JP5196775B2 - 露光装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

露光装置及びデバイス製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP5196775B2
JP5196775B2 JP2006331136A JP2006331136A JP5196775B2 JP 5196775 B2 JP5196775 B2 JP 5196775B2 JP 2006331136 A JP2006331136 A JP 2006331136A JP 2006331136 A JP2006331136 A JP 2006331136A JP 5196775 B2 JP5196775 B2 JP 5196775B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
exposure
time
exposure apparatus
developing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2006331136A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2008147315A (ja
JP2008147315A5 (ja
Inventor
真一 平野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2006331136A priority Critical patent/JP5196775B2/ja
Priority to TW096146285A priority patent/TWI371780B/zh
Priority to US11/950,862 priority patent/US7508486B2/en
Priority to KR1020070126473A priority patent/KR20080052487A/ko
Publication of JP2008147315A publication Critical patent/JP2008147315A/ja
Publication of JP2008147315A5 publication Critical patent/JP2008147315A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5196775B2 publication Critical patent/JP5196775B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70525Controlling normal operating mode, e.g. matching different apparatus, remote control or prediction of failure
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70533Controlling abnormal operating mode, e.g. taking account of waiting time, decision to rework or rework flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
露光工程において、感光材が塗布された基板は、塗布現像装置チャンバから、塗布現像装置チャンバ内に設けられた基板搬送ロボットにより露光装置に搬送される。塗布現像装置チャンバから引き渡された基板は、露光装置で露光処理が行われる。露光処理が終了された基板は、露光装置内に設けられた基板搬送ロボットにより再度塗布現像装置チャンバに引き渡される。そして、現像前ベーキング(Post Exposure Baking:以下、「PEB」と呼ぶ。)処理及び現像処理がなされる。
露光装置と現像装置との間の基板受け渡しのタイミングは、感光材塗布、基板搬送、露光前基板温度調整、露光、PEB、現像等の処理時間や処理基板枚数に依存する装置の稼動状態により変化する。露光装置、現像装置はこうしたタイミング変化に対して、処理時間が最速となるような制御を行っている。
特開2003−22962号公報
本発明者は、現像装置と露光装置を接続した露光・現像システムにおいて、露光からPEBまでの時間又は露光から現像までの時間の変化により、製造される半導体の線幅のばらつきが発生することを見出した。
本発明は、上記知見に基づいて、例えば、線幅のばらつきを低減させることを目的とする。
本発明、感光材が塗布された基板を露光する露光装置が、基板を露光する処理を制御する第1の制御部と、第1の制御部により基板の露光が開始された時刻及び該基板の露光が終了された時刻から選択される時刻に応じた制御信号を生成し、かつ制御信号を現像装置に送信する第2の制御部と、を備え、第2の制御部は、前記時刻から予め定められた待ち時間が経過したことに応じて、制御信号として、基板の排出の準備が完了したことを示す準備完了信号を現像装置に送信することを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、第2の制御部は、基板の露光がなされた時刻から現像装置に対して該基板の排出の準備が完了するまでに要する時間を計測し、かつ計測された時間に基づいて、該待ち時間を設定することができる。
本発明によれば、例えば、線幅のばらつきを低減させることができる。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明する。
図1は本発明で使用しうる露光装置の露光装置Aの概略構成を示す図である。露光装置Aは、照明系1、レチクル2を搭載したレチクルステージ3、投影光学系5、基板を搭載したXYステージ6、及び、基板9を垂直方向に移動させるZステージ8を有する。露光装置Aは、さらに例えば、レチクルステージ3上のレチクル2の位置を計測するレチクル位置計測器4、XYステージ6の位置を計測するレーザ干渉計7、基板9のピント位置を計測するオートフォーカスユニット10も備えている。
図2に示すように、露光装置チャンバ11内には、露光装置Aに加え、基板搬送ハンド14、露光装置制御コンピュータ16、露光処理制御装置19、コンソール入出力装置20が配備される。露光処理制御装置19は、基板9を露光する処理を制御する第1の制御部である。露光装置制御コンピュータ16は、露光処理制御装置19(第1の制御部)により基板の露光がなされた時刻に応じて制御信号を生成し、かつ該制御信号を現像装置に送信する第2の制御部である。塗布現像装置チャンバ12内には、図示しない塗布部及び現像部に加え、基板搬送ハンド15、塗布現像装置制御コンピュータ17、現像前ベーキング部(以下、「PEB部」と呼ぶ)18が配備される。この実施形態では、塗布部、現像部及びPEB部18が塗布現像装置チャンバ12に備えられている。しかし、本発明は、現像部のみが現像チャンバ内に備えられている形態、現像部及びPEB部が現像チャンバ内に備えられている形態も採ることができる。
基板搬送ハンド14は、基板受け渡しステーション13まで搬送された基板9を受け取り、XYステージ6まで搬送し、露光処理が終了した基板9を基板受け渡しステーション13まで搬送する。基板9は、XYステージ6に搬送される前に基板ライメントユニット(不図示)で位置補正されうる。また露光装置チャンバ内に複数の基板搬送ハンド14を設けうる。
図3を用いて、コンソール入出力装置20の入出力画面に表示されるパラメータの一例について説明する。
[基板搬送制御モード]によって基板搬送モードの設定を行う。[タイミング]にチェックされた場合、露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出時間を制御する時間一定モードに設定される。[スピード]にチェックされた場合、露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出時間を最短に制御する最速モードに設定される。最速モードの場合、塗布現像装置チャンバから搬入された基板は常に最短時間で処理搬送し、塗布現像装置チャンバに排出する制御が行われる。
[計測開始タイミング]によって時間制御を開始するタイミングの設定を行う。[Expo Start]にチェックされた場合、特定ショットの露光開始時点が計測開始のタイミングとされる。[Expo End]にチェックされた場合、特定ショットの露光終了時点が計測開始のタイミングとされる。
[計測開始ショット番号]によって時間制御を開始するショットが設定され、設定されたショット番号の露光開始又は露光終了時点が計測開始のタイミングとされる。最大ショット番号より大きい値が入力された場合、存在する最大のショット番号を用いる。0が入力された場合、全てのショットの露光開始又は露光終了タイミングの平均値を用いる。
[設定時間]に入力された時間で露光装置は露光開始又は露光終了と基板排出タイミングとの時間差を決定する。[設定時間]は、線幅ばらつきが発生しない例えば露光開始と基板排出タイミングとの間の最適時間を予め計測しておき、その最適時間を入力する。
[データ転送モード]によって現像装置へ露光処理時間情報を送信し、露光装置と現像装置との双方で時間制御するモードとするか、露光装置単独で現像装置への基板受け渡しタイミングを制御するモードとするかを選択設定する。[Yes]にチェックされた場合、露光装置から現像装置へ露光処理時間情報を受け渡し、現像装置で露光からPEB又は現像までの時間を一定にする制御を行う。[No]にチェックされた場合、露光装置から現像装置へ露光処理時間情報を受け渡す制御を行わない。
[最適時間学習モード]によって露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出時間を計測するモードを選択設定する。[Yes]にチェックされた場合、露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出時間を計測し、その時間を使って露光装置は露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出を行う。[No]にチェックされた場合、露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出時間を計測せず、[設定時間]で設定された時間を使って露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出を行う。
[学習モード基板枚数]によって露光開始又は露光終了から現像装置への基板排出時間を計測する際の基板枚数を設定する。[25]に設定された場合25枚の基板処理の最大時間が制御時間として抽出保存される。
<第1実施形態>
図4において、露光装置内で露光処理を終了した露光済み基板を現像装置に排出するまでの待ち時間を一定にする場合の制御の流れをフローチャートで示す。
S400において露光処理制御装置19が制御を開始する。S401において感光材が塗布された基板上に分割された個別露光エリア(ショット)の露光制御を開始する。S402において露光制御開始時刻と該当露光エリアの個別露光エリア番号(ショット番号)を露光処理制御装置19のメモリに格納する。S403において予め指定された露光量を照射するに十分な時間が経過したか否かを判断する。十分な時間が経過したことが確認された場合はS404の処理を実行する。十分な時間が経過したことが確認されない場合は再度S403の処理を実行する。S404において個別露光エリアの露光制御を終了する。S405において露光制御終了時刻と該当露光エリアの個別露光エリア番号を露光処理制御装置のメモリに格納する。
S406において該当する基板へ予定された露光エリア全ての露光処理が終了したか否かを判断する。全ての露光処理が終了した場合はS407の処理を実行する。全ての露光処理が終了していない場合、次の露光エリアへXYステージ6を移動し、S401の処理を実行する。S407において露光処理制御装置19は、コンソール入出力装置20で設定された[計測開始タイミング]情報、[計測開始ショット番号]情報に従い抽出された露光処理時間情報を、露光装置制御コンピュータ16に送信する。例えば、[計測開始タイミング]が[Expo End]、[計測開始ショット番号]が[1]の場合、該当基板1番目のショットの露光処理に要した時間が、露光処理時間情報となる。S408において基板搬送指示命令を露光装置制御コンピュータ16に送信する。S409において露光処理制御装置19が制御を終了する。
S410において露光装置制御コンピュータ16が制御を開始する。S411において露光処理制御装置19からS407で確定された露光処理時間情報を受信する。S412においてコンソール入出力装置20で設定された[設定時間]の値を受信する。S413において露光処理済み基板9をXYステージ6上に配置されたZステージ8から取得し、基板受け渡しステーション13に搬送する。S414において露光装置制御コンピュータ16が内蔵した時計より露光処理開始から現在時刻までの現在時間を読み取る。
S415においてS411で受信した露光処理時間情報の時間とS414で読み取った現在時間との時間差を待ち時間として算出する。S416においてS415で算出した待ち時間がS412で受信した[設定時間]の値と比較し、大きいか否かを判定する。大きいと判定された場合S417を実行する。等しいまたは小さいと判定された場合、再度S416を実行する。S417において露光装置制御コンピュータ16の信号提供部が現像装置の塗布現像装置制御コンピュータ17に基板排出準備完了信号を送信する。S418において露光装置制御コンピュータ16が基板排出処理制御を終了する。
第1実施形態では、基板の露光がなされた時刻は、基板に対する第1番目のショットの露光が終了した時刻である。しかし、露光がなされた時刻は、露光が終了した時刻ではなく、露光が開始した時刻としてもよい。基板に対する第1番目のショットの時刻に代えて、任意の特定ショットの時刻とすることができる。特定ショットの時刻に代えて、全ショットの時刻の平均値とすることもできる。
第1実施形態では、基板の露光に関する処理に含まれる事象が起こる時刻を代表する時刻を示す時刻信号は、露光が終了した時刻からの待ち時間の信号を含んでいる。当該時刻信号は、露光が終了した時刻からの待ち時間の信号ではなく、露光が開始した時刻からの待ち時間の信号でもよい。
<第2実施形態>
図5において、露光装置Aから現像装置Bへ露光処理時間情報を受け渡し、現像装置Bで露光からPEBまでの待ち時間を一定にする場合の制御の流れをフローチャートで示す。
S500において露光装置制御コンピュータ16が制御を開始する。S501において露光処理制御装置19から露光処理時間情報を受信する。露光処理時間情報はS407の手順で露光処理制御装置19が求めた値である。S502においてコンソール入出力装置20で設定された[設定時間]の値を受信する。S503において露光処理を終了した露光済み基板9をXYステージ6上に配置されたZステージ8から取得し、基板受け渡しステーション13に搬送する。S504において露光装置制御コンピュータ16の信号提供部が塗布現像装置制御コンピュータ17に基板排出準備完了信号を送信する。塗布現像装置制御コンピュータ17は、PEB処理及び現像処理を制御する。S505において上記信号提供部がS501で得られた露光処理時間情報、S502で得られた[設定時間]の値、及び基板1枚毎に識別用に割り振られた基板ID情報を塗布現像装置コンピュータ17に送信する。S506において露光装置制御コンピュータ16が基板排出処理制御を終了する。
S510において塗布現像装置制御コンピュータ17は露光装置からの基板取得搬送制御を開始する。S511において露光装置からS505で送信された露光処理時間情報、[設定時間]の値、及び基板1枚毎に識別用に割り振られた基板ID情報を受信する。基板ID情報は、時間制御対象基板と露光処理時間情報、[設定時間]の値を関連づけるために用いられる。S512において基板受け渡しステーション13に置かれた基板9をPEB部18に搬送する。S513において塗布現像装置制御コンピュータ17が内蔵した時計より露光処理開始から現在時刻までの現在時間を読み取る。
S514においてS511で受信した露光処理時間情報の時間とS513で読み取った現在時間との時間差を待ち時間として算出する。S515においてS514で算出した待ち時間がS511で受信した[設定時間]の値と比較し、大きいか否かを判定する。大きいと判定された場合S516を実行する。等しいまたは小さいと判定された場合、再度S515を実行する。S516において塗布現像装置制御コンピュータ17がPEB部18にPEB処理の開始を命令するPEB実行信号を送信する。S517において塗布現像装置制御コンピュータ17は露光装置からの基板取得搬送制御を終了する。以上より、露光装置制御コンピュータ16と塗布現像装置制御コンピュータ17が連携することで、双方の装置が個別に時間を一定にする方法に比べ、スループットの遅れを小さくしうる。また、露光処理を終了した基板の露光終了からPEB実行までの時間を一定にすることが可能となる。
露光装置と現像装置の間の情報伝達方法として、両装置間で直接接続された通信経路を使う方法、及び、直接接続することなくネットワークを介して情報伝達を行う方法が考えられる。いずれの方法であっても同様な効果が得られる。
塗布現像制御コンピュータ17は露光済み基板にPEB処理を開始するまでの待ち時間を一定に制御したが、同様の手法で、現像処理を開始するまでの待ち時間を一定に制御するよう設けることができる。
<第3実施形態>
図6において、基板の露光がなされた時刻から現像装置に対して基板の排出の準備が完了するまでに要する時間の最大値(最長時間)を計測するモードの制御の流れをフローチャートで示す。
S600において露光装置制御コンピュータ16の計測ユニットが最長時間計測モードの制御を開始する。S601において最長時間変数を0で初期化する。S602においてコンソール入出力装置20で設定された、最長時間計測に何枚の基板を用いるかを指定するパラメータ[学習モード基板枚数]の値を受信する。S603において露光処理制御装置19から、露光処理時間情報を受信する。S604においてにおいて露光処理を終了した基板9をXYステージ6上に配置されたZステージ8から取得し、基板受け渡しステーション13に搬送する。S605において露光装置制御コンピュータ16が塗布現像装置制御コンピュータ17に基板排出準備完了信号を送信する。
S606において露光装置制御コンピュータ16が内蔵した時計より露光処理開始から現在時刻までの現在時間を読み取る。
S607においてS603で受信した露光処理時間情報の時間とS606で読み取った現在時間との時間差を待ち時間として算出する。S608においてS607で算出した待ち時間と最長時間変数の値と比較し、大きいか否かを判定する。大きいと判定された場合S609を実行する。等しいまたは小さいと判定された場合、S610を実行する。S609において最長時間変数にS607で算出された待ち時間を代入する。S610において排出するまでの最大値(最長時間)を計測するモードの制御を開始してから何枚目の基板であるかを確認する。S602で受信した[学習モード基板枚数]の値と比較し、等しいと判定された場合S611を実行する。等しくない判定された場合、再びS603を実行する。S611の処理に到達する時点で露光処理を終了した基板を現像装置に排出する準備が完了するまでの時間の最大値(最長時間)の値が格納される。S611において露光装置制御コンピュータ16の計測ユニットが最長時間計測モードの制御を終了する。露光装置制御コンピュータ16の計測ユニットは、決定された最大値(最長時間)を待ち時間の[設定時間]に置き換えて図4で示した処理を実行する。そのことによって、図6の計測処理を終了した後に、最長時間を用いて露光装置内で露光処理を終了した基板を現像装置に排出するまでの時間を一定にすることが可能となる。
本フローチャートでは、露光装置制御コンピュータ16が内蔵した時計より現在時間を読み取る処理(S606)は、基板排出準備完了信号を送信した後に行っている。しかし、基板受け渡しステーション13に内蔵された基板検出センサー(不図示)により、実際に基板が塗布現像装置基板搬送ハンド15により取得されたタイミングで行っても良い。
以上の方式を取れば、待ち時間を最適な値に設定することになり、スループットの遅れを最小限にし、かつ露光処理を終了した基板を現像装置に排出するまでの時間を一定にすることが可能となる。
<デバイス製造の実施形態>
次に、図7及び図8を参照して、上述の露光装置を利用したデバイス製造方法の実施形態を説明する。
図7は、デバイス(ICやLSIなどの半導体チップ、LCD、CCD等)の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造方法を例に説明する。
ステップS1(回路設計)では半導体デバイスの回路設計を行う。ステップS2(マスク製作)では設計した回路パターンに基づいてマスクを製作する。ステップS3(基板製造)ではシリコン等の材料を用いて基板を製造する。ステップS4(基板プロセス)は前工程と呼ばれ、マスクと基板を用いて、上記の露光装置によりリソグラフィ技術を利用して基板上に実際の回路を形成する。ステップS5(組み立て)は、後工程と呼ばれ、ステップS4によって作製された基板を用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ封入)等の組み立て工程を含む。ステップS6(検査)では、ステップS5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、それが出荷(ステップS7)される。
図8は、ステップ4の基板プロセスの詳細なフローチャートである。ステップS11(酸化)では、基板の表面を酸化させる。ステップS12(CVD)では、基板の表面に絶縁膜を形成する。ステップS13(電極形成)では、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップS14(イオン打ち込み)では、基板にイオンを打ち込む。ステップS15(レジスト処理)では、基板に感光剤を塗布する。ステップS16(露光)では、露光装置によってマスクの回路パターンを基板に露光する。ステップS17(現像前ベーキング)では、露光済み基板を現像前ベーキング(PEB)処理する。ステップS18(現像)では、PEB処理された基板を現像する。
本実施形態では、基板の露光がなされた時刻から一定の待ち時間が経過したことに応じて、露光済み基板が引き取られる、PEB処理が開始される、又は、現像処理が開始されるように構成されている。
ステップS19(エッチング)では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップS20(レジスト剥離)では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行うことによって基板上に多重に回路パターンが形成される。
本発明の一実施形態に係る露光装置の概略図である。 図1の露光装置と現像装置とを含む露光・現像システムにおいて、露光処理からPEB部までの基板搬送の流れを説明するための概略構成図である。 図2のコンソール入出力装置20の入出力画面に表示される基板搬送制御パラメータを示した概略構成図である。 露光から露光済み基板を現像装置に排出するまでの時間を一定にする第1実施形態の制御の流れを示すフローチャートである。 露光からPEBまでの時間を一定にする第2実施形態の制御の流れを示すフローチャートである。 露光装置内で露光処理を終了した基板を現像装置に排出するまでの時間の最長値を計測するモードの制御の流れを示すフローチャートである。 露光装置を使用したデバイスの製造を説明するためのフローチャートである。 図7に示すフローチャートのステップS4の基板プロセスの詳細なフローチャートである。
符号の説明
A:露光装置
1:照明系
2:レチクル
3:レチクルステージ
4:レチクル位置計測器
5:投影光学系
6:XYステージ
7:レーザ干渉計
8:Zステージ
9:基板
10:オートフォーカスユニット
11:露光装置チャンバ
12:塗布現像装置チャンバ
13:基板受け渡しステーション
14,15:基板搬送ハンド
16:露光装置制御コンピュータ
17:塗布現像装置制御コンピュータ
18:PEB部
19: 露光処理制御装置
20: コンソール入出力装置

Claims (5)

  1. 感光材が塗布された基板を露光する露光装置であって、
    該基板を露光する処理を制御する第1の制御部と、
    前記第1の制御部により該基板の露光が開始された時刻及び該基板の露光が終了された時刻から選択される時刻に応じた制御信号を生成し、かつ該制御信号を現像装置に送信する第2の制御部と、
    を備え、
    前記第2の制御部は、前記時刻から予め定められた待ち時間が経過したことに応じて、前記制御信号として、該基板の排出の準備が完了したことを示す準備完了信号を該現像装置に送信する
    ことを特徴とする露光装置。
  2. 前記露光装置は、前記基板の複数のショットに対して前記露光する処理を行い、
    前記時刻は、前記複数のショットに対する露光が終了された時刻を平均した時刻である
    ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 前記第2の制御部は、前記時刻から該現像装置に対して該基板の排出の準備が完了するまでに要する時間を計測し、かつ該計測された時間に基づいて、該待ち時間を設定することを特徴とする請求項1または請求項2に記載の露光装置。
  4. 請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
    現像装置を用いて該露光された基板を現像する工程と、
    を備え、
    前記現像する工程において、前記現像装置は、前記露光装置が生成した制御信号を受信し、かつ受信した前記制御信号に基づき、前記時刻から予め定められた待ち時間が経過したことに応じて、該基板の現像に関する処理を開始させる
    ことを特徴とするデバイス製造方法。
  5. 該基板の現像に関する処理は、該基板を前記露光装置から引き取る処理、該基板に対する現像前ベーキング処理、および該基板に対する現像処理のいずれかであることを特徴とする請求項に記載のデバイス製造方法。
JP2006331136A 2006-12-07 2006-12-07 露光装置及びデバイス製造方法 Expired - Fee Related JP5196775B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006331136A JP5196775B2 (ja) 2006-12-07 2006-12-07 露光装置及びデバイス製造方法
TW096146285A TWI371780B (en) 2006-12-07 2007-12-05 Exposure apparatus, exposure and developing system, and method of manufacturing a device
US11/950,862 US7508486B2 (en) 2006-12-07 2007-12-05 Exposure apparatus, exposure and developing system, and method of manufacturing a device
KR1020070126473A KR20080052487A (ko) 2006-12-07 2007-12-07 노광장치, 노광 및 현상시스템, 및 디바이스 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006331136A JP5196775B2 (ja) 2006-12-07 2006-12-07 露光装置及びデバイス製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2008147315A JP2008147315A (ja) 2008-06-26
JP2008147315A5 JP2008147315A5 (ja) 2010-02-12
JP5196775B2 true JP5196775B2 (ja) 2013-05-15

Family

ID=39497566

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006331136A Expired - Fee Related JP5196775B2 (ja) 2006-12-07 2006-12-07 露光装置及びデバイス製造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7508486B2 (ja)
JP (1) JP5196775B2 (ja)
KR (1) KR20080052487A (ja)
TW (1) TWI371780B (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5868094B2 (ja) * 2011-09-26 2016-02-24 キヤノン株式会社 露光装置及びデバイス製造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0282026U (ja) * 1988-12-14 1990-06-25
JP3020523B2 (ja) * 1989-11-13 2000-03-15 株式会社日立製作所 図形露光装置とその方法
JPH0462914A (ja) * 1990-07-02 1992-02-27 Sony Corp 露光処理装置及び露光処理方法
JPH08255750A (ja) * 1995-01-13 1996-10-01 Tokyo Electron Ltd 処理方法、レジスト処理方法及びレジスト処理装置
JPH08316130A (ja) * 1995-05-22 1996-11-29 Sony Corp レジストパタ−ンの形成方法および装置
JP3914690B2 (ja) * 1999-06-30 2007-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板受け渡し装置及び塗布現像処理システム
JP2003007587A (ja) * 2001-06-20 2003-01-10 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置
JP3862596B2 (ja) * 2002-05-01 2006-12-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法
JP4087328B2 (ja) * 2002-11-28 2008-05-21 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置及び塗布、現像装置の運転方法
JP2004342654A (ja) * 2003-05-13 2004-12-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4079861B2 (ja) * 2003-09-22 2008-04-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4414909B2 (ja) * 2005-02-14 2010-02-17 東京エレクトロン株式会社 塗布、現像装置
JP4549959B2 (ja) * 2005-09-14 2010-09-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008147315A (ja) 2008-06-26
US7508486B2 (en) 2009-03-24
KR20080052487A (ko) 2008-06-11
US20080137043A1 (en) 2008-06-12
TWI371780B (en) 2012-09-01
TW200841383A (en) 2008-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20060216025A1 (en) Exposure apparatus
JP3402750B2 (ja) 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法
JP3962648B2 (ja) ディストーション計測方法と露光装置
US7829263B2 (en) Exposure method and apparatus, coating apparatus for applying resist to plural substrates, and device manufacturing method
US7626679B2 (en) Exposure apparatus, manufacturing system, and device manufacturing method
US8039181B2 (en) Method and system for reducing overlay errors in semiconductor volume production using a mixed tool scenario
KR100589553B1 (ko) 레티클 측정치를 이용한 포토리소그래피 임계 치수 제어
JP2006344739A (ja) 位置計測装置及びその方法
JPH10303115A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP5196775B2 (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP5062933B2 (ja) 露光装置、位置合わせ方法、プログラム、コンピュータ可読媒体、デバイスの製造方法
KR20080029821A (ko) 처리장치
JP2009094256A (ja) 露光方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP5632810B2 (ja) 露光装置、ショット補正パラメータの決定方法、プログラム、コンピュータ可読媒体、デバイス製造方法および位置合わせ装置
JP2009170559A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP5213406B2 (ja) 調整方法、露光装置、およびデバイス製造方法
JP2009300798A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP3797638B2 (ja) 露光装置、投影光学系の歪曲収差を求める方法およびデバイス製造方法
JP4522422B2 (ja) 露光装置
JP2010232291A (ja) 情報処理方法、それを用いた露光処理システム、デバイスの製造方法、情報処理装置、及び情報処理プログラム
JP2010161280A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP2005209900A (ja) 半導体露光装置
JP2004111995A (ja) 投影露光装置および方法
JP2000208404A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JPH11145247A (ja) 半導体製造装置および方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091216

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111109

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120220

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120615

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120808

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20130204

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20130205

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215

Year of fee payment: 3

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 5196775

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160215

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees