JP5182176B2 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、表示装置および電子機器に関し、特に、配線の上方に絶縁膜を介して反射層が形成された表示装置および電子機器に関する。

従来、配線の上方に絶縁膜を介して反射層が形成された表示装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１に開示された表示装置では、基板上の表示領域に設けられた複数の画素に、信号、電源などを供給する信号線、電源線などの配線が形成されている。この配線の上方には、絶縁膜が形成されている。そして、絶縁膜の上方には、それぞれの画素ごとに光を反射させるための反射層が形成されている。また、複数の画素はマトリクス状に配置され、配線と反射層とは、平面的に見て、約９０度で交差（直交）するように配置されている。また、反射層の上方には、有機ＥＬ層からなる発光体（発光層）が形成されている。

特開２００７−１２１５３７号公報

しかしながら、上記特許文献１に記載の表示装置では、たとえば、配線の上方に形成された絶縁膜の表面には、配線の側面部の形状を反映した段差部が形成される場合がある。この場合、配線の側面部の形状を反映した絶縁膜の段差部上に反射層が形成されると、反射層の絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分は、反射層の絶縁膜の平坦部の表面上に形成された部分に比べて絶縁膜との密着力が小さくなる。このため、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離しやすいという問題点がある。

この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置および電子機器を提供することである。

課題を解決するための手段および発明の効果

上記目的を達成するために、この発明の第１の局面における表示装置は、複数の画素と、複数の画素のそれぞれに信号または電源を供給する配線と、配線を覆う絶縁膜と、絶縁膜を覆うとともに、平面的に配線と交差する側面部を有する反射層とを備え、配線の断面形状は、底辺部および上方に向かって内側に傾斜する側面部を有した台形形状であり、配線の反射層の側面部に沿った断面形状の側面部と底辺部とのなす角度は、配線の幅方向の断面形状の側面部と底辺部とのなす角度より小さい。

この発明の第１の局面による表示装置では、上記のように、配線の断面形状が、底辺部および上方に向かって内側に傾斜する側面部を有した台形形状であり、配線の反射層の側面部に沿った断面形状の側面部と底辺部とのなす角度を、配線の幅方向の断面形状の側面部と底辺部とのなす角度より小さくすることによって、たとえば、絶縁膜の配線の側面部に対応する部分に段差部が形成される場合に、配線の反射層の側面部に沿った断面形状の側面部と底辺部とのなす角度が小さくなった分、絶縁膜の段差部の角度を小さくすることができるので、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜は、配線の側面部に対応する部分に段差部を含み、反射層は、絶縁膜の段差部を覆うように形成され、配線の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている。このように構成すれば、配線の側面部と反射層の側面部とが、平面的に見て、９０度の角度で交差（直交）するように配置される場合と比べて、配線の側面部と反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、交差する部分の配線の表面上に形成された反射層の側面部の傾斜角度が小さくなるので、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。

この場合、好ましくは、画素は、矩形形状を有するとともに、反射層の側面部は、平面的に見て、画素の矩形形状に沿って形成されており、配線の側面部は、平面的に見て、画素の矩形形状に沿って延びる反射層の側面部に対して、直交しないように配置されている。このように構成すれば、画素の矩形形状に沿って延びる反射層の側面部の形状を変更することなく、容易に、反射層の側面部と配線の側面部とを９０度よりも小さい角度で交差するように構成することができる。

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、配線は、電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む。このように構成すれば、電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、交差する部分の電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方の表面上に形成された反射層の側面部の傾斜角度が小さくなるので、電源線または信号線の少なくとも一方に対応する絶縁膜の段差部の表面上に形成された反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。

この場合、好ましくは、配線は、信号線と、平面的に見て、信号線に対して略直交する方向に延びるように配置された帯状の電源線とを含み、帯状の電源線の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている。このように構成すれば、帯状の電源線の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、交差する部分の帯状の電源線の表面上に形成された反射層の側面部の傾斜角度が小さくなる。その結果、信号線と略直交する方向に延びる帯状の電源線に対応する絶縁膜の段差部の表面上に反射層が形成される場合に、反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。

上記配線が電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む表示装置において、好ましくは、配線は、信号線と、信号線の延びる方向に沿った方向に、線状に延びるように形成された電源線とを含み、線状の電源線の反射層の側面部と交差する部分の両方の側面部は、平面的に見て、反射層の側面部に対して直交しないとともに、互いに平行に配置されている。このように構成すれば、線状の電源線の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、線状の電源線の側面部と反射層の側面部とが９０度で交差（直交）する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線の延びる方向に沿って延びる線状の電源線に対応する絶縁膜の段差部の表面上に反射層が形成される場合に、反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。

上記配線が電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む表示装置において、好ましくは、配線は、信号線を含み、信号線には、信号線の延びる方向に交差する方向に突出する突出部が形成されており、信号線の突出部の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている。このように構成すれば、信号線の突出部の側面部と、反射層の側面部との交差する部分の長さが大きくなるので、信号線の突出部の側面部と反射層の側面部とが９０度で交差（直交）する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の絶縁膜の段差部の傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線の突出部に対応する絶縁膜の段差部の表面上に形成された反射層が絶縁膜から剥離するのを抑制することができる。

上記配線が電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む表示装置において、好ましくは、配線は、電源線と信号線との両方を含み、電源線と信号線とは、同一層からなる。このように構成すれば、反射層と９０度よりも小さい角度で交差する電源線と信号線とを同一工程により形成することができる。

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、配線の一方の側面部と反射層の側面部とは、平面的に見て、５度以上６０度以下の角度範囲で交差するように配置されている。このように構成すれば、反射層が絶縁膜から剥離するのをより有効に抑制することができる。

上記第１の局面による表示装置において、好ましくは、絶縁膜は、有機平坦化膜からなる。このように構成すれば、有機平坦化膜からなる絶縁膜は、絶縁膜下の形状が反映されにくいので、絶縁膜の表面に形成される段差部の高さを小さくすることができる。これにより、段差部の傾斜角度を小さくすることができるので、絶縁膜の段差部の表面上に形成された反射層が剥離するのをより抑制することができる。

この発明の第２の局面による電子機器は、上記のいずれかの構成を有する表示装置を備える。このように構成すれば、反射層のうち絶縁膜の段差部の表面上に形成された部分が絶縁膜から剥離するのを抑制することが可能な表示装置を備えた電子機器を得ることができる。

本発明の表示装置の概略的な構造を説明するための概念図である。 比較例による表示装置の概略的な構造を説明するための概念図である。 本発明の第１実施形態によるＥＬ装置の平面図である。 図８の５００−５００線に沿った断面図である。 本発明の第１実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。 本発明の第１実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。 本発明の第１実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。 本発明の第１実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。 図８に示した第１実施形態によるＥＬ装置の画素の拡大平面図である。 図８の６００−６００線に沿った断面図である。 比較例によるＥＬ装置を説明するための画素の平面図である。 図１１の７００−７００線に沿った断面図である。 本発明の第２実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。 本発明の第２実施形態によるＥＬ装置の画素の平面図である。 図１４に示した第２実施形態によるＥＬ装置の画素の拡大平面図である。 比較例によるＥＬ装置を説明するための画素の平面図である。 本発明の第１および第２実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の第１の例を説明するための図である。 本発明の第１および第２実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の第２の例を説明するための図である。 本発明の第１および第２実施形態によるＥＬ装置を用いた電子機器の第３の例を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。

本発明の具体的な実施形態を説明する前に、図１を参照して、本発明のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置１００の概略的な構造について説明する。なお、ＥＬ装置１００は、本発明の「表示装置」の一例である。図１（ａ）および（ｂ）は、それぞれ、本発明の概略的な構造の平面図および断面図である。

本発明のＥＬ装置１００では、図１に示すように、基板１１０の表面上には、ＴＦＴ配線１１１が形成されている。なお、ＴＦＴ配線１１１は、本発明の「配線」の一例である。このＴＦＴ配線１１１の断面形状は、底辺部１１１ｂおよび上方に向かって内側に傾斜する側面部１１１ａを有した台形形状である。ＴＦＴ配線１１１の上方に形成される反射層１１３は、ＴＦＴ配線１１１と交差する側面部１１３ａを有している。この反射層１１３の側面部１１３ａに沿ったＴＦＴ配線１１１の断面形状の側面部１１１ａと底辺部１１１ｂとのなす角度α１は、図２に示すＴＦＴ配線１２１の幅方向の断面形状の側面部１２１ａと底辺部１２１ｂとのなす角度β１より小さく形成されている。また、ＴＦＴ配線１１１は、反射層１１３と交差する部分の断面においては、基板１１０の表面に対して上方に向かって内側に９０度未満の角度α１で傾斜する側面部１１１ａを有している。

また、基板１１０、ＴＦＴ配線１１１を覆うように、有機平坦化膜１１２が形成されている。なお、有機平坦化膜１１２は、本発明の「絶縁膜」の一例である。この有機平坦化膜１１２は、表面を平坦にすることが形成の目的である。しかしながら、有機平坦化膜１１２の膜厚、下層形成物の形状などによっては、表面を完全に平坦にすることが難しいため、有機平坦化膜１１２のＴＦＴ配線１１１の側面部１１１ａに対応する部分には、ＴＦＴ配線１１１の外形形状を反映した段差部１１２ａが形成されている。この段差部１１２ａは、基板１１０の表面に対して、ＴＦＴ配線１１１の側面部１１１ａの角度α１よりも小さい角度α２で傾斜するように形成されている。また、有機平坦化膜１１２の表面上には、反射層１１３が形成されている。

ここで、本発明のＥＬ装置１００では、平面的に見て、ＴＦＴ配線１１１の側面部１１１ａと、反射層１１３の側面部１１３ａとは、９０度よりも小さい角度α３で交差するように配置されている。また、平面的に見て、ＴＦＴ配線１１１の側面部１１１ａの反射層１１３の側面部１１３ａと交差している部分の長さは、Ｌ１である。また、反射層１１３のＴＦＴ配線１１１の側面部１１１ａに対応する側面部１１３ａの高さは、Ｈ１である。

次に、本発明の比較例によるＥＬ装置１００ａでは、図２に示すように、反射層１２３の側面部１２３ａに沿った方向は、ＴＦＴ配線１２１の幅方向と一致し、反射層１２３の側面部１２３ａに沿ったＴＦＴ配線１２１の断面形状は、急峻な台形形状を有している。また、平面的に見て、基板１２０の表面上に形成されたＴＦＴ配線１２１の側面部１２１ａと、反射層１２３の側面部１２３ａとは、９０度（直角）の角度β２で交差するように配置されている。また、反射層１２３のＴＦＴ配線１２１の側面部１２１ａに対応する側面部１２３ａの高さは、Ｈ２（＝Ｈ１）である。また、平面的に見て、ＴＦＴ配線１２１の側面部１２１ａと、反射層１２３の側面部１２３ａとが交差している部分の長さは、Ｌ２（＜Ｌ１）である。

比較例によるＥＬ装置１００ａの構成では、ＴＦＴ配線１２１と反射層１２３とが交差（直交）する部分の断面において、ＴＦＴ配線１２１は、図１のＴＦＴ配線１１１の角度α１よりも大きい角度β１で内側に傾斜している。また、ＴＦＴ配線１２１と反射層１２３とが交差（直交）する部分の断面において、有機平坦化膜１２２のＴＦＴ配線１２１の側面部１２１ａに対応する段差部１２２ａは、図１に示した有機平坦化膜１１２の段差部１１２ａの角度α２よりも大きい角度β３で傾斜している。

このように、図１に示した本発明のＥＬ装置１００は、図２に示した比較例のＥＬ装置１００ａと異なり、反射層１１３の端部に沿ったＴＦＴ配線１１１の断面形状は、ＴＦＴ配線１１１の幅方向の断面形状より緩慢な台形形状を有している。また、ＴＦＴ配線１１１の側面部１１１ａと反射層１１３の側面部１１３ａとの角度（挟み角）を９０度よりも小さい角度α３により、有機平坦化膜１１２の段差部１１２ａの角度（傾斜）α２が小さくなるので、有機平坦化膜１１２の段差部１１２ａの表面上に形成された反射層１１３の有機平坦化膜１１２に対する密着力が小さくなるのを抑制することが可能である。これにより、有機平坦化膜１１２の段差部１１２ａの表面上に形成された反射層１１３が有機平坦化膜１１２から剥離するのを抑制することができる。

以下、図１に示した本発明の構造をより具体化した実施形態について説明する。

（第１実施形態）
図３を参照して、本発明の第１実施形態によるＥＬ装置１０１の構成について説明する。なお、ＥＬ装置１０１は、本発明の「表示装置」の一例である。また、本発明の第１実施形態では、表示装置の一例としてトップエミッション型のＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置１０１に本発明を適用した場合について説明する。

本発明の第１実施形態によるＥＬ装置１０１では、図３に示すように、基板１の表面上には、矩形形状を有する複数の画素２がマトリクス状に配置された表示領域１ａと、表示領域１ａを囲むように配置される非表示領域１ｂとが設けられている。非表示領域１ｂには、２つの走査線駆動回路３と、１つのデータ線駆動回路４とが設けられている。走査線駆動回路３には、複数のゲート線５が接続されるとともに、データ線駆動回路４には、複数の信号線６が接続されている。なお、信号線６は、本発明の「配線」の一例である。表示領域１ａに配置される複数の画素２は、ゲート線５と信号線６とが交差する位置に配置されている。

画素２は、画素選択用のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）７と、駆動電流制御用のＴＦＴ８と、保持容量９と、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子１０とから構成されている。ＴＦＴ７のゲートは、ゲート線５に接続されている。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の一方は、信号線６に接続されるとともに、他方は、ＴＦＴ８のゲートに接続されている。また、ＴＦＴ８のソース／ドレイン電極の一方は、有機ＥＬ素子１０に接続されるとともに、他方は、共通給電線１１に接続されている。なお、共通給電線１１は、本発明の「配線」および「電源線」の一例である。また、ＴＦＴ７のソース／ドレイン電極の他方およびＴＦＴ８のゲートと共通給電線１１との間には、保持容量９が設けられている。ここで、第１実施形態では、図１０に示すように、共通給電線１１と後述する反射層２３とが交差する部分の断面において、共通給電線１１の反射層２３の側面部２３ａに沿った断面形状の側面部１１ａと底辺部１１ｂとのなす角度Ａ１は、図１２に示す比較例のＥＬ装置１０１ａの共通給電線２１１の幅方向の断面形状の側面部２１１ａと底辺部２１１ｂとのなす角度Ａ２より小さい。

次に、図４〜図１０を参照して、本発明の第１実施形態による画素２の詳細な構成について説明する。

図４に示すように、ＥＬ装置１０１では、基板１の表面上に、バッファ膜１２が形成されているとともに、バッファ膜１２の表面上には、バッファ膜１３が形成されている。バッファ膜１２は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）からなる。バッファ膜１３は、シリコン酸化膜（ＳｉＯ_２膜）からなる。バッファ膜１３の表面上の画素選択用のＴＦＴ７、および、駆動電流制御用のＴＦＴ８が形成される領域には、それぞれ、ポリシリコンなどからなる能動層１４１、および、能動層１４２が形成されている。

また、図５に示すように、保持容量９は、能動層１４１（１４２）と同一層から形成されている活性層９１上に絶縁膜１５（図４参照）を介してゲート層９２が形成されることにより構成されている。

また、図４に示すように、バッファ膜１３の表面上には、能動層１４１（１４２）を覆うように絶縁膜１５が形成されている。なお、絶縁膜１５の能動層１４１（１４２）上に位置する部分は、ゲート絶縁膜として機能する。この絶縁膜１５は、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。ＴＦＴ７のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５１（ゲート線５）が形成されている。このゲート電極５１は、クロムやモリブデンなどからなる。ＴＦＴ８のゲート絶縁膜として機能する絶縁膜１５の表面上には、ゲート電極５２が形成されている。また、絶縁膜１５、ゲート電極５１およびゲート電極５２の表面上には、シリコン酸化膜などからなる層間絶縁膜１６が形成されている。

絶縁膜１５には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１５１ａ（１５２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１５１ｂ（１５２ｂ）が形成されている。また、層間絶縁膜１６には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）を露出するためのコンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）、および、ドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）を露出するためのコンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）が形成されている。

コンタクトホール１６１ａ（１６２ａ）には、能動層１４１（１４２）のソース領域１４１ａ（１４２ａ）に接続するようにソース電極１７（１８）が形成されている。コンタクトホール１６１ｂ（１６２ｂ）には、能動層１４１（１４２）のドレイン領域１４１ｂ（１４２ｂ）に接続するようにドレイン電極１９（２０）が形成されている。

また、図６に示すように、保持容量９の活性層９１と、ＴＦＴ７のソース電極１７（ソース領域１４１ａ）と、ＴＦＴ８のゲート電極５２とは、配線９３により電気的に接続されている。また、信号線６は、Ｙ方向に延びるように形成されている。ここで、第１実施形態では、図７に示すように、共通給電線１１は、信号線６に対して略直交する方向（Ｘ方向）に延びるようにＹ方向の幅の大きい帯状に形成されている。また、保持容量９のゲート層９２と、ＴＦＴ８のドレイン電極２０（ドレイン領域１４２ｂ）と、共通給電線１１とは、電気的に接続されている。また、信号線６と、ＴＦＴ７のドレイン電極１９とは、接続部６１により電気的に接続されている。

また、図４に示すように、ソース電極１７（１８）、ドレイン電極１９（２０）、共通給電線１１、および、層間絶縁膜１６の表面上には、シリコン窒化膜からなり、約１００ｎｍ以上約５００ｎｍ以下の厚みを有するパッシベーション膜２１が形成されている。パッシベーション膜２１の表面上には、感光性のアクリル樹脂からなり絶縁性の有機平坦化膜２２が形成されている。なお、有機平坦化膜２２は、本発明の「絶縁膜」の一例である。

また、第１実施形態では、有機平坦化膜２２の表面は、完全に平坦に形成されずに、図１０に示すように、共通給電線１１の側面部１１ａの外形形状を反映した段差部２２ｂが形成されている。また、共通給電線１１と反射層２３とが交差する部分の断面において、有機平坦化膜２２の共通給電線１１の側面部１１ａに対応する段差部２２ｂは、図１２に示す比較例のＥＬ装置１０１ａの有機平坦化膜２２２の段差部２２２ｂの角度Ａ３よりも小さい角度Ａ４で傾斜している。

また、図４に示すように、パッシベーション膜２１および有機平坦化膜２２には、それぞれ、コンタクトホール２１ａおよびコンタクトホール２２ａが形成されている。このコンタクトホール２１ａおよび２２ａは、ＴＦＴ８のソース電極１８の表面を露出させるために形成されている。

また、有機平坦化膜２２の表面上には、ＡｌＮｄ（アルミニウムネオジウム）などのアルミニウム合金膜やＣｒ（クロム）などの金属膜からなる反射層２３が形成されている。この反射層２３は、図８に示すように、平面的に見て、ＴＦＴ８のソース電極１８が形成されている領域以外の画素２の領域とオーバラップするように配置されている。また、反射層２３の側面部２３ａは、平面的に見て、画素２の矩形形状に沿って延びるように形成されている。

また、第１実施形態では、図９に示すように、Ｙ方向の幅の大きい帯状の共通給電線１１の側面部１１ａと、画素２の矩形形状に沿って形成された反射層２３の側面部２３ａとは、平面的に見て、９０度よりも小さい角度Ａ５で交差するように配置されている。この場合、好ましくは、帯状の共通給電線１１の側面部１１ａと、画素２の矩形形状に沿って形成された反射層２３の側面部２３ａとは、平面的に見て、５度以上６０度以下の角度範囲で交差するように配置するとよい。

また、帯状の共通給電線１１の反射層２３の側面部２３ａと交差する部分のＹ方向の幅（長さ）Ｗ１（図８参照）は、平面的に見て、帯状の共通給電線１１の反射層２３とオーバラップしている部分の中央部分近傍のＹ方向の幅（長さ）Ｗ２よりも小さくなるように形成されている。これにより、帯状の共通給電線１１の側面部１１ａと反射層２３の側面部２３ａとは、平面的に見て、９０度より小さい角度で交差するように配置される。

また、接続部６１のＴＦＴ７のドレイン電極１９と接続される部分には、突出部６ａが形成されている。この突出部６ａは、平面的に見て、台形形状に形成されている。また、第１実施形態では、図９に示すように、突出部６ａの側面部６ｂと、反射層２３の側面部２３ａとは、平面的に見て、９０度よりも小さい角度Ａ６で交差するように配置されている。

また、図１０に示すように、反射層２３の共通給電線１１の側面部１１ａに対応する側面部２３ａの高さは、Ｈ３である。また、共通給電線１１の側面部１１ａと、反射層２３の側面部２３ａとが交差している部分の長さは、Ｌ３である。

また、図４に示すように、反射層２３の表面上および側面には、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）などの無機絶縁膜からなり、約１０ｎｍ以上約１００ｎｍ以下の厚みを有する低温パッシベーション膜２４が形成されている。また、低温パッシベーション膜２４の隣接する画素２の境界部分に対応する部分には、有機平坦化膜２２などに含まれた水分を除去する（水抜きする）ための水分除去用開口部２４ａが形成されている。

また、ＴＦＴ８のソース電極１８、および、低温パッシベーション膜２４の表面上には、画素２毎に、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）などの透明電極からなる画素電極２５が形成されている。この画素電極２５は、画素２にそれぞれ設けられたＴＦＴ８のソース電極１８と電気的に接続されており、表示信号に応じた電圧が印加されるように構成されている。

また、隣接する画素２の間の領域には、低温パッシベーション膜２４の水分除去用開口部２４ａと、水分除去用開口部２４ａの近傍に形成された画素電極２５の表面とを覆うように、隔壁２７が形成されている。

隔壁２７および画素電極２５上に、有機発光層２６が形成されている。なお、有機発光層２６は、本発明の「発光層」の一例である。また、有機発光層２６上には、マグネシウムおよび銀などの金属からなり、半反射可能な対向電極２８が形成されている。対向電極２８上には、封止膜２９が形成されている。封止膜２９まで形成された基板１は、接着剤層３０を介して、封止基板３１と貼り合わされている。

上記のような構成により、有機発光層２６から出射された光を、反射層２３と対向電極２８との間で共振させることが可能となり、光強度を強めた状態で対向電極２８側から光を出射させることができる。

また、上記のような構成において、画素電極２５を陽極、対向電極２８を陰極とした場合には、共通給電線１１（図３参照）に正電源、対向電極２８に負電源を接続する。そして、ＴＦＴ７により選択された画素２は、信号線６からの信号に応じてＴＦＴ８により共通給電線１１からの駆動電流が制御されるとともに画素電極２５に印加される。これにより、有機発光層２６から光が出射されるように構成されている。

第１実施形態では、上記のように、共通給電線１１の反射層２３の側面部２３ａに沿った断面形状の側面部１１ａと底辺部１１ｂとのなす角度Ａ１を、共通給電線２１１の幅方向の断面形状の側面部２１１ａと底辺部２１１ｂとのなす角度Ａ２より小さくする。これにより、図１１に示す比較例のＥＬ装置１０１ａのように、共通給電線２１１の側面部２１１ａと反射層２２３の側面部２２３ａとが、平面的に見て、９０度の角度で交差するように配置される場合の、図１２に示す、共通給電線２１１の側面部２１１ａと反射層２２３の側面部２２３ａとの交差する部分の長さＬ４に比べて、本発明のＥＬ装置１０１の交差する部分の長さＬ３（図１０参照）の方が大きくなる。その結果、交差する部分の長さが大きくなった分、有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度Ａ４が小さくなる。これにより、共通給電線１１の表面上に形成された反射層２３の側面部２３ａの傾斜角度Ａ４が、比較例によるＥＬ装置１０１ａの有機平坦化膜２２２の段差部２２２ｂおよび反射層２２３の側面部２２３ａの傾斜角度Ａ３（図１２参照）よりも小さくなるので、本発明のＥＬ装置１０１の反射層２３のうち有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に形成された部分が有機平坦化膜２２から剥離するのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、上記のように、共通給電線１１の側面部１１ａと反射層２３の側面部２３ａとを、平面的に見て、直交しない角度Ａ５で交差するように配置することによって、共通給電線１１の側面部１１ａと反射層２３の側面部２３ａとが、平面的に見て、９０度の角度で交差（直交）するように配置される場合と比べて、共通給電線１１の側面部１１ａと反射層２３の側面部２３ａとの交差する部分の長さが大きくなるので、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度Ａ４が小さくなる。これにより、交差する部分の共通給電線１１の表面上に形成された反射層２３の側面部２３ａの傾斜角度が小さくなるので、反射層２３のうち有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に形成された部分が有機平坦化膜２２から剥離するのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、上記のように、帯状の共通給電線１１の側面部１１ａと反射層２３の側面部２３ａとを、平面的に見て、直交しないように配置することによって、帯状の共通給電線１１の側面部１１ａと、反射層２３の側面部２３ａとの交差する部分の長さＬ３が大きくなるので、交差する部分の長さＬ３が大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度Ａ４が小さくなる。これにより、交差する部分の帯状の共通給電線１１の表面上に形成された反射層２３の側面部２３ａの傾斜角度Ａ４が小さくなる。その結果、信号線６と略直交する方向（Ｘ方向）に延びる帯状の共通給電線１１に対応する有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に反射層２３が形成される場合に、反射層２３が有機平坦化膜２２から剥離するのを抑制することができる。

また、第１実施形態では、上記のように、共通給電線１１の一方の側面部１１ａと反射層２３の側面部２３ａとを、平面的に見て、５度以上６０度以下の角度範囲で交差するように配置することによって、反射層２３が有機平坦化膜２２から剥離するのをより有効に抑制することができる。

また、第１実施形態では、上記のように、絶縁膜が、有機平坦化膜２２からなることによって、有機平坦化膜２２からなる絶縁膜は、絶縁膜下の形状が反映されにくいので、絶縁膜の表面に形成される段差部２２ｂの高さＨ３を小さくすることができる。これにより、有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度Ａ４を小さくすることができる。これにより、有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に形成された反射層２３が剥離するのをより抑制することができる。

（第２実施形態）
次に、図１３および図１４を参照して、本発明の第２実施形態について説明する。この第２実施形態では、上記した第１実施形態とは異なり、共通給電線３１１を幅の小さい線状に形成した場合について説明する。

本発明の第２実施形態によるＥＬ装置１０２では、図１３に示すように、共通給電線３１１は、信号線６と略平行方向のＹ方向に延びるように、Ｘ方向の幅の小さい線状に形成されている。なお、ＥＬ装置１０２は、本発明の「表示装置」の一例であり、共通給電線３１１は、本発明の「配線」および「電源線」の一例である。この共通給電線３１１と、信号線６とは、Ａｌ（アルミニウム）などの同一の金属層からなる。

信号線６には、信号線６の延びる方向（Ｙ方向）に交差する方向（矢印Ｘ１方向側）に向かって突出部３０６が形成されている。この突出部３０６の両方の側面部３０６ａは、平面的に見て、互いに平行に配置されている。

図１４に示すように、共通給電線３１１の表面上には、反射層３２３が形成されている。ここで、第２実施形態では、図１５に示すように、共通給電線３１１の側面部３１１ａと、反射層３２３の側面部３２３ａとが交差する部分の断面において、共通給電線３１１の反射層３２３の側面部３２３ａと交差する部分の両方の側面部３１１ａは、平面的に見て、９０度よりも小さい角度Ａ７で交差するとともに、互いに平行に延びるように形成されている。

また、第２実施形態では、信号線６の突出部３０６の側面部３０６ａと、反射層３２３の側面部３２３ａとが交差する部分の断面において、信号線６の突出部３０６の側面部３０６ａと、反射層３２３の側面部３２３ａとは、平面的に見て、９０度よりも小さい角度Ａ８で交差するように配置されている。

なお、第２実施形態のその他の構成は、上記した第１実施形態の構成と同様である。

第２実施形態では、上記のように、共通給電線３１１の側面部３１１ａと反射層３２３の側面部３２３ａとを、平面的に見て、直交しない角度Ａ７で交差するように配置する。これにより、図１６に示す比較例のＥＬ装置１０２ａのように、共通給電線４１１の側面部４１１ａと反射層４２３の側面部４２３ａとが、平面的に見て、９０度の角度で交差するように配置される場合の、共通給電線４１１の側面部４１１ａと反射層４２３の側面部４２３ａとの交差する部分の長さに比べて、本発明のＥＬ装置１０２の交差する部分の長さの方が大きくなる。その結果、交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度が小さくなる。これにより、共通給電線３１１の表面上に形成された反射層３２３の側面部３２３ａの傾斜角度Ａ７が、比較例によるＥＬ装置１０２ａの有機平坦化膜の段差部および反射層の側面部の傾斜角度よりも小さくなるので、本発明のＥＬ装置１０２の反射層３２３のうち有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に形成された部分が有機平坦化膜２２から剥離するのを抑制することができる。

また、第２実施形態では、上記のように、線状の共通給電線３１１の反射層３２３の側面部３２３ａと交差する部分の両方の側面部３１１ａを、平面的に見て、反射層３２３の側面部３２３ａに対して直交しない角度Ａ７で傾斜させるとともに、互いに平行に配置することによって、線状の共通給電線３１１の側面部３１１ａと、反射層３２３の側面部３２３ａとの交差する部分の長さが大きくなるので、線状の共通給電線３１１の側面部３１１ａと反射層３２３の側面部３２３ａとが９０度で交差（直交）する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線６の延びる方向（Ｙ方向）に沿って延びる線状の共通給電線３１１に対応する有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に反射層３２３が形成される場合に、反射層３２３が有機平坦化膜２２から剥離するのを抑制することができる。

また、第２実施形態では、上記のように、信号線６の突出部３０６の側面部３０６ａと反射層３２３の側面部３２３ａとを、平面的に見て、直交しないように配置することによって、信号線６の突出部３０６の側面部３０６ａと、反射層３２３の側面部３２３ａとの交差する部分の長さが大きくなるので、信号線６の突出部３０６の側面部３０６ａと反射層３２３の側面部３２３ａとが９０度で交差（直交）する場合と比べて交差する部分の長さが大きくなった分、交差する部分の有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの傾斜角度が小さくなる。これにより、信号線６の突出部３０６に対応する有機平坦化膜２２の段差部２２ｂの表面上に形成された反射層３２３が有機平坦化膜２２から剥離するのを抑制することができる。

また、第２実施形態では、上記のように、共通給電線３１１と信号線６とが、同一層からなることによって、反射層３２３と９０度よりも小さい角度で交差する共通給電線３１１と信号線６とを同一工程により形成することができる。

図１７〜図１９は、それぞれ、上記した第１および第２実施形態によるＥＬ装置１０１および１０２を用いた電子機器の第１の例〜第３の例を説明するための図である。図１７〜図１９を参照して、第１および第２実施形態によるＥＬ装置１０１および１０２を用いた電子機器について説明する。

第１および第２実施形態によるＥＬ装置１０１および１０２は、図１７〜図１９に示すように、第１の例としてのＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）２００、第２の例としての携帯電話３００、および、第３の例としての情報携帯端末４００（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。図１７の第１の例によるＰＣ２００においては、キーボードなどの入力部２００ａおよび表示画面２００ｂなどに第１および第２実施形態によるＥＬ装置１０１および１０２を用いることが可能である。図１８の第２の例による携帯電話３００においては、表示画面３００ａに第１および第２実施形態によるＥＬ装置１０１および１０２が用いられる。図１９の第３の例による情報携帯端末４００においては、表示画面４００ａに第１および第２実施形態によるＥＬ装置１０１および１０２が用いられる。

なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。

たとえば、上記第１および第２実施形態では、配線の一例として帯状の電源線、線状の電源線および信号線を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、帯状の電源線、線状の電源線および信号線以外の配線と反射層との関係において本発明を適用してもよい。

また、上記第１および第２実施形態では、発光層の一例として有機ＥＬ素子の有機発光層を用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、有機ＥＬ素子の有機発光層以外の発光層を適用してもよい。

また、上記第１および第２実施形態では、絶縁膜の一例として感光性のアクリル系樹脂からなる有機平坦化膜を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、感光性のアクリル系樹脂からなる有機平坦化膜以外の絶縁膜を用いる場合にも本発明を適用可能である。

２ 画素
６ 信号線（配線）
６ａ、３０６ 突出部
６ｂ、３０６ａ 側面部
１１、３１１ 共通給電線（配線）（電源線）
１１ａ、１１３ａ、３１１ａ 側面部
２２、１１２ 有機平坦化膜（絶縁膜）
２２ｂ、１１２ａ 段差部
２３、１１３、３２３ 反射層
２３ａ、１１３ａ、３２３ａ 側面部
２６ 有機発光層（発光層）
１００、１０１、１０２ ＥＬ装置（表示装置）
１１１ ＴＦＴ配線（配線）
２００ ＰＣ（電子機器）
３００ 携帯電話（電子機器）
４００ 情報携帯端末（電子機器）

Claims (11)

1. 複数の画素と、
   前記複数の画素のそれぞれに信号または電源を供給する配線と、
   前記配線を覆う絶縁膜と、
   前記絶縁膜を覆うとともに、平面的に前記配線と交差する側面部を有する反射層とを備え、
   前記配線の断面形状は、底辺部および上方に向かって内側に傾斜する側面部を有した台形形状であり、
   前記配線の前記反射層の側面部に沿った断面形状の前記側面部と前記底辺部とのなす角度は、前記配線の幅方向の断面形状の前記側面部と前記底辺部とのなす角度より小さい、表示装置。
2. 前記絶縁膜は、前記配線の側面部に対応する部分に段差部を含み、
   前記反射層は、前記絶縁膜の段差部を覆うように形成され、
   前記配線の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記画素は、矩形形状を有するとともに、前記反射層の側面部は、平面的に見て、前記画素の矩形形状に沿って形成されており、
   前記配線の側面部は、平面的に見て、前記画素の矩形形状に沿って延びる前記反射層の側面部に対して、直交しないように配置されている、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記配線は、電源線または信号線のうち少なくともいずれか一方を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の表示装置。
5. 前記配線は、前記信号線と、平面的に見て、前記信号線に対して略直交する方向に延びるように配置された帯状の前記電源線とを含み、
   前記帯状の電源線の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている、請求項４に記載の表示装置。
6. 前記配線は、前記信号線と、前記信号線の延びる方向に沿った方向に、線状に延びるように形成された前記電源線とを含み、
   前記線状の電源線の前記反射層の側面部と交差する部分の両方の側面部は、平面的に見て、前記反射層の側面部に対して直交しないとともに、互いに平行に配置されている、請求項４に記載の表示装置。
7. 前記配線は、前記信号線を含み、
   前記信号線には、前記信号線の延びる方向に交差する方向に突出する突出部が形成されており、
   前記信号線の突出部の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、直交しないように配置されている、請求項４に記載の表示装置。
8. 前記配線は、前記電源線と前記信号線との両方を含み、
   前記電源線と前記信号線とは、同一層からなる、請求項４に記載の表示装置。
9. 前記配線の一方の側面部と前記反射層の側面部とは、平面的に見て、５度以上６０度以下の角度範囲で交差するように配置されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
10. 前記絶縁膜は、有機平坦化膜からなる、請求項１〜９のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 請求項１〜１０のいずれか１項に記載の表示装置を備える電子機器。

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