JP5192825B2 - 半導体装置およびその製造方法、ならびに積層半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法、ならびに積層半導体装置の製造方法 Download PDF

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Description

本発明は半導体装置およびその製造方法に関し、特に内蔵半導体装置を複数積層するための半導体装置およびその製造方法に関する。
近年、例えば、移動体電話機のような携帯型電子機器やＩＣメモリカードの不揮発性記憶媒体等に用いられる半導体装置はその小型化が求められている。そこで、半導体チップを効率的にパッケージングする技術が求められている。その１つとして、半導体チップを搭載したパッケージ（内蔵半導体装置）を積層し実装する技術が開発されている。
図１および図２を用い、従来例１に係る内蔵半導体装置である下部半導体装置２９ａと上部半導体装置３９とが積層された半導体装置について説明する。まず、図１を参照に下部半導体装置２９ａについて説明する。ガラスエポキシ等の配線基板１０上に半導体チップ２０が搭載されている。半導体チップ２０と配線基板１０上のパッド１５とはワイヤ２２を用い電気的に接続されている。配線基板１０の半導体チップ２０の側にランド電極１６を介し半田ボール１８ａが設けられている。半導体チップ２０はエポキシ樹脂からなる樹脂封止部２４ａにより封止されている。樹脂封止部２４ａは、半田ボール１８ａが設けられた領域には設けられておらず、半導体チップ２０が搭載された中央部に設けられている。配線基板１０の半導体チップ２０と反対の側にはランド電極１４を介し半田ボール１２が設けられている。ランド電極１６と半田ボール１２とは接続部１７により電気的に接続されている。半田ボール１８は上部の半導体装置と接続するための上部接続端子として機能する。半田ボール１２は下部の半導体装置またはマザーボードと接続するための下部接続端子として機能する。
図２を参照に、上部半導体装置３９は配線基板３０上に半導体チップ４０および４２が積層され搭載されている。半導体チップ４０および４２と配線基板３０とはワイヤ４４および４６を用い電気的に接続されている。半導体チップ４０および４２は樹脂封止部４８により封止されている。上部半導体装置３９は上部に内蔵半導体装置を接続しないため、配線基板３０の半導体チップ４０および４２側には半田ボールは設けられていない。このため、樹脂封止部４８は配線基板３０上の全面に形成されている。配線基板３０の半導体チップ４０および４２と反対の側にはランド電極３４が設けられている。ランド電極３４には下部半導体装置２９ａの半田ボール１８ａが接続される。これにより、上部半導体装置３９と下部半導体装置２９ａとが電気的に接続される。なお、ワイヤ４４および４６とランド電極３４とを接続する接続部については図示していない。
特許文献１には、樹脂封止部が基板の全面を覆い、上部接続端子が樹脂封止部より突出した半導体装置が開示されている。
特開２００４−３２７８５５号公報
従来例１に係る半導体装置においては、積層した下部半導体装置２９ａと上部半導体装置３９とでは熱起因の反り量が異なり、良品率が低下してしまう。また、下部半導体装置２９ａの半導体チップ２０の大きさに合わせ樹脂封止部２４の金型を作製するため、金銭的時間的負担が大きい。さらに、半田ボール１８ａが露出しているため、異物等により半田ボール１８ａ間がショートする可能性がある。
特許文献１によれば、これらの課題を改善することができる。しかしながら、下部半導体装置２９ａと上部半導体装置３９とを半田ボール１８ａを用い接続するためには、下部半導体装置２９ａと上部半導体装置３９とを位置合わせする。このため、例えば冶具を用いる等により位置合わせを行うため、製造コストが増大する。
本発明は上記課題に鑑みなされたものであり、積層される内蔵半導体装置の位置合わせを容易に行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、基板上に半導体チップを搭載する工程と、前記基板の前記半導体チップの搭載されるべき側に上部接続端子を形成する工程と、前記上部接続端子の上面が露出するように、前記半導体チップおよび前記上部接続端子を封止し樹脂封止部を形成する工程と、前記上部接続端子の上面が前記樹脂封止部の上面より低くなるように前記上部接続端子を成形する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、半導体装置を積層させる場合に、上部接続端子の上に、積層する上部の半導体装置の下部接続端子が嵌り込む。よって、半導体装置を積層する場合の位置合わせを容易に行うことができる。
上記構成において、前記上部接続端子を成形する工程は、前記上部接続端子に凸部を押圧する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、上部接続端子を圧縮させ、上部接続端子の上面が樹脂封止部の上面より低くなるように上部接続端子を成形することができる。
上記構成において、前記凸部を押圧する工程は、前記凸部を覆う前記樹脂封止部になるべき樹脂中に前記半導体チップおよび前記上部接続端子を配置する工程を含み、前記樹脂封止部を形成する工程は、前記樹脂で前記半導体チップおよび前記上部接続端子を封止する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、上部接続端子を押圧し成形する工程と樹脂封止部を形成する工程とを同時に行うことができ、製造コストを削減することができる。
上記構成において、前記上部接続端子を成形する工程は、前記上部接続端子の上面からブラスト処理する工程を含む構成とすることができる。この構成によれば、上部接続端子を簡単に成形することができ、製造コストを削減することができる。
上記構成において、半導体チップを搭載する工程は複数の半導体チップを搭載する工程を含み、前記樹脂封止部を形成する工程は、前記複数の半導体チップを１つの前記樹脂封止部で封止する工程を含み、前記基板および前記樹脂封止部を切断する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、製造コストを削減することができる。
上記構成において、前記上部接続端子と上部半導体装置の下部接続端子とを接続する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置を上部半導体装置と接続させることができる。
上記構成において、前記上部接続端子上に絶縁膜を形成する工程を有する構成とすることができる。この構成によれば、上部接続端子と上部半導体装置の下部接続端子とを接続する前に上部接続端子に異物が付着することを抑制することができる。
本発明は、基板と、基板に搭載された半導体チップと、前記基板の前記半導体チップの側に設けられた上部接続端子と、前記上部接続端子が貫通し、前記半導体チップおよび前記上部接続端子を封止する樹脂封止部と、を具備し、前記上部接続端子の上面は前記樹脂封止部の上面より低く設けられた半導体装置である。本発明によれば、半導体装置を積層させる場合に、上部接続端子の上に、積層する上部の半導体装置の下部接続端子が嵌り込む。よって、半導体装置を積層する場合の位置合わせを容易に行うことができる。
上記構成によれば、前記上部接続端子の上面は前記上部接続端子間の前記樹脂封止部の上面よりも低く設けられた構成とすることができる。上部接続端子の上に、積層する上部の半導体装置の下部接続端子が確実に嵌り込む。よって、半導体装置を積層する場合の位置合わせをより容易に行うことができる。
上記構成において、前記樹脂封止部は前記基板の全面に設けられた構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置を積層した場合、基板と樹脂封止部との熱膨張係数の差に起因した基板の反りを積層した半導体装置間で略同じとすることができる。
上記構成において、前記基板の前記半導体チップと反対の側に前記半導体チップおよび前記上部接続端子と接続する下部接続端子を具備する構成とすることができる。この構成によれば、半導体装置を下の基板または下の半導体装置と接続させることができる。
上記構成において、前記上部接続端子上に絶縁膜を具備する構成とすることができる。この構成によれば、上部接続端子に異物が付着することを抑制することができる。
上記構成において、前記半導体チップは前記基板にフェースアップ実装されている構成とすることができる。また上記構成において、前記半導体チップは前記基板にフェースダウン実装されている構成とすることができる。
本発明によれば、積層される内蔵半導体装置の位置合わせを容易に行うことが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
図１は従来例１に係る半導体装置の断面図（その１）である。 図２は従来例１に係る半導体装置の断面図（その２）である。 図３（ａ）から図３（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その１）である。 図４（ａ）から図４（ｃ）は実施例１に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その２）である。 図５は実施例１に係る半導体装置の断面図である。 図６は実施例２に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。 図７は実施例２に係る半導体装置の断面図である。 図８（ａ）から図８（ｃ）は実施例３に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その１）である。 図９（ａ）および図９（ｂ）は実施例３に係る半導体装置の製造工程を示す断面図（その２）である。 図１０は実施例４に係る半導体装置の断面図である。 図１１は実施例５に係る半導体装置の断面図である。 図１２（ａ）から図１２（ｃ）は実施例６に係る半導体装置を示す断面図である。
以下、図面を用い本発明に係る実施例について説明する。
実施例１は積層するための内蔵半導体装置の例である。図３（ａ）から図４（ｃ）を用い、実施例１に係る半導体装置の製造方法について説明する。配線基板１０は横方向に複数の半導体チップが搭載されている。図３（ａ）から図４（ｃ）では、簡単のため半導体チップ２０を２つ図示した。図３（ａ）を参照に、ガラスエポキシ等からなるプリント基板等の配線基板１０にランド電極１６を形成する。ランド電極１６に高さが３００μｍよりやや高い半田ボール１８を形成する。図３（ｂ）を参照に、配線基板１０に例えば厚さ１００μｍの半導体チップ２０を例えば接着剤を用い搭載する。半導体チップ２０と配線基板１０のパッド１５とをワイヤ２２を用い電気的に接続する。図３（ｃ）を参照に、配線基板１０の半導体チップ２０側に樹脂封止部２４を成型するための型部５１（金型の凹部）を有する金型５０を配置する。凸部５４が設けられた金属板５２を型部５１の底辺に配置する。ここで、金型５０の上面から金属板５２までの深さは約３００μｍ、凸部５４の高さは約１００μｍである。凸部５４は配線基板１０に設けられた半田ボール１８に相対するように配置される。
図４（ａ）を参照に、金型５０の型部５１に熱硬化性のエポキシ樹脂５６を未硬化状態で配置する。金型５０を約１７５度に加熱し、エポキシ樹脂を溶融させる。図４（ｂ）を参照に、配線基板１０と金型５０とを当接させる。このとき、半田ボール１８と凸部５４とが接する。半田ボール１８の高さは３００μｍより高いのに対し、金型５０の上面から凸部５４の上面までの高さは約２００μｍである。このため、半田ボール１８は凸部５４に押圧される。これにより、半田ボール１８の高さが低くなるように半田ボール１８が成形される。この結果、半田ボール１８の高さは約２００μｍとなる。エポキシ樹脂５６は圧縮加工され硬化し半導体チップ２０および半田ボール１８を封止する樹脂封止部２４が形成される。樹脂封止部２４の厚さは約３００μｍとなる。半田ボール１８の高さ、凸部５４の高さ、金型５０の上面から金属板５２までの深さは、半田ボール１８が半田ボール１８の高さが低くなるように選択することもできる。図４（ｃ）を参照に、金型５０を外す。樹脂封止部２４および配線基板１０を例えばダイシング法により切断し、内蔵半導体装置が完成する。
図５は実施例１に係る内蔵半導体装置の断面図である。従来例１の図１に比べ、樹脂封止部２４は配線基板１０上全面に形成されている。半田ボール１８の上面は樹脂封止部２４の上面より深さＤとして約１００μｍ深く設けられる。つまり、半田ボール１８の上面は樹脂封止部２４の上面より低く設けられている。樹脂封止部２４の半田ボール１８上には開口部２５が設けられており、半田ボール１８の上面は露出している。よって、半田ボール１８は樹脂封止部２４を貫通している。その他の構成は従来例１の図１と同じであり、同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。
実施例２は実施例１に係る内蔵半導体装置を積層した例である。図６は実施例２に係る半導体装置の製造方法を示す図である。実施例１に係る内蔵半導体装置を下部半導体装置２９として、従来例１の上部半導体装置３９を下部半導体装置２９の上に配置する。このとき、下部半導体装置２９の樹脂封止部２４の開口部２５に、上部半導体装置３９の半田ボール３２が嵌る。その後、下部半導体装置２９および上部半導体装置３９を高温にし、半田ボール１８および３２を融合させる。これにより、実施例２に係る半導体装置が完成する。
図７は実施例２に係る半導体装置の断面図である。従来例１の図２に対し、樹脂封止部２４は配線基板１０上全面に形成されており、半田ボール１９は樹脂封止部２４を貫通している。その他の構成は従来例１の図２と同じであり、同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。
実施例１に係る半導体装置によれば、配線基板１０の半導体チップ２０の側に設けられた半田ボール１８（上部接続端子）と、半田ボール１８が貫通し、半導体チップ２０および半田ボール１８を封止する樹脂封止部２４と、を有している。そして、半田ボール１８の上面は樹脂封止部２４の上面より低く設けられている。これにより、実施例２の図６のように、下部半導体装置２９の半田ボール１８と上部半導体装置３９の半田ボール３２とを接続する際、半田ボール１８上の樹脂封止部２４の開口部２５に上部半導体装置３９の半田ボール３２が嵌り込む。よって、下部半導体装置２９と上部半導体装置３９との位置合わせを容易に行うことができる。
また、半田ボール１８の上面は半田ボール１８間の樹脂封止部２４の上面よりも低いことにより、上部半導体装置３９の半田ボール３２がより容易に開口部２５に嵌り込む。よって、下部半導体装置２９と上部半導体装置３９との位置合わせを一層容易に行うことができる。
さらに、樹脂封止部２４は配線基板１０上の全面に設けられている。これにより、上部半導体装置３９と積層した場合、下部半導体装置２９と上部半導体装置３９とも全面に樹脂封止部２４、４８が設けられている。よって、配線基板１０、３０と樹脂封止部２４、４８の熱膨張係数の差に起因した配線基板１０、３０の反りを下部半導体装置２９と上部半導体装置３９とで、略同じとすることができる。よって、配線基板１０、３０の反りに起因した良品率の低下を抑制することができる。また、下部半導体装置２９の半導体チップ２０の大きさに合わせ樹脂封止部２４の金型を作製する必要がないため、金銭的時間的負担が小さい。さらに、半田ボール１８が樹脂封止部２４により保護されるため、異物等により半田ボール１８間のショートを抑制することができる。
さらに、配線基板１０の半導体チップ２０と反対の側に半導体チップ２０および半田ボール１８と接続する半田ボール１２（下部接続端子）が設けられている。これにより、下部半導体装置２９をマザーボードや下の半導体装置に接続させることができる。
実施例１に係る半導体装置の製造方法によれば、図３（ｂ）のように、配線基板１０上に半導体チップ２０を搭載する。図３（ａ）のように、配線基板１０上の半導体チップ２０が搭載されるべき側に半田ボール１８を形成する。図４（ｂ）のように、半田ボール１８の上面が露出するように、半導体チップ２０および半田ボール１８を封止し樹脂封止部２４を形成する。また、半田ボール１８の上面が樹脂封止部２４の上面より低くなるように半田ボール１８を成形する。これにより、実施例２の図６のように、下部半導体装置２９と上部半導体装置３９との位置合わせを容易に行うことができる。
また、図４（ｂ）のように、半田ボール１８に凸部５４を押圧することにより、半田ボール１８を成形している。これにより、簡単に、半田ボール１８を圧縮させ、半田ボール１８の上面が樹脂封止部２４の上面より低くなるように半田ボール１８を成形することができる。
さらに、図４（ａ）のように、凸部５４を覆うように樹脂封止部２４になるべき樹脂５６を設ける。凸部５４で半田ボール１８を押圧する際に、樹脂５６に半導体チップ２０および半田ボール１８を浸漬させる。図４（ｂ）のように、樹脂５６で半導体チップ２０および半田ボール１８を封止し樹脂封止部２４を形成する。これにより、半田ボール１８を押圧し成形する工程と樹脂封止部２４を形成する工程を同時に行うことができ、製造コストを削減することができる。
さらに、図３（ｂ）のように、配線基板１０には複数の半導体チップ２０が搭載されており、図４（ｂ）のように、複数の半導体チップ２０を１つの樹脂封止部２４で封止する。図４（ｃ）のように、配線基板１０および樹脂封止部２４を切断する。このような工程により、樹脂封止部２４を成型するための金型５０は半導体チップ２０の大きさによらず用いることができる。よって、チップサイズの異なる半導体チップを樹脂封止する場合も金型５０を共用することができ、製造コストを削減することができる。
実施例３は下部半導体装置２９の半田ボール１８を異なる製造方法で形成する例である。実施例１および実施例２と同じ構成は同じ符号を付し説明を省略する。図８（ａ）から図９（ｂ）を用い実施例３に係る半導体装置の製造方法について説明する。図８（ａ）を参照に、実施例１の図３（ａ）および図３（ｂ）の製造方法を行う。図８（ｂ）を参照に、配線基板１０の半導体チップ２０側に樹脂封止部２４を成型するための型部５１を有する金型５０を配置する。半田ボール１８より柔らかいシート５３を配置する。金型５０の型部５１に熱硬化性のエポキシ樹脂５６を未硬化状態で配置する。金型５０を約１７５度に加熱し、エポキシ樹脂を溶融させる。図８（ｃ）を参照に、配線基板１０と金型５０とを当接させる。このとき、半田ボール１８はシート５３に接する。シート５３は半田ボール１８より柔らかいため、半田ボール１８の先端はシート５３に埋没する。エポキシ樹脂５６は圧縮加工され硬化し半導体チップ２０および半田ボール１８を封止する樹脂封止部２４が形成される。
図９（ａ）を参照に、金型５０を外す。樹脂封止部２４が配線基板１０上に形成される。半田ボール１８の先端がシート５３に埋め込まれていたため、半田ボール１８は樹脂封止部２４を貫通しその上面が樹脂封止部２４の上面より高く形成される。図９（ｂ）を参照に、樹脂封止部２４および半田ボール１８を上面よりブラスト処理（サンドブラスト処理）する。半田等の金属は樹脂封止部２４よりブラスト処理により削れ易い。このため、半田ボール１８の先端部が削れ、半田ボール１８の上面が樹脂封止部２４の上面より低くなるように半田ボール１８を成形することができる。その後、実施例１の図４（ｂ）と同様に樹脂封止部２４および配線基板１０を切断することにより実施例３に係る半導体装置が完成する。
実施例３によれば、ブラスト処理により半田ボール１８を成形するため、実施例１のような金属板５２および凸部５４が不要であり、製造コストを削減することができる。
実施例４は下部半導体装置２９ｂの半導体チップ２０を配線基板１０にフェースダウン実装した例である。図１０を参照に、半導体チップ２０が例えば金または銅からなるバンプ２６を用い配線基板１０上のパッド１５と電気的に接続している。図７と同様に、パッド１５およびランド電極１６はランド電極１４と接続部１７で接続している。配線基板１０と半導体チップ２０との間には、エポキシ樹脂からなるアンダーフィル２８が設けられている。その他の構成は実施例２の図７と同じであり、同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。
実施例４のように、半導体チップ２０を配線基板１０にフリップチップ実装、つまりフェースダウン実装することができる。また、実施例１から３のように、半導体チップ２０を配線基板１０にフェースアップ実装することができる。
実施例５は内蔵半導体装置を複数積層した半導体装置の例である。図１１を参照に、実施例５に係る半導体装置は実施例４の下部半導体装置２９ｂ上に、内蔵半導体装置６９、７９を積層し、その上に実施例２から４の上部半導体装置３９を積層している。内蔵半導体装置６９は配線基板６０に半導体チップ６４が搭載され、半導体チップ６４が樹脂封止部６６により封止されている。内蔵半導体装置６９は半田ボール１９を用い下部半導体装置２９ｂに接続される。内蔵半導体装置７９は配線基板７０に半導体チップ７４が搭載され、半導体チップ７４が樹脂封止部７６により封止されている。内蔵半導体装置７９は半田ボール６２を用い内蔵半導体装置６９に接続される。上部半導体装置３９は半田ボール７２を用い内蔵半導体装置７９に接続される。下部半導体装置２９ｂおよび上部半導体装置３９の構成はそれぞれ実施例４および実施例２と同じであり同じ部材は同じ符号を付し説明を省略する。
内蔵半導体装置６９、７９は実施例１または実施例３と同様に作製され、下部半導体装置２９ｂ、内蔵半導体装置６９、７９および上部半導体装置３９の接続は実施例２と同じ方法で行われる。このように、内蔵半導体装置を３以上複数積層させることもできる。
実施例６は実施例１に係る半導体装置を搬送する際の例である。図１２（ａ）を参照に、実施例１に係る半導体装置２９の半田ボール１８に樹脂封止部２４に形成された開口部２５を介し試験用針８２を接触させ、半導体装置２９の特性を試験する。その後、半田ボール１８上の開口部２５に絶縁膜を形成する。図１２（ｂ）のように、絶縁膜８０ａを開口部２５にのみ形成しても良いし、図１２（ｃ）のように、絶縁膜８０ｂを開口部２５および樹脂封止部２４上に形成しても良い。
実施例６のように、開口部２５を絶縁膜８０ａ、８０ｂで塞いた状態で半導体装置を搬送、保管することができる。実施例２および３のように、下部半導体装置２９に上部半導体装置３９を接続させる前に絶縁膜８０ａ、８０ｂを除去する。これにより、半導体装置２９の搬送、保管時に半田ボール１８に異物が付着することを抑制することができる。絶縁膜８０ａおよび８０ｂとして例えばポリイミドを用いる。これにより、絶縁膜８０ａおよび８０ｂを例えばシクロヘキサノンを用いてエッチングすればエポキシ樹脂からなる樹脂封止部２４は除去されず絶縁膜８０ａ、８０ｂを除去することができる。
実施例１から６において、基板としてプリント基板からなる配線基板１０を例に説明した。基板は絶縁体の基体に導電体のランド電極、パッドまたは配線等の配線パターンが形成されていれば良い。上部接続端子および下部接続端子としてそれぞれ半田ボール１８および１２を例に説明した。半田としては、例えば鉛錫（ＰｂＳｎ）半田、鉛フリー半田（ＳｎＡｇＣｕ等）、錫亜鉛（ＳｎＺｎ）半田等を用いることができる。半田以外の金属であっても、例えばＡｕやＣｕ等の金属ならなるバンプを用いることもできる。このように、上部接続端子および下部接続端子は下部半導体装置２９と上部半導体装置３９またはマザーボードとを電気的に接続する機能を有する突起状の導体であれば良い。
以上、本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。

Claims (15)

  1. 基板上に半導体チップを搭載する工程と、
    前記基板の前記半導体チップの搭載されるべき側に上部接続端子を形成する工程と、
    前記上部接続端子の上面が露出するように、前記半導体チップおよび前記上部接続端子を封止し樹脂封止部を形成する工程と、
    前記上部接続端子の上面が前記樹脂封止部の上面に設けられた開口部内において前記樹脂封止部の上面より低くなるように前記上部接続端子を成形する工程と、を有し、
    前記開口部は、他の半導体装置に設けられた下部接続端子が嵌まり込むように設けられた半導体装置の製造方法。
  2. 前記上部接続端子を成形する工程は、前記上部接続端子に凸部を押圧する工程を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  3. 前記凸部を押圧する工程は、前記凸部を覆う前記樹脂封止部になるべき樹脂中に前記半導体チップおよび前記上部接続端子を配置する工程を含み、
    前記樹脂封止部を形成する工程は、前記樹脂で前記半導体チップおよび前記上部接続端子を封止する工程を含む請求項２記載の半導体装置の製造方法。
  4. 前記上部接続端子を成形する工程は、前記上部接続端子の上面からブラスト処理する工程を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。
  5. 半導体チップを搭載する工程は複数の半導体チップを搭載する工程を含み、前記樹脂封止部を形成する工程は、前記複数の半導体チップを１つの前記樹脂封止部で封止する工程を含み、
    前記基板および前記樹脂封止部を切断する工程を有する請求項１から４のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
  6. 前記上部接続端子と上部半導体装置の下部接続端子とを接続する工程を有する請求項１から５のいずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
  7. 前記上部接続端子上に絶縁膜を形成する工程を有する請求項６記載の半導体装置の製造方法。
  8. 基板と、
    基板に搭載された半導体チップと、
    前記基板の前記半導体チップの側に設けられた上部接続端子と、
    前記上部接続端子が貫通し、前記半導体チップおよび前記上部接続端子を封止する樹脂封止部と、を具備し、
    前記上部接続端子の上面は、前記樹脂封止部の上面よりも低くなるように、前記樹脂封止部の上面に設けられた開口部内に設けられ、
    前記開口部は、他の半導体装置に設けられた下部接続端子が嵌まり込むように設けられた半導体装置。
  9. 前記上部接続端子の上面は前記上部接続端子間の前記樹脂封止部の上面よりも低く設けられた請求項８記載の半導体装置。
  10. 前記樹脂封止部は前記基板の全面に設けられた請求項８または９記載の半導体装置。
  11. 前記基板の前記半導体チップと反対の側に前記半導体チップおよび前記上部接続端子と接続する下部接続端子を具備する請求項８から１０のいずれか一項記載の半導体装置。
  12. 前記上部接続端子上に絶縁膜を具備する請求項８から１１のいずれか一項記載の半導体装置。
  13. 前記半導体チップは前記基板にフェースアップ実装されている請求項８から１２いずれか一項記載の半導体装置。
  14. 前記半導体チップは前記基板にフェースダウン実装されている請求項８から１２のいずれか一項記載の半導体装置。
  15. 請求項８〜１４のいずれかに記載の半導体装置の前記開口部内に前記下部接続端子を嵌め込み、前記上部接続端子と前記下部接続端子とを接触させることにより、前記他の半導体装置と前記半導体装置とを電気的に接続する積層半導体装置の製造方法。
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