＴＥＭ像の写しである。 図１６は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ａでのさらに高倍率ＴＥＭ像の写しである。 図１７は、実施例で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ｂでの高倍率ＴＥＭ像の写しである。 図１８は、比較例２で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ａでの高倍率ＴＥＭ像の写しである。 図１９は、比較例２で得られたナノコンポジット熱電変換材料の図２における視野Ａで倍率を変えた高倍率ＴＥＭ像の写しである。 図２０は、本発明の熱電変換素子の一例の模式図である。

本発明の実施態様によれば、熱電材料の母相の結晶粒が層状に積層されて配向していて、その配向方向に垂直な結晶粒の幅が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の範囲内であって、粒界に分散した絶縁ナノ粒子を含んでなるナノコンポジット熱電変換材料によって、配向前のナノコンポジット熱電変換材料に比べてゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料を得ることができる。
また、本発明の実施態様によれば、熱電材料の母相に絶縁ナノ粒子が分散していて熱電材料の軟化点以上の温度に加熱された材料を、１℃／分以上２０℃／分未満の冷却速度で圧縮下に冷却することにより熱電材料の母相の結晶粒を配向させることによって、配向前のナノコンポジット熱電変換材料に比べてゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料を容易に得ることができる。
また、前記の方法によって得られるナノコンポジット熱電変換材料によって、配向前のナノコンポジット熱電変換材料に比べてゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料を得ることができる。
さらに、本発明の実施態様によれば、前記のナノコンポジット熱電変換材料を含む熱電変換素子によって、ナノコンポジット熱電変換材料のゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得て性能の高い素子を得ることができる。

以下、本発明について、図１〜図２０を用いて説明する。
図１、図２、図５および図１３〜図１７に示すように、本発明の実施態様であるナノコンポジット熱電変換材料は、例えばＢｉＴｅ系の（Ｂｉ、Ｓｂ）_２（Ｔｅ、Ｓｃ）_３結晶粒は、結晶方位の揃った母相の結晶粒が層状に積層されて配向していて粒界に分散した絶縁ナノ粒子が含まれていて、図１３〜１６に示すように、その配向方向に垂直な結晶粒の幅が５ｎｍ以上２０ｎｍ未満の範囲内である。また、図２に示すように、熱、電気の伝導方向は圧縮された方向に垂直な平面内であれば可能である。配向後の前記結晶粒の幅が前記下限より小さいと製造が容易でなく、また前記上限以上であるとゼーベック係数αの改善が期待できない。
これに対して、図４および１８、１９に示すように、本発明の範囲外のナノコンポジット熱電変換材料は、母相の結晶粒が配向しておらず絶縁ナノ粒子は結晶粒内に含まれている。

そして、このような構成を有する本発明の実施態様のナノコンポジット熱電変換材料は、図６、８、１０および１２に示すように、Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ２７７（２００５）２５８−２６３に記載の従来公知の熱電材料と比較して低い温度範囲でも、例えば約３０〜約５０℃の範囲の温度においてゼーベック係数およびＺＴが向上している。
さらに、このような構成を有する本発明の実施態様のナノコンポジット熱電変換材料は、図６〜図９に示すように、配向前のナノコンポジット熱電変換材料と比較して低い温度範囲でも、例えば約３０〜約５０℃の範囲の温度においてゼーベック係数が向上し、比抵抗が低減され、出力因子が例えば４倍程度向上し、ＺＴが４倍程度向上している。

また、本発明の実施態様において、本発明のナノコンポジット熱電変換材料は、例えば図３に示す配向装置を用いて、熱電材料の母相に絶縁ナノ粒子が分散していて熱電材料の軟化点以上の温度に加熱された材料を、１℃／分以上２０℃／分未満の冷却速度で圧縮下に冷却することにより熱電材料の母相の結晶粒を配向させることによって得ることができる。
本発明の方法の実施態様によって得られるナノコンポジット熱電変換材料は、冷却速度を本発明における前記の範囲より大きくし、従って急冷する方法で得られたナノコンポジット熱電変換材料と比較して、図６〜９に示すように、低い温度範囲で、例えば約３０〜約５０℃の範囲の温度において、ゼーベック係数が向上し、比抵抗が同等で、出力因子が向上し、ＺＴが５０％以上向上している。

本発明の実施態様において、本発明の熱電変換素子１０は、図２０に示すように、ｐ型半導体である本発明に係るナノコンポジット熱電変換材料から形成された熱電変換材料１（ｐ型の熱電変換材料の本体)と、ｎ型半導体の熱電変換材料２（ｎ型の熱電変換材料の本体)が、並列に置かれ、終端電極３、他の終端電極４及び共通電極５で直列に接続されている。共通電極５の外側には下部絶縁性基板６が接合されている。一方、終端電極３と終端電極４の外側には上部絶縁性基板７が接合されている。そして、上部絶縁性基板７を低温度（Ｌ）にし、かつ下部絶縁性基板６を高温度（Ｈ）にして上下絶縁性基板６、７に温度差を与えると、ｐ型半導体である熱電変換材料１おいては、正の電荷を持ったホールが低温度Ｌ側に、ｎ型半導体である熱電変換材料２においては、負の電荷を持った電子が低温度側Ｌに移動する。その結果、終端電極３と終端電極４の間に電位差が生じる。温度差を与えた場合、終端電極３は正、終端電極４は負となる。なお、より高い電圧を得るためには、ｐ型熱電変換材料集合体１とｎ型熱電変換材料２を交互に直列に接続することによって達成し得る。

本発明における分散材としては、無機の絶縁材料、例えばアルミナ、ジルコニア、チタニア、マグネシア、シリカおよびこれらを含む複合酸化物、炭化珪素、窒化アルミ、窒化ケイ素等を挙げることができる。これらの中でも、熱伝導率が低いことから、シリカ、ジルコニア、チタニアが好適である。また、用いる分散材は絶縁材料の１種であってもよくあるいは二種以上を併用してもよい。

本発明における熱電材料としては、特に制限はなく、例えばＢｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｉから選択される少なくとも２種以上の元素を含む材料、例えばＢｉＴｅ系あるいはＣｏおよびＳｂを主成分とするＣｏＳｂ_３化合物の結晶がＣｏ、Ｓｂ以外の元素、例えば遷移金属を含むものが挙げられる。前記の遷移金属としては、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃｕなどが挙げられる。前記熱電材料として、（Ｂｉ、Ｓｂ）_２（Ｔｅ、Ｓｅ）_３系、Ｂｉ_２Ｔｅ_３系、（Ｂｉ、Ｓｂ）Ｔｅ系、Ｂｉ（Ｔｅ、Ｓｅ）系、ＣｏＳｂ_３系、ＰｂＴｅ系、ＳｉＧｅ系のいずれかを好適に挙げることが出来る。また、前記遷移金属のうちＮｉを含む熱電材料、特に化学組成がＣｏ_１−ｘＮｉ_ｘＳｂ_Ｙ（式中、０．０３＜Ｘ＜０．０９、２．７＜Ｘ＜３．４）であるものはＮ型熱電材料を与え、組成中にＦｅ、Ｓｎ、Ｇｅを含む熱電材料、例えば化学組成がＣｏＳｂ_ｐＳｎ_ｑ又はＣｏＳｂ_ｐＧｅ_ｑ（式中、２．７＜ｐ＜３．４、０＜ｑ＜０．４、ｐ＋ｑ＞３）であるものはＰ型熱電材料を与え得る。

本発明の方法における熱電材料の母相に絶縁ナノ粒子が分散した材料は、例えば、熱電材料の前駆体物質の塩と、分散材ナノ粒子を含むスラリーに還元剤の溶媒溶液を滴下合成し、次いで、溶媒からの固形分の分離取得および熱電材料を得るための水熱処理による合金化、乾燥工程を続けて行うことによって得ることができる。
前記熱電材料の前駆体物質の塩としては、例えば、Ｂｉ、Ｓｂ、Ａｇ、Ｐｂ、Ｇｅ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ａｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｓｉから選択される少なくとも１種以上の元素の塩、例えばＢｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｎ又はＧｅの塩、例えば前記元素のハロゲン化物、例えば塩化物、フッ化物、臭素化物、好適には塩化物や、硫酸塩、硝酸塩などが挙げられ、前記熱電材料の他の塩としては、前記元素以外の元素、例えばＳｂの塩、例えば前記元素のハロゲン化物、例えば塩化物、フッ化物、臭素化物、好適には塩化物や、硫酸塩、硝酸塩などが挙げられる。

また、前記のスラリーを与える溶媒としては、前記熱電材料を均一に分散し得るもの、特に溶解し得るものであれば特に制限はなく、例えばメタノール、エタノール、イソプロパノール、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、好適にはメタノール、エタノールなどのアルコールが挙げられる。

前記の還元剤としては、前記熱電材料の塩を還元し得るものであれば特に制限はなく、例えば第三級ホスフィン、第二級ホスフィンおよび第一級ホスフィン、ヒドラジン、ヒドロキシフェニル化合物、水素、水素化物、ボラン、アルデヒド、還元性ハロゲン化物、多官能性還元体などが挙げられ、その中でも水素化ホウ素アルカリ、例えば水素化ホウ素ナトリウム、水素化ホウ素カリウム、水素化ホウ素リチウム等の物質の１種類以上が挙げられる。

前記の方法によって、熱電材料／分散材の複合ナノ粒子が溶媒、例えばエタノールのスラリーとして得られるので、通常は複合ナノ粒子を溶媒、例えばエタノール又は多量の水と少量の溶媒との混合溶媒（例えば、容積比で水：溶媒＝１００：２５〜７５の割合）でろ過、洗浄し、密閉の加圧容器中、例えば密閉のオートクレーブ中で２００〜４００℃の温度、１０時間以上、例えば１０〜１００時間、その中でも２４〜１００時間程度水熱処理を行って、合金化させ得る。次いで、通常は非酸化雰囲気下、例えば不活性雰囲気下に、乾燥させて粉末状のナノオーダーで複合化された材料を得ることができる。

本発明の方法においては、熱電材料の母相に絶縁ナノ粒子が分散した材料を用いる。
前記の材料は、前記の粉末状の熱電材料原料を高温、例えば３００〜６００℃の温度でＳＰＳ焼結(放電プラズマ焼結:Spark Plasma Sintering）又は間接加熱（ＨＰ）することによって、バルク体として得ることができる。
前記の方法によって、熱電材料の母相中に分散材のナノ粒子が分散したバルク状のナノコンポジット熱電変換材料用の材料を得ることができる。

前記のＳＰＳ焼結は、パンチ（上部、下部）、電極（上部、下部）、ダイおよび加圧装置を備えたＳＰＳ焼結機を用いて行うことができる。
また、前記の間接加熱は、熱電材料を第１のダイス及び第２のダイスを取り囲むように配置された抵抗加熱体に電流を流し、発熱した抵抗加熱体をヒータとして熱電材料並びに第１のダイス及び第２のダイス加熱し、必要であればダイスによって圧縮することによって行うことができる。
また、焼結の際に、焼結機の焼結チャンバのみを外気から隔離して不活性の焼結雰囲気にしてもよくあるいはシステム全体をハウジングで囲んで不活性雰囲気にしてもよい。

本発明の方法は、前記のＳＰＳ焼結又は間接加熱により加熱し、次いで圧縮および冷却機能を備えた例えば図３に示すような装置を用いて１℃／分以上２０℃／分未満の冷却速度で圧縮下に冷却することにより熱電材料の母相の結晶粒を配向させることによって実施し得る。前記バルク体を得るバルク化と圧縮工程を同じ装置を用いて行ってもよい。
強加工時、母相のすべり面ですべりが発生し、加圧変形過程で材料のローテーションが発生する。その際、急冷をすると、うまく再配列されず、分散材がランダムに残留するが、徐冷条件で行うことでローテーションから再配列まで完了するため、配列が起こると考えられる。
軟化点以上の高温で、しかも強加工を施す加圧状態で徐冷するため、上記のような現象が起こると考えられる。
前記の圧縮下に冷却することによる材料の厚さ圧縮率［（材料の圧縮前の厚さ−材料の圧縮後の厚さ）ｘ１００／材料の圧縮前の厚さ］（％）は好適には２５〜９０％の範囲、特に４０〜８０％であり得て、前記の圧縮下に冷却する時の圧力は好適には５〜５００ＭＰａの範囲、特に５０〜２００ＭＰａの範囲であり得る。
前記のようにして、Ｎ型ナノコンポジット熱電変換材料、Ｐ型ナノコンポジット熱電変換材料を得ることができる。

本明細書では、実施態様として特定の熱電材料と分散材との組合せに基いて具体的に説明しているが、本発明は前記特定の化学組成の熱電材料と分散材との組合せに限定されず、本発明における特徴を満足するものであれば任意の熱電材料の母相と分散材ナノ粒子との組合せに対して適用することが可能である。
また、本発明によって得られるナノコンポジット熱電変換材料と電極対とを組み合わせることによって熱電変換素子を得ることができる。

以下、本発明の実施例を示す。
以下の各例において、得られたナノコンポジット熱電変換材料についての測定は以下に示す方法によって行った。なお、以下の測定法は例示であって同等の測定法を用いて同様に測定し得る。

１．高分解能ＴＥＭ（Transmission Electron Microscope：透過型電子顕微鏡）観察
装置：ＴＥＣＮＡＩ（ＦＥＩ社）
２．結晶粒の幅の測定
高分解能ＴＥＭ像を測定し、得られた写真の任意の結晶粒について図２の視野Ｂついて求める。
３．熱伝導率の測定
作製したナノコンポジット熱電変換材料の熱拡散率βを、フラッシュ法によって測定し、比熱ＣｐをＤＳＣにより測定した。また、アルキメデス法によって密度ρを測定する。測定した熱拡散率βと比熱Ｃｐと密度ρを用いて、熱伝導率κ＝β×Ｃｐ×ρの式から、作製したナノコンポジット熱電変換材料の熱伝導率を求める。
４．ゼーベック係数の測定
測定サンプルの一端を加熱し、他端を冷却することにより生ずる温度差と熱起電力とに基いて算出する方法によって、アルバック理工製ＺＥＭを用いて測定。
５．比抵抗の測定
抵抗率測定装置を用いて４探針法により測定。
６．電気伝導度
比抵抗の逆数として求められる。
７．出力因子の求め方
出力因子は下記式により算出。
出力因子Ｐｆ＝α^２σ
８．ＺＴの求め方
ＺＴは下記式より算出し得る。
ＺＴ＝α^２σＴ／κ（＝ＰｆＴ／κ）
９．軟化点の求め方
事前の試験で確認した温度（加圧状態で温度をかけて変形開始した温度）、又は文献値を採用した。

実施例１
以下に示す工程で液相合成を行った。
原料スラリーの調製
エタノール１００ｍＬに、下記原料を混合してスラリーを調製した。
塩化ビスマス（ＢｉＣｌ_３） ２．０ｇ
塩化アンチモン（ＳｂＣｌ_３） ７．３４ｇ
塩化テルル（ＴｅＣｌ_４） １２．８２ｇ

還元処理
エタノール１０００ｍＬに還元剤としてＮａＢＨ_４１０ｇを溶解した溶液を上記原料スラリーに滴下した。
還元により析出したＢｉ、Ｓｂ、Ｔｅの合金微粒子を含んだエタノールスラリーを、水５００ｍｌ＋エタノール３００ｍｌの溶液でろ過・洗浄し、更にエタノール３００ｍＬでろ過・洗浄した。

合金化工程
回収された粉末を２４０℃で４８時間水熱処理を行って合金化し、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｔｅ母相にＳｂ_２Ｏ_３が分散した（Ｂｉ、Ｓｂ）_２Ｔｅ_３／Ｓｂ_２Ｏ_３ナノ粒子とした。
乾燥
その後、Ｎ_２ガスフロー雰囲気で乾燥させ、粉末を回収した。このとき、約２．１ｇの合金粉末が回収された。
バルク化工程
回収した粉末を３５０℃で１５分間ＳＰＳ焼結し、熱電材料（Ｂｉ、Ｓｂ）_２Ｔｅ_３から成る母材（軟化点：約３００℃）中に分散材として粒径１０ｎｍ（平均）のＳｂ_２Ｏ_３が１２ｖｏｌ％分散したナノコンポジット熱電変換材料バルク体を作製した。

圧縮工程
その後、放電プラズマ焼結（ＳＰＳ）により、下記条件で加熱圧縮し、その後冷却を行った。
圧縮条件
厚さ変化量（材料の厚さ圧縮率）５０％
初期圧（加圧開始時の圧力） ４０ＭＰａ
加熱温度（注） ３５０℃
昇温速度 １０℃／ｍｉｎ
冷却速度 ５℃／ｍｉｎ
保持時間 １５ｍｉｎ
加熱温度はＳＰＳの表示温度であり、測温方法の関係から加熱時の材料温度は３５０±５０〜１００℃と考えられる。

得られたナノコンポジット熱電変換材料について評価を行った。比較例の結果とまとめて、ゼーベック係数を図６に、比抵抗を図７に、出力因子を図８に、ＺＴを図９に、高分解ＴＥＭによる高倍率ＴＥＭ像の写し（視野Ａ）を図１３〜１４、および図１６に、中倍率ＴＥＭ像の写し（視野Ａ）を図１５に、高倍率ＴＥＭ像の写し（視野Ｂ）（断面方向）を図１７に示す。
高倍率ＴＥＭ像を示す図１３および１４から、母相の（Ｂｉ、Ｓｂ）_２Ｔｅ_３とＳｂ_２Ｏ_３とがほぼ並列に１０ｎｍ以下の５〜１０ｎｍの幅で配列している。
中倍率ＴＥＭ像を示す図１５およびに高倍率ＴＥＭ像を示す図１６から、母相の（Ｂｉ、Ｓｂ）_２Ｔｅ_３とＳｂ_２Ｏ_３とがほぼ並列に１０ｎｍ以下の５〜１０ｎｍの幅で配列していて、Ｓｂ_２Ｏ_３の粒径としては３〜５０ｎｍのものが観測され、母相の粒径としては１０ｎｍ程度のものが観測される。
また、断面方向から見た図１７では、母相の（Ｂｉ、Ｓｂ）_２Ｔｅ_３の格子縞とアモルファスＳｂ_２Ｏ_３とが観測される。

参考例１（従来技術）
Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｇｒｏｗｔｈ ２７７（２００５）２５８−２６３に記載の技術に基いて、溶製材を石英封入により合成し、ゾーンメルティングで結晶材を作製した。
得られた熱電材料について評価を行った。ゼーベック係数を図１０に、熱伝導率を図１１に、ＺＴを図１２に示す。

比較例１
実施例１におけるバルク化工程によって得られた、圧縮工程に供する前のナノコンポジット熱電変換材料バルク体について評価を行った。実施例１の結果とまとめて、ゼーベック係数を図６に、比抵抗を図７に、出力因子を図８に、ＺＴを図９に示す。

比較例２
通電加熱（ＳＰＳ）により、冷却速度を５℃／ｍｉｎから２０℃／ｍｉｎに変えた他は実施例１と同様に実施した。
得られたナノコンポジット熱電変換材料について評価を行った。他の結果とまとめて、ゼーベック係数を図６に、比抵抗を図７に、出力因子を図８に、ＺＴを図９に、高倍率ＴＥＭ像の写しを図１８、図１９に示す。
図１８において、白色コントラストはＳｂ_２Ｏ_３（分散相）で、黒色コントラストは（Ｂｉ、Ｓｂ）_２Ｔｅ_３（母相）である。

本発明によれば、熱電材料の母相（マトリックス）に分散材のナノ粒子が分散された熱電材料を配向させることによって、無配向のナノコンポジット熱電変換材料に比べて低い温度でもゼーベック係数αを改善することによって出力因子を向上し得るナノコンポジット熱電変換材料、その製造方法およびナノコンポジット熱電変換素子が提供される。

１ ｐ型ナノコンポジット熱電変換材料（ｐ型半導体）
２ ｎ型ナノコンポジット熱電変換材料（ｎ型半導体）
３ 終端電極
４ 他の終端電極
５ 共通電極
６ 下部絶縁性基板
７ 上部絶縁性基板
１０ 熱電変換素子

Claims (5)

1. 熱電材料の母相に絶縁ナノ粒子が分散していて熱電材料の軟化点以上の温度に加熱された材料を、１℃／分以上２０℃／分未満の冷却速度で圧縮下に冷却することにより熱電材料の母相の結晶粒を配向させることを特徴とするナノコンポジット熱電変換材料の製造方法。
2. 前記の圧縮下に冷却することによる材料の厚さ圧縮率［（材料の圧縮前の厚さ−材料の圧縮後の厚さ）ｘ１００／材料の圧縮前の厚さ］（％）が２５〜９０％の範囲である請求項１に記載の製造方法。
3. 前記の圧縮下に冷却する時の圧力が５〜５００ＭＰａの範囲である請求項１又は２に記載の製造方法。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法によって得られるナノコンポジット熱電変換材料。
5. 請求項４に記載のナノコンポジット熱電変換材料を含む熱電変換素子。