JP5187524B2

JP5187524B2 - フォトマスク基板の作製方法

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Publication number: JP5187524B2
Application number: JP2009032320A
Authority: JP
Inventors: 竜二堀口; 公夫伊藤; 幸司吉田; 栗原　　正彰; 浩二坂本; 大輔戸津川
Original assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Current assignee: Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date: 2009-02-16
Filing date: 2009-02-16
Publication date: 2013-04-24
Anticipated expiration: 2029-02-16
Also published as: JP2010190935A

Description

本発明は、露光のための有効領域において、透明基板の表面と裏面の両方のＣｒ（クロム）などの遮光パターンが形成される共に、一方の面にＣＧＨパターンが形成されるフォトマスク基板の作製方法に関する。

半導体回路をウエハに投影露光して転写する際に原版として用いられるフォトマスクは一般にはガラス基板上にＣｒ（クロム）等の金属からなる遮光パターンがその一面側に形成された構造をなしている。ところが、近年、より微細な加工を実現するために、遮光パターンを表面と裏面に両方に形成すると共に、さらに例えば裏面側にＣＧＨパターンを設けたフォトマスクが提案されている。なお、このようなＣＧＨパターンは、ガラス基板上にエッチングによって形成される。また、ＣＧＨとは、計算機を使用して設計された回折格子により実現される「計算機ホログラム」である。

上記のような表裏面パターンとＣＧＨパターンを有するフォトマスクについては、例えば、特許文献１（特開平９−５０１１７号公報）に、透明基板の第１主面に所定の開口を有する遮光膜パターン、該第１主面の裏面に相当する第２主面に回折手段をそれぞれ有し、該回折手段による回折光を該開口へ斜め入射させるようになされたフォトマスクが開示されている。
特開平９−５０１１７号公報

ところが、特許文献１に記載のフォトマスクの作製方法においては、その図３に示されるように、フォトマスクＲ２は、第１のガラス基板２ａ上に回折格子５を形成した回折マスクｒ１と、第２のガラス基板２ｂ上に遮光膜パターン３を形成したパターン・マスクｒ２とを、回折格子５と遮光膜パターン３の非形成面同士で当接させるようにして製造されており、ガラス基板同士を貼り合わせる時の位置合わせが困難であると共に、ガラス基板同士を適切に貼り合わせること自体も非常に難しい、という問題があった。

本発明は以上のような課題を解決するためのもので、請求項１に係る発明は、透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、前記透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、前記第２面開口パターンで前記透明基板が露出している部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法である。

また、請求項２に係る発明は、透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、前記透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、前記第２遮光層をＣＧＨパターン状にエッチングする工程と、前記エッチングによって前記透明基板が露出した部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法である。

また、請求項３に係る発明は、透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、前記第２面開口パターンで前記
透明基板が露出している部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、前記透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法である。

また、請求項４に係る発明は、透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、前記第２遮光層をＣＧＨパターン状にエッチングする工程と、前記エッチングによって前記透明基板が露出した部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、前記透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法である。

本発明の第１実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板を用いて、透明基板の第１面側に、第１面開口パターンを形成する工程と、透明基板の第２面側に、第２面開口パターンを形成する工程と、第２面開口パターンで前記透明基板が露出している部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板を用いて、透明基板の第１面側に、第１面開口パターンを形成する工程と、透明基板の第２面側の第２遮光層をＣＧＨパターン状にエッチングする工程と、エッチングによって前記透明基板が露出した部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、透明基板の第２面側に、第２面開口パターンを形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板にＣＧＨパターンをエッチングする際には、第２遮光層がレジスト層の代用として機能するが、第２遮光層はレジスト層より透明基板との密着性がよいので、確実にＣＧＨパターンを形成することが可能となる。

また、本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板の第２面側の第２遮光層をＣＧＨパターン状に描画する際には、導電性のある第２遮光層が存在するために、電子線描などを行う際には微細なパターンを確実に描画することが可能となる。

本発明の第３実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板を用いて、透明基板の第２面側に、第２面開口パターンを形成する工程と、第２面開口パターンで前記透明基板が露出している部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、透明基板の第１面側に、第１面開口パターンを形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第３実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、第２面開口パターンに比べて第１面開口パターンのパターンとしての高い密度、精度が要求されるが、第２面開口パターンを形成する工程の後に、第１面開口パターンを形成する工程とすることで、フォトマスク基板完成時における第１面開口パターンの汚染リスクを軽減することが可能となる。

本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板を用いて、透明基板の第２面側に、エッチングによって前記透明基板が露出した部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、透明基板の第２面側に、第２面開口パターンを形成する工
程と、透明基板の第１面側に、第１面開口パターンを形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板にＣＧＨパターンをエッチングする際には、第２遮光層がレジスト層の代用として機能するが、第２遮光層はレジスト層より透明基板との密着性がよいので、確実にＣＧＨパターンを形成することが可能となる。

また、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板の第２面側の第２遮光層をＣＧＨパターン状に描画する際には、導電性のある第２遮光層が存在するために、電子線描などを行う際には微細なパターンを確実に描画することが可能となる。

また、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、第２面開口パターンに比べて第１面開口パターンのパターンとしての高い密度、精度が要求されるが、第２面開口パターンを形成する工程の後に、第１面開口パターンを形成する工程とすることで、フォトマスク基板完成時における第１面開口パターンの汚染リスクを軽減することが可能となる。

本発明の実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によって作製されるフォトマスク基板の利用形態を示す図である。本発明の実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によって作製されるフォトマスク基板の断面構造を模式的に示す図である。本発明の第１実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。本発明の第３実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。本発明の第４実施形態の変形例に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照しつつ説明する。図１は本発明の実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によって作製されるフォトマスク基板の利用形態を示す図である。図１において、１００は透明基板、１１０は第１面、１１１は第１面遮光層、１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃは第１面開口パターン、１１５は第１面アライメントマーク、１２０は第２面、１２１は第２面遮光層、１２２は第２面開口パターン、１２３はＣＧＨパターン、１２５は第２面アライメントマークをそれぞれ示している。

本実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法で作製されるフォトマスク基板の完成形態としては、合成石英ガラスなどの透明基板１００の一方の主面である第１面１１０にＣｒ（クロム）などの第１面遮光層１１１が形成され、さらに当該第１面遮光層１１１にはエッチングなどによって第１面開口パターン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃが形成される構成となっている。そして、透明基板１００の他方の主面である第２面１２０にも同じくＣｒ（クロム）などの第２面遮光層１２１が形成され、当該第２面遮光層１２１にはエッチングなどによって第２面開口パターン１２２が形成されると共に、さらに第２面開口パ
ターン１２２のうち透明基板１００が露出した部分にはガラスエッチングによって、ＣＧＨパターン１２３が形成される構成となっている。なお、図１に示した完成フォトマスク基板は、模式的な図であり、簡略化されたものである。

なお、本実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法における作製工程で、第１面遮光層１１１に設けられる第１面アライメントマーク１１５及び第２面遮光層１２１に設けられる第２面アライメントマーク１２５は、透明基板１００の第１面１１０に形成される第１面開口パターン１１２と、同じく第２面１２０に形成される第２面開口パターン１２２、ＣＧＨパターン１２３との表裏の位置合わせを行うときに用いるものである。なお、このようなアライメントマークによって表裏の位置合わせを行うときに用いる技術としては、本出願人がすでに提出している特願２００８―２６２４３９号公報や特願２００８―２６２４４０号公報に記載の方法を用いることができる。第１面アライメントマーク１１５及び第２面アライメントマーク１２５は、完成フォトマスク基板を用いた露光に用いるものではなく、露光領域外に設けられている。

透明基板１００の寸法としては、例えば厚さが６．３５ｍｍで、第１面１１０、第２面１２０が正方形状であり、その寸法が１５４ｍｍ×１５４ｍｍである。フォトマスク基板へのパターン形成には、Ｃｒ（クロム）の第１面遮光層１１１、第２面遮光層１２１とこれらの遮光層上に設けるレジスト層による、周知の方法が用いられる。

フォトマスク基板を用いた露光を行う際には、第２面１２０を露光源側に、第１面１１０を被露光体側にセットして用いる。例えば、被露光体により近い第１面開口パターン１１２には、フォトマスクの通常の回路パターンなどが形成されている。この第１面１１０のパターンの密度は、第２面開口パターン１２２のパターンの密度より一般的に高く、パターンの精度としても高いものが要求される。

一方、第２面開口パターン１２２における透明基板１００の露出部にはＣＧＨパターン１２３が形成されているが、このＣＧＨパターン１２３は露光源から入射される光を集光、拡散、分岐、分光する機能を持ち、第１面開口パターン１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃの任意のポイント、領域を、強度分布を制御しながら、照明することができる。光はＣＧＨパターン１２３の全領域から、第１面開口パターン１１２の各部へ照射され得るようになっている。例えば、第１面開口パターン１１２ａには強度が高い光を照射させ、第１面開口パターン１１２ｂ、１１２ｃには強度の弱い光を照射させる、といったことをＣＧＨパターン１２３により実現することをできる。このような第２面開口パターン１２２部におけるＣＧＨパターン１２３の機能によって、従来より微細なリソグラフィーを実現することが可能となる。なお、第２面開口パターン１２２は、このようなＣＧＨパターン１２３のための、光の取り入れ窓として機能するものであるので、一般的に前述したように、第１面開口パターン１１２の密度、精度より低いものでかまわない。

なお、ＣＧＨパターン１２３は、図１（Ａ）に示すようなパターンであり、計算機を使用して設計された回折格子により実現される計算機ホログラムのパターンである。図１（Ａ）はＣＧＨパターン１２３の一部拡大図である。

図２は本発明の実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によって作製されるフォトマスク基板の断面構造を模式的に示す図である。以下、このようなフォトマスク基板を作製するための主な４つの方法について説明する。

図３は本発明の第１実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。以下、工程順に説明する。

図３（Ａ）に示す工程では、透明基板１００の第１面遮光層１１１が設けられた面に対して、レジスト層の塗布前洗浄を施す。なお、本実施形態においては、透明基板１００に第１面遮光層１１１がすでに設けられた状態から開始する場合について説明しているが、透明基板１００に第１面遮光層１１１を設ける工程から開始することもできる。

次の図３（Ｂ）に示す工程では、透明基板１００に第１面遮光層１１１の上面にレジスト層２１０を設ける。

次の図３（Ｃ）に示す工程では、レジスト層２１０に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面開口パターン１１２及び第１面アライメントマーク１１５のパターンを描画する。

次の図３（Ｄ）に示す工程では、ＰＥＢ（ＰｏｓｔＥｘｐｏｓｕｒｅＢａｋｅ）、現像、エッチング、剥膜、洗浄、検査を行い、第１面開口パターン１１２及び第１面アライメントマーク１１５を形成している。この工程によって、透明基板１００の第１面１１０側が完成し、以下の工程から、透明基板１００の第２面１２０側の作製が開始される。

次の図３（Ｅ）に示す工程では、透明基板１００の第２面１２０に、第２面遮光層１２１を製膜する。

次の図３（Ｆ）に示す工程では、第２面遮光層１２１の上に、レジスト層２１１が形成される。

次の図３（Ｇ）に示す工程では、レジスト層２１１に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第２面アライメントマーク１２５のパターンを描画する。

次の図３（Ｈ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第２面アライメントマーク１２５を形成すると共に、形成された第２面アライメントマーク１２５と第１面アライメントマーク１１５とのずれ量をみることで、表裏の位置ずれに係るアライメント情報を取得する。

次の図３（Ｉ）に示す工程では、第２面アライメントマーク１２５が形成された第２面遮光層１２１上にレジスト層２１２を形成する。

次の図３（Ｊ）に示す工程では、レジスト層２１２に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第２面開口パターン１２２のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表裏の位置補償が行われる。

次の図３（Ｋ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチングを行い、第２面開口パターン１２２を形成する
次の図３（Ｌ）に示す工程では、第２面アライメントマーク１２５と第２面開口パターン１２２とが形成された第２面遮光層１２１上にレジスト層２１３を形成する。

次の図３（Ｍ）に示す工程では、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、ＣＧＨパターン１２３のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表裏の位置補償が行われる。

次の図３（Ｎ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像が施され、透明基板１００の第２面１２０を露出する。

次の図３（Ｏ）に示す工程では、露出された第２面１２０をエッチングすることによって、ＣＧＨパターン１２３を形成する。

次の図３（Ｐ）に示す工程では、レジスト層２１３を除去する。これによりフォトマスク基板が完成する。

以上、本発明の第１実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板１００を用いて、透明基板１００の第１面１１０側に、第１面開口パターン１１２を形成する工程と、透明基板１００の第２面１２０側に、第２面開口パターン１２２を形成する工程と、第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

次に、本発明の第２実施形態について説明する。図４は本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。以下、工程順に説明する。

図４（Ａ）に示す工程では、透明基板１００の第１面遮光層１１１が設けられた面に対して、レジスト層の塗布前洗浄を施す。なお、本実施形態においては、透明基板１００に第１面遮光層１１１がすでに設けられた状態から開始する場合について説明しているが、透明基板１００に第１面遮光層１１１を設ける工程から開始することもできる。

次の図４（Ｂ）に示す工程では、透明基板１００に第１面遮光層１１１の上面にレジスト層２２０を設ける。

次の図４（Ｃ）に示す工程では、レジスト層２２０に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面開口パターン１１２及び第１面アライメントマーク１１５のパターンを描画する。

次の図４（Ｄ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄、検査を行い、第１面開口パターン１１２及び第１面アライメントマーク１１５を形成している。この工程によって、透明基板１００の第１面１１０側が完成し、以下の工程から、透明基板１００の第２面１２０側の作製が開始される。

次の図４（Ｅ）に示す工程では、透明基板１００の第２面１２０に、第２面遮光層１２１を製膜する。

次の図４（Ｆ）に示す工程では、第２面遮光層１２１の上に、レジスト層２２１が形成される。

次の図４（G）に示す工程では、レジスト層２２１に、レーザー光や電子線を用いた描
画装置（不図示）で、第２面アライメントマーク１２５のパターンを描画する。

次の図４（Ｈ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第２面アライメントマーク１２５を形成すると共に、形成された第２面アライメントマーク１２５と第１面アライメントマーク１１５とのずれ量をみることで、表裏の位置ずれに係るアライメント情報を取得する。

次の図４（Ｉ）に示す工程では、第２面アライメントマーク１２５が形成された第２面遮光層１２１上にレジスト層２２２を形成する。

次の図４（Ｊ）に示す工程では、レジスト層２２２に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、ＣＧＨパターン１２３のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表裏の位置補償が行われる。

次の図４（Ｋ）に示す工程では、露光されたレジスト層２２２を現像する。これにより、ＣＧＨパターン１２３のパターン状に、第２面遮光層１２１が露出する状態となる。

次の図４（Ｌ）に示す工程では、露出された第２面遮光層１２１を、エッチングする。これにより、透明基板１００の第２面１２０は、ＣＧＨパターン１２３のパターン状に露出する状態となる。

次の図４（Ｍ）に示す工程では、露出された透明基板１００の第２面１２０をガラスエッチングすることによって、ＣＧＨパターン１２３を形成する。

次の図４（Ｎ）に示す工程では、レジスト層２２２が除去される。

次の図４（Ｏ）に示す工程では、塗布前洗浄を施し、レジスト層２２３を形成する。

次の図４（Ｐ）に示す工程では、レジスト層２２３に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第２面開口パターン１２２のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表裏の位置補償が行われる。

次の図４（Ｑ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄、検査を行い、第２面開口パターン１２２を形成している。これによりフォトマスク基板が完成する。

以上、本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板１００を用いて、透明基板１００の第１面１１０側に、第１面開口パターン１１２を形成する工程と、透明基板１００の第２面１２０側の第２遮光層１２１をＣＧＨパターン状にエッチングする工程と、エッチングによって前記透明基板１００が露出した部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、透明基板１００の第２面側に、第２面開口パターンを形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板１００にＣＧＨパターン１２３をエッチングする際には、第２遮光層１２１がレジスト層の代用として機能するが、第２遮光層１２１はレジスト層より透明基板１００との密着性がよいので、確実にＣＧＨパターン１２３を形成することが可能となる。

また、本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板１００の第２面１２０側の第２遮光層１２１をＣＧＨパターン状に描画する際には、導電性のある第２遮光層１２１が存在するために、電子線描などを行う際には微細なパターンを確実に描画することが可能となる。

次に、本発明の第３実施形態について説明する。図５は本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。以下、工程順に説明する。

図５（Ａ）に示す工程では、透明基板１００の第２面遮光層１２１が設けられた面に対
して、レジスト層の塗布前洗浄を施す。なお、本実施形態においては、透明基板１００に第２面遮光層１２１がすでに設けられた状態から開始する場合について説明しているが、透明基板１００に第２面遮光層１２１を設ける工程から開始することもできる。

次の図５（Ｂ）に示す工程では、透明基板１００に第２面遮光層１２１の上面にレジスト層２３０を設ける。

次の図５（Ｃ）に示す工程では、レジスト層２２０に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第２面開口パターン１２２及び第２面アライメントマーク１２５のパターンを描画する。

次の図５（Ｄ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチングを行い、第２面開口パターン１２２及び第２面アライメントマーク１２５を形成している。

次の図５（Ｅ）に示す工程では、塗布前洗浄を施してから、第２面遮光層１２１、第２面１２０の上面にレジスト層２３１を設ける。

次の図５（Ｆ）に示す工程では、レジスト層２２０に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、ＣＧＨパターン１２３のパターンを描画する。

次の図５（Ｇ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像が施され、ＣＧＨパターン１２３のパターン状に透明基板１００の第２面１２０を露出する。

次の図５（Ｈ）に示す工程では、露出された第２面１２０をエッチングすることによって、ＣＧＨパターン１２３を形成する。

次の図５（Ｉ）に示す工程では、レジスト層２３１を除去する。この工程によって、透明基板１００の第２面１２０側が完成し、以下の工程から、透明基板１００の第１面１１０側の作製が開始される。

次の図５（Ｊ）に示す工程では、透明基板１００の第１面１１０に、第１面遮光層１１１を製膜する。

次の図５（Ｋ）に示す工程では、第２面遮光層１２１の上に、レジスト層２３２が形成される。

次の図５（Ｌ）に示す工程では、レジスト層２３２に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面アライメントマーク１１５のパターンを描画する。

次の図５（Ｍ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第１面アライメントマーク１１５を形成すると共に、形成された第１面アライメントマーク１１５と第２面アライメントマーク１２５とのずれ量をみることで、表裏の位置ずれに係るアライメント情報を取得する。

次の図５（Ｎ）に示す工程では、第１面アライメントマーク１１５が形成された第１面遮光層１１１の上に、レジスト層２３３を形成する。

次の図５（Ｏ）に示す工程では、レジスト層２３３に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面開口パターン１１２のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表
裏の位置補償が行われる。

次の図５（Ｐ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第１面開口パターン１１２を形成する。これによって、フォトマスク基板が完成する。

以上、本発明の第３実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板１００を用いて、透明基板１００の第２面１２０側に、第２面開口パターン１２２を形成する工程と、第２面開口パターン１２２で前記透明基板１００が露出している部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、透明基板１００の第１面１１０側に、第１面開口パターン１１２を形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第３実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、第２面開口パターン１２２に比べて第１面開口パターン１１２のパターンとしての高い密度、精度が要求されるが、第２面開口パターン１２２を形成する工程の後に、第１面開口パターン１１２を形成する工程とすることで、フォトマスク基板完成時における第１面開口パターン１１２の汚染リスクを軽減することが可能となる。

次に、本発明の第４実施形態について説明する。図６は本発明の第２実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。以下、工程順に説明する。

図６（Ａ）に示す工程では、透明基板１００の第２面遮光層１２１が設けられた面に対して、レジスト層の塗布前洗浄を施す。なお、本実施形態においては、透明基板１００に第２面遮光層１２１がすでに設けられた状態から開始する場合について説明しているが、透明基板１００に第２面遮光層１２１を設ける工程から開始することもできる。

次の図６（Ｂ）に示す工程では、透明基板１００に第２面遮光層１２１の上面にレジスト層２４０を設ける。

次の図６（Ｃ）に示す工程では、レジスト層２４０に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、ＣＧＨパターン１２３のパターンを描画する。

次の図６（Ｄ）に示す工程では、露光されたレジスト層２４０を現像する。これにより、ＣＧＨパターン１２３のパターン状に、第２面遮光層１２１が露出する状態となる。

次の図６（Ｅ）に示す工程では、露出された第２面遮光層１２１を、エッチングする。これにより、透明基板１００の第２面１２０は、ＣＧＨパターン１２３のパターン状に露出する状態となる。

次の図６（Ｆ）に示す工程では、露出された透明基板１００の第２面１２０をガラスエッチングすることによって、ＣＧＨパターン１２３を形成する。

次の図６（Ｇ）に示す工程では、レジスト層２４０が除去される。

次の図６（Ｈ）に示す工程では、塗布前洗浄を施し、レジスト層２４１を形成する。

次の図６（Ｉ）に示す工程では、レジスト層２４１に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第２面開口パターン１２２及び第２面アライメントマーク１２５のパターンを描画する。

次の図６（Ｊ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄、検査を行い、第２面開口パターン１２２を形成している。この工程によって、透明基板１００の第２面１２０側が完成し、以下の工程から、透明基板１００の第１面１１０側の作製が開始される。

次の図６（Ｋ）に示す工程では、透明基板１００の第１面１１０に、第１面遮光層１１１を製膜する。

次の図６（Ｌ）に示す工程では、第２面遮光層１２１の上に、レジスト層２４２が形成される。

次の図６（Ｍ）に示す工程では、レジスト層２４２に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面アライメントマーク１１５のパターンを描画する。

次の図６（Ｎ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第１面アライメントマーク１１５を形成すると共に、形成された第１面アライメントマーク１１５と第２面アライメントマーク１２５とのずれ量をみることで、表裏の位置ずれに係るアライメント情報を取得する。

次の図６（Ｏ）に示す工程では、第１面アライメントマーク１１５が形成された第１面遮光層１１１の上に、レジスト層２４３を形成する。

次の図６（Ｐ）に示す工程では、レジスト層２４３に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面開口パターン１１２のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表裏の位置補償が行われる。

次の図６（Ｑ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第１面開口パターン１１２を形成する。これによって、フォトマスク基板が完成する。

以上、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板１００を用いて、透明基板１００の第２面１２０側に、エッチングによって前記透明基板１００が露出した部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、透明基板１００の第２面１２０側に、第２面開口パターン１２２を形成する工程と、透明基板１００の第１面１１０側に、第１面開口パターン１１２を形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板１００にＣＧＨパターン１２３をエッチングする際には、第２遮光層１２１がレジスト層の代用として機能するが、第２遮光層１２１はレジスト層より透明基板１００との密着性がよいので、確実にＣＧＨパターン１２３を形成することが可能となる。

また、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板１００の第２面１２０側の第２遮光層１２１をＣＧＨパターン状に描画する際には、導電性のある第２遮光層１２１が存在するために、電子線描などを行う際には微細なパターンを確実に描画することが可能となる。

また、本発明の第４実施形態に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、第２面開口パターン１２２に比べて第１面開口パターン１１２のパターンとしての高い密度、精度が要求されるが、第２面開口パターン１２２を形成する工程の後に、第１面開口パターン１
１２を形成する工程とすることで、フォトマスク基板完成時における第１面開口パターン１１２の汚染リスクを軽減することが可能となる。

次に、本発明の第４実施形態の変形例について説明する。図７は本発明の第４実施形態の変形例に係るフォトマスク基板の作製方法の各工程を示す図である。以下、工程順に説明する。

図７（Ａ）に示す工程では、透明基板１００の第２面遮光層１２１が設けられた面に対して、レジスト層の塗布前洗浄を施す。なお、本実施形態においては、透明基板１００に第２面遮光層１２１がすでに設けられた状態から開始する場合について説明しているが、透明基板１００に第２面遮光層１２１を設ける工程から開始することもできる。

次の図７（Ｂ）に示す工程では、透明基板１００に第２面遮光層１２１の上面にレジスト層２５０を設ける。

次の図７（Ｃ）に示す工程では、レジスト層２４０に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、ＣＧＨパターン１２３及び第２面アライメントマーク１２５のパターンを描画する。

次の図７（Ｄ）に示す工程では、露光されたレジスト層２４０を現像する。これにより、ＣＧＨパターン１２３のパターン状及び第２面アライメントマーク１２５のパターン状に、第２面遮光層１２１が露出する状態となる。

次の図７（Ｅ）に示す工程では、露出された第２面遮光層１２１を、エッチングする。これにより、透明基板１００の第２面１２０は、ＣＧＨパターン１２３のパターン状及び第２面アライメントマーク１２５のパターン状に露出する状態となる。

次の図７（Ｆ）に示す工程では、露出された透明基板１００の第２面１２０をガラスエッチングすることによって、ＣＧＨパターン１２３を形成する。このとき、第２面アライメントマーク１２５部のガラスもエッチングされる。このような第２面アライメントマーク１２５部のガラスエッチングによって、第２面アライメントマーク１２５部の位置を確認する際の視認性が向上する。

次の図７（Ｇ）に示す工程では、レジスト層２５０が除去される。

次の図７（Ｈ）に示す工程では、塗布前洗浄を施し、レジスト層２５１を形成する。

次の図７（Ｉ）に示す工程では、レジスト層２５１に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第２面開口パターン１２２のパターンを描画する。

次の図７（Ｊ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄、検査を行い、第２面開口パターン１２２を形成している。この工程によって、透明基板１００の第２面１２０側が完成し、以下の工程から、透明基板１００の第１面１１０側の作製が開始される。

次の図７（Ｋ）に示す工程では、透明基板１００の第１面１１０に、第１面遮光層１１１を製膜する。

次の図７（Ｌ）に示す工程では、第２面遮光層１２１の上に、レジスト層２５２が形成される。

次の図７（Ｍ）に示す工程では、レジスト層２５２に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面アライメントマーク１１５のパターンを描画する。

次の図７（Ｎ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第１面アライメントマーク１１５を形成すると共に、形成された第１面アライメントマーク１１５と第２面アライメントマーク１２５とのずれ量をみることで、表裏の位置ずれに係るアライメント情報を取得する。

次の図７（Ｏ）に示す工程では、第１面アライメントマーク１１５が形成された第１面遮光層１１１の上に、レジスト層２５３を形成する。

次の図７（Ｐ）に示す工程では、レジスト層２５３に、レーザー光や電子線を用いた描画装置（不図示）で、第１面開口パターン１１２のパターンを描画する。描画時における位置合わせでは、先に取得された表裏の位置ずれに係るアライメント情報が利用され、表裏の位置補償が行われる。

次の図７（Ｑ）に示す工程では、ＰＥＢ、現像、エッチング、剥膜、洗浄を行い、第１面開口パターン１１２を形成する。これによって、フォトマスク基板が完成する。

以上、本発明の第４実施形態の変形例に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、１枚の透明基板１００を用いて、透明基板１００の第２面１２０側に、エッチングによって前記透明基板１００が露出した部分にＣＧＨパターン１２３を形成する工程と、透明基板１００の第２面１２０側に、第２面開口パターン１２２を形成する工程と、透明基板１００の第１面１１０側に、第１面開口パターン１１２を形成する工程と、を有するものであり、ガラス基板同士の貼り合わせが不要となり、作製が簡単となる。

また、本発明の第４実施形態の変形例に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板１００にＣＧＨパターン１２３をエッチングする際には、第２遮光層１２１がレジスト層の代用として機能するが、第２遮光層１２１はレジスト層より透明基板１００との密着性がよいので、確実にＣＧＨパターン１２３を形成することが可能となる。

また、本発明の第４実施形態の変形例に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、透明基板１００の第２面１２０側の第２遮光層１２１をＣＧＨパターン状に描画する際には、導電性のある第２遮光層１２１が存在するために、電子線描などを行う際には微細なパターンを確実に描画することが可能となる。

また、本発明の第４実施形態の変形例に係るフォトマスク基板の作製方法によれば、第２面開口パターン１２２に比べて第１面開口パターン１１２のパターンとしての高い密度、精度が要求されるが、第２面開口パターン１２２を形成する工程の後に、第１面開口パターン１１２を形成する工程とすることで、フォトマスク基板完成時における第１面開口パターン１１２の汚染リスクを軽減することが可能となる。

１００・・・透明基板
１１０・・・第１面
１１１・・・第１面遮光層
１１２、１１２ａ、１１２ｂ、１１２ｃ・・・第１面開口パターン
１１５・・・第１面アライメントマーク
１２０・・・第２面
１２１・・・第２面遮光層
１２２・・・第２面開口パターン
１２３・・・ＣＧＨパターン
１２５・・・第２面アライメントマーク
２１０、２１１、２１２、２１３・・・レジスト層
２２０、２２１、２２２、２２３・・・レジスト層
２３０、２３１、２３２、２３３・・・レジスト層
２４０、２４１、２４２、２４３・・・レジスト層
２５０、２５１、２５２、２５３・・・レジスト層

Claims

透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、
前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、
前記透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、
前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、
前記第２面開口パターンで前記透明基板が露出している部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法。
透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、
前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、
前記透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、
前記第２遮光層をＣＧＨパターン状にエッチングする工程と、
前記エッチングによって前記透明基板が露出した部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、
前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法。
透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、
前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、
前記第２面開口パターンで前記透明基板が露出している部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、
前記透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、
前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法。
透明基板の第２面に第２遮光層を設ける工程と、
前記第２遮光層をＣＧＨパターン状にエッチングする工程と、
前記エッチングによって前記透明基板が露出した部分にＣＧＨパターンを形成する工程と、
前記第２遮光層に所定の第２面開口パターンを形成する工程と、
前記透明基板の第１面に第１面遮光層を設ける工程と、
前記第１面遮光層に所定の第１面開口パターンを形成する工程と、を含むことを特徴とするフォトマスク基板の作製方法。