JP5191075B2 - 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 - Google Patents
表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5191075B2 JP5191075B2 JP2001260918A JP2001260918A JP5191075B2 JP 5191075 B2 JP5191075 B2 JP 5191075B2 JP 2001260918 A JP2001260918 A JP 2001260918A JP 2001260918 A JP2001260918 A JP 2001260918A JP 5191075 B2 JP5191075 B2 JP 5191075B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data line
- scanning
- switching element
- potential portion
- line
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 50
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
- G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
- G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
- G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
- G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
- G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
- G09G3/3216—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using a passive matrix
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0245—Clearing or presetting the whole screen independently of waveforms, e.g. on power-on
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0248—Precharge or discharge of column electrodes before or after applying exact column voltages
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
- G09G2310/0254—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays
- G09G2310/0256—Control of polarity reversal in general, other than for liquid crystal displays with the purpose of reversing the voltage across a light emitting or modulating element within a pixel
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
- G09G2310/0264—Details of driving circuits
- G09G2310/0278—Details of driving circuits arranged to drive both scan and data electrodes
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2310/00—Command of the display device
- G09G2310/06—Details of flat display driving waveforms
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
- G09G2320/0209—Crosstalk reduction, i.e. to reduce direct or indirect influences of signals directed to a certain pixel of the displayed image on other pixels of said image, inclusive of influences affecting pixels in different frames or fields or sub-images which constitute a same image, e.g. left and right images of a stereoscopic display
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2320/00—Control of display operating conditions
- G09G2320/04—Maintaining the quality of display appearance
- G09G2320/043—Preventing or counteracting the effects of ageing
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2330/00—Aspects of power supply; Aspects of display protection and defect management
- G09G2330/02—Details of power systems and of start or stop of display operation
- G09G2330/021—Power management, e.g. power saving
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
- Control Of El Displays (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、有機EL(エレクトロルミネッセンス)表示装置のようなドットマトリクス型の表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図29は、従来の有機EL表示装置の回路図である。図29に示されるように、従来の表示装置は、n行の走査線COM1〜COMnと、m列のデータ線SEG1〜SEGmと、走査線及びデータ線の交点に配置された(n×m)個のEL素子PE1 , 1〜PEm , nとを有している。また、この表示装置は、走査線COM1〜COMnをアース電位部GND(電位VG)又は走査線用高電位部20(走査線電源電位VC)のいずれかに接続するスイッチング素子SWC1〜SWCnと、データ線SEG1〜SEGmをアース電位部GND(電位VG)又はデータ線用高電位部30(データ線電源電位VS)のいずれかに接続するスイッチング素子SWS1〜SWSmと、スイッチング素子SWC1〜SWCn及びSWS1〜SWSmを制御する駆動制御回路10とを有している。なお、図29において、符号11は、定電流出力回路である。
【0003】
図30は、図29の表示装置の動作を示す波形図である。図30に示されるように、この表示装置においては、走査期間P0内の表示期間P2毎に走査線を順次選択して、選択した走査線をアース電位VGにし、非選択走査線を走査線電源電位VC(逆バイアス電位)にする。表示期間P2においては、駆動制御回路10に入力される信号に基づいて、選択するデータ線をデータ線電源電位VSにし、非選択データ線をアース電位VGにする。図30の表示期間P2(期間t2〜t3)においてはデータ線SEG1が選択されているので、図29に示されるように、EL素子PE1 , 1に電流I1が流れ、EL素子PE1 , 1が発光状態になる。
【0004】
また、図30に示されるように、この表示装置においては、走査期間P0内のディスチャージ期間P1において走査線COM1〜COMn及びデータ線SEG1〜SEGmを全てアース電位VGにする。ディスチャージ期間P1により、走査線COM1〜COMn及びデータ線SEG1〜SEGmに蓄積された電荷が放出される。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記したような従来の表示装置においては、例えば、EL素子PE1 , 1を表示状態にするときに、EL素子PE1 , 1を通る電流経路(データ線用高電位部30→スイッチング素子SWS1→データ線SEG1→選択EL素子PE1 , 1→走査線COM1→スイッチング素子SWC1→アース電位部GND)を形成する。しかしながら、このような表示装置においては、例えば、t1時やt2時において本来電流が流れるべきではない非発光EL素子を経由した電流経路(例えば、データ線用高電位部30→スイッチング素子SWS1→データ線SEG1→非選択EL素子PE1 , 2〜PE1 , n→非選択走査線COM2〜COMn→スイッチング素子SWC2〜SWCn→アース電位部GND)が瞬間的に形成されて貫通電流(即ち、“非選択EL素子経由の貫通電流”)が流れ、電力が無駄に消費されるという問題があった。また、スイッチング素子SWC1〜SWCnをCMOS回路により構成した場合には、CMOS回路の反転動作時にCMOS回路を経由した電流経路(走査線用高電位部20→PMOSトランジスタ→NMOSトランジスタ→アース電位部GND)が瞬間的に形成されて貫通電流(即ち、“CMOS回路の貫通電流”)が流れ、電力が無駄に消費されるという問題があった。
【0006】
そこで、本発明は上記したような従来技術の課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、スイッチング素子のオン・オフに伴う貫通電流を減らすことによって消費電力を低減することができる表示装置及びその駆動方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明の一形態の表示装置は、n行(nは正の整数)の走査線と、m列(mは正の整数)のデータ線と、前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、走査線用低電位部と、前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、データ線用低電位部と、前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子とを有し、選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置であって、表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動制御回路を有し、この駆動制御回路からの信号に基づいて、前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、前記ディスチャージ期間において、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記n行の走査線をハイインピーダンス状態にし、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続することを特徴としている。
【0009】
また、本発明の他の形態の表示装置は、n行(nは正の整数)の走査線と、m列(mは正の整数)のデータ線と、前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、走査線用低電位部と、前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、データ線用低電位部と、前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子とを有し、選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置において、表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動制御回路を有し、この駆動制御回路からの信号に基づいて、前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、前記ディスチャージ期間において、前記第1スイッチング素子をオフにし前記第2スイッチング素子をオンにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用高電位部に接続し、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続することを特徴としている。
【0011】
また、本発明の他の形態の表示装置は、n行(nは正の整数)の走査線と、m列(mは正の整数)のデータ線と、前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、走査線用低電位部と、前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、データ線用低電位部と、前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子とを有し、選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置において、表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動制御回路を有し、この駆動制御回路からの信号に基づいて、前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、前記ディスチャージ期間において、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用低電位部に接続し、前記ディスチャージ期間の開始時点の直前に前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続してこの状態を前記ディスチャージ期間の終了直後まで維持し、前記ディスチャージ期間の終了直後に選択状態にするデータ線の前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって選択状態にするデータ線を前記データ線用高電位部に接続することを特徴としている。
【0012】
また、前記走査線用高電位部を走査線電源電位にする走査線電源回路と、前記データ線用高電位部をデータ線電源電位にするデータ線電源回路とを有し、前記走査線用低電位部がアースに接続され、前記データ線用低電位部がアースに接続された構成とすることができる。
【0013】
また、前記走査線用高電位部を走査線電源電位にする走査線電源回路と、前記データ線用高電位部をデータ線電源電位にするデータ線電源回路と、前記データ線用低電位部を、アース電位よりも高く前記データ線電源電位よりも低い中間電位にする中間電位部とを有し、前記走査線用低電位部がアースに接続され、前記データ線用低電位部が前記中間電位に接続された構成とすることもできる。
【0015】
また、前記走査線用高電位部をアース電位よりも高く走査線電源電位よりも低い中間電位とし、前記データ線用低電位部をアース電位よりも高くデータ線電源電位よりも低い中間電位とすることができる。
【0016】
また、同じ走査線に接続された前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成し、同じデータ線に接続された前記第3スイッチング素子及び前記第4スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成することができる。
【0017】
また、前記走査線用高電位部の走査線電源電位を前記データ線用高電位部のデータ線電源電位よりも低い電位にすることができる。
【0018】
また、本発明の一態様の表示装置の駆動方法は、n行(nは正の整数)の走査線と、m列(mは正の整数)のデータ線と、前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、走査線用低電位部と、前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、データ線用低電位部と、前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子とを有し、選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になり、表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動方法であって、前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、前記ディスチャージ期間において、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記n行の走査線をハイインピーダンス状態にし、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続することを特徴としている。
【0020】
また、本発明の一態様の表示装置の駆動回路は、n行(nは正の整数)の走査線と、m列(mは正の整数)のデータ線と、前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、走査線用低電位部と、前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、データ線用低電位部と、前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子とを有し、選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置に用いられ、表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動回路において、前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、前記ディスチャージ期間において、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記n行の走査線をハイインピーダンス状態にし、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続することを特徴としている。
【0022】
【発明の実施の形態】
〈第1の実施形態〉
図1は、本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。ただし、本発明は、有機EL表示装置以外の電流駆動型の他のドットマトリクス型表示装置(例えば、液晶表示装置)にも適用可能である。
【0023】
図1に示されるように、第1の実施形態の表示装置は、n行(nは正の整数)の走査線COM(個々の走査線を示す場合には、符号COM1〜COMnを用いる。)と、m列(mは正の整数)のデータ線SEG(個々のデータ線を示す場合には、符号SEG1〜SEGmを用いる。)と、n行の走査線及びm列のデータ線の交点に配置された(n×m)個のEL(electroluminescence)素子PE(個々のEL素子を示す場合には、符号PE1 , 1〜PEm , nを用いる。)とを有している。
【0024】
また、第1の実施形態の表示装置は、アース電位VGを提供するアース電位部GNDと、アース電位VGより高い所定の走査線電源電位VCを提供する走査線用高電位部20と、アース電位VGより高い所定のデータ線電源電位VSを提供するデータ線用高電位部30とを有している。走査線用高電位部20は、電源回路(図示せず)の走査線電源電位VC出力部に接続された端子である。データ線用高電位部30は、電源回路(図示せず)のデータ線電源電位VS出力部に接続された端子である。データ線電源電位VSは、EL素子PE1 , 1〜PEm , nを発光させることができる値以上(具体的には、EL素子を発光させることができる最低の電位(しきい値電位)に、EL素子以外の他の電流経路による降下電位を加えた値以上)の電位である。また、VS=VCとするのが一般的であるが、第1の実施形態においては、VS>VCとすることも可能である。
【0025】
また、第1の実施形態の表示装置は、走査線用スイッチ回路21と、データ線用スイッチ回路31と、走査線用スイッチ回路21及びデータ線用スイッチ回路31の動作を制御する駆動制御回路10と、データ線用高電位部30とデータ線用スイッチ回路31との間に配置された定電流出力回路11とを有している。
【0026】
走査線用スイッチ回路21は、n行の走査線COM1〜COMnのそれぞれに接続されており、ON(オン)状態のときに走査線COM1〜COMnをアース電位部GNDに接続するn個のNMOSトランジスタ22(個々のNMOSトランジスタを示す場合には、符号221〜22nを用いる。)と、n行の走査線COM1〜COMnのそれぞれに接続されており、ON状態のときに走査線COM1〜COMnを走査線用高電位部20に接続するn個のPMOSトランジスタ23(個々のPMOSトランジスタを示す場合には、符号231〜23nを用いる。)とを有している。ここで、同じ走査線COMに接続されている1組のNMOSトランジスタ22及びPMOSトランジスタ23は1つのCMOS回路24(個々のCMOS回路を示す場合には、符号241〜24nを用いる。)によって構成されている。ただし、CMOS回路24を用いずに、PMOSトランジスタのみ、又は、NMOSトランジスタの一方を用いて走査線用スイッチ回路21を構成してもよい。
【0027】
また、データ線用スイッチ回路31は、m列のデータ線SEG1〜SEGmのそれぞれに接続されており、ON状態のときにデータ線SEG1〜SEGmをアース電位部GNDに接続するm個のNMOSトランジスタ32(個々のNMOSトランジスタを示す場合には、符号321〜32mを用いる。)と、m列のデータ線SEG1〜SEGmのそれぞれに接続されており、ON状態のときにデータ線SEG1〜SEGmをデータ線用高電位部30に接続するm個のPMOSトランジスタ33(個々のPMOSトランジスタを示す場合には、符号331〜33mを用いる。)とを有している。ここで、同じデータ線SEGに接続されている1組のNMOSトランジスタ32及びPMOSトランジスタ33は1つのCMOS回路34(個々のCMOS回路を示す場合には、符号341〜34mを用いる。)によって構成されている。ただし、CMOS回路34を用いずに、PMOSトランジスタのみ、又は、NMOSトランジスタの一方を用いてデータ線用スイッチ回路31を構成してもよい。
【0028】
駆動制御回路10は、入力信号に基づいて、EL素子PE1 , 1〜PEm , nを選択的に表示状態(EL素子においては、発光状態)にする表示期間(図2におけるP2)及びデータ線SEG又は走査線COMに蓄積された電荷を放出するディスチャージ期間(図2におけるP1)を含む走査期間(図2におけるP0)のそれぞれにおいて、n個のNMOSトランジスタ221〜22n、n個のPMOSトランジスタ231〜23n、m個のNMOSトランジスタ321〜32m、及びm個のPMOSトランジスタ331〜33mのON・OFF(オン・オフ)を制御する。EL素子PEは、定電流出力回路11、データ線用CMOS回路を経由して定電流が供給され、EL素子PEに印加される電位が発光しきい値電圧以上となった時点で、発光を始める。
【0029】
(第1の実施形態の動作(1))
図2は、第1の実施形態の動作(1)を示す波形図である。図2に示されるように、第1の実施形態の動作(1)においては、選択状態にある走査線COMと選択状態にあるデータ線SEGの交点のEL素子PEが表示状態になる。走査線COMを選択状態にするときには、NMOSトランジスタ22をONにしPMOSトランジスタ23をOFFにすることによって走査線COMをアース電位部GND(電位VG)に接続する。走査線COMを非選択状態にするときには、NMOSトランジスタ22及びPMOSトランジスタ23の両方をOFF(オフ)にすることによって走査線COMをHi−Z状態(ハイインピーダンス状態)(図2における斜線部分)にする。また、図2に示されるように、データ線SEGを選択状態にするときには、NMOSトランジスタ32をOFFにしPMOSトランジスタ33をONにすることによってデータ線SEGをデータ線用高電位部30(電位VS)に接続する。データ線SEGを非選択状態にするときには、NMOSトランジスタ32をONにしPMOSトランジスタ33をOFFにすることによってデータ線SEGをアース電位部GND(電位VG)に接続する。
【0030】
また、図2に示されるように、第1の実施形態の動作(1)においては、走査期間P0内の表示期間P2毎に走査線COM1〜COMnを順次選択してアース電位VGにしている。また、図2に示されるように、第1の実施形態の動作(1)においては、走査期間P0内のディスチャージ期間P1において走査線COM1〜COMnの全てをHi−Z状態にし、データ線SEG1〜SEGmの全てをアース電位VGにしている。ディスチャージ期間P1により、データ線SEGに蓄積された電荷が放出される。
【0031】
図3(a)〜(c)は、第1の実施形態の動作(1)の説明図である。また、図4(a)〜(c)は、図30に示される動作をする表示装置(比較例)の説明図である。
【0032】
図3(a)は、図2のt2時(表示期間P2の開始時点)の動作を示す。図3(a)に示されるように、t2時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がOFFからONになり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。また、図3(a)に示されるように、t2時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになる。
【0033】
このように、第1の実施形態の動作(1)によれば、t2時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がOFFからONになり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、走査線用CMOS回路241の反転動作(NMOSトランジスタ221がOFFからONになり、PMOSトランジスタ231がONからOFFになる動作、又は、その逆の動作)が存在しない。したがって、t2時において、“走査線用CMOS回路241の貫通電流”(例えば、図4(c)の比較例における貫通電流I11に相当する電流)は流れない。また、t2時においては、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままであり、CMOS回路242,243,…の反転動作が存在しない。したがって、t2時において、“走査線用CMOS回路242,243,…の貫通電流”(例えば、図4(a)の比較例におけるI12,I13,…に相当する電流)は流れない。
【0034】
また、第1の実施形態の動作(1)によれば、t2時に、データ線用スイッチ回路31において、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになるが、非選択走査線COM2〜COMnはHi−Z状態のままであるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”(例えば、図4(a)の比較例におけるI22,I23,…に相当する電流)は流れない。
【0035】
図3(b)は、図2のt3時(表示期間P2の終了時点であり、ディスチャージ期間P1の開始時点である)の動作を示す。図3(b)に示されるように、t3時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がONからOFFになり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。また、図3(b)に示されるように、t3時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになる。
【0036】
このように、第1の実施形態の動作(1)によれば、t3時に、走査線スイッチ回路21おいては、NMOSトランジスタ221がONからOFFになり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、CMOS回路241の反転動作は存在しない。したがって、t3時に、走査線スイッチ回路21おいては、“走査線用CMOS回路241の貫通電流”は流れない。また、t3時に、走査線スイッチ回路21おいては、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままであり、走査線用CMOS回路242,243,…の反転動作が存在しない。したがって、t3時において、“走査線用CMOS回路242,243,…の貫通電流”(例えば、図4(b)の従来例におけるI32,I33,…に相当する電流)は流れない。
【0037】
また、第1の実施形態の動作(1)によれば、t3時に、データ線用スイッチ回路31において、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになるが、非選択走査線COM2〜COMnはHi−Z状態のままであるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”(例えば、図4(b)の従来例におけるI42,I43,…に相当する電流)は流れない。
【0038】
図3(c)は、図2のt4時(ディスチャージ期間P1の終了時点であり、次の表示期間P2の開始時点である。)の動作を示す。図3(c)に示されるように、t4時の動作は、選択走査線が次の行に移る点を除き、t2時の動作と同じである。したがって、t4時においては、t2時と同様に、走査線用CMOS回路24の反転動作が存在しないので、“走査線用CMOS回路24の貫通電流”は流れない。
【0039】
また、t4時においては、t2時と同様に、非選択走査線COM1、COM3〜COMnはHi−Z状態のままであるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”は流れない。
【0040】
以上に説明したように、第1の実施形態の動作(1)によれば、非選択走査線がHi−Z状態になるように走査線用CMOS回路24のPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの両方をOFFにすることによって、走査線用CMOS回路24の反転動作をなくしている。このため、図4の比較例に示されるような“走査線用CMOS回路の貫通電流”はなくなり、そのため消費電力を低減することができる。また、ディスチャージ期間において走査線用のCMOS回路24をHi−Z状態にしているので、データ線用高電位部30から、データ線用CMOS回路34、非選択EL素子、走査線用CMOS回路24を経由して流れる“非選択EL素子経由の貫通電流”をなくすることができ、消費電力を低減することができる。さらにまた、第1の実施形態の動作(1)によれば、非選択走査線用のCMOS回路24をHi−Z状態としているので、走査線用高電位部20の走査線電源電位VCをデータ線用高電位部30のデータ線電源電位VSよりも低くすることが可能になり、走査線電源電位VCを低くしたことによる消費電力の低減効果もある。
【0041】
(第1の実施形態の動作(2))
図5は、第1の実施形態の動作(2)を示す波形図である。図5に示されるように、第1の実施形態の動作(2)においては、走査期間P0内の表示期間P2毎に走査線COM1〜COMnを順次選択してアース電位VGにする。また、図5に斜線部分で示されるように、表示期間P2において、非選択走査線をHi−Z状態にしている。また、図5に示されるように、第1の実施形態の動作(2)においては、走査期間P0内のディスチャージ期間P1において走査線COM1〜COMnの全てを走査線電源電位VCにし、データ線SEG1〜SEGmの全てをアース電位VGにしている。第1の実施形態の動作(2)においては、ディスチャージ期間P1により、データ線SEGに蓄積された電荷が放出される。
【0042】
図6(a)〜(c)は、第1の実施形態の動作(2)の説明図である。図6(a)は、図5のt2時(表示期間P2の開始時点)の動作を示す。図6(a)に示されるように、t2時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がOFFからONになり、PMOSトランジスタ231がONからOFFになり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がONからOFFになる。また、図6(a)に示されるように、t2時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになる。
【0043】
このように、第1の実施形態の動作(2)によれば、t2時に、走査線用CMOS回路241の反転動作が存在するが、走査線用CMOS回路242,243,…の反転動作は存在しない。したがって、t2時において、“走査線用CMOS回路241の貫通電流”は流れるが、“他の走査線用CMOS回路242,243,…の貫通電流”は流れない。
【0044】
また、第1の実施形態の動作(2)によれば、t2時において、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになるが、非選択走査線COM2〜COMnは走査線電源電位VC又はHi−Z状態にあるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”は小さい。
【0045】
図6(b)は、図5のt3時(表示期間P2の終了時点であり、ディスチャージ期間P1の開始時点である)の動作を示す。図6(b)に示されるように、t3時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がONからOFFになり、PMOSトランジスタ231がOFFからONになり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFからONになる。また、図6(b)に示されるように、t3時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになる。
【0046】
このように、第1の実施形態の動作(2)によれば、t3時においては、CMOS回路241の反転動作が存在するが、CMOS回路242,243,…の反転動作は存在しない。したがって、t3時において、“CMOS回路242,243,…の貫通電流”は流れない。
【0047】
また、第1の実施形態の動作(2)によれば、t3時において、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになるが、非選択走査線COM2〜COMnはHi−Z状態のままであるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”(例えば、図4(b)の従来例におけるI52,I53,…に相当する電流)は流れない。
【0048】
図6(c)は、図5のt4時(ディスチャージ期間P1の終了時点であり、次の表示期間P2の開始時点である。)の動作を示す。図6(c)に示されるように、t4時の動作は、選択走査線が次の行に移る点を除き、t2時の動作と同じである。したがって、t4時においては、t2時と同様に、CMOS回路242の反転動作が存在するが、CMOS回路241及び243,244…の反転動作は存在しない。したがって、t2時において、“CMOS回路2412の貫通電流”は流れるが、“他のCMOS回路241及び243,244…の貫通電流”は流れない。
【0049】
また、t4時においては、t2時と同様に、非選択走査線COM1、COM3〜COMnはHi−Z状態又は走査線電源電位VCにあるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”は小さい。
【0050】
以上に説明したように、第1の実施形態の動作(2)によれば、走査線用の非選択CMOS回路をHi−Z状態とすることによって、走査線用CMOS回路の反転動作の回数を少なくしている。このため、“走査線用CMOS回路の貫通電流”は減少し、消費電力を低減することができる。また、ディスチャージ期間において走査線用のCMOS回路を走査線電源電位VCにしているので、“非選択EL素子経由の貫通電流”を少なくすることができ、消費電力を低減することができる。
【0051】
(第1の実施形態の動作(3))
図7は、第1の実施形態の動作(3)を示す波形図である。図7に示されるように、第1の実施形態の動作(3)においては、走査期間P0内の表示期間P2毎に走査線COM1〜COMnを順次選択してアース電位VGにする。また、図7に斜線部分で示されるように、表示期間P2において、非選択走査線をHi−Z状態にしている。また、図7に示されるように、第1の実施形態の動作(3)においては、走査期間P0内のディスチャージ期間P1において走査線COM1〜COMnの全てをアース電位VGにし、データ線SEG1〜SEGmの全てをアース電位VGにしている。第1の実施形態の動作(3)においては、ディスチャージ期間P1により、データ線SEGに蓄積された電荷及び走査線COMに蓄積された電荷が放出されて、発光不良防止が図られている。
【0052】
図8(a)〜(c)は、第1の実施形態の動作(3)の説明図である。図8(a)は、図7のt2時(表示期間P2の開始時点)の動作を示す。図8(a)に示されるように、t2時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がONのままであり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がONからOFFになり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。また、図8(a)に示されるように、t2時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになる。
【0053】
このように、第1の実施形態の動作(3)によれば、走査線用CMOS回路24の反転動作は存在しない。したがって、t2時において、“走査線用CMOS回路24の貫通電流”は流れない。
【0054】
また、第1の実施形態の動作(3)によれば、t2時において、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになるが、非選択走査線COM2〜COMnはアース電位VG又はHi−Z状態にあるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”が流れる場合がある。
【0055】
図8(b)は、図7のt3時(表示期間P2の終了時点であり、ディスチャージ期間P1の開始時点である)の動作を示す。図8(b)に示されるように、t3時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がONのままであり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFからONになり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。また、図8(b)に示されるように、t3時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになる。
【0056】
このように、第1の実施形態の動作(3)によれば、t3時においては、CMOS回路24の反転動作は存在しない。したがって、t3時において、“CMOS回路24の貫通電流”は流れない。
【0057】
また、第1の実施形態の動作(3)によれば、t3時において、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになるが、非選択走査線COM2〜COMnはHi−Z状態又はアース電位VGであるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”が流れる場合がある。
【0058】
図8(c)は、図7のt4時(ディスチャージ期間P1の終了時点であり、次の表示期間P2の開始時点である。)の動作を示す。図8(c)に示されるように、t4時の動作は、選択走査線が次の行に移る点を除き、t2時の動作と同じである。したがって、t4時においては、t2時と同様に、走査線用CMOS回路24の反転動作が存在しないので、“走査線用CMOS回路24の貫通電流”は流れない。
【0059】
以上に説明したように、第1の実施形態の動作(3)によれば、走査線用の非選択CMOS回路をHi−Z状態とすることによって、走査線用CMOS回路の反転動作をなくしている。このため、“走査線用CMOS回路の貫通電流”は減少し、そのため消費電力を低減することができる。
【0060】
(第1の実施形態の動作(4))
図9は、第1の実施形態の動作(4)を示す波形図である。図9に示されるように、第1の実施形態の動作(4)においては、走査期間P10内の表示期間P12毎に走査線COM1〜COMnを順次選択してアース電位VGにする。また、図9に斜線部分で示されるように、表示期間P12において、非選択走査線をHi−Z状態にしている。また、図9に示されるように、第1の実施形態の動作(4)においては、走査期間P0内のディスチャージ期間P11において走査線COM1〜COMnの全てをアース電位VGにしている。
【0061】
また、第1の実施形態の動作(4)においては、ディスチャージ期間P11の開始時点t12の直前(t11時)にNMOSトランジスタ32をOFFからONにし、PMOSトランジスタ33をONからOFFにしてデータ線をアース電位VGに接続してこの状態をディスチャージ期間の終了時t13の直後(t14時)まで維持し、ディスチャージ期間の終了直後(t14時)に選択状態にするデータ線のNMOSトランジスタ32をOFFにしPMOSトランジスタ33をONにすることによって選択状態にするデータ線をデータ線用高電位部30に接続している。言い換えれば、データ線用のCMOS回路34の反転動作を、ディスチャージ期間P11の開始時点t12より所定時間ts1早めた時点(t11時)、及び、ディスチャージ期間P11の終了時点t13より所定時間ts2遅らせた時点(t12時)、即ち、非選択走査線がHi−Z状態になっているときに行っている。
【0062】
図10(a)〜(d)は、第1の実施形態の動作(4)の説明図である。図10(a)は、図7のt11時の動作を示す。図10(a)に示されるように、t11時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がOFFのままであり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。即ち、全ての走査線がHi−Z状態にある。また、図10(a)に示されるように、t11時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がOFFからONになり、PMOSトランジスタ331がONからOFFになる。即ち、CMOS回路341が反転動作する。
【0063】
このように、第1の実施形態の動作(4)によれば、t11時において、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになるが、走査線COM2〜COMnはHi−Z状態にあるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”は流れない。
【0064】
図10(b)は、図9のt12時の動作を示す。図10(b)に示されるように、t12時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ22がOFFからONになり、PMOSトランジスタ23がOFFのままである。また、図10(b)に示されるように、t12時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がONのままであり、PMOSトランジスタ331がOFFのままである。
【0065】
このように、第1の実施形態の動作(4)によれば、CMOS回路24の反転動作は存在しない。したがって、t12時において、走査線用“CMOS回路24の貫通電流”は流れない。
【0066】
図10(c)は、図9のt13時の動作を示す。図10(c)に示されるように、t13時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がONのままであり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がONからOFFになり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。また、図10(c)に示されるように、t13時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がONのままであり、PMOSトランジスタ331がOFFのままである。
【0067】
このように、第1の実施形態の動作(3)によれば、t13時においては、走査線用CMOS回路24の反転動作は存在しない。したがって、t13時において、“走査線用CMOS回路24の貫通電流”は流れない。
【0068】
図10(d)は、図9のt14時の動作を示す。図10(d)に示されるように、t14時に、走査線スイッチ回路21においては、NMOSトランジスタ221がONのままであり、PMOSトランジスタ231がOFFのままであり、NMOSトランジスタ222,223,…がOFFのままであり、PMOSトランジスタ232,233,…がOFFのままである。また、図10(d)に示されるように、t14時に、データ線スイッチ回路31においては、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになる。
【0069】
このように、第1の実施形態の動作(4)によれば、t14時において、NMOSトランジスタ321がONからOFFになり、PMOSトランジスタ331がOFFからONになるが、走査線COM2〜COMnはHi−Z状態にあるので、“非選択EL素子経由の貫通電流”は流れない。
【0070】
以上に説明したように、第1の実施形態の動作(4)によれば、データ線用CMOS回路の反転動作を、走査線COMがHi−Z状態にあるときに行うように動作させているので、“非選択EL素子経由の貫通電流”は流れず、そのため消費電力を低減することができる。
【0071】
なお、第1の実施形態の動作(4)は、上記第1の実施形態の動作(3)のデータ線用CMOS回路の反転タイミングを時間ts1,ts2ずらした例に相当するが、このようなデータ線用CMOS回路の反転タイミングを上記第1の実施形態の動作(1)及び(2)に適用してもよい。
【0072】
〈第2の実施形態〉
図11は、本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。図11において、図1と同一又は対応する構成には、同一の符号を付す。第2の実施形態は、アース電位VGよりも高くデータ線用高電位部30のデータ線電源電位VSより低い中間電位VSIを提供する電圧レギュレータ40を有し、データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、アースGNDに代えて、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続した点のみが上記第1の実施の形態と相違する。なお、電圧レギュレータ40に代えて、外部電源等の他の手段を用いてもよい。
【0073】
(第2の実施形態の動作(1))
図12は、第2の実施形態の動作(1)を示す波形図であり、図13(a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(1)の説明図である。図12及び図13(a)〜(c)に示される第2の実施形態の動作(1)は、データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続して、非選択データ線SEGの電位を中間電位VSIにした点が、図2及び図3(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(1)と相違する。
【0074】
第2の実施形態の動作(1)によれば、非選択データ線が中間電位VSIをとるので選択データ線の電位VSとの電位差が、非選択データ線をアース電位VGとした場合に比べ小さくなり、データ線用CMOS回路34の反転動作に伴う“データ線用CMOS回路34の貫通電流”を低減させることができる。また、データ線の選択時の電位VSとディスチャージ期間におけるデータ線の電位(中間電位VSI)との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができる。なお、第2の実施形態の動作(1)において、上記以外の点は、上記第1の実施形態の動作(1)と同じである。
【0075】
(第2の実施形態の動作(2))
図14は、第2の実施形態の動作(2)を示す波形図であり、図15(a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(2)の説明図である。図14及び図15(a)〜(c)に示される第2の実施形態の動作(2)は、データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続して、非選択データ線SEGの電位を中間電位VSIにした点が、図5及び図6(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(2)と相違する。
【0076】
第2の実施形態の動作(2)によれば、非選択データ線が中間電位VSIをとるので選択データ線の電位VSとの電位差が、非選択データ線をアース電位VGとした場合に比べ小さくなり、データ線用CMOS回路34の反転動作に伴う“データ線用CMOS回路34の貫通電流”を低減させることができる。また、データ線の選択時の電位VSとディスチャージ期間におけるデータ線の電位(中間電位VSI)との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができる。なお、第2の実施形態の動作(2)において、上記以外の点は、上記第1の実施形態の動作(2)と同じである。
【0077】
(第2の実施形態の動作(3))
図16は、第2の実施形態の動作(3)を示す波形図であり、図17(a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(3)の説明図である。図16及び図17(a)〜(c)に示される第2の実施形態の動作(3)は、データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続して、非選択データ線SEGの電位を中間電位VSIにした点が、図7及び図8(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(3)と相違する。
【0078】
第2の実施形態の動作(3)によれば、非選択データ線が中間電位VSIをとるので選択データ線の電位VSとの電位差が、非選択データ線をアース電位VGとした場合に比べ小さくなり、データ線用CMOS回路34の反転動作に伴う“データ線用CMOS回路34の貫通電流”を低減させることができる。また、データ線の選択時の電位VSとディスチャージ期間におけるデータ線の電位(中間電位VSI)との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができる。なお、第2の実施形態の動作(3)において、上記以外の点は、上記第1の実施形態の動作(3)と同じである。
【0079】
(第2の実施形態の動作(4))
図18は、第2の実施形態の動作(4)を示す波形図であり、図19(a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(4)の説明図である。図18及び図19(a)〜(c)に示される第2の実施形態の動作(4)は、データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続して、非選択データ線SEGの電位を中間電位VSIにした点が、図9及び図10(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(4)と相違する。
【0080】
第2の実施形態の動作(4)によれば、非選択データ線が中間電位VSIをとるので選択データ線の電位VSとの電位差が、非選択データ線をアース電位VGとした場合に比べ小さくなり、データ線用CMOS回路34の反転動作に伴う“データ線用CMOS回路34の貫通電流”を低減させることができる。また、データ線の選択時の電位VSとディスチャージ期間におけるデータ線の電位(中間電位VSI)との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができる。なお、第2の実施形態の動作(4)において、上記以外の点は、上記第1の実施形態の動作(4)と同じである。
【0081】
〈第3の実施形態〉
図20は、本発明の第3の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。図20において、図1又は図11と同一又は対応する構成には、同一の符号を付す。第3の実施形態の表示装置は、アース電位VGよりも高くデータ線用高電位部30のデータ線電源電位VSより低い中間電位VSI、及び、アース電位VGよりも高く走査線用高電位部20の走査線電源電位VCより低い中間電位VCIを提供する電圧レギュレータ40を有する。データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、アース電位部GNDに代えて、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続し、走査線スイッチ回路21のNMOSトランジスタ22を、走査線電源電位VCに代えて、電圧レギュレータ40の中間電位VCI出力部に接続している点、及び、駆動制御回路10による制御内容が上記第1及び第2の実施形態と相違する。電圧レギュレータ40が提供する中間電位VSI及びVCIは、非選択EL素子が発光しないように、即ち、非選択EL素子の両端電圧がEL素子の発光しきい値電圧以上にならないように(即ち、VSI−VCIがEL素子の発光しきい値電圧と電流経路による電圧降下を加算した電圧)以上にならないように設定される。なお、データ線SEG及び走査線COMの非選択時の電位及びディスチャージ時の電位は、発光不良を防ぐために、EL素子がバイアスゼロ又は逆バイアス印加の状態になるように設定することが望ましい。
【0082】
図21は、第3の実施形態の動作を示す波形図であり、図22(a)〜(c)は、第3の実施形態の動作の説明図である。図21及び図22(a)〜(c)に示される第3の実施形態の動作は、データ線スイッチ回路31のNMOSトランジスタ32を、電圧レギュレータ40の中間電位VSI出力部に接続して、非選択データ線SEGの電位を中間電位VSIにした点が、図2及び図3(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(1)と相違する。また、第3の実施形態の動作は、非選択走査線COMをHi−Z状態にするのではなく、中間電位VCIにした点が、図2及び図3(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(1)と相違する。また、第3の実施形態の動作は、ディスチャージ期間P1における走査線COMをHi−Z状態にするのではなく、中間電位VCIにした点が、図2及び図3(a)〜(c)に示される上記第1の実施形態の動作(1)と相違する。
【0083】
第3の実施形態の動作によれば、非選択データ線を中間電位VSIとしたので選択データ線の電位VSとの電位差が、非選択データ線をアース電位VGとした場合に比べ小さくなり、データ線用CMOS回路34の反転動作に伴う“データ線用CMOS回路34の貫通電流”を低減させることができる。また、非選択走査線を中間電位VCIとしたので選択走査線の電位VCとの電位差が、非選択走査線をアース電位VGとした場合に比べ小さくなり、 “走査線用CMOS回路の貫通電流”を低減させることができる。また、データ線及び走査線の選択・非選択時の電位とディスチャージ期間における電位との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができる。なお、第3の実施形態において、上記第1の実施形態の動作(4)と同様に、データ線用CMOS回路の反転動作のタイミングをずらしてもよい。また、第3の実施形態の動作において、上記以外の点は、上記第1の実施形態又は第2実施形態の動作と同じである。
【0084】
〈第4の実施形態〉
図23は、本発明の第4の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。図23において、図1又は図20と同一又は対応する構成には、同一の符号を付す。図24は、第4の実施形態の動作を示す波形図であり、図25(a)〜(c)は、第4の実施形態の動作の説明図である。第4の実施形態の表示装置は、走査線用中間電位VCIに代えて、走査線用電源電位VCを用いた点が第3の実施形態と相違する。なお、第4の実施形態において、上記第1の実施形態の動作(4)と同様に、データ線用CMOS回路の反転動作のタイミングをずらしてもよい。また、第4の実施形態の動作において、上記以外の点は、上記第3の実施形態と同じである。
【0085】
〈第5の実施形態〉
図26は、本発明の第5の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。図26において、図1又は図20と同一又は対応する構成には、同一の符号を付す。図27は、第4の実施形態の動作を示す波形図であり、図28(a)〜(c)は、第5の実施形態の動作の説明図である。第5の実施形態の表示装置は、データ線用中間電位VSIに代えて、アース電位VGを用いた点が第3の実施形態と相違する。なお、第5の実施形態において、上記第1の実施形態の動作(4)と同様に、データ線用CMOS回路の反転動作のタイミングをずらしてもよい。また、第5の実施形態の動作において、上記以外の点は、上記第3の実施形態と同じである。
【0086】
【発明の効果】
以上に説明したように、請求項1〜7の表示装置によれば、非選択走査線をHi−Z状態とすることによって、走査線用スイッチング素子の反転動作をなくしている。このため、走査線用スイッチング素子の貫通電流はなくなり、そのため消費電力を低減することができるという効果がある。
【0087】
また、請求項1の表示装置によれば、ディスチャージ期間において走査線をHi−Z状態にしているので、データ線用高電位部から、データ線用スイッチング素子、非選択表示素子、走査線用スイッチング素子を経由して流れる非選択表示素子経由の貫通電流をなくすることができ、消費電力を低減することができるという効果がある。
【0088】
また、請求項2の表示装置によれば、ディスチャージ期間において走査線を走査線電源電位にしているので、データ線用高電位部から、データ線用スイッチング素子、非選択表示素子、走査線用スイッチング素子を経由して流れる非選択表示素子経由の貫通電流をなくすることができ、消費電力を低減することができるという効果がある。
【0089】
また、請求項3の表示装置によれば、データ線用のスイッチング素子の反転動作を、走査線がHi−Z状態にあるときに行うように動作させているので、非選択表示素子経由の貫通電流は流れず、そのため消費電力を低減することができるという効果がある。
【0090】
また、請求項5の表示装置によれば、非選択データ線が中間電位をとるので選択データ線のデータ線電源電位との電位差が小さくなり、データ線用のスイッチング素子の貫通電流を低減させることができるという効果がある。また、請求項7の表示装置によれば、データ線の選択・非選択時の電位とディスチャージ期間における電位との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができるという効果がある。
【0092】
また、請求項11の表示装置によれば、走査線電源電位をデータ線電源電位よりも低くしているので、走査線電源電位を低くしたことによる消費電力の低減効果がある。
【0093】
また、請求項12の表示装置の駆動方法によれば、非選択走査線をHi−Z状態とすることによって、走査線用スイッチング素子の反転動作をなくしている。このため、走査線用スイッチング素子の貫通電流はなくなり、そのため消費電力を低減することができるという効果がある。
【0094】
また、請求項8の表示装置の駆動方法によれば、ディスチャージ期間において走査線をHi−Z状態にしているので、データ線用高電位部から、データ線用スイッチング素子、非選択表示素子、走査線用スイッチング素子を経由して流れる非選択表示素子経由の貫通電流をなくすることができ、消費電力を低減することができるという効果がある。
【0095】
また、請求項9の表示装置の駆動方法によれば、ディスチャージ期間において走査線を走査線電源電位にしているので、データ線用高電位部から、データ線用スイッチング素子、非選択表示素子、走査線用スイッチング素子を経由して流れる非選択表示素子経由の貫通電流をなくすることができ、消費電力を低減することができるという効果がある。
【0096】
また、請求項10の表示装置の駆動方法によれば、データ線用スイッチング素子の反転動作を、走査線がHi−Z状態にあるときに行うように動作させているので、非選択表示素子経由の貫通電流は流れず、そのため消費電力を低減することができるという効果がある。
【0097】
また、請求項12の表示装置の駆動方法によれば、非選択データ線が中間電位をとるので選択データ線のデータ線電源電位との電位差が小さくなり、データ線用スイッチング素子の貫通電流を低減させることができるという効果がある。また、請求項16の表示装置の駆動方法によれば、データ線の選択・非選択時の電位とディスチャージ期間における電位との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができるという効果がある。
【0099】
また、請求項22の表示装置の駆動方法によれば、走査線電源電位をデータ線電源電位よりも低くしているので、走査線電源電位を低くしたことによる消費電力の低減効果がある。
【0100】
また、請求項23の表示装置の駆動回路によれば、非選択走査線をHi−Z状態とすることによって、走査線用スイッチング素子の反転動作をなくしている。このため、走査線用スイッチング素子の貫通電流はなくなり、そのため消費電力を低減することができるという効果がある。
【0101】
また、請求項15の表示装置の駆動回路によれば、ディスチャージ期間において走査線をHi−Z状態にしているので、データ線用高電位部から、データ線用スイッチング素子、非選択表示素子、走査線用スイッチング素子を経由して流れる非選択表示素子経由の貫通電流をなくすることができ、消費電力を低減することができるという効果がある。
【0102】
また、請求項16の表示装置の駆動回路によれば、ディスチャージ期間において走査線を走査線電源電位にしているので、データ線用高電位部から、データ線用スイッチング素子、非選択表示素子、走査線用スイッチング素子を経由して流れる非選択表示素子経由の貫通電流をなくすることができ、消費電力を低減することができるという効果がある。
【0103】
また、請求項17の表示装置の駆動回路によれば、データ線用スイッチング素子の反転動作を、走査線がHi−Z状態にあるときに行うように動作させているので、非選択表示素子経由の貫通電流は流れず、そのため消費電力を低減することができるという効果がある。
【0104】
また、請求項19の表示装置の駆動回路によれば、非選択データ線が中間電位をとるので選択データ線のデータ線電源電位との電位差が小さくなり、データ線用スイッチング素子の貫通電流を低減させることができるという効果がある。また、請求項29の表示装置の駆動回路によれば、データ線の選択・非選択時の電位とディスチャージ期間における電位との差を小さくできるので、点灯応答を早くすることができるという効果がある。
【0106】
また、請求項33の表示装置の駆動回路によれば、走査線電源電位をデータ線電源電位よりも低くしているので、走査線電源電位を低くしたことによる消費電力の低減効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。
【図2】 第1の実施形態の動作(1)を示す波形図である。
【図3】 (a)〜(c)は、第1の実施形態の動作(1)の説明図である。
【図4】 (a)〜(c)は、比較例の動作の説明図である。
【図5】 第1の実施形態の動作(2)を示す波形図である。
【図6】 (a)〜(c)は、第1の実施形態の動作(2)の説明図である。
【図7】 第1の実施形態の動作(3)を示す波形図である。
【図8】 (a)〜(c)は、第1の実施形態の動作(3)の説明図である。
【図9】 第1の実施形態の動作(4)を示す波形図である。
【図10】 (a)〜(d)は、第1の実施形態の動作(4)の説明図である。
【図11】 本発明の第2の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。
【図12】 第2の実施形態の動作(1)を示す波形図である。
【図13】 (a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(1)の説明図である。
【図14】 第2の実施形態の動作(2)を示す波形図である。
【図15】 (a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(2)の説明図である。
【図16】 第2の実施形態の動作(3)を示す波形図である。
【図17】 (a)〜(c)は、第2の実施形態の動作(3)の説明図である。
【図18】 第2の実施形態の動作(4)を示す波形図である。
【図19】 (a)〜(d)は、第2の実施形態の動作(4)の説明図である。
【図20】 本発明の第3の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。
【図21】 第3の実施形態の動作を示す波形図である。
【図22】 (a)〜(c)は、第3の実施形態の動作の説明図である。
【図23】 本発明の第4の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。
【図24】 第4の実施形態の動作を示す波形図である。
【図25】 (a)〜(c)は、第4の実施形態の動作の説明図である。
【図26】 本発明の第5の実施形態に係る有機EL表示装置の回路図である。
【図27】 第5の実施形態の動作を示す波形図である。
【図28】 (a)〜(c)は、第5の実施形態の動作の説明図である。
【図29】 従来の表示装置の回路図である。
【図30】 図29の有機EL表示装置の動作を示す波形図である。
【符号の説明】
10 駆動制御回路、
11 定電流出力回路、
20 走査線用高電位部、
21 走査線スイッチ回路、
22(221〜22n) NMOSトランジスタ、
23(231〜23n) PMOSトランジスタ、
24(241〜24n) CMOS回路、
30 データ線用高電位部、
31 データ線スイッチ回路、
32(321〜32n) NMOSトランジスタ、
33(331〜33n) PMOSトランジスタ、
34(341〜34n) CMOS回路、
40 電圧レギュレータ、
COM(COM1〜COMn) 走査線(陰極線)、
SEG(SEG1〜SEGm) データ線(陽極線)、
PE(PE1 , 1〜PEm , n) EL素子、
VC 走査線電源電位、
VCI 走査線用中間電位、
VS データ線電源電位、
VSI データ線用中間電位、
GND アース電位部、
VG アース電位、
P0,P10 走査期間、
P1,P11 ディスチャージ期間、
P2,P12 表示期間
t1,t3,t5,t7 表示期間P2の終了時点(ディスチャージ期間P1の開始時点)、
t2,t4,t6 表示期間P2の開始時点(ディスチャージ期間P1の終了時点)。
Claims (21)
- n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置において、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動制御回路を有し、この駆動制御回路からの信号に基づいて、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記n行の走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置。 - n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置において、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動制御回路を有し、この駆動制御回路からの信号に基づいて、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子をオフにし前記第2スイッチング素子をオンにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用高電位部に接続し、
前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置。 - n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置において、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する駆動制御回路を有し、この駆動制御回路からの信号に基づいて、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間の開始時点の直前に前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続してこの状態を前記ディスチャージ期間の終了直後まで維持し、
前記ディスチャージ期間の終了直後に選択状態にするデータ線の前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって選択状態にするデータ線を前記データ線用高電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置。 - 前記走査線用高電位部を走査線電源電位にする走査線電源回路と、
前記データ線用高電位部をデータ線電源電位にするデータ線電源回路と
を有し、
前記走査線用低電位部がアースに接続され、
前記データ線用低電位部がアースに接続された
ことを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の表示装置。 - 前記走査線用高電位部を走査線電源電位にする走査線電源回路と、
前記データ線用高電位部をデータ線電源電位にするデータ線電源回路と、
前記データ線用低電位部を、アース電位よりも高く前記データ線電源電位よりも低い中間電位にする中間電位部と
を有し、
前記走査線用低電位部がアースに接続され、前記データ線用低電位部が前記中間電位に接続された
ことを特徴とする請求項1から3までのいずれかに記載の表示装置。 - 同じ走査線に接続された前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成し、
同じデータ線に接続された前記第3スイッチング素子及び前記第4スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成した
ことを特徴とする請求項1から5までのいずれかに記載の表示装置。 - 前記走査線用高電位部の走査線電源電位を前記データ線用高電位部のデータ線電源電位よりも低い電位にしたことを特徴とする請求項1から6までのいずれかに記載の表示装置。
- n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置の駆動方法であって、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動方法において、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記n行の走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置の駆動方法であって、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動方法において、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子をオフにし前記第2スイッチング素子をオンにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用高電位部に接続し、
前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置の駆動方法であって、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動方法において、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間の開始時点の直前に前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続してこの状態を前記ディスチャージ期間の終了直後まで維持し、
前記ディスチャージ期間の終了直後に選択状態にするデータ線の前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって選択状態にするデータ線を前記データ線用高電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動方法。 - 前記走査線用低電位部がアースに接続され、
前記データ線用低電位部がアースに接続された
ことを特徴とする請求項8から10までのいずれかに記載の表示装置の駆動方法。 - 前記走査線用低電位部がアースに接続され、
前記データ線用低電位部がアース電位よりも高く前記データ線用高電位部の電位より低い中間電位に接続された
ことを特徴とする請求項8から10までのいずれかに記載の表示装置の駆動方法。 - 同じ走査線に接続された前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成し、
同じデータ線に接続された前記第3スイッチング素子及び前記第4スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成した
ことを特徴とする請求項8から12までのいずれかに記載の表示装置の駆動方法。 - 前記走査線用高電位部の走査線電源電位を前記データ線用高電位部のデータ線電源電位よりも低い電位にしたことを特徴とする請求項8から13までのいずれかに記載の表示装置の駆動方法。
- n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置に用いられ、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動回路において、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記n行の走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動回路。 - n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置に用いられ、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動回路において、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子をオフにし前記第2スイッチング素子をオンにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用高電位部に接続し、
前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動回路。 - n行(nは正の整数)の走査線と、
m列(mは正の整数)のデータ線と、
前記n行の走査線及び前記m列のデータ線の交点に配置された(n×m)個の表示素子と、
走査線用低電位部と、
前記走査線用低電位部の電位より高い走査線電源電位の走査線用高電位部と、
データ線用低電位部と、
前記データ線用低電位部の電位より高いデータ線電源電位のデータ線用高電位部と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用低電位部に接続するn個の第1スイッチング素子と、
前記n行の走査線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記走査線を前記走査線用高電位部に接続するn個の第2スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用低電位部に接続するm個の第3スイッチング素子と、
前記m列のデータ線のそれぞれに接続されており、オン状態のときに前記データ線を前記データ線用高電位部に接続するm個の第4スイッチング素子と
を有し、
選択状態にある走査線と選択状態にあるデータ線の交点の表示素子が表示状態になる表示装置に用いられ、
表示素子を選択的に表示状態にする表示期間及びディスチャージ期間を含む走査期間のそれぞれにおいて、前記n個の第1スイッチング素子、前記n個の第2スイッチング素子、前記m個の第3スイッチング素子、及び前記m個の第4スイッチング素子のオン・オフを制御する表示装置の駆動回路において、
前記走査線を選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記走査線を非選択状態にするときには、前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の両方をオフにすることによって前記走査線をハイインピーダンス状態にし、
前記データ線を選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって前記データ線を前記データ線用高電位部に接続し、
前記データ線を非選択状態にするときには、前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記データ線を前記データ線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間において、
前記第1スイッチング素子をオンにし前記第2スイッチング素子をオフにすることによって前記n行の走査線を前記走査線用低電位部に接続し、
前記ディスチャージ期間の開始時点の直前に前記第3スイッチング素子をオンにし前記第4スイッチング素子をオフにすることによって前記m列のデータ線を前記データ線用低電位部に接続してこの状態を前記ディスチャージ期間の終了直後まで維持し、
前記ディスチャージ期間の終了直後に選択状態にするデータ線の前記第3スイッチング素子をオフにし前記第4スイッチング素子をオンにすることによって選択状態にするデータ線を前記データ線用高電位部に接続する
ことを特徴とする表示装置の駆動回路。 - 前記走査線用低電位部がアースに接続され、
前記データ線用低電位部がアースに接続された
ことを特徴とする請求項15から17までのいずれかに記載の表示装置の駆動回路。 - 前記走査線用低電位部がアースに接続され、
前記データ線用低電位部がアース電位よりも高く前記データ線用高電位部の電位より低い中間電位に接続された
ことを特徴とする請求項15から17までのいずれかに記載の表示装置の駆動回路。 - 同じ走査線に接続された前記第1スイッチング素子及び前記第2スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成し、
同じデータ線に接続された前記第3スイッチング素子及び前記第4スイッチング素子の1組を、CMOS回路により構成した
ことを特徴とする請求項15から19までのいずれかに記載の表示装置の駆動回路。 - 前記走査線用高電位部の走査線電源電位を前記データ線用高電位部のデータ線電源電位よりも低い電位にしたことを特徴とする請求項15から20までのいずれかに記載の表示装置の駆動回路。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001260918A JP5191075B2 (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 |
US10/172,979 US7012587B2 (en) | 2001-08-30 | 2002-06-18 | Matrix display device, matrix display driving method, and matrix display driver circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001260918A JP5191075B2 (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003066907A JP2003066907A (ja) | 2003-03-05 |
JP5191075B2 true JP5191075B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=19088039
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001260918A Expired - Lifetime JP5191075B2 (ja) | 2001-08-30 | 2001-08-30 | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7012587B2 (ja) |
JP (1) | JP5191075B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5126276B2 (ja) * | 2003-02-17 | 2013-01-23 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JP2004272213A (ja) * | 2003-02-17 | 2004-09-30 | Hitachi Ltd | 画像表示装置 |
CN100410988C (zh) * | 2003-03-26 | 2008-08-13 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其驱动方法 |
JP2004302025A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Tohoku Pioneer Corp | 発光表示パネルの駆動方法および駆動装置 |
TWI282539B (en) * | 2003-05-01 | 2007-06-11 | Hannstar Display Corp | A control circuit for a common line |
JP4381027B2 (ja) * | 2003-05-02 | 2009-12-09 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
KR100835028B1 (ko) * | 2003-05-07 | 2008-06-03 | 도시바 마쯔시따 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니, 리미티드 | 매트릭스형 표시 장치 |
JP4641710B2 (ja) * | 2003-06-18 | 2011-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
CN100371975C (zh) * | 2003-06-25 | 2008-02-27 | 盛群半导体股份有限公司 | 发光二极管的驱动方法 |
US7394451B1 (en) * | 2003-09-03 | 2008-07-01 | Vantage Controls, Inc. | Backlit display with motion sensor |
US7595775B2 (en) * | 2003-12-19 | 2009-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting display device with reverse biasing circuit |
CN100410981C (zh) * | 2005-03-07 | 2008-08-13 | 盛群半导体股份有限公司 | 高效率省电矩阵发光二极管驱动方法 |
JP4524802B2 (ja) * | 2005-09-30 | 2010-08-18 | 株式会社デンソー | 負荷駆動装置 |
JP2007164155A (ja) * | 2005-11-16 | 2007-06-28 | Bridgestone Corp | 情報表示用パネルの駆動方法 |
US9190011B2 (en) * | 2012-06-08 | 2015-11-17 | Apple Inc. | Devices and methods for common electrode mura prevention |
US9542039B2 (en) * | 2012-08-31 | 2017-01-10 | Apple Inc. | Display screen device with common electrode line voltage equalization |
JP6011942B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2016-10-25 | 双葉電子工業株式会社 | 走査線駆動装置、表示装置、走査線駆動方法 |
CN109215577B (zh) * | 2018-09-11 | 2020-06-23 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 一种驱动电路、驱动方法和显示面板 |
CN111724738B (zh) * | 2019-03-19 | 2022-02-11 | 矽创电子股份有限公司 | 显示面板的驱动电路 |
US11645989B2 (en) * | 2019-04-09 | 2023-05-09 | Chongqing Hkc Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Driving circuit, driving method and display panel |
CN110444174A (zh) * | 2019-06-11 | 2019-11-12 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板的驱动方法和驱动电路 |
CN112419992B (zh) * | 2020-11-26 | 2022-06-14 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板及其驱动方法、显示装置 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4652872A (en) * | 1983-07-07 | 1987-03-24 | Nec Kansai, Ltd. | Matrix display panel driving system |
JPH0650428B2 (ja) * | 1983-10-18 | 1994-06-29 | 関西日本電気株式会社 | Elパネル駆動装置 |
EP0249954B1 (en) * | 1986-06-17 | 1992-12-02 | Fujitsu Limited | Driving a matrix type display device |
JPH06100889B2 (ja) * | 1987-12-21 | 1994-12-12 | 株式会社日立製作所 | 駆動回路 |
JP2810458B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1998-10-15 | 株式会社リコー | 薄膜el表示装置の駆動方法 |
FR2698201B1 (fr) * | 1992-11-13 | 1994-12-16 | Commissariat Energie Atomique | Ecran d'affichage matriciel du type multiplexe et son procédé de commande. |
JP2795191B2 (ja) * | 1994-10-04 | 1998-09-10 | 株式会社デンソー | El表示装置の駆動装置 |
JP3052232B2 (ja) * | 1995-04-28 | 2000-06-12 | 双葉電子工業株式会社 | 画像表示装置の駆動方法および駆動回路 |
US5719589A (en) * | 1996-01-11 | 1998-02-17 | Motorola, Inc. | Organic light emitting diode array drive apparatus |
JP3507239B2 (ja) * | 1996-02-26 | 2004-03-15 | パイオニア株式会社 | 発光素子の駆動方法及び装置 |
US6323851B1 (en) * | 1997-09-30 | 2001-11-27 | Casio Computer Co., Ltd. | Circuit and method for driving display device |
JP3765918B2 (ja) | 1997-11-10 | 2006-04-12 | パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイ及びその駆動方法 |
JPH11305728A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Pioneer Electron Corp | 発光ディスプレイ及びその駆動方法 |
JP3479218B2 (ja) * | 1998-04-28 | 2003-12-15 | Tdk株式会社 | マトリクス回路の駆動装置および駆動方法 |
JPH11338401A (ja) * | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Denso Corp | マトリクス型表示装置の駆動回路 |
JP2000010525A (ja) * | 1998-06-18 | 2000-01-14 | Tdk Corp | 表示用駆動回路 |
JP3737889B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2006-01-25 | パイオニア株式会社 | 発光ディスプレイ装置および駆動方法 |
JP3620985B2 (ja) * | 1999-01-11 | 2005-02-16 | パイオニア株式会社 | 容量性発光素子ディスプレイ装置及びその駆動方法 |
JP2000356972A (ja) * | 1999-06-15 | 2000-12-26 | Pioneer Electronic Corp | 発光パネルの駆動装置及び方法 |
JP3609299B2 (ja) * | 1999-10-06 | 2005-01-12 | 東北パイオニア株式会社 | 発光表示パネルの駆動装置 |
JP3609300B2 (ja) * | 1999-10-06 | 2005-01-12 | 東北パイオニア株式会社 | 発光表示パネルの駆動装置 |
JP3638830B2 (ja) * | 1999-10-06 | 2005-04-13 | 東北パイオニア株式会社 | 発光表示パネルの駆動装置 |
JP3915400B2 (ja) * | 2000-11-28 | 2007-05-16 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置及び画像表示装置の駆動方法 |
JP3494146B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2004-02-03 | 日本電気株式会社 | 有機el駆動回路及びパッシブマトリクス有機el表示装置並びに有機el駆動方法 |
JP3498745B1 (ja) * | 2002-05-17 | 2004-02-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその駆動方法 |
-
2001
- 2001-08-30 JP JP2001260918A patent/JP5191075B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-06-18 US US10/172,979 patent/US7012587B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003066907A (ja) | 2003-03-05 |
US7012587B2 (en) | 2006-03-14 |
US20030043127A1 (en) | 2003-03-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5191075B2 (ja) | 表示装置、表示装置の駆動方法、及び表示装置の駆動回路 | |
KR101503823B1 (ko) | Pwm 제어를 가지는 oled 디스플레이 패널 | |
US6788277B2 (en) | Drive unit and drive method of light-emitting display panel | |
US7492853B2 (en) | Shift register and image display apparatus containing the same | |
US7403586B2 (en) | Shift register and image display apparatus containing the same | |
US8571170B2 (en) | Shift register circuit | |
KR102072214B1 (ko) | 주사 구동 장치 및 이를 포함하는 표시 장치 | |
US20070274433A1 (en) | Shift register circuit and image display apparatus equipped with the same | |
KR100639690B1 (ko) | 표시얼룩의 발생을 억제한 화상표시장치 | |
EP2439724B1 (en) | Display device and drive method for display device | |
US20040108979A1 (en) | Driving device of active type light emitting display panel | |
JP4201765B2 (ja) | 画像表示素子のデータ線駆動回路および画像表示装置 | |
KR20060099597A (ko) | 구동회로 및 이를 포함하는 유기 이엘 디스플레이 장치 | |
JP2004138978A (ja) | 表示パネル駆動装置 | |
JP2001306031A (ja) | 電流制御型発光装置 | |
JPWO2022070386A5 (ja) | ||
JP4439552B2 (ja) | 電流源装置 | |
US20040233142A1 (en) | Display device | |
US11475861B2 (en) | Scan driver and display device including scan driver | |
JP2004325940A (ja) | アクティブマトリクス型表示装置及びその駆動方法 | |
JP5064696B2 (ja) | 表示パネルの駆動装置 | |
JP2008009080A (ja) | 表示装置 | |
JP2003076326A (ja) | 発光素子の駆動回路 | |
KR20100073440A (ko) | 제어 드라이버 및 이를 구비한 표시장치 | |
JP2004151558A (ja) | 電子装置、電子装置の駆動方法及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080303 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081126 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090128 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20090128 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111202 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121106 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130104 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130129 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5191075 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |