JP5199351B2 - 可変静電容量を有するプラズマ処理システムのための方法および装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 112
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 102
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 102
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 102
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 4
- 239000003570 air Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000004359 castor oil Substances 0.000 claims description 3
- 235000019438 castor oil Nutrition 0.000 claims description 3
- ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N glycerol triricinoleate Natural products CCCCCC[C@@H](O)CC=CCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](COC(=O)CCCCCCCC=CC[C@@H](O)CCCCCC)OC(=O)CCCCCCCC=CC[C@H](O)CCCCCC ZEMPKEQAKRGZGQ-XOQCFJPHSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002480 mineral oil Substances 0.000 claims description 3
- 235000010446 mineral oil Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 26
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 16
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 3
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/21—Means for adjusting the focus
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
- H01J37/32091—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being capacitively coupled to the plasma
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
- H01J37/32642—Focus rings
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- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32697—Electrostatic control
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- プラズマ処理チャンバ内で、基材を処理する方法であって、前記基材はチャックの上方に配置され、エッジリングによって囲まれ、前記エッジリングは前記チャックから電気的に絶縁されており、
RF電力を前記チャックに提供することと、
可変静電容量装置を提供することであって、前記可変静電容量装置は、RF結合を前記エッジリングに提供するように前記エッジリングに結合されており、前記エッジリングにエッジリング電位を持たせることと、
前記可変静電容量装置に結合リングアセンブリを含むことと、
前記基材を処理するように前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマを発生することと、を含み
前記基材を処理する間、前記可変静電容量装置が前記エッジリング電位を前記基材のDC電位に同調可能にさせるように構成されて、前記基材が処理され、
前記結合リングアセンブリを含むことは、上結合リングを提供することと、密封を形成するように前記上結合リングと結合される下結合リングを提供することと、前記結合リングアセンブリの内側に配置される密封されたキャビティを提供することと、を含み、
前記密封されたキャビティは、前記結合リングアセンブリの静電容量を変えるように、前記密封されたキャビティ内またはキャビティ外に誘電材料を輸送するための入口および出口で構成されていることを特徴とする方法。 - 前記誘電材料は、固体、液体、および気体の少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記誘電材料は、空気、窒素、鉱油、ヒマシ油、水、およびグリセロールの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記所定の誘電材料の前記輸送は、流量制御システムによって実現されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記結合リングアセンブリは、導電材料、アルミニウム、およびグラファイトの少なくとも1つを含む材料から形成されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 基材を処理するために構成されたプラズマ処理チャンバを有するプラズマ処理システムであって、前記基材はチャックの上方に配置され、エッジリングによって囲まれており、前記エッジリングは前記チャックから電気的に絶縁されており、
前記チャックに提供されるRF電力と、
結合リングアセンブリを含む可変静電容量装置であって、前記エッジリングにRF結合を提供するように前記エッジリングに結合されており、前記エッジリングにエッジリング電位を持たせる、可変静電容量装置と、を備え、
前記プラズマ処理チャンバは、前記基材を処理するためにプラズマを発生するように構成され、前記基材を処理する間、前記可変静電容量装置が前記エッジリング電位を前記基材のDC電位に同調可能にさせるように構成されて、前記基材が処理され、
前記結合リングアセンブリは、上結合リングと、密封を形成するように前記上結合リングと結合される、下結合リングと、前記結合リングアセンブリの内側に配置された密封されたキャビティと、を備え、
前記密封されたキャビティは、前記結合リングアセンブリの静電容量を変えるように、前記密封されたキャビティ内またはキャビティ外に誘電材料を輸送するための入口および出口で構成されていることを特徴とするプラズマ処理システム。 - 前記誘電材料は、固体、液体、および気体の少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理システム。
- 前記誘電材料は、空気、窒素、鉱油、ヒマシ油、水、およびグリセロールの少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項7に記載のプラズマ処理システム。
- 前記所定の誘電材料の前記輸送は、流量制御システムによって実現されることを特徴とする請求項6に記載のプラズマ処理システム。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/770,664 US8563619B2 (en) | 2007-06-28 | 2007-06-28 | Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance |
US11/770,664 | 2007-06-28 | ||
PCT/US2008/067881 WO2009006072A2 (en) | 2007-06-28 | 2008-06-23 | Methods and arrangements for plasma processing system with tunable capacitance |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012272074A Division JP5564549B2 (ja) | 2007-06-28 | 2012-12-13 | 可変静電容量を有するプラズマ処理システムのための方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010532101A JP2010532101A (ja) | 2010-09-30 |
JP5199351B2 true JP5199351B2 (ja) | 2013-05-15 |
Family
ID=40226757
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010515015A Active JP5199351B2 (ja) | 2007-06-28 | 2008-06-23 | 可変静電容量を有するプラズマ処理システムのための方法および装置 |
JP2012272074A Active JP5564549B2 (ja) | 2007-06-28 | 2012-12-13 | 可変静電容量を有するプラズマ処理システムのための方法および装置 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012272074A Active JP5564549B2 (ja) | 2007-06-28 | 2012-12-13 | 可変静電容量を有するプラズマ処理システムのための方法および装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8563619B2 (ja) |
JP (2) | JP5199351B2 (ja) |
KR (1) | KR101513322B1 (ja) |
CN (2) | CN101809719B (ja) |
SG (1) | SG182960A1 (ja) |
TW (2) | TWI623036B (ja) |
WO (1) | WO2009006072A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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---|---|---|---|---|
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- 2007-06-28 US US11/770,664 patent/US8563619B2/en active Active
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2008
- 2008-06-23 WO PCT/US2008/067881 patent/WO2009006072A2/en active Application Filing
- 2008-06-23 CN CN2008800221134A patent/CN101809719B/zh active Active
- 2008-06-23 JP JP2010515015A patent/JP5199351B2/ja active Active
- 2008-06-23 CN CN201310050126.5A patent/CN103177927B/zh active Active
- 2008-06-23 SG SG2012047635A patent/SG182960A1/en unknown
- 2008-06-23 KR KR1020107001912A patent/KR101513322B1/ko active IP Right Grant
- 2008-06-27 TW TW104135777A patent/TWI623036B/zh active
- 2008-06-27 TW TW097124180A patent/TWI518770B/zh active
-
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- 2012-12-13 JP JP2012272074A patent/JP5564549B2/ja active Active
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TW200917361A (en) | 2009-04-16 |
CN103177927B (zh) | 2017-03-01 |
US20090223810A1 (en) | 2009-09-10 |
KR101513322B1 (ko) | 2015-04-17 |
TWI518770B (zh) | 2016-01-21 |
JP2010532101A (ja) | 2010-09-30 |
JP2013080947A (ja) | 2013-05-02 |
TWI623036B (zh) | 2018-05-01 |
JP5564549B2 (ja) | 2014-07-30 |
CN103177927A (zh) | 2013-06-26 |
CN101809719A (zh) | 2010-08-18 |
WO2009006072A4 (en) | 2009-04-09 |
TW201606874A (zh) | 2016-02-16 |
SG182960A1 (en) | 2012-08-30 |
WO2009006072A2 (en) | 2009-01-08 |
CN101809719B (zh) | 2013-08-28 |
US8563619B2 (en) | 2013-10-22 |
US20140034243A1 (en) | 2014-02-06 |
WO2009006072A3 (en) | 2009-03-05 |
KR20100045979A (ko) | 2010-05-04 |
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A977 | Report on retrieval |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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