JP5194575B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について図1を参照して説明する。図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置の構成を示す断面図である。図1に示す第1の実施形態に係る半導体装置では、電界効果トランジスタの単位セルを2つ対向して並べた構造を備えている。なお、実際には、上記電界効果トランジスタの単位セルが複数並列に配置接続されて1つのトランジスタを形成している。
次に、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図4乃至図5を参照して説明する。また、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。
次に、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図6乃至図8を参照して説明する。また、第3の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。
次に、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図9乃至図10を参照して説明する。また、第4の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について、第2の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。
次に、第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図11乃至図12を参照して説明する。また、第5の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。
次に、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図20乃至図21を参照して説明する。また、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について、第1の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。
次に、第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、第6の実施形態に係る半導体装置の製造方法と異なる点を中心に図22乃至図23を参照して説明する。また、第7の実施形態に係る半導体装置の製造方法により製造された半導体装置について、第6の実施形態に係る半導体装置と同様の構造には同じ番号を付し、説明を省略する。
9 絶縁領域、10 マスク材、11 ヘテロ半導体酸化領域、
12 ソースコンタクト領域、13 不純物導入領域、
14 第1の電界緩和領域、15 第2の電界緩和領域、16 導通領域、
17 ゲート電極酸化領域、18 ゲート絶縁膜、
53 多結晶シリコン層、54 ゲート絶縁膜層、55 ゲート電極層、
58 層間絶縁膜層
61 絶縁領域、62 絶縁膜、63 層間絶縁膜層、64 層間絶縁膜
70 ソースコンタクトホール
Claims (12)
- 半導体基体と、
前記半導体基体と異なるバンドキャップ幅を有する半導体材料から成り、前記半導体基体とヘテロ接合するヘテロ半導体領域と、
前記半導体基体と前記ヘテロ半導体領域とのヘテロ接合部に接するように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、
前記ヘテロ半導体領域と接続されたソース電極と、
前記半導体基体と接続されたドレイン電極とを有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体基体の一主面上に所定の開口部を有する前記ヘテロ半導体領域を形成する工程と、
前記ヘテロ半導体領域の上及び前記ヘテロ半導体領域の開口部内の前記半導体基体の上に前記ゲート絶縁膜の基材であるゲート絶縁膜層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜層の上に前記ゲート電極の基材であるゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層の上に層間絶縁膜の基材となる層間絶縁膜層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜層の上に所定のマスク材を形成する工程と、
前記マスク材を用いて選択的に前記層間絶縁膜層及び前記ゲート電極層をエッチングして前記層間絶縁膜と前記ゲート電極を形成するとともに、ソースコンタクトホールを形成する工程と、
前記ゲート電極の側面表層部に絶縁領域を形成する工程と、
前記絶縁領域の形成後に、前記ソースコンタクトホール内の前記ゲート絶縁膜層をエッチングすることで前記ゲート絶縁膜を形成し、前記ヘテロ半導体領域の表面を露出させる工程と、
前記ヘテロ半導体領域の露出した表面に前記ソース電極を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基体と、
前記半導体基体と異なるバンドキャップ幅を有する半導体材料から成り、前記半導体基体とヘテロ接合するヘテロ半導体領域と、
前記半導体基体と前記ヘテロ半導体領域とのヘテロ接合部に接するように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、
前記ヘテロ半導体領域と接続されたソース電極と、
前記半導体基体と接続されたドレイン電極とを有する半導体装置の製造方法において、 前記半導体基体の一主面上に所定の開口部を有する前記ヘテロ半導体領域を形成する工程と、
前記ヘテロ半導体領域の上及び前記ヘテロ半導体領域の開口部内の前記半導体基体の上に前記ゲート絶縁膜の基材であるゲート絶縁膜層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜層の上に前記ゲート電極の基材であるゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層の上に層間絶縁膜の基材である層間絶縁膜層を形成する工程と、
前記層間絶縁膜層の上に所定のマスク材を形成する工程と、
前記マスク材を用いて選択的に前記層間絶縁膜層と前記ゲート電極層及び前記ゲート絶縁膜層をエッチングして前記層間絶縁膜と前記ゲート電極及び前記ゲート絶縁膜を形成するとともに、ソースコンタクトホールを形成する工程と、
前記マスク材を除去する工程と、
前記ゲート電極の側面表層部を酸化して絶縁領域を形成するとともに、前記ヘテロ半導体領域の表面を酸化してヘテロ半導体酸化領域を形成する工程と、
前記ソースコンタクトホール内の前記ヘテロ半導体表面の絶縁膜をエッチングすることで前記ゲート絶縁膜を形成し、前記ヘテロ半導体領域の表面を露出させる工程と、
前記ヘテロ半導体領域の露出した表面に前記ソース電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁領域を形成する工程は、前記ゲート電極の一部を酸化して形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記絶縁領域を形成する前記工程は、前記ゲート電極の側面及び前記層間絶縁膜の上に絶縁膜を堆積する工程と、
前記ゲート電極の側面表層部に前記絶縁領域を形成するため、前記絶縁膜を異方性エッチングする工程を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体基体と、
前記半導体基体と異なるバンドキャップ幅を有する半導体材料から成り、前記半導体基体とヘテロ接合するヘテロ半導体領域と、
前記半導体基体と前記ヘテロ半導体領域とのヘテロ接合部に接するように形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜に接して形成されたゲート電極と、
前記ヘテロ半導体領域と接続されたソース電極と、
前記半導体基体と接続されたドレイン電極とを有する半導体装置の製造方法において、 前記半導体基体の一主面上に所定の開口部を有する前記ヘテロ半導体領域を形成する工程と、
前記ヘテロ半導体領域の上及び前記ヘテロ半導体領域の開口部内の前記半導体基体の上に前記ゲート絶縁膜の基材であるゲート絶縁膜層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜層の上に前記ゲート電極の基材であるゲート電極層を形成する工程と、
前記ゲート電極層の上に所定のマスク材を形成する工程と、
前記マスク材を用いて選択的に前記ゲート電極層をエッチングして前記ゲート電極を形成するとともに、ソースコンタクトホールを形成する工程と、
前記ゲート電極の表層部を酸化して層間絶縁膜及び前記ゲート電極の側面表層部の絶縁領域を形成する工程と、
前記ソースコンタクトホール内の前記ゲート絶縁膜層をエッチングすることで前記ゲート絶縁膜を形成するとともに、前記ヘテロ半導体領域の表面を露出させる工程と、
前記ヘテロ半導体領域の露出した表面に前記ソース電極を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記ヘテロ半導体領域の一部に不純物を導入して、前記ヘテロ半導体領域の抵抗と比較して低い抵抗を持つソースコンタクト領域を、前記ソース電極と前記へテロ半導体領域の間に形成する工程を有することを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ヘテロ半導体領域の一部に不純物を導入して、前記ヘテロ半導体領域の抵抗と比較して低い抵抗を持つソースコンタクト領域を、前記ソース電極と前記へテロ半導体領域の間に形成する工程を含み、
前記絶縁領域を形成する前記工程で、前記不純物を同時に活性化することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ゲート電極を形成する前記工程の後、前記マスク材を除去する前に、前記不純物を導入することを特徴とする請求項6または7に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ソースコンタクトホールを形成する工程は、ドライエッチング法を用いることを特徴とする請求項1乃至8のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ゲート電極が、多結晶シリコン、単結晶シリコンもしくは多結晶炭化珪素のいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至9のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基体が、炭化珪素、ダイヤモンドもしくは窒化ガリウムのいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至10のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記ヘテロ半導体領域が、単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンのいずれかからなることを特徴とする請求項1乃至11のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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