JP2018120947A - 機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】被覆層の隙間の発生を抑制した機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供すること。【解決手段】機能層−反射層付素子１の製造方法は、光半導体素子２を、対向面２２と第１剥離基材３とが接触するように、第１剥離基材８の上に配置する第１工程、第１反射層４を、光半導体素子２の周側面２３に配置することにより、第１反射層−素子集合体１１を得る第２工程、第１反射層−素子集合体１１を、電極面２１が第２剥離基材８０に接触するように、第２剥離基材８０の上に転写し、かつ、第１反射層−素子集合体１１から第１剥離基材８を剥離する第３工程、複合機能層３を、複合機能層３と対向面２２とが接触するように、第１反射層−素子集合体１１の上に配置する第４工程、複合機能層３の一部を除去する第５工程、ならびに、第２反射層５を、複合機能層３の側面３２に配置する第６工程を備える。【選択図】図２

Description

本発明は、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法に関する。

従来、発光素子と、その上面に配置される光透過部材と、発光素子および光透過部材の側面に配置される被覆部材とを備える発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１の発光装置では、発光素子から出射される光束の損失を低減するため、光透過部材の側面が、発光素子の側面を構成する端面よりも外側に突出している。

特許文献１では、まず、複数の発光素子を基板に対してフリップチップ実装し、続いて、発光素子の上面に光透過部材を配置し、その後、スクリーン印刷やポッティング（滴下）などにより、光反射性粒子を含有する液状の樹脂を複数の発光素子の間に塗布することにより、被覆部材を発光素子および光透過部材の側面に配置している。

ＷＯ２００９／０６９６７１号の図３（ｃ）

しかし、特許文献１の方法では、発光装置に、被覆部材が充填されていない隙間が生じ易い。具体的には、光透過部材が発光素子よりも面方向に大きい構造であるため、発光素子の側面と光透過部材の下面とから構成される隅部（図２Ｌの符号１９参照）に、樹脂が流れ込みにくく、隙間（空気層）が発生する不具合が生じる。

そうすると、被覆部材が例えば光反射部材である場合は、光反射部材における反射にムラが生じるため、発光装置から照射される光の均一性に劣るなどの光特性が低下する。

本発明の目的は、光半導体素子に対して機能層が面方向に大きい構成でありながら、被覆層の隙間の発生を抑制できる機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を提供することにある。

本発明［１］は、電極が設けられる電極面、前記電極に対向する対向面、および、前記電極面と前記対向面との周端縁を連結する側面を有する光半導体素子を、第１剥離基材の上に、前記対向面と前記第１剥離基材とが接触するように、配置する第１工程、第１被覆層を、前記光半導体素子の側面に配置することにより、第１被覆層付素子を得る第２工程、前記第１被覆層付素子を、第２剥離基材の上に、前記電極面が前記第２剥離基材に接触するように、転写し、かつ、前記第１被覆層付素子から前記第１剥離基材を剥離する第３工程、機能層を、前記第１被覆層付素子の上に、前記機能層と前記対向面とが接触するように、配置する第４工程、前記機能層および第１被覆層の一部を、前記光半導体素子を上下方向に投影したときに前記機能層が前記光半導体素子を含み、かつ前記機能層が前記光半導体素子よりも大きくなるように、除去する第５工程、ならびに、第２被覆層を、前記機能層の側面に配置する第６工程を備えることを特徴とする、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第２工程で、光半導体素子の側面に第１被覆層を配置し、第４工程で、第１被覆層付素子の上に機能層を配置し、第６工程で、機能層の側面に第２被覆層を配置する。すなわち、機能層を配置していない光半導体素子の側面に対して、第１被覆層を配置した後、次いで、機能層付きの光半導体素子の機能層の側面に対して第２被覆層を配置することにより、機能層付きの光半導体素子の側面に対して、被覆層を確実に配置することができる。このため、機能層が面方向に大きい機能層付き光半導体素子に、被覆層を直接配置することを回避することができる。したがって、機能層−被覆層付光半導体素子において、被覆層の充填不十分による隙間の発生を抑制することができる。

本発明［２］は、前記第２工程では、前記光半導体素子の前記電極面に付着する前記第１被覆層を除去する工程を備える、［１］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、電極面に付着する第１被覆層を除去するので、機能層−被覆層付光半導体素子を基板に実装する際に、確実に光半導体素子と基板とを電気的に接続することができる。

本発明［３］は、前記第６工程では、前記機能層の上面に付着する前記第２被覆層を除去する工程を備える、［１］または［２］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、機能層の上面に付着する第２被覆層を除去するので、光半導体素子から発光され、機能層によって所望の機能を奏する光を、確実に取り出すことができる。

本発明［４］は、前記第６工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、前記第２被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする、［３］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、機能層の上面に付着する第２被覆層が、薄く、かつ、平滑であるため、第６工程において機能層の上面に付着する第２被覆層を確実に除去することができる。

本発明［５］は、前記第６工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記上面から引き剥がす、［３］または［４］に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、第６工程において機能層の上面に付着する第２被覆層を、感圧接着シートを用いて、機能層の上面から引き剥がすので、機能層の上面に付着する第２被覆層を簡易かつ確実に除去することができる。

本発明［６］は、前記第１工程では、前記光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、前記第２工程では、前記第１被覆層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に充填し、前記第５工程では、互いに間隔を隔てて複数配置する前記機能層を形成し、前記第６工程では、前記第２被覆層を、互いに隣接する前記機能層の間に充填する、［１］〜［５］のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法を含む。

この製造方法によれば、複数の機能層−被覆層付光半導体素子を効率よく製造することができる。

本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法によれば、光半導体素子に対して機能層が面方向に大きい構成でありながら、被覆層の光半導体素子との隙間の発生を抑制することができる。

図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図１Ａは、第１剥離基材を用意する第１工程、図１Ｂは、光半導体素子を第１剥離基材に配置する第１工程図１Ｃは、光半導体素子を第１反射層に埋没させる第２−１第１工程図１Ｄは、第１付着部分を除去する第２−２第２工程、図１Ｅは、第１反射層−素子集合体を第２剥離基材に転写する第３工程、図１Ｆは、蛍光体層を第１反射層−素子集合体に配置する第４工程、図１Ｇは、拡散層を蛍光体層に配置する第４工程、を示す。 図２Ｈ〜図２Ｌは、図１Ｇに引き続き、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態の工程図であり、図２Ｈは、複合機能層の一部を、除去する第５工程、図２Ｉは、複合機能層を第２反射層に埋没させる第６−１工程、図２Ｊは、第２付着部分を除去する第６−２工程、図２Ｋは、機能層−第２反射層−素子集合体を個片化する第７工程、図２Ｌは、機能層−反射層付素子を得る工程を示す。 図３Ａおよび図３Ｂは、複数の光半導体素子および複数の機能層−反射層付素子の平面図であって、図３Ａは、図１Ｂに対応する複数の光半導体素子の平面図（図３ＡのＡ−Ａ断面図が、図１Ｂに対応）、図３Ｂは、図２Ｋに対応する複数の機能層−反射層付素子の平面図（図３ＢのＡ−Ａ断面図が、図２Ｋに対応）を示す。 図４Ａ〜図４Ｃは、図２Ｉに示す製造工程図の一例であって、図４Ａは、第２反射層シートを第２−機能層−第１反射層−素子集合体に熱プレスする態様、図４Ｂは、第２−機能層−第１反射層−素子集合体がプレスによって第２剥離基材に対して沈み込む態様、図４Ｃは、第２−機能層−第１反射層−素子集合体に対するプレスが解放されて、第２−機能層−第１反射層−素子集合体が復元し、第２付着部分が上側に突出する態様を示す。 図５Ａおよび図５Ｂは、図２Ｊに示す製造工程図の一例であって、図５Ａは、感圧接着シートが第２付着部分に接触する態様、図５Ｂは、第２付着部分が複合機能層から除去される態様、を示す。 図６は、図２Ｌに示す機能層−反射層付素子を基板に実装する工程を示す。 図７は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（機能層が３層からなる態様）を示す。 図８は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（機能層が単層からなる態様）を示す。 図９は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（第２反射層が光半導体層に接触する態様）を示す。 図１０は、一実施形態の機能層−反射層付素子の変形例（第２反射層の下面が、光半導体素子の下面と同じ位置にある態様）を示す。

＜一実施形態＞
図１Ａにおいて、紙面上下方向は、上下方向（厚み方向、第１方向）であって、紙面上側が上側（厚み方向一方側、第１方向一方側）、紙面下側が下側（厚み方向他方側、第１方向他方側）である。また、紙面左右方向は、左右方向（第２方向）であって、紙面左側が左側（第２方向一方側）、紙面右側が右側（第２方向他方側）である。また、紙面紙厚方向は、前後方向（第３方向）であって、紙面手前側が前側（第３方向一方側）、紙面奥側が後側（第３方向他方側）である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。

図１Ａ〜図５Ｂを用いて、本発明の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法の一実施形態として、蛍光体層−光拡散層−光反射層付光半導体素子１（以下、機能層−反射層付素子と略する。）の製造方法を説明する。

この製造方法は、図２Ｌに示すように、光半導体素子２と、光半導体素子２の上に配置される機能層の一例としての複合機能層３と、光半導体素子２の側面を被覆する第１被覆層の一例としての第１光反射層４と、複合機能層３の側面を被覆する第２被覆層の一例としての第２光反射層５とを備える機能層−反射層付素子１を製造するための方法である。

１．機能層−反射層付素子
光半導体素子２は、例えば、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤやＬＤである。光半導体素子２は、例えば、シリコンなどの半導体材料からなる。好ましくは、光半導体素子２は、青色光を発光する青色ＬＥＤ（発光ダイオード素子）である。一方、光半導体素子２は、光半導体素子とは技術分野が異なるトランジスタなどの整流器（半導体素子）を含まない。

光半導体素子２は、上下方向に直交する面方向（前後方向および左右方向）に延びる平面視略矩形の板形状を有する。光半導体素子２は、電極面２１と、対向面２２と、側面の一例としての周側面２３とを連続して有する。

電極面２１は、複数（２個）の電極２４が設けられる下面である。複数の電極２４は、電極面２１から下側に僅かに突出するように、電極面２１に設けられている。

対向面２２は、電極面２１に対して上側に間隔を隔てて対向配置される上面である。対向面２２は、電極面２１と同じサイズを有し、面方向に平坦な形状を有する。対向面２２は、サファイヤなどから形成されている。

周側面２３は、電極面２１の周端縁と、対向面２２の周端縁とを上下方向に連結している。

光半導体素子２の寸法は、適宜設定されており、具体的には、厚み（上下方向長さ）が、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。光半導体素子２の面方向における一辺の長さは、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．２ｍｍ以上であり、また、例えば、３．００ｍｍ以下、好ましくは、２．００ｍｍ以下である。電極２４の厚み（電極面２１から突出する上下方向長さ）は、例えば、０．０１μｍ以上、１００μｍ以下である。

複合機能層３は、光半導体素子２および第１光反射層４の上に配置されている。複合機能層３は、面方向に延びる略平板形状を有し、平面視略矩形状（正方形状）を有する。複合機能層３は、上下方向に投影したときに、光半導体素子２を含み、さらに、光半導体素子２よりも大きい。すなわち、光半導体素子２に対して複合機能層３が面方向に大きく、複合機能層３の側面の一例としての周側面３２は、その全周にわたって、光半導体素子２の周側面２３に対して、面方向において外側に位置する。

複合機能層３は、蛍光体層６と、その上に配置される光拡散層７とを備える。

蛍光体層６は、光半導体素子２から発光された光を波長変換することができる波長変換層である。蛍光体層６は、面方向に延びる略平板形状を有し、後述する蛍光体樹脂組成物から調製されている。

蛍光体層６は、光半導体素子２および第１光反射層４の上に配置されている。具体的には、蛍光体層６は、光半導体素子２の上面全面、および、第１光反射層４の上面の内周部を被覆する。

光拡散層７（以下、拡散層と略する。）は、光半導体素子２から発光された光を均一に拡散することができる層である。拡散層７は、面方向に延びる略平板形状を有し、後述する拡散樹脂組成物から調製されている。

拡散層７は、蛍光体層６の上に配置されている。具体的には、拡散層７は、蛍光体層６の上面全面を被覆する。拡散層７は、上下方向に投影したときに、蛍光体層６と一致する。すなわち、拡散層７は、平面視において、蛍光体層６と同一形状を有する。

複合機能層３の寸法は、用途および目的に応じて適宜設定され、面方向における一辺の長さは、例えば、０．１０ｍｍ以上、好ましくは、０．２５ｍｍ以上であり、また、例えば、４．００ｍｍ以下、好ましくは、３．００ｍｍ以下である。また、複合機能層３の厚み（上下方向長さ）は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。

蛍光体層６の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

拡散層７の厚みは、例えば、５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

第１光反射層４（以下、第１反射層と略する。）は、光半導体素子２から側方に向かって発光された光を上方に反射する層である。第１反射層４は、後述する第１反射樹脂組成物から調製されている。

第１反射層４は、光半導体素子２の側方、ならびに、複合機能層３および第２光反射層５の下に配置されている。具体的には、第１反射層４は、光半導体素子２の周側面２３全面、複合機能層３の下面の外周部、および、第２光反射層５の下面全面を被覆する。第１反射層４は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。第１反射層４は、内側部４１と、その外周囲（光半導体素子２から遠ざかる方向）に連続する外側部４２とを一体的に備えている。

内側部４１は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。内側部４１の内周面は、光半導体素子２の周側面２３全面を被覆し、内側部４１の上面は、複合機能層３の下面の外周部を被覆する。内側部４１の外周面は、平面視において、複合機能層３と一致する。

外側部４２は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。外側部４２の上面は、内側部４１の上面よりも下側に位置し、第２光反射層５の下面全面を被覆する。外側部４２の下面は、内側部４１の下面と面一となっている。

第１反射層４の面方向長さ、すなわち、内側部４１の内周面から外側部４２の外周面までの最短距離は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、４０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１５００μｍ以下である。第１反射層４の上下方向長さ、すなわち、内側部４１の上下方向長さは、光半導体素子２の上下方向長さと一致する。

第２光反射層５（以下、第２反射層と略する。）は、複合機能層３から側方に向かって発光された光を上方に反射する層である。第２反射層５は、後述する第２反射樹脂組成物から調製されている。

第２反射層５は、複合機能層３の側方、および、第１反射層４の外側部４２の上に配置されている。第２反射層５は、上下方向に延びる略角筒形状を有する。

第２反射層５の内周面は、複合機能層３の周側面３２全面、および、第１反射層４の外側部４２の上部の側面を被覆する。第２反射層５の下面は、第１反射層４の外側部４２の上面全面を被覆する。平面視において、第２反射層５の内周面は、複合機能層３と一致し、第２反射層５の外周面は、第１反射層４の外周面と一致する。また、第２反射層５の上面は、複合機能層３の上面（表面）３１と面一となっている。

第２反射層５の面方向長さ、すなわち、内周面から外周面までの最短距離は、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。第２反射層５の上下方向長さは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下である。

２．機能層−反射層付素子の製造方法
機能層−反射層付素子１の製造方法は、図１Ａ〜図２Ｌに示すように、例えば、複数の光半導体素子２を、第１剥離基材８の上に配置する第１工程、第１反射層４を、光半導体素子２の周側面２３に配置する第２工程、第１被覆層付素子の一例としての第１反射層−素子集合体１１を、第２剥離基材８０の上に転写し、かつ、第１剥離基材８を第１反射層−素子集合体１１から剥離する第３工程、複合機能層３を第１反射層−素子集合体１１の上に配置する第４工程、複合機能層３の一部を除去する第５工程、第２反射層５を複合機能層３の周側面３２に配置する第６工程、ならびに、機能層−反射層−素子集合体１４を個片化する第７工程を備える。

（１）第１工程
図１Ａおよび図１Ｂに示すように、第１工程では、複数の光半導体素子２を、第１剥離基材８の上に配置する。

まず、図１Ａに示すように、第１剥離基材８を用意する。

第１剥離基材８は、面方向に延びる略平板（シート）形状を有する。第１剥離基材８としては、具体的には、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などが挙げられる。また、第１剥離基材８の上面は、例えば、剥離処理が施されていてもよい。第１剥離基材８の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上、より好ましくは、１００μｍ以上であり、また、例えば、２，０００μｍ以下、好ましくは、１，０００μｍ以下である。

次いで、図１Ｂおよび図３Ａに示すように、複数の光半導体素子２を、第１剥離基材８の上に配置する。

具体的には、複数の光半導体素子２を、光半導体素子２の対向面２２と第１剥離基材８の上面とが接触するように、第１剥離基材８の上に配置する。また、複数の光半導体素子２を、前後方向および左右方向に互いに間隔を隔てるように、第１剥離基材８の上に整列配置する。

（２）第２工程
第２工程では、図１Ｃおよび図１Ｄに示すように、第１反射層４を、光半導体素子２の周側面２３に配置する。

具体的には、光半導体素子２を第１反射層４に埋没させる（第２−１工程）。次いで、光半導体素子２の電極面２１に付着する第１反射層４（第１付着部分４３）を除去する（第２−２工程）。

第２−１工程では、例えば、第１反射層シート（第１反射層４）を用意する。

第１反射層４は、第１反射樹脂組成物から、面方向に延びる略平板（シート）形状に形成されている。第１反射樹脂組成物は、例えば、光反射成分、および、樹脂を含有する。

光反射成分は、光半導体素子２から発光された光を反射するための成分である。光反射成分としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムなどの酸化物、例えば、鉛白（塩基性炭酸鉛）、炭酸カルシウムなどの炭酸塩、例えば、カオリンなどの粘土鉱物などの無機物粒子が挙げられる。好ましくは、酸化チタンが挙げられる。

光反射成分の平均粒子径（二次粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、０．２５μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、１μｍ以下である。本発明において、粒子の平均粒子径は、レーザー回折式粒度分布計により測定され、Ｄ５０値として算出される。

光反射成分の屈折率は、例えば、２．０以上、好ましくは、２．５以上であり、また、例えば、５．０以下である。また、光反射成分の屈折率は、次に説明する樹脂との屈折率差が、例えば、０．５以上、好ましくは、０．７５以上、より好ましくは、１以上、また、例えば、５以下となるように、調整される。

光反射成分の割合は、第１反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

樹脂としては、光反射成分を分散できるマトリクスを構成できる透明樹脂が挙げられる。そのような樹脂としては、例えば、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、熱可塑性樹脂が挙げられ、好ましくは、熱硬化性樹脂、活性エネルギー線硬化性樹脂、より好ましくは、熱硬化性樹脂が挙げられる。また、熱硬化性樹脂および活性エネルギー線硬化性樹脂としては、Ｂステージとなることができる樹脂が挙げられる。

熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などが挙げられる。好ましくは、耐久性の観点から、好ましくは、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂が挙げられ、透明性の観点から、より好ましくは、シリコーン樹脂が挙げられる。

シリコーン樹脂としては、例えば、フェニル系シリコーン樹脂、メチル系シリコーン樹脂が挙げられる。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂が挙げられる。

フェニル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ時）において、例えば、シロキサン結合である主骨格に結合するフェニル基を少なくとも有しており、具体的には、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有し、あるいは、例えば、主骨格に結合するフェニル基のみを有する。好ましくは、フェニル系シリコーン樹脂は、主骨格に結合するメチル基およびフェニル基を有する。そのようなフェニル系シリコーン樹脂は、例えば、特開２０１６−０３７５６２号公報などに記載される。なお、Ｂステージのフェニル系シリコーン樹脂は、さらなる加熱において、一旦軟化した後、硬化する（Ｃステージとなる）。フェニル系シリコーン樹脂の完全硬化時における屈折率は、例えば、１．４５以上、好ましくは、１．５０以上、より好ましくは、１．５３以上、さらに好ましくは、１．５５以上であり、また、例えば、１．７５以下、好ましくは、１．６５以下である。

メチル系シリコーン樹脂は、完全硬化時（Ｃステージ）において、主骨格に結合するメチル基を有する。メチル系シリコーン樹脂の屈折率は、完全硬化時において、例えば、１．５０未満、好ましくは、１．４５以下であり、また、例えば、１．３以上、好ましくは、１．３５以上である。

具体的には、樹脂の屈折率は、上記した光反射成分との屈折率差が、上記した範囲（例えば、０．５以上、５以下）となり、かつ、上記した粒子との屈折率差が実質的に同一となる。

樹脂の割合は、第１反射樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

さらに、第１反射樹脂組成物には、必要により、チクソ付与粒子などの添加剤を添加することができる。

チクソ付与粒子は、第１反射樹脂組成物に揺変性（ｔｈｉｘｏｔｒｏｐｙ、チクソ性）を付与または向上させる揺変剤である。揺変性は、せん断応力を受け続けると粘度が次第に低下し、静止すると粘度が次第に上昇する性質である。

チクソ付与粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ（煙霧シリカ）などのナノシリカなどが挙げられる。

チクソ付与粒子の平均粒子径（一次粒子径）は、光反射成分の平均粒子径より小さく、具体的には、例えば、２００ｎｍ以下、好ましくは、５０ｎｍ以下であり、また、例えば、１ｎｍ以上、好ましくは、５ｎｍ以上である。

チクソ付与粒子の第１反射樹脂組成物における割合は、例えば、０．１質量％以上、好ましくは、０．２質量％以上であり、また、例えば、１０質量％以下、好ましくは、５質量％以下である。

そして、まず、上記した光反射成分と、樹脂（Ａステージ）と、必要により添加されるチクソ付与粒子などとを配合して、それらを混合して、液状の第１反射樹脂組成物を調製する。

次いで、液状の第１反射樹脂組成物を図示しない剥離基材の表面に塗布して、剥離基材の表面に、第１反射樹脂組成物をシート状に成形する。

その後、第１反射樹脂組成物がＢステージとなることができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、第１反射樹脂組成物を加熱によりＢステージ化する。加熱温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１５０℃以下、好ましくは、１００℃以下である。加熱時間は、例えば、２．５分以上、好ましくは、５．５分以上であり、また、例えば、１時間以下、好ましくは、３０分以下である。

これによって、図示しない剥離基材の表面に、第１反射層シート（好ましくは、Ｂステージの第１反射層シート）を用意する。

次いで、第１反射層シートを、複数の光半導体素子２の上側に配置する。具体的には、第１反射層シートを、複数の光半導体素子２のそれぞれに接触する。

続いて、第１反射層シートが、上記したＢステージとなることができ、そのＢステージにおける加熱によって十分に軟化して変形することができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、第１反射層シートを加熱する。

具体的には、Ｂステージの第１反射層シートを、平板プレスを用いて、複数の光半導体素子２に対して熱プレスする。

熱プレスは、第１反射層シートをＣステージ化（完全硬化）させることなく、第１反射層シートを変形させる条件で実施される。熱プレス温度は、例えば、５０℃以上、好ましくは、７０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、３分以上、好ましくは、５分以上であり、また、例えば、３０分以下、好ましくは、２０分以下である。

そうすると、第１反射層シートは、熱プレスによって、変形（溶融）して、複数の光半導体素子２のそれぞれを埋没させる。具体的には、第１反射樹脂組成物が、互いに隣接する光半導体素子２の間に充填されるとともに、最外側に配置される光半導体素子２の周側面２３を被覆する。これによって、複数の光半導体素子２のすべての周側面２３、および、光半導体素子２から露出する第１剥離基材８の上面が、第１反射層４によって被覆される。

これとともに、光半導体素子２の電極面２１および電極２４も、第１反射樹脂組成物によって被覆され、第１付着部分４３が形成される。第１付着部分４３は、機能層−反射層付素子１に本来不要な部分であって、第３−１工程によって不可避的に形成される部分である。

これによって、図１Ｃに示すように、第１反射層側部４４と、第１付着部分４３とを有する第１反射層４が形成される。

第１付着部分４３の厚みＴ１は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、５μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。第１付着部分４３などの付着部分の厚みは、ダイヤルゲージによって測定される。

その後、剥離基材を第１反射層シートから剥離する。なお、剥離基材を第１反射シートから剥離した後に、第１反射層シートを複数の光半導体素子２に熱プレスすることもできる。

第２−２工程では、図１Ｄに示すように、光半導体素子２の電極面２１に付着する第１反射層４、すなわち、第１付着部分４３を除去する。

具体的には、第１付着部分４３を含めた第１反射層４の上層部分４６を除去する。

第１反射層４の上層部分４６を除去するには、例えば、溶媒を用いる方法、研磨部材を用いる方法が採用される。

溶媒としては、例えば、反射樹脂組成物を完全または部分的に溶解または分散させることができる溶媒が選択される。具体的には、溶媒としては、有機溶媒、水系溶媒が挙げられる。有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノールなどのアルコール、例えば、アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、トルエンなどの芳香族炭化水素、例えば、テトラヒドロフランなどのエーテルなどが挙げられる。好ましくは、アルコール、芳香族炭化水素が挙げられる。

上記溶媒を布に吸収させ、その布によって、第１反射層４の上面（上層部分４６の上面）を拭く。

研磨部材としては、バフなどの布、ブラシ、ウォーターブラストなどが挙げられる。

上記研磨部材によって、第１反射層４の上面（上層部分４６の上面）を研磨する。

これらの方法によって、第１付着部分４３を含む上層部分４６が除去される。

これによって、図１Ｄに示すように、第１反射層−素子集合体１１を、電極面２１が上方に露出した状態で、かつ、第１剥離基材８に支持された状態で得る。

第１反射層−素子集合体１１は、複数の光半導体素子２と、光半導体素子２の側方に配置される１つの第１反射層４とを備える。第１反射層−素子集合体１１では、光半導体素子２の電極面２１と第１反射層側部４４の上面とは面一となっており、かつ、光半導体素子２の対向面２２と第１反射層側部４４の下面とは面一となっている。

（３）第３工程
第３工程では、図１Ｅに示すように、第１反射層−素子集合体１１を、第２剥離基材８０の上に転写する（第３−１工程）。次いで、第１剥離基材８を第１反射層−素子集合体１１から剥離する（第３−２工程）。

第３−１工程では、第１反射層−素子集合体１１を、第２剥離基材８０の上に転写する。

まず、第２剥離基材８０を用意する。

第２剥離基材８０は、支持基材８１と、支持基材８１の上に配置される感圧接着剤層８２とを備えている。

支持基材８１としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミックスシート、例えば、金属箔などの可撓性シートが挙げられる。

感圧接着剤層８２は、支持基材８１の上面全面に配置されている。感圧接着剤層８２は、支持基材８１の上面において、シート形状を有している。感圧接着剤層８２は、例えば、処理（例えば、紫外線の照射や加熱など）によって感圧接着力が低減するような感圧接着剤から形成されている。感圧接着剤層８２の厚みは、例えば、１μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、５００μｍ以下である。

次いで、第２剥離基材８０の上面に、第１反射層−素子集合体１１の電極面２１を配置する。

具体的には、第１反射層−素子集合体１１と第２剥離基材８０とを、電極面２１と感圧接着剤層８２とが対向するように、配置する。続いて、第１反射層−素子集合体１１を第２剥離基材８０に対して押圧する。

このとき、複数の電極２４が第２剥離基材８０の感圧接着剤層８２に埋没して、電極面２１が感圧接着剤層８２の上面と接触する。

第３−２工程では、図１Ｅの仮想線に示すように、第１剥離基材８を第１反射層−素子集合体１１から剥離する。すなわち、第１剥離基材８を光半導体素子２および第１反射層４から引き剥がす。

これによって、第１反射層−素子集合体１１を、対向面２２が上方に露出した状態で、かつ、第２剥離基材８０に支持された状態で得る。

なお、上記の第３工程では、第１反射層−素子集合体１１を、第２剥離基材８０の上に転写した後に、第１反射層−素子集合体１１から第１剥離基材８を剥離しているが、第１反射層−素子集合体１１から第１剥離基材８を剥離した後に、第１反射層−素子集合体１１を、第２剥離基材８０の上に転写してもよい。

（４）第４工程
第４工程では、図１Ｆ〜１Ｇに示すように、複合機能層３を第１反射層−素子集合体１１の上に配置する。

具体的には、光半導体素子２の上面および第１反射層側部４４の上面を被覆するように、蛍光体層６および拡散層７をこの順で配置する。

第１に、第１反射層−素子集合体１１の上面全面に、蛍光体層６を配置する。

まず、図示しない剥離基材に支持され、蛍光体層シート６０（蛍光体層６）を用意する。蛍光体層６は、例えば、蛍光体と、シリコーン樹脂などの樹脂（熱硬化性樹脂、好ましくは、Ｂステージとなることができる硬化性樹脂）とを含有する蛍光体樹脂組成物から調製する。

蛍光体は、光半導体素子の光の波長を変換する物質であり、具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される蛍光体粒子が挙げられる。樹脂は、蛍光体を分散できる透明樹脂であり、具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される封止樹脂などが挙げられる。また、蛍光体樹脂組成物は、チクソ付与粒子などの添加剤をさらに含有することもできる。上記した各成分の割合は、用途および目的に応じて適宜設定されている。

なお、Ｂステージは、熱硬化性樹脂が、液状または溶剤に可溶であるＡステージ状態と、完全硬化したＣステージとの間の状態であって、硬化およびゲル化がわずかに進行し、溶剤に膨潤するが完全に溶解せず、加熱によって軟化または溶融する状態である。

好ましくは、Ｂステージの蛍光体層シート６０を用意する。次いで、１つの蛍光体層シート６０を、第１反射層−素子集合体１１の上面全面に、熱プレスする。これにより、蛍光体層６が、第１反射層−素子集合体１１の上面に貼着される。

このとき、熱プレス温度における蛍光体層６の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、密着性の観点から、好ましくは、３，０００Ｐａ以上、１００，０００Ｐａ以下である。

その後、剥離基材を蛍光体層シート６０から剥離する。なお、剥離基材を蛍光体層シート６０から剥離した後に、蛍光体層シート６０を第１反射層−素子集合体１１に熱プレスすることもできる。

第２に、蛍光体層６の上面全面に、拡散層７を配置する。

まず、図示しない剥離基材に支持され、拡散層シート７０（拡散層７）を用意する。拡散層７は、例えば、光拡散性粒子と、シリコーン樹脂などの樹脂（熱硬化性樹脂、好ましくは、Ｂステージとなることができる硬化性樹脂）とを含有する拡散樹脂組成物から調製する。

光拡散性粒子は、光を拡散する透明性の粒子であって、例えば、樹脂との屈折率差が高い粒子が挙げられる。具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される光拡散性粒子が挙げられる。光拡散性粒子の屈折率は、例えば、１．４０以上１．６０以下である。光拡散性粒子と樹脂との屈折率差は、例えば、０．０４以上、好ましくは、０．１０以上であり、また、例えば、０．５０以下である。

樹脂は、光拡散性粒子を分散できる透明樹脂であり、具体的には、特開２０１６−０４８７６４号公報などに記載される封止樹脂が挙げられる。

また、拡散樹脂組成物は、チクソ付与粒子などの添加剤をさらに含有することもできる。上記した各成分の割合は、用途および目的に応じて適宜設定されている。

好ましくは、Ｂステージの拡散層シート７０を用意する。次いで、拡散層シート７０を、蛍光体層６の上面全面に、熱プレスする。これにより、拡散層７が、蛍光体層６の上面に貼着される。

このとき、熱プレス温度における拡散層７の貯蔵剪断弾性率Ｇ’は、密着性の観点から、好ましくは、３，０００Ｐａ以上、１００，０００Ｐａ以下である。

その後、剥離基材を拡散層シート７０から剥離する。なお、剥離基材を拡散層シート７０から剥離した後に、拡散層シート７０を蛍光体層６（蛍光体層シート６０）に熱プレスすることもできる。

その後、樹脂がＢステージである場合は、ともにＢステージの蛍光体層６および拡散層７をＣステージ化させる。また、第１反射層４がＢステージである場合は、第１反射層もＣステージ化させる。具体的には、加熱する。これにより、拡散層７、蛍光体層６、第１反射層４および光半導体素子２を密着および固定する。

加熱温度は、例えば、１００℃以上、好ましくは、１２０℃以上であり、また、例えば、１８０℃以下である。また、加熱時間は、例えば、１０分以上、好ましくは、３０分以上であり、また、例えば、１８０分以下、好ましくは、１２０分以下である。

これによって、複数の光半導体素子２と、１つの複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）と、１つの第１反射層４とを備える第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２を、第２剥離基材８０に支持された状態で得る。

（５）第５工程
第５工程では、図２Ｈに示すように、複合機能層３の一部を、除去する。

すなわち、１つの複合機能層３の一部を除去して、１つの複合機能層３を個片化する。これにより、光半導体素子２に対応したサイズの複合機能層３が複数得られ、その結果、１つの光半導体素子２に対して、１つの複合機能層３が配置される。このとき、上下方向に投影したときに（平面視において）、それぞれの複合機能層３は、光半導体素子２を含み、かつ、光半導体素子２よりも大きくなるように、形成される。

具体的には、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２をハーフカットする。すなわち、側断面視において、複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）を厚み方向に完全に切断し、第１反射層４の厚み方向途中まで切断する。また、平面視においては、図３Ｂに示すように、互いに隣接する光半導体素子２の間に面方向（前後方向および左右方向）に並ぶように、すなわち、略碁盤目状に、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２を切断する。

切断方法としては、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を備えるダイシング装置を用いる。

ダイシングソーの刃厚は、幅広であって、例えば、３０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、１０００μｍ以下、好ましくは、７００μｍ以下である。

これによって、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２には、互いに隣接する光半導体素子２の間、および、その最外側に、面方向に沿って整列する切断溝４５が形成される。その結果、複数の光半導体素子２と、複数の複合機能層３と、１つの第１反射層４とを備える第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３を、第２剥離基材８０に支持された状態で得る。

（６）第６工程
第６工程では、図２Ｉおよび図２Ｊに示すように、第２反射層５を、複合機能層３の周側面３２に配置する。

具体的には、複合機能層３を第２反射層５に埋没させる（第６−１工程）。次いで、複合機能層３の上面３１（拡散層７の上面）に付着する第２反射層５を除去する（第６−２工程）。

第６−１工程では、例えば、第２反射層シート５０（第２反射層５）を用意する。

第２反射層は、第２反射樹脂組成物から、面方向に延びる略平板（シート）形状に形成されている。第２反射樹脂組成物は、例えば、光反射成分、および、樹脂を含有する。

第２反射樹脂組成物に含有される光反射成分および樹脂としては、第１反射樹脂組成物に含有される光反射成分および樹脂と同様のものが挙げられる。

光反射成分の割合は、第２反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、５質量％以上であり、また、例えば、７０質量％以下、好ましくは、５０質量％以下である。

樹脂の割合は、第２反射樹脂組成物に対して、例えば、１０質量％以上、好ましくは、２５質量％以上であり、また、例えば、９９質量％以下、好ましくは、９７質量％以下である。

第２反射樹脂組成物は、好ましくは、スペーサー粒子を含有する。

スペーサー粒子は、第６−２工程において形成される第２付着部分５１の上面の算術平均粗さＲａが所望範囲となるように、第２反射樹脂組成物に任意的に配合される微小凹凸付与成分である。また、スペーサー粒子は、第２反射層５の強化や、第２反射樹脂組成物を増量させるために、第２反射樹脂組成物に任意的に配合されるフィラーでもある。

スペーサー粒子としては、光反射成分以外の粒子であって、例えば、無機粒子、有機粒子などが挙げられる。

無機粒子としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２）、タルク（Ｍｇ_３（Ｓｉ_４Ｏ_１０）（ＨＯ）_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）、酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）、酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アンチモン（Ｓｂ_２Ｏ_３）などの酸化物、例えば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ_３Ｎ_４）などの窒化物などの無機物粒子（無機物）が挙げられる。また、無機粒子として、例えば、上記例示の無機物から調製される複合無機物粒子が挙げられ、具体的には、酸化物から調製される複合無機酸化物粒子（具体的には、ガラス粒子など）が挙げられる。

有機粒子としては、例えば、アクリル系樹脂粒子、スチレン系樹脂粒子、アクリル−スチレン系樹脂粒子、シリコーン系樹脂粒子、ポリカーボネート系樹脂粒子、ベンゾグアナミン系樹脂粒子、ポリオレフィン系樹脂粒子、ポリエステル系樹脂粒子、ポリアミド系樹脂粒子、ポリイミド系樹脂粒子などが挙げられる。

スペーサー粒子は、単独使用または併用することができる。

好ましくは、複合無機酸化物粒子、より好ましくは、ガラス粒子が挙げられる。

粒子の形状は、特に限定されず、例えば、球状、板状、針状などが挙げられる。好ましくは、球状である。

スペーサー粒子の平均粒子径（一次粒子径）は、例えば、１５μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。これにより、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を所望の表面粗さに容易に調整することができるため、第２付着部分５１を確実に除去することができる。

スペーサー粒子の割合は、第２反射樹脂組成物に対して、例えば、１質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、８０質量％以下、好ましくは、６０質量％以下である。

さらに、第２反射樹脂組成物には、必要により、チクソ付与粒子などの添加剤を添加することができる。

そして、まず、上記した光反射成分と、樹脂（Ａステージ）と、必要により添加されるスペーサー粒子などとを配合して、それらを混合して、液状の第２反射樹脂組成物を調製する。

次いで、第１反射層シートにて上記したのと同様の方法にて、図示しない剥離基材の表面に第２反射層シート（好ましくは、Ｂステージの第２反射層シート）を用意する。

次いで、第２反射層シートを、複数の複合機能層３の上面３１に配置する。具体的には、第２反射層シートを、複数の複合機能層３のそれぞれに接触する。

続いて、第２反射層シートが、上記したＢステージとなることができ、そのＢステージにおける加熱によって十分に軟化して変形することができる熱硬化性樹脂を含有する場合には、第２反射層シートを加熱する。

具体的には、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、Ｂステージの第２反射層シート５０を、平板プレス１８を用いて、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３に対して熱プレスする。熱プレスなどの条件は、第１反射層シートにて上記したのと同様である。

そうすると、第２反射層シート５０は、熱プレスによって、変形（溶融）して、複数の複合機能層３のそれぞれを埋没させる。具体的には、第２反射樹脂組成物が、隣接する複合機能層３の間、すなわち、切断溝４５に充填されるとともに、最外側に配置される複合機能層３の周側面３２を被覆する。これによって、複数の複合機能層３のすべての周側面３２が第２反射層５によって被覆される。また、第１反射層４の内側部４１の上部の外周面も第２反射層５によって被覆される。

これとともに、複合機能層３の上面３１も、第２反射樹脂組成物によって被覆され、第２付着部分５１が形成される。

第２付着部分５１は、機能層−反射層付素子１に本来不要な部分であって、第６−２工程によって不可避的に形成される部分である。

同時に、熱プレスにおいて、第２付着部分５１は、比較的硬い第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の複合機能層３の上面３１（樹脂面）に位置するから、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の周端部に位置する第２反射層端部５２に比べて、高い圧力で下側に圧縮される。そのため、図４Ｂに示すように、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３は、第２剥離基材８０に向かってわずかに沈み込む。

続いて、上記した第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３へのプレスが解放されると、図４Ｃに示すように、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３は、復元し、つまり、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の下面が、周囲の第２剥離基材８０の上面と同一位置に配置される。第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の復元に伴って、切断溝４５に充填されている第２反射樹脂組成物（第２反射層側部５３）も、第２反射層端部５２に流れ出る。そのため、第２付着部分５１の上面は、第２反射層端部５２や第２反射層側部５３の上面に対して、上側に位置する。例えば、第２反射層端部５２および第２反射層側部５３の上面は、複合機能層３の上面３１と同一位置に配置される。

これによって、第６−１工程において、第２反射層端部５２、第２反射層側部５３と、第２付着部分５１とを有する第２反射層５が形成される。

第２付着部分５１の上面は、図２Ｉでは、平坦状に描画されているが、実際には、第２反射樹脂組成物に含有されるスペーサー粒子の形状に基づく、極めて微小な凹凸形状を有する。

そのため、第２付着部分５１の上面の算術平均粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９））は、例えば、１μｍ以上、好ましくは、２μｍ以上であり、また、例えば、１０μｍ以下、好ましくは、７μｍ以下である。第２付着部分５１の上面の算術平均粗さＲａが上記した下限以上であれば、感圧接着シート９と第２付着部分５１との接触面積が向上する。また、算術平均粗さＲａが上記した上限以下であれば、感圧接着シート９を第２付着部分５１の上面に十分に広がらせることができる。その結果、次に説明する第６−２工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

第２付着部分５１の厚みＴ２は、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、４０μｍ以下である。第２付着部分５１の厚みＴ２が上記した上限以下であれば、剥離方向への第２付着部分５１の屈曲を円滑にできるので、第６−２工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

第２付着部分５１の厚みＴ２は、例えば、３μｍ以上、好ましくは、１５μｍ以上である。第２付着部分５１の厚みＴ２が上記した下限以上であれば、剥離時の屈曲変形に第２付着部分５１が追従できるので、第６−２工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

その後、剥離基材を第２反射層シート５０から剥離する。なお、剥離基材を第２反射層シート５０から剥離した後に、第２反射層シート５０を第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３に熱プレスしてもよい。

第６−２工程では、図２Ｊに示すように、複合機能層３の上面３１に付着する第２反射層５、すなわち、第２付着部分５１を除去する。

第２付着部分５１を除去するには、例えば、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、感圧接着シート９を用いる。

感圧接着シート９は、感圧接着剤から調製されており、面方向に連続するシート形状を有する。感圧接着シート９の大きさは、例えば、感圧接着シート９を、平面視において、第１付着部分４３を含むことができる大きさに設定されている。感圧接着剤としては、例えば、アクリル系感圧接着剤、ゴム系感圧接着剤、シリコーン系感圧接着剤、ウレタン系感圧接着剤、ポリアクリルアミド系感圧接着剤などが挙げられる。また、感圧接着シート９は、支持材などで支持されていてもよい。

この方法では、感圧接着シート９の感圧接着面を、第２付着部分５１の上面に対向配置し、第２付着部分５１に感圧接着し、続いて、第２付着部分５１を、複合機能層３の上面３１から引き剥がす。

具体的には、まず、図５Ａに示すように、感圧接着シート９を第２付着部分５１に対して十分に感圧接着する。その際、感圧接着シート９は、第２付着部分５１の上面に対して、間隔が隔てられてもよい。

その後、図５Ｂに示すように、感圧接着シート９の面方向一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を把持し、感圧接着シート９の一端部（例えば、左端部）（一辺、具体的には、左辺）を面方向他方側（例えば、右方）に向けて引っ張りながら、第２付着部分５１を光半導体素子２の対向面２２から引き剥がす。

好ましくは、感圧接着シート９の角部（例えば、左端前端部）を把持し、感圧接着シート９の角部（例えば、左端前端部）を右方斜め後側に向けて引っ張る。つまり、感圧接着シート９の剥離方向を、前後方向および左右方向に対して傾斜する方向にする。感圧接着シート９の一端部を把持すれば、感圧接着シート９の一辺を把持する場合に比べて、把持した部分を剥離のきっかけによりし易く、かかるきっかけ（角部）を容易かつ確実に把持できる。そのため、第２付着部分５１をより確実に除去することができる。

この際、上記したように、第２付着部分５１に上方への引き剥がし力が付与されないように、感圧接着シート９を、例えば、１２０度以上、好ましくは、１５０度以上、より好ましくは、１６５度以上、さらに好ましくは、１７０度以上、とりわけ好ましくは、１８０度で、剥離する。具体的には、感圧接着シート９を折り返すように、感圧接着シート９を剥離する。

すると、第２付着部分５１は、複合機能層３の上面３１から剥離され、感圧接着シート９に追従する。また、第２付着部分５１の剥離が一回で完了しない時には、上記動作を複数回繰り返し、これによって第２付着部分５１の剥離を完了させる。

すると、第２付着部分５１は、複合機能層３の上面３１から剥離され、感圧接着シート９に追従する。

その後、第２反射層５がＢステージである場合は、加熱などにより、Ｃステージ化する。

これによって、複数の光半導体素子２と、複数の複合機能層３と、１つの第１反射層４と、１つの第２反射層５とを備える機能層−反射層−素子集合体１４を、第２剥離基材８０に支持された状態で得る。

（７）第７工程
第７工程では、図２Ｋに示すように、機能層−反射層−素子集合体１４を個片化する。

すなわち、互いに隣接する光半導体素子２の間の第１反射層４および第２反射層５を切断して、複数の光半導体素子２を個片化する。

これにより、１つの光半導体素子２に対して、１つの複合機能層３、１つの第１反射層４および１つの第２反射層５が配置される。

具体的には、機能層−反射層−素子集合体１４を厚み方向に完全に切断する。すなわち、側断面視において、隣接する光半導体素子２の間の第１反射層４および第２反射層５を厚み方向に完全に切断する。また、平面視においては、図３Ｂに示すように、互いに隣接する光半導体素子２の間に面方向（前後方向および左右方向）に並ぶように、すなわち、略碁盤目状に、機能層−反射層−素子集合体１４を切断する。

切断には、例えば、円盤状のダイシングソー（ダイシングブレード）を用いるダイシング装置、例えば、カッターを用いるカッティング装置、例えば、レーザー照射装置などの切断装置が用いられる。好ましくは、ダイシング装置が用いられる。

ダイシングソーの刃厚は、第５工程で使用するダイシングソーの刃厚よりも狭く、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、２０μｍ以上であり、また、例えば、３００μｍ以下、好ましくは、２００μｍ以下である。

これにより、図２Ｌに示す機能層−反射層付素子１を得る。

この機能層−反射層付素子１は、次に説明する光半導体装置１５（図６参照）ではなく、つまり、光半導体装置１５に備えられる基板１６を含まない。つまり、機能層−反射層付素子１は、光半導体装置１５の一部品、すなわち、光半導体装置１５を作製するための部品であり、部品単独で流通し、産業上利用可能なデバイスである。

（８）実装工程
その後、図６に示すように、機能層−反射層付素子１を基板１６に実装する。具体的には、光半導体素子２を基板１６にフリップチップ実装する。

これによって、基板１６と、機能層−反射層付素子１とを備える光半導体装置１５を得る。

３．一実施形態の作用効果
この製造方法によれば、第２工程で、光半導体素子２の側面に第１反射層４を配置し、第４工程で、第１反射層−素子集合体１１の上に複合機能層３を配置し、第６工程で、複合機能層３の側面に第２反射層５を配置する。すなわち、複合機能層３を配置していない光半導体素子２の側面に対して、第１反射層４を配置した後、次いで、第２−機能層−第１反射層−素子集合体１３の複合機能層３の側面に対して第２反射層５を配置することにより、複合機能層３付きの光半導体素子２の側面に対して、反射層（第１反射層４、第２反射層５）を確実に配置することができる。すなわち、光半導体素子２に対して複合機能層３が面方向に大きく、隅部１９（図２Ｋ参照）が多い複合機能層付き光半導体素子に対して、直接、反射層を配置することを回避することができる。そのため、機能層−反射層付素子１において、被覆層（第１反射層４および第２反射層５）の充填不十分による隙間の発生を抑制することができる。その結果、反射層における反射ムラを抑制し、発光装置から照射される光の均一性を良好にすることができる。

また、第１反射層４（第１反射層内側部４１）の上面と、光半導体素子２の対向面２２とを面一にして、これらを平坦にすることができる（図２Ｌ参照）。そのため、これらの上に配置される複合機能層３（例えば、蛍光体層６）の厚みを均一および平坦とすることができ、光の色ムラを抑制することができる。

この製造方法によれば、第２工程において、光半導体素子２の電極面２１に付着する第１付着部分４３を除去する。

このため、機能層−反射層付素子１を基板１６に実装する際に、確実に光半導体素子２と基板１６とを電気的に接続することができる。

また、この製造方法によれば、第６工程において、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を除去する。

このため、複合機能層３（蛍光体層６および拡散層７）による所望の特性を確実に奏することができる。すなわち、波長変換された色ムラのない光を取り出すことができる。

この製造方法によれば、第６工程における第２付着部分５１の厚みＴ２が、５０μｍ以下であり、第２付着部分５１の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下である。

すなわち、第２付着部分５１が、平滑である。そのため、例えば、感圧接着シート９による剥離において、感圧接着剤を第２付着部分５１の上面に十分に広がらせて、感圧接着シート９の第２付着部分５１に対する被着面積の低下を抑制することができる。また、第２付着部分５１が、薄膜である。そのため、例えば、感圧接着シート９による剥離において、剥離方向への第２付着部分５１の屈曲を円滑にすることができる。したがって、第４工程において第２付着部分５１を確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第６工程では、複合機能層３の上面３１に付着する第２付着部分５１を、感圧接着シート９を用いて、上面から引き剥がす。

このため、第２付着部分５１を簡易かつ確実に除去することができる。

また、この製造方法によれば、第２工程では、光半導体素子２を、互いに間隔を隔てて複数配置し、第３工程では、第１反射層４を、互いに隣接する光半導体素子２の間に充填し、第５工程では、互いに間隔を隔てて複数配置する複合機能層３を形成し、第６工程では、第２反射層５を、互いに隣接する複合機能層３の間に充填する。

このため、複数の機能層−反射層付素子１を効率よく製造することができる。

＜変形例＞
変形例において、上記した一実施形態と同様の部材および工程については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。

（１）一実施形態では、第２工程において、第１反射層シートから第１反射層４を形成しているが、これに限定されない。例えば、第１反射樹脂組成物をポッティングすることにより、第１反射層４を形成することもできる。

（２）一実施形態では、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、第６工程において、第２反射層シート５０から第２反射層５を形成しているが、これに限定されない。例えば、第２反射樹脂組成物をポッティングすることにより、第２反射層５を形成することもできる。

この実施形態では、図示しないが、光半導体素子２の上面に付着する第２反射層５（第２付着部分５１）の上面と、複合機能層３の周側面３２に配置される第２反射層側部５３の上面とが面一となる。すなわち、第２反射層５の上面は平坦となる。また、その後、図６−２工程を実施すると、光半導体素子２の上面に付着する第２反射層５（第２付着部分５１）のみが除去され、第２反射層側部５３の上部は除去されない。これによって、機能層−反射層−素子集合体１４において、第２反射層側部５３の上面は、複合機能層３の上面３１よりも高くなる。

好ましくは、第２反射層シート５０から第２反射層５を形成する。第２反射層シート５０を用いる方法では、第２付着部分５１の厚みＴ２を５０μｍ以下、その算術平均粗さＲａを、１μｍ以上、１０μｍ以下に好適に調整することができ、第６−２工程において第２付着部分５１を確実に除去できる。また、機能層−反射層付素子１において、第２反射層５の上面と複合機能層３の上面３１とを面一にして、これらの表面を平坦にすることができる。

（３）一実施形態では、図２Ｌに示すように、複合機能層３は、蛍光体層６および拡散層７からなる２層であるが、例えば、複合機能層３を構成する各層は、これに限定されない。例えば、拡散層７に代えて、透明層とすることもできる。また、有色層、熱伝導層などとすることもできる。

透明層は、上記した樹脂と、充填材とを適宜の割合で含有した透明樹脂組成物から形成される。充填材としては、上記したスペーサー粒子が挙げられ、上記した樹脂と屈折率が実質的に同一の屈折率を有する。

また、複合機能層３は、拡散層７および透明層からなる２層などであってもよい。

（４）一実施形態では、図２Ｌに示すように、複合機能層３は、２層からなるが、図７に示すように、複合機能層３は、例えば、蛍光体層６、拡散層７および透明層からなる３層とすることもできる。

（５）一実施形態では、図２Ｌに示すように、機能層は、複合機能層３として、２層からなるが、例えば、図８に示すように、単層の機能層とすることができる。具体的には、蛍光体層６、拡散層７、透明層などのいずれの単層であってもよい。

（６）一実施形態では、図２Ｌに示すように、第１被覆層および第２被覆層として、第１反射層および第２反射層をそれぞれ用いているが、例えば、図示しないが、これらに代えて、蛍光体層６、拡散層７、透明層、有色層または熱伝導層とすることもできる。

（７）一実施形態では、図２Ｌに示すように、第２反射層５は、光半導体素子２と間隔を隔てているが、例えば、図９に示すように、一方向（前後方向または左右方向）において、第２反射層５は、光半導体素子２の周側面２３と接触することもできる。

（８）一実施形態では、図２Ｌに示すように、第２反射層５の下面は、光半導体素子２の下面よりも上方に位置しているが、例えば、図１０に示すように、第２反射層５の下面は、光半導体素子２の下面と同じ高さとすることもできる。すなわち、この実施形態では、光半導体素子２の下面、第１反射層４の下面および第２反射層５の下面は、面一となる。この実施形態は、例えば、図２Ｈの第５工程において、第１−機能層−第１反射層−素子集合体１２をフルカットすることにより得ることができる。

（９）一実施形態では、図５Ｂに示すように、第６工程において、感圧接着シート９を好適には１８０度剥離しているが、剥離方向は特に限定されない。感圧接着シート９を、例えば、図示しないが、９０度剥離することもできる。好ましくは、第６工程では、一実施形態のように、感圧接着シート９を１８０度剥離する。これにより、第２付着部分５１に上方への引き剥がし力が付与されず、剥離基材ごと持ち上げることなく剥離できるので、第２付着部分５１を複合機能層３の上面３１から確実に引き剥がすことができる。

（１０）一実施形態では、第２工程において、溶媒または研磨部材を用いて第１付着部分４３を除去している。しかし、第１付着部分４３の除去は、上記に限定されない。例えば、感圧接着シート９を用いる方法を用いることもできる。

感圧接着シートを用いる方法は、例えば、第６工程で上述した方法が挙げられる。

（１１）一実施形態では、図５Ａおよび図５Ｂに示すように、第６工程において、感圧接着シート９を用いて第２付着部分５１を除去している。しかし、第２付着部分５１の除去は、上記に限定されない。例えば、溶媒を用いる方法、研磨部材を用いる方法を用いることもできる。

溶媒を用いる方法、および、研磨部材を用いる方法としては、第２工程で上述した方法が挙げられる。

好ましくは、複合機能層３の上面３１に付着した第２付着部分５１を容易かつ確実に除去できる観点から、感圧接着シート９を用いて第２付着部分５１を除去する。

（１２）一実施形態では、第４工程において、Ｂステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を熱プレスにより第１反射層−素子集合体１１の上に配置しているが、例えば、図示しないが、Ｃステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を第１反射層−素子集合体１１の上に配置することもできる。この場合、好ましくは、光半導体素子２と蛍光体層６との間に透明接着剤を配置する。

好ましくは、透明接着剤を不要とし、拡散層７、蛍光体層６および光半導体素子２の密着性の観点から、Ｂステージの蛍光体層シート６０および拡散層シート７０を用いる。

（１３）一実施形態では、第２−１工程において、まず、第１反射層４を形成し、第１付着部分４３を含む第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、第１付着部分４３を除去し、その後、第１付着部分４３が除去された第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）している。

しかし、例えば、まず、第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）した後、第１付着部分４３を除去することもできる。

好ましくは、第１反射層４を完全硬化（Ｃステージ化）する前に、第１付着部分４３を除去する。これにより、第１付着部分４３を簡易かつ確実に除去することができる。

この実施形態は、第６−１工程における、第２付着部分５１を含む第２反射層５についても同様である。

（１４）一実施形態では、蛍光体層６は、蛍光体樹脂組成物から略平板状に形成されているが、例えば、蛍光体層６は、蛍光体セラミックスプレートから形成されていてもよい。蛍光体セラミックスプレートは、例えば、特開２０１５−２１６３５５号公報などを参照に製造することができる。

（１５）一実施形態では、図１Ａ−図２Ｌに示すように、第１工程において、複数の光半導体素子２を第１剥離基材８の上に整列配置し、第２工程において、複数の光半導体素子２の間に、第１反射層４を充填して、第１反射層−素子集合体１１を得、その結果、複数の機能層−反射層付素子１を製造している。しかし、例えば、図示しないが、第１工程において、１つの光半導体素子を第１剥離基材８の上に配置し、第２工程において、１つの光半導体素子２の周側面２３に、第１反射層４を配置して、第１被覆層付素子の一例としての第１反射層付素子を得、その結果、１つの機能層−反射層付素子１を製造することもできる。

好ましくは、生産効率の観点から、図１Ａ−図２Ｌに示すように、複数の光半導体素子２を整列配置して、複数の機能層−反射層付素子１を製造する。

上記した各変形例は、上記した一実施形態と同様の作用効果を奏することができる。

１ 機能層−反射層付素子
２ 光半導体素子
３ 複合機能層
４ 第１反射層
５ 第２反射層
８ 第１剥離基材
９ 感圧接着シート
１１ 第１反射層−素子集合体１１
２１ 光半導体素子の電極面
２２ 光半導体素子の対向面
２３ 光半導体素子の周側面
３１ 複合機能層の上面
３２ 複合機能層の周側面
４３ 第１付着部分
５１ 第２付着部分
８０ 第２剥離基材

Claims (6)

1. 電極が設けられる電極面、前記電極に対向する対向面、および、前記電極面と前記対向面との周端縁を連結する側面を有する光半導体素子を、第１剥離基材の上に、前記対向面と前記第１剥離基材とが接触するように、配置する第１工程、
   第１被覆層を、前記光半導体素子の側面に配置することにより、第１被覆層付素子を得る第２工程、
   前記第１被覆層付素子を、第２剥離基材の上に、前記電極面が前記第２剥離基材に接触するように、転写し、かつ、前記第１被覆層付素子から前記第１剥離基材を剥離する第３工程、
   機能層を、前記第１被覆層付素子の上に、前記機能層と前記対向面とが接触するように、配置する第４工程、
   前記機能層の一部を、前記光半導体素子を上下方向に投影したときに前記機能層が前記光半導体素子を含み、かつ前記機能層が前記光半導体素子よりも大きくなるように、除去する第５工程、ならびに、
   第２被覆層を、前記機能層の側面に配置する第６工程
   を備えることを特徴とする、機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
2. 前記第２工程では、前記光半導体素子の前記電極面に付着する前記第１被覆層を除去する工程を備えることを特徴とする、請求項１に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
3. 前記第６工程では、前記機能層の上面に付着する前記第２被覆層を除去する工程を備えることを特徴とする、請求項１または２に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
4. 前記第６工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層の厚みＴが、５０μｍ以下であり、
   前記第２被覆層の上面の、ＪＩＳ Ｂ ０６０１（２００９）に従って測定される算術平均粗さＲａが、１μｍ以上、１０μｍ以下であることを特徴とする、請求項３に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
5. 前記第６工程において前記機能層の前記上面に付着する前記第２被覆層を、感圧接着シートを用いて、前記上面から引き剥がすことを特徴とする、請求項３または４に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
6. 前記第１工程では、前記光半導体素子を、互いに間隔を隔てて複数配置し、
   前記第２工程では、前記第１被覆層を、互いに隣接する前記光半導体素子の間に充填し、
   前記第５工程では、互いに間隔を隔てて複数配置する前記機能層を形成し、
   前記第６工程では、前記第２被覆層を、互いに隣接する前記機能層の間に充填することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の機能層−被覆層付光半導体素子の製造方法。
   

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