JP5186296B2 - ウェーハの研磨方法及び半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Description
こうした構造のパワーMOSFETでは、pn接合を繰り返し並列に形成しているため、オフ状態の時に、横方向、縦方向共に空乏領域を形成できるため、ドリフト層全体を幅広く空乏化でき、高い耐圧を確保できる。また、この構成であればドリフト層の不純物濃度を高めることができるので、オン抵抗を低減できる。
図6は、複数のウェーハを同時に研磨する一般的なバッチ式の片面研磨装置を示した概略図である。
図6に示すように、研磨装置120は、主に、研磨ヘッド109、下定盤105、研磨布106、研磨用スラリー噴出口112等を有している。研磨ヘッド109は軸周りに回転可能であり、複数のウェーハ101を保持することができるようになっている。また、下定盤105にはウェーハ101を研磨するための研磨布106が貼付けられている。下定盤105もその軸周りに回転可能となっている。
しかし、近年のデバイスの微細化に伴い、酸化膜の厚さが、例えば200nmと薄くなってきており、従来の酸化膜をストッパーとして研磨する方法では、酸化膜の一部を除去してしまい、さらにシリコン基板表面までも研磨してしまうといった問題があった。
近年のデバイスの微細化に伴い、酸化膜の厚さが、例えば200nm以下と薄くなってきているため、従来の研磨方法では酸化膜の一部を除去してしまい、さらにシリコン基板表面までも研磨してしまうといった問題があった。この問題は特に、生産性を高めるために1回の研磨に対して数十枚のウェーハを同時に研磨するバッチ式の研磨方法において顕著であった。
図1に示すように、ウェーハ1は、並列pn接合構造が形成されており、トレンチ3内が完全に第2導電型のエピタキシャル層14で埋められている。さらに、酸化膜2上に第2導電型の余分な盛り上がりであるオーバーデポ層4が形成されている
まず、第1導電型のシリコンウェーハの表面に、フォトリソグラフィーにより、酸化膜2からなるパターンを形成する。そして、それらの酸化膜2をマスクとして、例えば、反応性イオンエッチングなどのエッチング法により、並列pn接合構造を形成するための所定深さのトレンチ3を形成する。
図2に示すように、研磨装置20は、複数のウェーハを同時に研磨するバッチ式の研磨装置であり、効率良くウェーハを研磨することができるものである。
また、研磨ヘッド9は、その軸周りに回転可能となっている。
ここで、ウェーハ1の上側の面とは、ウェーハ1のオーバーデポ層4が形成されている、すなわち研磨する側の表面を下方に向けた際の上側の面、すなわちオーバーデポ層が形成されていない方の面という意味である。
また、複数のウェーハ1をキャリア7によって保持することができ、それらを同時に研磨することができるようになっている。
ここで、研磨ヘッド9は複数あっても良く、図2に示す研磨装置20は、2つの研磨ヘッド9を具備している例である。
また、研磨中の研磨布6の温度変化をモニタするために、温度測定手段10が設けられている。
そして、下定盤5及び、研磨ヘッド9をそれぞれ回転させ、研磨スラリー供給手段12により研磨用のスラリーを供給しながら、ウェーハ1の研磨面を研磨布6に摺接させることによってウェーハ1を研磨することができるようになっている。
まず、図1に示すような、エピタキシャル成長させた後のオーバーデポ層が形成されたウェーハ1を、図3に示すように、そのオーバーデポ層4が下方に向くようにして、テンプレート8の穴に係合させてその側面を支持し、上側の面をキャリア7で保持する。
図4は、直径150mmのシリコンウェーハを突出量を変えて研磨した際の突出量と研磨速度との関係を表した例であるが、突出量が大きくなるほど研磨速度も大きくなっていることが分かる。尚、図4の研磨速度は、ウェーハ突出量が2μmの時の研磨速度を1として、その相対値で示されている。
そのため、研磨布6の温度の変化をモニタすることで、研磨面が酸化膜2の近傍になったことを検出することができ、この検出のときに第1の研磨工程を完了するようにすることができる。
ここで、テンプレート8の交換は、テンプレート8自体を交換しても良いし、予め目的のテンプレート8を有したキャリア7あるいは研磨ヘッド9ごと交換しても良い。
ここで、第2の研磨工程では所定の時間研磨を行うことができる。その所定の時間は、予め実験等により、研磨するウェーハや研磨条件等による、研磨面を酸化膜表面と同じ高さにすることができる最適な時間を求めておくことができる。
このように、ウェーハ1の突出量T1及びT2を、ウェーハ1の研磨前の厚さをtとしたとき、0.15t以上とすれば、研磨布6とキャリア7のテンプレート8が接触してテンプレート8に傷が付くこともなく研磨することができ、0.5t以下とすることで、研磨中にウェーハ1の側面にかかる応力が大きくなることによって、ウェーハ1が外れたり、テンプレート8が破損したりするのを確実に防ぐことができる。
このように、第1の研磨工程と第2の研磨工程の切り替えにおいて、研磨布6の温度が最大時の85%以下となったときに切り替えることで、酸化膜2を削りすぎる前により確実に研磨速度を遅くすることができ、研磨したオーバーデポ層4の表面を、より精度良く酸化膜2の表面と同じ高さにして平坦化することができる。
具体的には、第2の研磨工程の所定時間研磨後に、ウェーハ1の酸化膜2の表面の干渉色を分光することにより非破壊、非接触で測定できるような膜厚検出装置によって、酸化膜2の厚さを測定する。そして、その測定した厚さが所定の厚さに達したときに第2の研磨工程を完了とすることができる。
このように、酸化膜2の厚さに応じて変化する干渉色によって、第2の研磨工程の完了を検出することで、容易に酸化膜2の膜厚を測定することができ、より正確に第2の研磨工程の完了を検出することができる。
例えば、オーバーデポ層4の厚さのバラツキが酸化膜2の厚さの2倍を超えるような場合には、バラツキが酸化膜2の厚さの2倍以内になるように面出しを行ってから、第1の研磨工程を行うことができる。
まず、第1導電型のシリコンウェーハを用意する。このウェーハは、例えば、n型シリコンウェーハ上にエピタキシャル成長法により1Ωcm前後の抵抗率のエピタキシャル層を成長させたn/n+型シリコンエピタキシャルウェーハとすることができる。ここで、ウェーハの表面の面指数は(100)とすることができる。また、オリフラ方位あるいはノッチ方位は特に限定されるものではないが、(100)とすることができる。
このように、ドライエッチングを使用すれば、トレンチ内側面の急峻性を高めることができて好ましいが、湿式エッチング法を使用しても良い。
なお、シリコンウェーハにp型を用い、充填エピタキシャル層をn型層領域とすることもできる。
具体的には、気相成長装置内にシリコンウェーハを配置し、ウェーハを所定温度(例えば1130℃、水素雰囲気中)で熱処理した後、充填エピタキシャル層を気相成長する。
その後、さらにエピタキシャル成長を続けるとトレンチの上方にシリコンが盛り上がり、さらに、酸化膜の上にも広がっていく。このようにして、酸化膜上にオーバーデポ層が形成される。
このように、エピタキシャル成長により第2導電型の領域をトレンチ内に成長させてトレンチを埋め込み、第1導電型の領域と第2導電型の領域の間にpn接合を形成し、酸化膜上に形成される第2導電型領域のオーバーデポ層を、本発明に係るウェーハの研磨方法により除去すれば、生産性を低下させることなく、高精度に平坦化されたスーパージャンクション構造を有する半導体素子を製造することができる。
図1に示すような、直径150mm、厚さ620μmのシリコンウェーハに厚さ200nmの酸化膜を形成し、トレンチを形成してエピタキシャル成長させたことによって得られたエピタキシャルウェーハを、図2に示すような研磨装置を用いて、そのオーバーデポ層を研磨した。そして、ウェーハの突出量を変化させ、その時の研磨速度を測定した。
結果を図4に示す。図4に示すように、ウェーハの突出量を大きくすると、研磨速度が大きくなることが分かる。
図1に示すような、直径150mm、厚さ620μmのシリコンウェーハに厚さ200nmの酸化膜を形成し、トレンチを形成してエピタキシャル成長させたことによって得られたエピタキシャルウェーハ32枚の平坦化を行うために、本発明の研磨方法により、オーバーデポ層を研磨し、研磨後の酸化膜の厚さと、裏面基準のウェーハの平坦度(GBIR)を評価した。
その結果、研磨した32枚のウェーハのうち30枚のウェーハは、酸化膜が研磨されすぎたりすることもなく所望の厚さが維持された状態でオーバーデポ層を研磨することができた。また、後述する比較例の結果より、GBIRが30nmに改善されていた。
1つの研磨工程でのみ研磨を行い、その際のウェーハの突出量を175μmとした以外、実施例と同様な条件でウェーハの研磨を行い、実施例と同様な評価をした。
その結果、32枚全てのウェーハにおいて、酸化膜の一部が破損してしまい、製品とすることができるウェーハを得ることができなかった。
4…オーバーデポ層、5…下定盤、6…研磨布、
7…キャリア、8…テンプレート、9…研磨ヘッド、
10…、温度測定手段、11…駆動軸、12…研磨スラリー供給手段、
13…第1導電型領域、14…第2導電型領域、20…研磨装置。
Claims (6)
- 第1導電型のシリコンウェーハに、酸化膜をマスクパターンとして形成し、前記酸化膜をマスクとして用いてエッチングによりトレンチを形成し、エピタキシャル成長により第2導電型の領域を前記トレンチ内に成長させて前記トレンチを埋め込み、該エピタキシャル成長により、前記酸化膜上に第2導電型領域のオーバーデポ層が形成されて得られたエピタキシャルウェーハの表面を平坦化するために、下定盤に貼付けられた研磨布と前記ウェーハのオーバーデポ層を摺接させて該オーバーデポ層を研磨し、該研磨したオーバーデポ層の表面が前記酸化膜表面と同じ高さになるまで研磨するウェーハの研磨方法であって、少なくとも、
前記ウェーハのオーバーデポ層のある側の面を下方に向け、キャリアのテンプレートで前記ウェーハの外周部を支持しながら前記キャリアで前記ウェーハの上側の面を保持して、前記ウェーハのオーバーデポ層の表面の粗研磨を行う第1の研磨工程と、
前記ウェーハのオーバーデポ層の表面を精研磨して、該研磨面を前記酸化膜表面と同じ高さにする第2の研磨工程とを有し、
前記第1の研磨工程の開始前での、前記キャリアのテンプレートの下端面から前記ウェーハの前記酸化膜表面までの長さを突出量T1とし、前記第2の研磨工程の開始前での、前記長さを突出量T2とした時、T1>T2を満たすように前記第1の研磨工程の前記テンプレートと前記第2の研磨工程の前記テンプレートを交換し、前記第1の研磨工程と前記第2の研磨工程の切り替えは前記研磨布の温度変化をモニタすることにより行い、前記第1の研磨工程の完了後に前記第2の研磨工程を行うことを特徴とするウェーハの研磨方法。 - 前記ウェーハの突出量T1及びT2を、前記ウェーハの研磨前の厚さをtとしたとき、0.15t〜0.5tとすることを特徴とする請求項1に記載のウェーハの研磨方法。
- 前記第1の研磨工程と前記第2の研磨工程の切り替えにおいて、前記研磨布の温度が最大時の85%以下となったときに切り替えることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のウェーハの研磨方法。
- 前記酸化膜の厚さに応じて変化する干渉色によって、前記第2の研磨工程の完了を検出することを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のウェーハの研磨方法。
- 前記第1の研磨工程の前に、前記第1の研磨工程でのウェーハ突出量T1より小さい突出量で、前記ウェーハを保持して研磨し、前記ウェーハ表面の面出しを行うことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか1項に記載のウェーハの研磨方法。
- 第1導電型のシリコンウェーハに、酸化膜をマスクパターンとして形成し、前記酸化膜をマスクとして用いてエッチングによりトレンチを形成し、エピタキシャル成長により第2導電型の領域を前記トレンチ内に成長させて前記トレンチを埋め込み、前記第1導電型の領域と前記第2導電型の領域の間にpn接合を形成するスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法において、前記酸化膜上に形成される第2導電型領域のオーバーデポ層を、請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載のウェーハの研磨方法により除去することを特徴とするスーパージャンクション構造を有する半導体素子の製造方法。
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