JP5197441B2

JP5197441B2 - 横電界方式の液晶表示パネルの製造方法

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Publication number: JP5197441B2
Application number: JP2009050289A
Authority: JP
Inventors: 克浩今井; 邦雄丸山; 真司有賀
Original assignee: 株式会社ジャパンディスプレイウェスト
Priority date: 2009-03-04
Filing date: 2009-03-04
Publication date: 2013-05-15
Anticipated expiration: 2029-03-04
Also published as: JP2010204405A

Description

本発明は、横電界方式の液晶表示パネルの製造方法に関する。詳しくは、本発明は、Ｉ
ＰＳ（In-Plane Switching）モードないしＦＦＳ（Fringe Field Switching）モード等の
横電界方式で駆動する液晶表示パネルを製造する際に、対向する一対のマザー基板を真空
中で貼り合せ、その後に真空条件下で静電シールドとしての導電膜を形成するスパッタリ
ング等の工程を行う横電界方式の液晶表示パネルの製造方法に関するものである。

液晶表示パネルはＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴が
あるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。液晶表示パネルは、所定方向
に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を
表示させるものである。液晶表示パネルの液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方
式のものと横電界方式のものとがある。縦電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで
配置される一対の電極により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。この
縦電界方式の液晶表示パネルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertica
l Alignment）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知
られている。

横電界方式の液晶表示パネルは、液晶層を挟んで配置される一対の基板例えばアレイ基
板とカラーフィルター基板のうちの一方のアレイ基板の内面側に一対の電極が互いに絶縁
して設けられており、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この横
電界方式の液晶表示パネルとしては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳモードのも
のと、重なるＦＦＳモードのものとが知られている。横電界方式の液晶表示パネルは広い
視野角を得ることができるという効果があるので、近年、多く用いられるようになってき
ている。

しかし、横電界方式の液晶表示パネルでは、縦電界方式の液晶表示パネルにはみられな
かった課題がある。すなわち、横電界方式の液晶表示パネルは、一対の基板の内の一方に
のみ液晶を駆動するための一対の電極を備えており、他方の基板には電極を備えていない
。そのため、他方の基板側から静電気等に起因する電界が印加された場合、この電界は直
接液晶層に対して作用するため、表示の異常が発生してしまうことになる。それに対し、
縦電界方式の液晶表示パネルは、一方の基板に画素電極が形成されており、他方の基板に
対向電極ないし共通電極が形成されているため、外部から静電気等に起因する電界が印加
されても、この電界は画素電極又は対向電極ないし共通電極によって遮られるため、液晶
層に対して作用することがないので、横電界方式の液晶表示パネルのような表示異常は生
じ難い。

そこで、このような課題を解決するために、従来から横電界方式の液晶表示パネルには
、カラーフィルター基板に静電気等に対するシールド機能を有する導電層や導電膜を形成
することが行われている。例えば、下記特許文献１には、カラーフィルター基板の透明基
板の外表面側のほぼ全域に透明導電膜としてのＩＴＯ（Indium Thin Oxide）膜を形成し
、このＩＴＯ膜の上面に偏光板を貼付するようにした横電界方式の液晶表示装置が開示さ
れている。この下記特許文献１に開示されている横電界方式の液晶表示装置によれば、外
部から液晶表示パネルの表面に静電気等の高い電位が加わった場合であっても、表示の異
常の発生を防止できるようになり、また、耐久性、対環境性、および信頼性等も向上させ
ることができるとされている。なお、このようなシールド層としてのＩＴＯ膜は、例えば
真空ないし減圧雰囲気中でスパッタリング方法によって形成されるが、通常、一対の透明
基板の周縁部にシール材を塗布して貼り合わせた後に形成されるとしている。

また、下記特許文献２には、液晶表示パネルの表示画面側に透明導電膜を被着し、この
透明導電膜を電気的にグラントに通電するアース手段を配設して、液晶表示パネルに電磁
シールドを形成した液晶表示装置が開示されている。下記特許文献２に開示された液晶表
示装置によれば、この電磁波シールドでもって、表示画面を通して入出される電磁波を防
ぎ、周囲の電子機器の誤動作などのさまざまな悪影響をなくし、しかも、電磁波障害に対
し強い液晶表示装置が得られるとされている。

特開平０９−１０５９１８特開２００２−３４１３７２

上記特許文献１及び２に開示されている液晶表示装置では、表示面側に導電層あるいは
導電膜を形成することにより、静電気等に対してのシールド機能をもたせるようにしてい
る。これら導電層あるいは導電膜は、いずれもＩＴＯ膜を真空中でのスパッタリング法な
いし蒸着法により形成されている。しかしながら、横電界方式の液晶表示パネルの製造工
程において、一対のマザー基板を大気圧中で剛体プレス等により貼り合わせを行い、その
後真空中でスパッタリング等の成膜工程によってＩＴＯ等の導電性膜の形成を行うと、マ
ザー基板に割れが発生することがあった。

発明者等は、このようなマザー基板の割れの原因について種々検討を重ねた結果、次の
ような原因によるものであることを見出した。すなわち、貼り合わせ工程は大気圧下で行
われているためにマザー基板の内部は大気圧となっているのに対し、ＩＴＯ等の導電性膜
の形成工程は真空中で行われているために、マザー基板の外部は真空雰囲気となってしま
う。そのため、ＩＴＯ等の導電性膜の形成工程時にはマザー基板の内外の圧力差によって
マザー基板が変形を起こし、これがマザー基板の割れの原因となってしまうわけである。

本発明者らは、上記のような従来技術の問題点を解決すべく種々検討を重ねた結果、マ
ザー基板の外周に液晶表示パネル用のシール材とは別の外周シール材を環状に形成し、一
対のマザー基板の貼り合わせを真空中で行い、その後にそのまま真空中でＩＴＯ等の導電
性膜の形成工程を行うことにより解決できることを見出し、本発明を完成するに至ったも
のである。すなわち、本発明の目的は、両マザー基板の貼り合わせを行った後に、ＩＴＯ
等の導電性膜の形成工程を真空条件下で行ってもマザー基板の割れが発生しない横電界方
式の液晶表示パネルの製造方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法は、
複数の液晶表示パネル領域が形成された第１マザー基板及び第２マザー基板を用意する
第１の工程と、
前記第１マザー基板及び第２マザー基板の少なくとも一方の表面に、外周囲に沿って環
状にシール材を塗布すると共に前記複数の液晶表示パネル形成領域のそれぞれの周囲にシ
ール材を塗布する第２の工程と、
前記第１マザー基板と前記第２マザー基板を真空中で貼り合せる第３の工程と、
前記貼り合わされた両マザー基板の一方のマザー基板の裏面に導電膜を真空中で成膜す
る第４の工程と、
前記マザー基板を各液晶表示パネルに分断する工程と、
を備えることを特徴とする。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法において、両マザー基板を真空中で貼
り合せ、その後スパッタリング等で静電シールドとしての導電膜を成膜する工程がある。
しかし、導電膜を成膜するスパッタリング等は真空中で行われるため、従来のように両マ
ザー基板を大気圧下において剛体プレスで貼り合せると、その後に真空条件下で行われる
スパッタリング等の工程で圧力の変化により基板割れが発生するおそれがある。すなわち
、両マザー基板を大気圧下で貼り合わせた場合、両マザー基板の内部は大気圧であるのに
対し、両マザー基板の外部は減圧状態であるから、両マザー基板は外側に膨れる。しかし
、両マザー基板の外側には固定部材がないため、両マザー基板の膨れが大きくなってしま
うため、基板割れが発生するおそれが生じるのである。

そこで、本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法においては、少なくとも一方
のマザー基板の外周に環状の外周シール材を形成し、両マザー基板を真空中で貼り合わせ
ている。この状態では、両マザー基板の内部は減圧状態となる。そのため、その後の製造
工程で基板周囲の圧力が上昇（大気圧中に移行）することがあっても、両マザー基板は内
側に窪むように変形するが、変形量は両マザー基板間の隙間の厚さによって限定されるた
めに大きくはならず、しかも、両マザー基板の内部は減圧状態が保たれている。従って、
本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法によれば、静電シールドとしての導電膜
の成膜を再度真空条件下で行っても、両マザー基板の内外の圧力差は小さくなるので、基
板割れが起こり難くなる。

なお、本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法によれば、両マザー基板を真空
中で貼り合わせているため、基板内部や基板表面に存在する揮発不純物の除去ができ、液
晶表示パネルの品質を向上させることができるという効果も奏する。

また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法において、前記マザー基板を各
液晶表示パネルに分断する工程は、前記貼り合わされたマザー基板を真空中で短冊状に分
断する第５の工程と、
前記短冊状のマザー基板を各液晶表示パネルに分断する第６の工程と、
からなることが好ましい。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法によれば、マザー基板を短冊状に分断
する工程も真空中で行っているので、外周シール材が切断されたときにも急激な気圧の変
化が起こらないので、この製造工程での基板割れも抑制することができる。

また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第２の工程に
おける前記複数の液晶表示パネル形成領域のそれぞれの周囲にシール材を塗布する工程は
、前記液晶表示パネル領域毎に液晶注入口を備えるように形成する工程であり、
前記第５の工程と第６の工程の間に液晶注入工程と液晶注入口封止工程を備えることが
好ましい。

本発明の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記の発明の効果を液晶の注入工程に真
空注入法を用いた横電界方式の液晶表示パネルの製造方法にも奏することができる。

また、本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第２の工程に
おける前記複数の液晶表示パネル形成領域のそれぞれの周囲にシール材を塗布する工程は
、前記液晶表示パネル領域毎に環状にシール材を塗布する工程であり、
前記第２の工程と第３の工程の間に液晶を滴下注入する工程を備えることが好ましい。

本発明の液晶表示パネルの製造方法によれば、上記の発明の効果を液晶の注入工程に液
晶滴下法を用いた液晶表示パネルの製造方法にも奏することができる。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第３の工程は、真空
中で剛体プレスすることによって行うことが好ましい。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法によれば、基板の貼り合わせを真空中
で剛体プレスにより行うので、従来の大気圧のみで貼り合わせる方法に比べ、より強固な
貼り合わせができるようになる。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法においては、前記第３の工程における
前記両マザー基板を貼り合わせる真空の減圧条件は、前記第４の工程における導電膜を成
膜する真空の減圧条件と同一であることが好ましい。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法によれば、両マザー基板を貼り合わせ
る時の減圧条件と一方のマザー基板の裏面に導電膜を成膜する時の減圧条件が同一である
ので、導電膜の成膜時に再度減圧しても外周シール材の内部には圧力の変化がほとんどな
いため、さらに基板割れを抑制した横電界方式の液晶表示パネルの製造方法を提供するこ
とができる。

本発明の横電界方式の液晶表示パネルは、前記請求項１〜６の何れかに記載の製造方法
により製造された横電界方式の液晶表示パネルであることを特徴とする。

本発明の液晶表示パネルによれば、基板割れのおそれの少ない高信頼性を有する液晶表
示パネルを提供することができる。

図１Ａは実施形態1の液晶表示パネルの完成平面図であり、図１Ｂは図１ＡのIB−IB線に沿った断面図である。実施形態１のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造工程を示したフローチャートである。一方のマザー基板にシール材を塗布したときの斜視図である。図４Ａは両マザー基板を貼り合わせ時の斜視図であり、図４Ｂは図４ＡのIVB−IVB線での断面図であり、図４Ｃは図４Ｂから貼り合わせを行った後の断面図である。カラーフィルター基板の裏面に導電膜を成膜する工程の簡略図である。図６Ａは第１分断線を示した図であり、図６Ｂは真空中での分断方法の例を示した図であり、図６Ｃは短冊状に分断したマザー基板の平面図である。図７Ａは短冊状に分断した後のマザー基板に液晶を注入する工程を示す図であり、図７Ｂは液晶を注入する工程を示す図であり、図７Ｃは液晶を注入し始めた図であり、図７Ｄは液晶を注入し終わる図であり、図７Ｅは液晶を注入し液晶注入口を封止した図である。図８Ａは実施形態２の液晶表示パネルの完成平面図であり、図８Ｂは図８ＡのVIIIB−VIIIB線に沿った断面図である。実施形態２のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造工程を示したフローチャートである。図１０Ａは一方のマザー基板にシール材を塗布したときの斜視図であり、図１０Ｂは他方のマザー基板に液晶を滴下したときの斜視図である。図１１Ａは両マザー基板を貼り合わせ時の斜視図であり、図１１Ｂは図１１ＡのXIB−XIB線での断面図であり、図１１Ｃは図１１Ｂから貼り合わせを行った後の断面図である。図１２Ａは第１分断線を示した図であり、図１２Ｂは真空中での分断方法の例を示した図であり、図１２Ｃは短冊状に分断したマザー基板の平面図である。

以下、本発明を実施するための最良の形態について、実施例及び図面を参照しながら詳
細に説明する。ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためにＦ
ＦＳモードの液晶表示パネルの製造方法を例にとって説明するものであって、本発明をこ
の実施形態に記載されたＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造方法に特定することを意図
するものではなく、本発明は特許請求の範囲に含まれるその他の実施形態のものにも等し
く適応し得るものである。なお、この明細書における説明のために用いられた各図面にお
いては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に
縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例して表示されているものでは
ない。また、以下に述べるアレイ基板及びカラーフィルター基板の「表面」とは各種配線
が形成された面ないしは液晶と対向する側の面を示すものとし、「裏面」とは表示面側（
カラーフィルター基板の場合）ないしバックライト側（アレイ基板の場合）の面を示すも
のとする。

［実施形態１］
まず、図１を参照して、本実施形態１のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造方法によ
って製造される液晶表示パネルの構成について説明する。図１Ａ及び図１Ｂに示すように
、本実施形態１の液晶表示パネル１０Ａはガラス等からなる透明基板１２上に各種配線等
を形成したアレイ基板１１とガラス等からなる透明基板１５上にカラーフィルター等を形
成したカラーフィルター基板１４が対向配置されている。そして、カラーフィルター基板
１４の裏面には静電シールドとしての導電膜１７が成膜されている。

アレイ基板１１はカラーフィルター基板１４と対向配置させたときに所定スペースの張
出し部１２ａが形成されるようにカラーフィルター基板１４より若干サイズが大きいもの
が使用されている。この張出し部１２ａには、液晶を駆動するドライバーＩＣ２１等が配
置されている。

アレイ基板１１は、液晶注入口１９が形成される箇所を除いて、その周辺にシール材１
８ａが塗布される。なお、このシール材１８ａで囲まれた領域が表示領域２２となってい
る。アレイ基板１１とカラーフィルター基板１４とは、一定の隙間（セルギャップ）を有
するようにフォトスペーサー（図示省略）が形成されシール材１８で張り合わされている
。アレイ基板１１の表示領域２２内に、基板辺のシール材１８ａに形成された液晶注入口
１９から液晶２３を注入した後に、この液晶注入口１９に封止材２０を塗布して封止した
構成となっている。

次に、図２〜図７を参照して本実施形態１の液晶表示パネルの製造工程を説明する。

アレイ基板側の第１マザー基板１１Ｍは、ガラス等の透明基板１２上に、金属膜や絶縁
膜、樹脂膜等の成膜とパターニングを繰り返して信号線や走査線などの各種配線、スイッ
チング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）、ＩＴＯやＩＺ
Ｏ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる下電極、電極間絶縁膜、ＩＴＯや
ＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極、配向膜などを備え、複数個の液晶表示パネル
領域を含むように形成される。なお、図１Ｂではこれらを総称して構造物１３とされてい
る。そして、配向膜にラビング処理をして第１マザー基板１１Ｍが完成される（ステップ
Ｓ１）。

また、カラーフィルター側の第２マザー基板１４Ｍは、ガラス等の透明基板１５上に金
属膜や樹脂膜、絶縁膜等の成膜とパターニングを繰り返し、遮光層、カラーフィルター層
、オーバーコート層、配向膜等を備えるように形成される。なお、図１Ｂではこれらを総
称して構造物１６とされている。そして、配向膜にラビング処理をして第２マザー基板１
４Ｍが完成される（ステップＳ２）。

次に、図３に示すように、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍを貼り合せるためのシール材を
塗布する。このシール材は、例えば専用のシールディスペンサー２４を用いて塗布する。
このときシール材は、マザー基板表面の外周に塗布するシール材（以下、「外周シール材
」という）１８と、各液晶表示パネル形成領域２５の周囲を囲むように一部に液晶注入口
１９となる部分を開けて塗布するシール材（以下、「パネルシール材」という）１８ａの
両方を塗布する（ステップＳ３）。なお、これらのシール材１８、１８ａは第１マザー基
板１１Ｍ及び第２マザー基板１４Ｍの少なくとも一方に形成することができるが、実施形
態１では第１マザー基板１１Ｍ側に形成した例を示す。また、シール材は熱硬化性樹脂や
紫外線硬化性樹脂等を用いることができる。

なお、各液晶表示パネル形成領域２５には、アレイ基板とカラーフィルター基板間のセ
ルギャップを一定に保つためのフォトスペーサー（図示省略）を設ける必要があるが、こ
のフォトスペーサーは第１マザー基板又は第２マザー基板のいずれか一方の表面に形成す
ればよい。

次に、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍを真空中で貼り合せる。図４Ａに示すように、外周
シール材１８とパネルシール材１８ａを塗布した第１マザー基板１１Ｍと第２マザー基板
１４Ｍを対向配置し、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍに形成したアライメントマーク（図示
省略）等を合わせることにより位置決めを行う。また、本実施形態１では、図４Ｂに示す
ように、貼り合わせは、公知の真空発生装置を用いて真空状態にした装置２６内で行う。
そして、図４Ｃに示すように、この貼り合せは、使用するシール材１８、１８ａに合わせ
て、熱などを加えながら且つ所定の圧力を加えて行う方法が採用されるが、周囲雰囲気を
真空から大気圧へ変えることにより、大気の圧力を利用して力を加える方法を採用しても
よい（ステップＳ４）。

両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍを真空中で貼り合わせることにより、両マザー基板１１Ｍ
、１４Ｍに形成された外周シール材１８の内部は減圧状態のまま貼り合わされることとな
る。そのため、この貼り合わされたマザー基板（以下、単にマザー基板という）１０ＡＭ
は、大気圧中に露出しても、外周シール材１８の内部は減圧状態が保たれることになる。
また、マザー基板１０ＡＭを減圧下で貼り合わせているため、基板内部や表面に存在する
揮発不純物の除去ができ、完成した液晶表示パネルの品質においても有利である。

次に、図５に示すように、完成した液晶表示パネル１０Ａを静電気等から保護するため
の静電シールドとしての導電膜１７を第２マザー基板１４Ｍの裏面にスパッタリング等に
よって真空雰囲気下において成膜する。この成膜は、ここでは専用のスパッタリング装置
２７等を用いて行う（ステップＳ５）。

このとき、従来のように大気圧中で両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍの貼り合わせを行うと
、後の工程で導電膜１７を成膜するために真空雰囲気にした際、両マザー基板１１Ｍ、１
４Ｍ内の圧力と外部の圧力との差によって両マザー基板は外側に大きく膨れるように変形
するため、基板割れが発生するおそれがある。しかしながら、この実施形態１では、両マ
ザー基板１１Ｍ、１４Ｍは真空中で貼り合わされているため、両マザー基板１１Ｍ、１４
Ｍを貼り合せた後も、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍの内部は減圧状態が保たれている。そ
のため、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍを大気中に取り出した場合には、両マザー基板１１
Ｍ、１４Ｍは内側に窪むように変形するが、変形量は両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍ間の隙
間の厚さによって限定されるために大きくはならず、しかも、両マザー基板の内部は減圧
状態が保たれている。しかも、スパッタリング等の真空工程を行うためにマザー基板１０
ＡＭの外周シール材１８の外部を減圧状態にしても、内外の気圧差は少ないので、基板割
れの発生のおそれが少なくなる。

なお、スパッタリング等の成膜工程は公知技術であるので、詳細な説明は省略する。ま
た、成膜工程としては、スパッタリングの他に真空蒸着法や化学蒸着法（ＣＶＤ）などが
ある。また、ステップＳ４、ステップＳ５における真空状態の減圧条件は、貼り合わせ工
程の減圧条件を、成膜工程の最高減圧条件に合わせるようにすると、成膜工程で再度真空
状態にしても減圧条件が貼り合わせ時と同じなので基板への負担を大幅に減少させること
ができる。

次に、マザー基板１０ＡＭを真空中で短冊状に分断する第１分断工程を行う。この第１
分断工程は、図６Ａに示すように、マザー基板１０ＡＭを第１分断線２８に沿って短冊状
に分断する。また、第１分断工程は、図６Ｂに示すように、真空発生装置において真空状
態にした装置３１内でレーザーカッター２９から照射されるレーザ光３０によって行う。
上記ステップ４において、真空状態で貼り合わされたマザー基板１０ＡＭは、外周シール
材１８の内部はまだ減圧状態に保たれている。そのため、この第１分断工程を大気圧中で
行うと、外周シール材１８が切断されたとき、外周シール材１８の内部の圧力が急激に上
昇してしまうので、基板割れのおそれがある。そのため、この第１分断工程も真空状態で
行われる（ステップＳ６）。

なお、分断方法としては、他に、スクライブ法とブレーク法の組み合わせた方法やホイ
ールカッターを用いた方法などが知られているが、本実施形態１では、この第１分断は真
空状態で行われるので、レーザーカッター２９を用いる方法を採用した。また、この短冊
状のマザー基板１０ＡＳは、図６Ｃに示すように、外周シール材１８の一部が残ったまま
となっている。

次に、図７Ａ〜図７Ｅを参照して液晶注入工程を説明する。この工程は、まず、図７Ａ
に示したように、短冊状のマザー基板１０ＡＳを液晶注入口１９が下になるように設置し
、液晶注入口１９に対応する位置に合わせて液晶２３を用意する。このとき、液晶２３の
注入装置（図示省略）内を減圧して真空状態にする。次に、図７Ｂに示すように、短冊状
のマザー基板１０ＡＳの液晶注入口１９に液晶２３に接触させる。すると、図７Ｃに示す
ように、液晶注入口１９からいわゆる毛細管現象により、液晶２３が各液晶表示パネル１
０Ａの表示領域２２内に侵入する。その後、しばらくして、この液晶２３の注入装置の内
部を大気圧に戻すと、図７Ｄに示すように、液晶２３は、表示領域２２の隅々までさらに
行き渡る。その後、図７Ｅに示すように、液晶注入口１９を封止材２０で封止して、液晶
の注入が終了する（ステップＳ７）。

この第２分断工程では、短冊状のマザー基板１０ＡＳをパネル状に分断する。液晶２３
の注入が終了した後、短冊状のマザー基板１０ＡＳを、図７Ｅに示した第２分断線３２に
沿って分断し、個々のパネル状に分断する。ここで、一部の残った外周シール材１８はマ
ザー基板１０ＡＭの端部とともに切断され除去される（ステップＳ８）。そして、分断し
た液晶表示パネルにドライバーＩＣ２１等を設置して、図１Ａに示すような本実施形態１
の横電界方式の液晶表示パネル１０Ａが完成される（ステップＳ９）。

[実施形態２]
実施形態１では液晶の注入に真空注入法を用いたＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造
方法を説明したが、実施形態２では、液晶滴下法を用いたＦＦＳモードの液晶表示パネル
の製造方法について説明する。なお、実施形態２のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造
方法では、液晶滴下法を用いる点が実施形態１のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造方
法と異なるので、実施形態１のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造方法と共通する構成
には同一の符号を参照し、詳細な説明は省略する。

図８を参照して、本実施形態２のＦＦＳモードの液晶表示パネルの製造方法によって製
造される液晶表示パネルの構成について説明する。図８Ａ及び図８Ｂに示すように、本実
施形態２の液晶表示パネル１０Ｂは上記実施形態１の製造方法で製造される液晶表示パネ
ル１０Ａとはシール材１８により液晶注入口１９が形成されていない点が異なる。なお、
他の構成は実施形態１の液晶表示パネルと共通する。

次に、本実施形態２の液晶表示パネルの製造工程を図９〜図１２を参照して説明する。

まず、アレイ基板側の第１マザー基板（以下、第１マザー基板という）１１Ｍを用意す
る。この工程は上記実施形態１で説明したステップ１と同一であるので、詳細な説明は省
略する（ステップＳ１１）。

次に、図１０Ａに示すように両マザー基板を貼り合せるためのシール材を塗布する。こ
のシール材は、例えば専用のシールディスペンサー２４を用いて塗布する。このときシー
ル材は、第１マザー基板１１Ｍ表面の外周に塗布する外周シール材１８と、各液晶表示パ
ネル形成領域２５の周囲を環状に塗布するシール材（以下、環状シール材という）１８ｂ
の両方を塗布する（ステップＳ１２）。なお、これらのシール材１８、１８ｂは第１マザ
ー基板１１Ｍ及び第２マザー基板１４Ｍの少なくとも一方に形成することができるが、図
１０Ａでは第１マザー基板１１Ｍ側に形成した例を示す。また、シール材は熱硬化性、紫
外線硬化性あるいはこれらを組み合わせたものを用いる。

次に、カラーフィルター基板１４側の第２マザー基板１４Ｍを用意する（ステップＳ１
３）。なお、この工程は上記実施形態１で説明したステップ３と同一なので説明は省略す
る。

次に、図１０Ｂに示すように第１マザー基板１１Ｍに専用の液晶滴下装置３３を用いて
液晶２３を滴下する。液晶２３は、各液晶表示パネル形成領域２５の中央部、すなわち、
第２マザー基板１４Ｍに形成された環状シール材１８ｂの内側に対応する位置に滴下され
る（ステップＳ１４）。

次に、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍを真空中で貼り合せる。図１１Ａに示すように、外
周シール材１８と環状シール材１８ｂ塗布した第１マザー基板１１Ｍと、あらかじめ液晶
２３を滴下した第２マザー基板１４Ｍを対向配置し、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍに形成
したアライメントマーク（図示省略）等を合わせることにより位置決めを行う。

なお、本実施形態２でも、図１１Ｂに示すように、貼り合わせは、公知の真空発生装置
を用いて真空状態にした装置２６内で行う。そして、図１１Ｃに示すように、両マザー基
板１１Ｍ、１４Ｍの貼り合せを行い、滴下した液晶２３を表示領域２２内に充填させる。
その後、貼り合わせたマザー基板（以下、単にマザー基板という）１０ＢＭを真空中から
大気圧中へ移動させ、大気圧により圧力を加え、貼り合わせを行う。そして、シール材１
８、１８ｂを加熱あるいは、紫外線を照射することで硬化させる（ステップＳ１５）。

このように、両マザー基板１１Ｍ、１４Ｍにたいして真空中で貼り合わせを行うことに
より、マザー基板１０ＢＭに形成した外周シール材１８及び環状シール材１８ｂの内部は
減圧状態のまま貼り合わせることとなり、このマザー基板１０ＢＭを大気圧中に移動して
も外周シール材１８及び環状シール材１８ｂの内部は減圧状態が保たれることになり、基
板割れのおそれが減少する。

次に、静電シールドとしての導電膜１７を第２マザー基板１４Ｍの裏面に成膜する（ス
テップＳ１６）。この工程は、上記実施形態１のステップ５と同一工程なので説明は省略
する。

第１分断工程では、図１２Ａに示すように、第１分断線２８に沿って短冊状に分断を行
う（ステップＳ１７）。この工程は、上記実施形態１のステップ６と共通するが、異なる
点としては、環状シール材１８ｂの内部の表示領域２２にすでに液晶２３が充填されてい
ることであるが、分断工程自体には特別に異なる点はない。なお、分断は上記実施形態１
で述べたのと同様に、真空中で行われる（図１２Ｂ参照）。

第２分断工程では、図１２Ｃに示したように短冊状のマザー基板１０ＢＳを第２分断線
３２に沿って分断を行い、パネル状にする（ステップＳ１８）。なお、第２分断工程は実
施形態１のステップ８と共通する工程であるので、説明は省略する。

そして、ドライバーＩＣ２１等を設置し、図８Ａに示すような本実施形態２の横電界方
式の液晶表示パネル１０Ｂが完成する（ステップＳ１９）。

以上の製造工程を有する実施形態１及び実施形態２の横電界方式の液晶表示パネルの製
造方法によれば、製造工程中に数回の真空工程を行うことになるが、マザー基板に外周シ
ール材を形成することにより外周シール材の内部は減圧状態が保たれる。そのため、気圧
の変化による基板割れを抑制することができる。

また、実施形態１及び実施形態２の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法では、外周
シール材は、１重に塗布した場合を示したが、これに限らず２重、３重に塗布してもよい
。このようにすることで、一本の外周シール材の形成が不十分であっても、他の外周シー
ルにより減圧状態を保つことができる。

また、実施形態１及び実施形態２では、ＦＦＳモードの横電界方式の液晶表示パネルの
製造方法を説明したが、これに限らず、横電界方式の液晶表示パネルであれば、ＩＰＳモ
ードの液晶表示パネル等にも適用することができる。更に、また、本発明の横電界方式の
液晶表示パネルの製造方法は、上記第１マザー基板の構成において、層間膜の形成を省略
したＦＦＳモードの横電界方式の液晶表示パネルにも適用することができる。

以上述べたように、本発明にかかる横電界方式の液晶表示パネルの製造方法により製造
される液晶表示パネルによれば、基板割れによる損傷を抑制した信頼性の高い横電界方式
の液晶表示パネルを提供することができる。

１０Ａ、１０Ｂ：液晶表示パネル１０ＡＭ、１０ＢＭ：貼り合わせたマザー基板１
０ＡＳ、１０ＢＳ：短冊状のマザー基板１１：アレイ基板１２：透明基板１２ａ：
張出し部１３：構造物１４：カラーフィルター基板１４Ｍ：第２マザー基板１５
：透明基板１６：構造物１７：導電膜１８：外周シール材１８ａ：パネルシール
材１８ｂ：環状シール材１９：液晶注入口２０：封止材２１：ドライバーＩＣ
２２：表示領域２３：液晶２４：シールディスペンサー２５：液晶表示パネル形成
領域２８：第１分断線３２：第２分断線

Claims

横電界方式の液晶表示パネルの製造方法において、
複数の液晶表示パネル領域が形成された第１マザー基板及び第２マザー基板を用意する
第１の工程と、
前記第１マザー基板及び第２マザー基板の少なくとも一方の表面に、外周囲に沿って環
状にシール材を塗布すると共に前記複数の液晶表示パネル形成領域のそれぞれの周囲にシ
ール材を塗布する第２の工程と、
前記第１マザー基板と前記第２マザー基板を真空中で貼り合せる第３の工程と、
前記貼り合わされた両マザー基板の一方のマザー基板の裏面に導電膜を真空中で成膜す
る第４の工程と、
前記マザー基板を各液晶表示パネルに分断する工程と、
を備えることを特徴とする横電界方式の液晶表示パネルの製造方法。
前記マザー基板を各液晶表示パネルに分断する工程は、
前記貼り合わされたマザー基板を真空中で短冊状に分断する第５の工程と、
前記短冊状のマザー基板を各液晶表示パネルに分断する第６の工程と、
からなることを特徴とする請求項１に記載の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法。
前記第２の工程における前記複数の液晶表示パネル形成領域のそれぞれの周囲にシール
材を塗布する工程は、前記液晶表示パネル領域毎に液晶注入口を備えるように形成する工
程であり、
前記第５工程と第６工程の間に液晶注入工程と液晶注入口封止工程を備えることを特徴
とする請求項２に記載の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法。
前記第２の工程における前記複数の液晶表示パネル形成領域のそれぞれの周囲にシール
材を塗布する工程は、前記液晶表示パネル領域毎に環状にシール材を塗布する工程であり
、
前記第２の工程と第３の工程の間に液晶を滴下注入する工程を備えることを特徴とする
請求項２に記載の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法。
前記第３の工程は、真空中で剛体プレスすることによって行うことを特徴とする請求項
１〜４のいずれかに記載の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法。
前記第３の工程における前記両マザー基板を貼り合わせる真空の減圧条件は、
前記第４の工程における導電膜を成膜する真空の減圧条件と同一であることを特徴とする
、請求項１〜５に記載の横電界方式の液晶表示パネルの製造方法
前記請求項１〜６の何れかに記載の製造方法により製造された横電界方式の液晶表示パ
ネル。