JP5184460B2 - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5184460B2 JP5184460B2 JP2009173240A JP2009173240A JP5184460B2 JP 5184460 B2 JP5184460 B2 JP 5184460B2 JP 2009173240 A JP2009173240 A JP 2009173240A JP 2009173240 A JP2009173240 A JP 2009173240A JP 5184460 B2 JP5184460 B2 JP 5184460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- pattern
- film
- photoresist
- spacer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
ラインパターン両側の側壁に膜を付けてこれによってピッチを半分にする方法(側壁スペーサー法)が提案されている(非特許文献4)。この側壁スペーサー法としては、レジスト下層のハードマスクとその側壁に付けた膜と膜の間のスペースに埋めこんだ膜とをエッチングパターンとして用いるスペーサースペース法と、レジスト下層のハードマスク側壁に付けた膜をエッチングパターンとして用いるスペーサーライン法が提案されている(非特許文献5)。どちらの方法に於いてもレジスト下のハードマスクの側壁に付けた膜をエッチングマスクとして用いている。レジストラインがターゲット寸法からずれるとスペーサースペース法ではエッチングマスクとして用いるラインCDがまちまちになるし、スペーサーライン法ではライン位置のばらつきにつながる。どちらの方法に於いても側壁スペーサーの膜厚制御と現像後のレジストパターンの寸法制御の両方の高精度化が必要である。側壁スペーサー法はいずれの方法を用いても1回の露光でピッチを半分に出来るが、ラインの端点はドーナツ状になり、最も端のラインが不必要だったりすることがあるため、これを消去するための露光が必要であり、少なくとも2回の露光が必要である。しかしながら、この場合の2回目の露光に於いてピッチを半分にするための非常に高精度なアライメントは必要ない。
基板21上に被加工層22、ハードマスク23を形成し、その上にレジスト膜を形成した後フォトレジストパターン24を得る(図2−1)。ハードマスク23にドライエッチングでフォトレジストパターン23’を転写し(図2−2)、得られたハードマスクパターン23’上に珪素酸化膜25をCVD法で形成する(図2−3)。ドライエッチングでハードマスクパターン23’上部とスペース部分27の珪素酸化膜を取りスペーサー26を形成し(図2−4)、スペース部分27にスペーサースペース28を埋め込み、ハードマスクパターン23’上部とスペーサー26上部のスペーサースペースを取り(図2−5)、スペーサー26を除去して(図2−6)、被加工層パターン22’を得る(図2−7)。このように、ハードマスクパターン23’の側壁に付いたスペーサー26がパターン反転されて被加工層22に転写され、被加工層パターン22’を得る。
基板31上に被加工層32、ハードマスク33を形成し、その上にフォトレジスト膜を形成した後フォトレジストパターン34を得る(図3−1)。ハードマスク33にドライエッチングでレジストパターン34を転写し、ハードマスクパターン33’を得る(図3−2)。ハードマスクパターン33’上に珪素酸化膜35をCVD法で形成する(図3−3)。ドライエッチングでハードマスクパターン33’上部とスペース部分37の珪素酸化膜を取りスペーサー36を形成する(図3−4)。ハードマスクパターン33’を除去してスペーサーライン38を残し(図3−5)、これをマスクにして被加工層32を加工し、被加工層パターン32’を得る(図3−6)。
ハードマスクとしては、SiO2、SiN、SiON、p−Si、TiN、カーボン膜などが用いられ、CVD法またはスピンコート法で形成される。ハードマスクとフォトレジスト膜との間には有機反射防止膜を敷いてもよいし、反射防止膜機能を有するSOG膜とカーボン膜からなるトライレイヤーを形成していても良い。側壁スペーサー法では、スペーサーとしては、ハードマスクとその下の基板を加工するために、ハードマスクとは異なる材質が用いられる。
このように、塩基発生剤として、カーバメート構造を有するものを用いれば、80℃以下の低温でベークすることにより分解され、フォトレジストパターン内に容易に充分なアミン化合物を発生させることができる。
R41 m1R42 m2R43 m3Si(OR)(4−m1−m2−m3) (1)
(Rは炭素数1〜3のアルキル基であり、R41、R42、R43はそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数1〜30の1価の有機基であり、m1、m2、m3はそれぞれ独立して0又は1である。)
上述のように、フォトレジストパターンの側壁にスペーサーとして珪素酸化膜系の膜を形成し、このスペーサーをもとに下地を加工する側壁スペーサー法において、CVD法やALD法等の真空プロセスではなく、より簡便なスピンコート法によってレジストパターンに直接酸化膜を形成する方法として、レジストパターン上にポリシラザンを含む溶液を塗布する方法では、レジストパターン内の酸を触媒とするシラザンの加水分解により珪素酸化膜が形成される。しかし、この場合、レジスト内に発生している酸の量が少ないため、シラザンの加水分解が十分に進行せず、珪素酸化膜の膜厚が薄すぎたり、酸の拡散が不均一に起こるためにLWRが増大する問題が生じた。
上記一般式(3)、(5)、(7)で示される塩基発生剤の分解によって生成されるアミン類としては、具体的には、ヒドラジン、メチルヒドラジン、エチルヒドラジン、プロピルヒドラジン、ブチルヒドラジン、ジメチルヒドラジン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、1,2−ジアミノプロパン、1,3−ジアミノプロパン、1,2−ジアミノ−2−メチルプロパン、N−メチルエチレンジアミン、N−エチルエチレンジアミン、N−イソプロピルエチレンジアミン、N−ヘキシルエチレンジアミン、N−シクロヘキシルエチレンジアミン、N−オクチルエチレンジアミン、N−デシルエチレンジアミン、N−ドデシルエチレンジアミン、N,N‘−ジメチルエチレンジアミン、N,N’−ジエチルエチレンジアミン、N,N’−ジイソプロピルエチレンジアミン、N−イソプロピルジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、N,N’−ビス(3−アミノプロピル)エチレンジアミン、N,N’−ビス(2−アミノエチル)−1,3−プロパンジアミン、トリス(2−アミノエチル)アミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、2−(2−アミノエチルアミノ)エタノール、N,N’−ビス(ヒドロキエチル)エチレンジアミン、N−(ヒドロキシエチル)ジエチレントリアミン、N−(ヒドロキシエチル)トリエチレンテトラミン、ピペラジン、ホモピペラジン、3−アミノピロリジン、4−アミノピペリジン、1−(2−アミノエチル)ピペラジン、4−(2−アミノエチル)モルホリン、ポリエチレンイミン、1,4−ジアミノブタン、1,3−ジアミノペンタン、1,5−ジアミノペンタン、2−メチル−1,5−ジアミノプロパン、1,7−ジアミノヘプタン、1,8−ジアミノオクタン、2,2,4−トリメチル−1,6−ヘキサンジアミン、2,4,4−トリメチル−1,6−ヘキサンジアミン、1,9−ジアミノノナン、1,10−ジアミノデカン、1,12−ジアミノドデカン、N−メチル−1,3−プロパンジアミン、N−エチル−1,3−プロパンジアミン、N−イソプロピル−1,3−プロパンジアミン、N,N−ジメチル−1,3−プロパンジアミン、N,N’−ジメチル−1,3−プロパンジアミン、N,N’−ジエチル−1,3−プロパンジアミン、N,N’−ジイソプロピル−1,3−プロパンジアミン、N,N,N’−トリメチル−1,3−プロパンジアミン、2−ブチル−2−エチル−1,5−ペンタンジアミン、N,N’−ジメチル−1,6−ヘキサンジアミン、3,3’−ジアミノ−N−メチルジプロピルアミン、N−(3−アミノプロピル)−1,3−プロパンジアミン、スペルミジン、ビス(ヘキサメチレン)トリアミン、N,N’,N”−トリメチルビス(ヘキサメチレン)トリアミン、4−アミノメチル−1,8−オクタンジアミン、N,N’−ビス(3−アミノプロピル)−1,3−プロパンジアミン、スペルミン、4,4’−メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、1,2−ジアミノシクロヘキサン、1,4−ジアミノシクロヘキサン、1,3−シクロヘキサンビス(メチルアミン)、1,4−シクロヘキサンビス(メチルアミン)、1,2−ビス(アミノエトキシ)エタン、4,9−ジオキサ−1,12−ドデカンジアミン、4,7,10−トリオキサ−1,13−トリデカンジアミン、1,3−ジアミノヒドロキシプロパン、4,4’−メチレンジピペリジン、4−(アミノメチル)ピペリジン、3−(4−アミノブチル)ピペリジン、1−アミノインダン、2−アミノインダン、N−(2−アミノエチル)−1,3−プロパンジアミン、2−(アミノエチル)−2−メチル−1,3−プロパンジアミン、ジエチレントリアミン、更には下記に例示されるジアミン化合物等が挙げられる。
フォトレジストのベース樹脂としては、例えば特開2008−122932号(0050)−(0106)段落記載の樹脂を用いることができる。酸発生剤としては、(0107)−(0125)段落記載の材料を用いることができ、溶媒としては、(0130)−(0131)段落記載の材料を用いることができ、アミンクエンチャーとしては、(0132)−(0151)段落記載の材料を用いることができ、界面活性剤としては、(0152)−(0153)段落記載の材料を用いることができ、その他添加剤としては(0154)−(0182)段落記載の材料を用いることができる。
図1は、本発明のパターン形成方法の一例を示す概略図である。
基板1上に被加工層2とカーボン膜3を形成した被加工基板上に、塩基発生剤を含むフォトレジスト膜材料を用いてフォトレジスト膜を形成した後、高エネルギー線で露光し、更に現像液を用いて現像して、フォトレジストパターン4を形成する(図1−1)。フォトレジストパターン4上に塩基性物質の作用により架橋可能なシロキサン結合を有する珪素化合物を含む溶液を塗布して、珪素化合物膜5を形成する(図1−2)。ベークによってフォトレジストパターン4からアミン化合物を発生させ、アミン化合物を珪素化合物膜5内に拡散させ触媒として作用させることによって、珪素化合物内のシロキサンポリマーをフォトレジストパターン4近傍で架橋させて架橋部6を形成する(図1−3)。熱処理温度は70〜200℃、好ましくは80〜180℃、熱処理時間は1〜500秒、好ましくは1〜300秒とすることができる。未架橋の珪素化合物を剥離し、レジストパターンの周りに珪素化合物の架橋部6のみを残存させる(図1−4)。未架橋のシロキサンポリマーの剥離は、シロキサンポリマーの溶媒やアルカリ現像液、あるいはフォトレジスト組成物に用いられる溶媒を用いることができる。未架橋の珪素化合物の除去後に再度ベークすることによってシロキサンポリマーの架橋密度を高めてスペーサーの剛直性を上げてエッチング耐性を上げることもできる。フォトレジストパターンの外側に形成した珪素化合物の架橋部6のうち、レジストパターンの上部の架橋部をドライエッチングでエッチバックし、レジストパターンの側壁にスペーサー7を形成する(図1−5)。スペーサーをマスクにしてカーボン膜3をエッチングすると同時にレジストパターンの除去を行い(図1−6)、エッチング加工後のカーボン膜3’をマスクにして被加工基板をエッチング加工し、被加工層パターン2’を得る(図1−7)。
R41 m1R42 m2R43 m3Si(OR)(4−m1−m2−m3) (1)
(Rは炭素数1〜3のアルキル基であり、R41、R42、R43はそれぞれ独立して、水素原子又は炭素数1〜30の1価の有機基であり、m1、m2、m3はそれぞれ独立して、0又は1である。)
本発明に用いられるシロキサン結合を有する珪素化合物は、上記一般式(1)で示されるモノマーから選ばれる1種又は2種以上の混合物を加水分解したものを用いることができる。
(式中、Pは水素原子、ヒドロキシル基、下記式で示されるエポキシ環を有する基、
フォトレジストパターンを溶解させない溶媒とは、水、炭素数3〜8のアルコール及びこれらの混合溶媒である。炭素数3〜8のアルコールは具体的には、n−プロパノール、イソプロピルアルコール、1−ブチルアルコール、2−ブチルアルコール、イソブチルアルコール、tert−ブチルアルコール、1−ペンタノール、2−ペンタノール、3−ペンタノール、tert−アミルアルコール、ネオペンチルアルコール、2−メチル−1−ブタノール、3−メチル−1−ブタノール、3−メチル−3−ペンタノール、シクロペンタノール、1−ヘキサノール、2−ヘキサノール、3−ヘキサノール、2,3−ジメチル−2−ブタノール、3,3−ジメチル−1−ブタノール、3,3−ジメチル−2−ブタノール、2−ジエチル−1−ブタノール、2−メチル−1−ペンタノール、2−メチル−2−ペンタノール、2−メチル−3−ペンタノール、3−メチル−1−ペンタノール、3−メチル−2−ペンタノール、3−メチル−3−ペンタノール、4−メチル−1−ペンタノール、4−メチル−2−ペンタノール、4−メチル−3−ペンタノール、シクロヘキサノール等を挙げることが出来る。
また、炭素数1及び2のアルコールは、水と混合することにより、フォトレジストの溶解性を調整可能な溶媒として用いることが出来る。
添加量は組成物に含まれる珪素化合物の総量100質量部に対して0.001〜25質量部、好ましくは0.01〜15質量部、より好ましくは0.1〜5質量部である。あるいは、上記有機酸を組成物のpHに換算して、好ましくは0≦pH≦7、より好ましくは、0.3≦pH≦6.5、更に好ましくは0.5≦pH≦6となるように配合することがよい。
このような安定剤を添加すると、酸の電荷がより安定化し、組成物中の有機珪素化合物の安定化に寄与する。
フォトレジスト膜材料に添加されるベースポリマーとして、各々のモノマーを組み合わせてテトラヒドロフラン溶媒下で共重合反応を行い、メタノールに晶出し、更にヘキサンで洗浄を繰り返した後に単離、乾燥して、以下に示す組成のベースポリマー(ポリマー1〜3)を得た。得られた各ベースポリマーの組成は1H−NMR、分子量及び分散度はゲルパーミエーションクロマトグラフにより確認した。
メタノール60g、イオン交換水200g、35%塩酸1gを1,000mlガラスフラスコに仕込み、テトラエトキシシラン50g、メチルトリメトキシシラン100g及びフェニルトリメトキシシラン10gの混合物を室温で加えた。そのまま、8時間室温で加水分解縮合させた後、メタノール及び副生エタノールを減圧で留去した。そこに、酢酸エチル800ml及び4−メチル−2−ペンタノール300mlを加え、水層を分液し、反応で使用した塩酸を除去した。残った有機層に1%マレイン酸水溶液100mlを加えて撹拌、静置、分液した。これを2回繰り返した後、イオン交換水100mlを加えて撹拌、静置、分液した。これを3回繰返した。残った有機層に4−メチル−2−ペンタノールを200ml加えて、減圧で濃縮してシロキサンポリマーの4−メチル−2−ペンタノール溶液300g(ポリマー濃度21%)を得た。得られた溶液をイオンクロマトグラフでクロルイオンを分析したところ、検出されなかった。このもののポリスチレン換算分子量を測定したところMw=2,000であった。
上記のように形成したフォトレジストパターンに、シロキサンポリマーの側壁(架橋部)を付けるため、下記の材料を混合し、均一化した後、0.1μmのフッ素樹脂製フィルターでろ過することによってシロキサンポリマー溶液を調整した。
上記濃度21%のポリマー溶液 10質量部
4−メチル−2−ペンタノール 90質量部
マレイン酸 0.05重量部
(フォトレジスト材料の調製)
上記で合成したベースポリマー(ポリマー1〜3)を用いて、下記表1に示す組成で溶解させた溶液を0.2μmサイズのフィルターで濾過してレジスト溶液を調製した。
酸発生剤:PAG1(下記一般式参照)
CyH(シクロヘキサノン)
表1中に示されるレジスト膜材料を基板上にスピンコーティングし、ホットプレートを用いて100℃で60秒間ベークし、レジスト膜の厚みを100nmにした。
これをArFエキシマレーザースキャナー(株式会社 ニコン製、NSR−S307E,NA0.85、σ0.93/0.69、20度ダイポール照明、6%ハーフトーン位相シフトマスク)を用いて露光し、露光後、直ちに100℃で60秒間ベークし、2.38質量%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で30秒間現像を行って、寸法が約50nmでピッチが140nmのポジ型のパターンを得た。
その結果、最終的に得られたパターンも良好なものであった。
21…基板、 22…被加工層、 22’…加工後の被加工層 23…ハードマスク、 23’…ハードマスクパターン、 24…フォトレジストパターン、 25…珪素酸化膜、 26…スペーサー、 27…スペース部分 28…スペーサースペース
31…基板、 32…被加工層、 32’…加工後の被加工層 33…ハードマスク、 33’…ハードマスクパターン、 34…フォトレジストパターン、 35…珪素酸化膜、 36…スペーサー、 37…スペース部分、 38…スペーサーライン。
Claims (8)
- 少なくとも、基板上にフォトレジスト膜を成膜し、該フォトレジスト膜を高エネルギー線で露光し、現像液を用いて現像し、フォトレジストパターンを形成した後、該フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成して基板上にパターンを形成するパターン形成方法において、少なくとも、前記フォトレジスト膜を成膜する工程は、塩基発生剤を含有するフォトレジスト膜材料を用いることにより前記フォトレジスト膜を形成し、前記フォトレジストパターンの側壁にスペーサーを形成する工程は、前記フォトレジストパターン上にシロキサン結合を有する珪素化合物を含む溶液を塗布した後、ベークによって前記フォトレジストパターン内に前記塩基発生剤よりアミン化合物を発生させ、該アミン化合物を触媒として前記フォトレジストパターンの外側に前記珪素化合物の架橋部を形成し、その後、未架橋の珪素化合物を除去することにより前記スペーサーを形成することを特徴とするパターン形成方法。
- 前記塩基発生剤として、カーバメート構造を有するものを用いることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
- 前記シロキサン結合を有する珪素化合物を含む溶液として、水及び/又は炭素数1〜8のアルコールを溶媒とするものを用いることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のパターン形成方法。
- 前記シロキサン結合を有する珪素化合物として、下記一般式(1)に示されるモノマーの加水分解縮合物を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
R41 m1R42 m2R43 m3Si(OR)(4−m1−m2−m3) (1)
(Rは炭素数1〜3のアルキル基であり、R41、R42、R43はそれぞれ独立して水素原子、又は炭素数1〜30の1価の有機基であり、m1、m2、m3はそれぞれ独立して0又は1である。) - 前記塩基発生剤として、下記一般式(2)〜(7)で示される少なくとも1種以上の塩基発生剤を用いることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記フォトレジストパターンの側壁に形成されるスペーサーは、前記フォトレジストパターンの外側に形成した珪素化合物の架橋部のうち、前記フォトレジストパターン上部の架橋部を除去することで形成し、該フォトレジストパターンの側壁のスペーサーをマスクにして下層の被加工基板を加工することを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載のパターン形成方法。
- 前記被加工基板上に前記フォトレジスト膜を形成する前に、CVD法あるいはスピンコート法により炭素含有率が75重量%以上のカーボン膜を形成し、該カーボン膜は、前記フォトレジストパターンの側壁のスペーサーをマスクとしてドライエッチングにより加工され、加工された該カーボン膜をマスクにして前記被加工基板を加工することを特徴とする請求項6に記載のパターン形成方法。
- 前記カーボン膜と前記フォトレジスト膜との間に炭化水素材料からなる反射防止膜を形成することを特徴とする請求項7に記載のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009173240A JP5184460B2 (ja) | 2009-07-24 | 2009-07-24 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009173240A JP5184460B2 (ja) | 2009-07-24 | 2009-07-24 | パターン形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011027980A JP2011027980A (ja) | 2011-02-10 |
JP5184460B2 true JP5184460B2 (ja) | 2013-04-17 |
Family
ID=43636806
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009173240A Expired - Fee Related JP5184460B2 (ja) | 2009-07-24 | 2009-07-24 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5184460B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9570304B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming fine patterns in an anti-reflection layer for use as a patterning hard mask |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5624742B2 (ja) * | 2009-10-02 | 2014-11-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
KR101609592B1 (ko) | 2011-02-17 | 2016-04-06 | 후지필름 가부시키가이샤 | 간극 매입용 조성물, 그것을 사용한 간극 매입 방법 및 반도체 소자의 제조 방법 |
JP6108765B2 (ja) * | 2011-12-19 | 2017-04-05 | キヤノン株式会社 | 光硬化性組成物およびパターン形成方法 |
JP5818710B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2015-11-18 | 東京応化工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5829994B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2015-12-09 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP2014211541A (ja) * | 2013-04-18 | 2014-11-13 | Jsr株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
JP5926752B2 (ja) | 2014-02-20 | 2016-05-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
WO2016051985A1 (ja) * | 2014-09-29 | 2016-04-07 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法、及び電子デバイスの製造方法 |
TWI632437B (zh) * | 2014-11-07 | 2018-08-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 用於形成凸紋影像的方法 |
WO2016190261A1 (ja) | 2015-05-25 | 2016-12-01 | 日産化学工業株式会社 | レジストパターン塗布用組成物 |
CN109791376B (zh) | 2016-10-04 | 2023-01-10 | 日产化学株式会社 | 使用了溶剂置换法的抗蚀剂图案涂布用组合物的制造方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7790357B2 (en) * | 2006-09-12 | 2010-09-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of forming fine pattern of semiconductor device |
US7838198B2 (en) * | 2007-12-13 | 2010-11-23 | International Business Machines Corporation | Photoresist compositions and method for multiple exposures with multiple layer resist systems |
JP5663140B2 (ja) * | 2009-01-22 | 2015-02-04 | 東京応化工業株式会社 | 被覆パターン形成方法、レジスト被覆膜形成用材料、パターン形成方法 |
TWI476816B (zh) * | 2009-06-26 | 2015-03-11 | 羅門哈斯電子材料有限公司 | 自我對準間隔之多重圖案化方法 |
-
2009
- 2009-07-24 JP JP2009173240A patent/JP5184460B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9570304B2 (en) | 2015-03-31 | 2017-02-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming fine patterns in an anti-reflection layer for use as a patterning hard mask |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011027980A (ja) | 2011-02-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5184460B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP4982457B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5112380B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5446648B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5576923B2 (ja) | 浸漬リソグラフィ用の組成物及びプロセス | |
EP1762895B1 (en) | Antireflective Hard Mask Compositions | |
JP5038354B2 (ja) | ケイ素含有反射防止膜形成用組成物、ケイ素含有反射防止膜形成基板及びパターン形成方法 | |
JP5453361B2 (ja) | ケイ素含有レジスト下層膜形成用組成物、及びパターン形成方法 | |
JP4985987B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP6012600B2 (ja) | フォトレジストパターン上にコーティングするための組成物 | |
JP5830041B2 (ja) | ポリシロキサン含有レジスト下層膜形成用組成物、及びこれを用いたパターン形成方法 | |
JP2008158002A (ja) | レジスト下層膜用組成物及びその製造方法 | |
KR101296889B1 (ko) | 리버스 패터닝 방법 및 재료 | |
JP2021534315A (ja) | 高解像度パターニングのためのシラノール含有有機‐非有機ハイブリッドコーティング | |
KR20190059902A (ko) | 패턴반전을 위한 피복 조성물 | |
KR20190059893A (ko) | 용제치환법을 이용한 레지스트패턴 도포용 조성물의 제조방법 | |
WO2023008507A1 (ja) | シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物、及びシリコン含有レジスト下層膜 | |
WO2024063044A1 (ja) | シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物 | |
WO2023136250A1 (ja) | シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物、及びシリコン含有レジスト下層膜 | |
WO2024009993A1 (ja) | 積層体の製造方法、及び半導体素子の製造方法 | |
KR20230109157A (ko) | 레지스트 하층막 형성용 조성물 | |
WO2022210944A1 (ja) | シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物 | |
JP2024099520A (ja) | 高解像度パターニングのためのシラノール含有有機‐非有機ハイブリッドコーティング | |
WO2022210901A1 (ja) | シリコン含有レジスト下層膜形成用組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110826 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121219 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121225 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5184460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160125 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |