JP5191464B2 - リソグラフィパターンの分割方法、当該分割方法を含むリソグラフィ処理方法及びデバイス製造方法、並びに前記分割方法で製造されるマスク - Google Patents
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Description
[0045] 放射(例えば、波長が約270nm未満、例えば、波長が248、193、157、及び126nmの放射などのUV放射又はDUV放射)の投影ビームPBを供給する放射システムEx、ILを備え、この特定の場合には、放射システムは、また、放射源LAを含み、さらに、
[0046] マスクMA(例えば、レチクル)を保持するマスクホルダを備えた第1のオブジェクトテーブル(マスクテーブル)MTと、
[0047] 基板W(例えば、レジストコートシリコンウェーハ)を保持する基板ホルダを備えた第2のオブジェクトテーブル(基板テーブル)WTと、
[0048] マスクMAの照射部分を基板Wのターゲット部分C(例えば、1つ又は複数のダイを含む)に結像する投影システム(「レンズ」)PL(例えば、従来の結像又は液浸流体を用いた結像のいずれかに適した石英、CaF2などの材料から作成したレンズ要素を含む石英及び/又はCaF2レンズ系又は反射屈折システムと、
を備える。
[0054] 1.ステップモードでは、マスクテーブルMTは基本的に静止しており、マスク画像全体が1回で(すなわち、1回の「フラッシュ」で)ターゲット部分Cに投影される。次に、別のターゲット部分CをビームPBによって照射できるように、基板テーブルWTは、x及び/又はy方向に移動する。
[0055] 2.スキャンモードでは、基本的に同じシナリオであるが、所与のターゲット部分Cは、1回の「フラッシュ」で露光されない。代わりに、マスクテーブルMTは所与の方向(いわゆる「スキャン方向」、例えば、y方向)に速度vで移動できる。これによって、投影ビームPBはマスク画像をスキャンする。同時に、基板テーブルWTは、速度V=Mvで同じ又は逆の方向に移動する(通常、M=1/4又は1/5である)。Mは、レンズPLの倍率である。こうして、解像度を犠牲にすることなく、比較的大きいターゲット部分Cを露光することができる。
Claims (16)
- リソグラフィパターンを複数のサブパターンに分割する方法であって、
前記リソグラフィパターンにおいて関心のある1つ又は複数の構造に対応する少なくとも1つのテスト構造を生成すること、
前記構造に関する寸法をある範囲内で変化させることにより前記少なくとも1つのテスト構造を変化させて、複数の変化テスト構造を生成すること、
前記複数の変化テスト構造の画像の画質メトリックについて複数の値を決定すること、
前記複数の値を分析してパターン分割が前記画質メトリックの値を向上させる寸法範囲を決定すること、
前記決定された寸法範囲に従って前記リソグラフィパターンの前記複数のサブパターンに前記リソグラフィパターンを分割すること
を含む、方法。 - 前記画像が、シミュレートされた画像を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記サブパターンの各々の画像のサブパターン画質メトリックの値を決定すること、
前記サブパターンの前記サブパターン画質メトリックの値を前記画像の前記画質メトリックの値と比較すること、
前記比較に基づいて、前記サブパターンの結果として前記画質メトリックの値が改善されるか否かを決定すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記構造に関する寸法が、ピッチ、線間、端部間、端部と線の間及び隅間からなるグループから選択された寸法を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記画質メトリックの値の前記決定が、前記画像内の複数の場所で前記画質メトリックの値を決定する、請求項1から4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数の場所は、前記構造に関する異なるタイプの寸法を持ち、前記方法が、前記異なるタイプの寸法間に優先順位を割り当てることをさらに含む、請求項5に記載の方法。
- 前記生成されたサブパターンが、前記リソグラフィパターン内にない追加のアシストフィーチャをさらに含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記アシストフィーチャが、サブパターン解像フィーチャを含む、請求項7に記載の方法。
- 前記画質メトリックが、ILS、NILS及びMEFからなるグループから選択された画質メトリックを含む、請求項1から8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記複数のサブパターンのうちの第1のサブパターンに対応するマスクを製造することをさらに含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 各々のマスクが前記複数のサブパターンのうちの1つのサブパターンに対応するマスクのセットを製造することをさらに含む、請求項1から9のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項10又は11に記載の方法で製造されるマスクのサブパターンをフォトリソグラフィ装置を用いて基板上の感光層上に結像することを含む方法。
- 各々の追加マスクが前記複数のサブパターンのうちの残りのサブパターンに対応する、少なくとも1つの追加マスクのサブパターンを結像すること、
前記リソグラフィパターンが前記基板上の前記感光層内に再現されるように、前記基板を処理して前記結像されたサブパターンを改善すること、
をさらに含む、請求項10又は11に記載の方法。 - 前記処理された基板と前記再現されたリソグラフィパターンとを用いてマイクロ電子デバイスを製造することをさらに含む、請求項13に記載の方法。
- 請求項10に記載の方法で製造されるマスク。
- 請求項11に記載の方法で製造されるマスクのセット。
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