JP5180501B2 - 測距装置及び測距方法 - Google Patents

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Description

本発明は、測距装置及び測距方法に関するものであり、例えば変調光により照射された被検出物からの反射光の位相の遅れを撮像素子の各画素ごとに検出して被検出物の立体構造を検出する場合に好適な測距装置及び測距方法に関する。
被検出物までの距離を測定する方法として、TOF(Time Of Flight)方式の光波測距方法が知られている。
この方式による装置は、図17に示すように、例えばLEDアレイで構成され、強度変調された光(変調光)を出射する光源200と、該光源200から出射された変調光によって照射された被検出物202からの反射光を受光する撮像素子204と、反射光を撮像素子204に結像させる光学系206とを有する。
光源200から被検出物202に照射される変調光が例えば20MHzの高周波で強度変調されている場合、その波長は15mとなるから、光が7.5mの距離を往復すれば1周期の位相の遅れが生じることになる。
ここで、変調光に対する反射光の位相の遅れについて図18を参照しながら説明する。
図18に示すように、変調光Wに対して、反射光Rはφだけ位相遅れが生じている。この位相遅れφを検出するために、変調光Wの1周期に例えば4回だけ等間隔に反射光Rをサンプリングする。例えば変調光Wの位相が0°、90°、180°、270°であるときの反射光Rのサンプリング値をそれぞれA0,A1,A2,A3とすると、位相の遅れφは次式で与えられる。
φ=arctan{(A3−A1)/(A0−A2)}
被検出物202からの反射光は、光学系206を介して撮像素子204の受光面に結像される。撮像素子204の受光面には複数の画素(フォトダイオード)が2次元的に配列されており、各画素について上式による位相遅れφを求めることにより、被検出物202の立体的な構造を検出できる。
そして、上述の原理を利用した測距装置として、例えば特許文献1が提案されている。
この特許文献1に係る測距装置は、被検出物からの反射光を、撮像素子の電荷掃き出しゲート(オーバーフロードレインゲート:OFDG)あるいは読出しゲートの開閉の位相をずらすことによって、複数のパターンの露光期間にて受光することで測距を行う、というものである。
具体的に、図19及び図20A〜図20Dを参照しながら説明すると、先ず、第1フレームにおいて、同期信号Saの立ち下がりに基づいて(ステップS1:図20A参照)、光源200から変調光Wが出射され(ステップS2)、該変調光Wによって照射された被検出物202からの反射光Rが撮像素子204に入射される。撮像素子204は、図20Aに示すように、同期信号Saの立ち下がりから時間T1だけ遅れた時点、すなわち、変調光Rの位相が0°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように調整され、さらに、各露光期間Trの周期が2πとなるように調整される。
従って、この第1フレームにおいては、変調光Wの位相が0°であるときの反射光Rの光量が光電変換されて撮像素子204に蓄積されることになる(ステップS3)。撮像素子204に蓄積された電荷は、次の第2フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ、さらにデジタル変換されて(ステップS4)、変調光の位相が0°であるときの反射光Rのサンプリング値A0としてバッファメモリに保存される(ステップS5)。この段階で、光源200からの変調光Wの出射が終了する(ステップS6)。
その後、次の第3フレームにおいて、同期信号Saの立ち下がりに基づいて(ステップS7:図20B参照)、再び光源200から変調光Wが出射され(ステップS8)、該変調光Wによって照射された被検出物202からの反射光Rが撮像素子204に入射される。撮像素子204は、図20Bに示すように、同期信号Saの立ち下がりから時間T2(>T1)だけ遅れた時点、すなわち、変調光Wの位相が90°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように調整され、さらに、各露光期間Trの周期が2πとなるように調整される。
従って、この第3フレームにおいては、変調光Wの位相が90°であるときの反射光Rの光量が光電変換されて撮像素子204に蓄積されることになる(ステップS9)。撮像素子に蓄積された電荷は、次の第4フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ、さらにデジタル変換されて(ステップS10)、変調光Wの位相が90°であるときの反射光Rのサンプリング値A1としてバッファメモリに保存される(ステップS11)。この段階で、光源200からの変調光Wの出射が終了する(ステップS12)。
その後、次の第5フレームにおいて、同期信号Saの立ち下がりに基づいて(ステップS13:図20C参照)、再び光源200から変調光Wが出射され(ステップS14)、該変調光Wによって照射された被検出物202からの反射光Rが撮像素子204に入射される。撮像素子204は、図20Cに示すように、同期信号Saの立ち下がりから時間T3(>T2)だけ遅れた時点、すなわち、変調光Wの位相が180°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように調整され、さらに、各露光期間Trの周期が2πとなるように調整される。
従って、この第5フレームにおいては、変調光Wの位相が180°であるときの反射光Rの光量が光電変換されて撮像素子204に蓄積されることになる(ステップS15)。撮像素子204に蓄積された電荷は、次の第6フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ、さらにデジタル変換されて(ステップS16)、変調光Wの位相が180°であるときの反射光Rのサンプリング値A2としてバッファメモリに保存される(ステップS17)。この段階で、光源200からの変調光Wの出射が終了する(ステップS18)。
その後、次の第7フレームにおいて、同期信号Saの立ち下がりに基づいて(ステップS19:図20D参照)、再び光源200から変調光Wが出射され(ステップS20)、該変調光Wによって照射された被検出物202からの反射光Rが撮像素子204に入射される。撮像素子204は、図20Dに示すように、同期信号Saの立ち下がりから時間T4(>T3)だけ遅れた時点、すなわち、変調光Wの位相が270°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように調整され、さらに、各露光期間Trの周期が2πとなるように調整される。
従って、この第7フレームにおいては、変調光Wの位相が270°であるときの反射光Rの光量が光電変換されて撮像素子204に蓄積されることになる(ステップS21)。撮像素子204に蓄積された電荷は、次の第8フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ、さらにデジタル変換されて(ステップS22)、変調光の位相が270°であるときの反射光Rのサンプリング値A3としてバッファメモリに保存される(ステップS23)。この段階で、光源200からの変調光Wの出射が終了する(ステップS24)。
そして、バッファメモリ内のサンプリング値A0、A1、A2、A3に基づいて、反射光Rの位相遅れφが求められ、さらに、この位相遅れφに基づいて被検出物202までの距離が求められる(ステップS25)。
特許3758618号公報
ところで、上述した測距装置は、同期信号Saの立ち下がりから最初の露光期間Tr(中心位置)までの時間をフレームによって変化させる必要があるため(T1〜T4)、撮像素子204を駆動するための回路が複雑になり、CPUに負担がかかるという問題がある。
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、撮像素子を駆動するための回路を簡単にすることができ、CPUへの負荷を低減することができる測距装置及び測距方法を提供することを目的とする。
第1の本発明に係る測距装置は、一定間隔で同期信号を発生する同期信号発生部と、強度変調された変調光を、前記同期信号の入力に基づいて出射する発光手段と、前記同期信号の入力に基づいて、前記変調光により照射された被検出物からの反射光を受光する受光手段と、前記変調光と前記反射光の位相差から前記被検出物までの距離を算出する演算手段と、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を前記同期信号の発生回数に応じて変化させる同期信号制御手段とを有することを特徴とする。
これにより、受光手段への同期信号の入力タイミングから受光開始時点までの時間を変化させる必要がないため、撮像素子を駆動するための回路を簡単にすることができ、CPUへの負荷を低減することができる。
そして、第1の本発明において、前記受光手段は、前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記反射光の光量をサンプリングするようにしてもよい。
また、第1の本発明において、前記受光手段は、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の時間的長さを変更する露光期間変更部を有し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間に基づいて前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしてもよい。
被検出物や背景が明るく、受光手段にて受光した信号が飽和状態になってしまうような場合は、使用者の操作入力、オートアイリス、撮像素子の電子シャッタ等で露光期間の幅が変更される場合がある。つまり、外部からの制御信号に基づいて露光期間の幅が変更される場合がある。このような場合、通常は、露光期間の中心位置を変化させずに、露光期間の幅を変化させるようにしている。そのため、露光期間の開始時点が変化し、それに応じて、撮像素子に対する駆動信号の印加タイミング等も変えなければならず、キャリブレーションが必要になるという問題がある。
しかし、第1の本発明における前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間に基づいて前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしているため、各露光期間の幅が変化しても、各露光期間の中心位置を変化させる必要がない。従って、上述のようなキャリブレーションは不要となる。
この場合、変更された前記露光期間に対応した受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルが記憶されたメモリを有し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記メモリに記憶された前記テーブルの情報に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしてもよい。これにより、同期信号制御手段は、前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させる際に、テーブルを参照して前記到達時間を変化させることができることから、処理時間の短縮を図ることができる。
もちろん、変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算部を有し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算部からのタイミング情報に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしてもよい。この場合、前記テーブルを格納するためのメモリやメモリ領域を設ける必要がない。
また、第1の本発明において、前記変調光は、一定の周波数にて強度変調され、前記受光手段は、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の周期を変更する露光タイミング変更部を有し、前記発光手段は、前記露光タイミング変更部にて変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記周波数にて強度変調された前記変調光における波形の波長を変更する波長変更部を有し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間の周期に基づいて前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしてもよい。
被検出物までの距離が遠い場合においては、演算された距離が無効な値を示すことがあり、このような場合、CPUからの制御信号や使用者の操作入力に従って変調光の波長が変更される場合がある。つまり、外部からの制御信号に基づいて変調光の波長が変更される場合がある。このような場合、通常は、変調光の変更された波長に合わせて露光期間の中心位置を決定することになるが、予め設定された露光期間の周期に対して整数レベルの変化(整数倍の分周、あるいは整数倍の逓倍)であれば、簡単であるが、実数レベルでの変化ともなると、専用のキャリブレーションが必要になるという問題がある。
しかし、第1の本発明における波長変更部は、上述した外部からの制御信号に基づいて前記変調光における前記波長を変更し、露光タイミング変更部は、上述した外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の周期を変更し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間の周期に基づいて前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしたので、露光期間の周期に合わせて、前記変調光における前記波長を設定することができるため、予め設定された露光期間の周期に対して整数レベル(整数倍の分周、あるいは整数倍の逓倍)で露光タイミングを変化させることができ、回路構成を簡単にすることができる。
この場合、変更された前記露光期間の周期に対応した前記変調光における前記波長と、受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルが記憶されたメモリを有し、前記波長変更部は、前記メモリに記憶された前記テーブルの情報に基づいて、前記変調光における前記波長を変更し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記メモリに記憶された前記テーブルの情報に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしてもよい。
これにより、波長変更部は、変更された前記露光期間に基づいて前記変調光における前記波長を変更する際に、テーブルを参照して前記波長を変更し、同期信号制御手段は、前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させる際に、テーブルを参照して前記到達時間を変化させることができることから、処理時間の短縮を図ることができる。
もちろん、変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記変調光における前記波長を演算する波長演算部と、変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算部とを有し、前記波長変更部は、前記変調光における前記波長を、前記波長演算部にて求められた波長に変更し、前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算部にて求められた受光開始タイミングに基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させるようにしてもよい。この場合、前記テーブルを格納するためのメモリやメモリ領域を設ける必要がない。
また、第1の本発明において、少なくとも以下の処理を行うように構成してもよい。すなわち、
(1)前記発光手段は、前記同期信号発生部からの前記同期信号の入力に基づく第1照射開始から所定期間にわたって変調光を出射し、前記同期信号発生部からの前記同期信号の入力に基づく第2照射開始から所定期間にわたって変調光を出射し、
(2)前記受光手段は、前記第1照射開始に基づいて前記同期信号制御手段から出力される前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記変調光により照射された前記被検出物からの第1反射光を受光し、前記第2照射開始に基づいて前記同期信号制御手段から出力される前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記変調光により照射された前記被検出物からの第2反射光を受光し、
(3)前記演算手段は、少なくとも前記第1変調光と前記第1反射光の位相差と、前記第2変調光と前記第2反射光の位相差とに基づいて、前記被検出物までの距離を演算する。
この場合、前記受光手段は、前記第1照射開始に基づいて出力される前記同期信号制御手段からの前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記第1反射光の光量をサンプリングし、前記第2照射開始に基づいて出力される前記同期信号制御手段からの前記同期信号の入力を基準として前記一定周期ごとに設定された露光期間において前記第2反射光の光量をサンプリングし、前記演算手段は、前記第1反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第1反射光の位相差とし、前記第2反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第2反射光の位相差としてもよい。
また、第1の本発明において、前記演算手段にて算出された前記被検出物までの距離と、前記被検出物までの実測距離との差に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を補正する受光開始補正部を有するようにしてもよい。この場合、被検出物までの距離の誤測定を補正できるため、精度よく、且つ、安定に測距することができる。
次に、第2の本発明に係る測距方法は、一定間隔で同期信号を発生するステップと、強度変調された変調光を、前記同期信号の入力に基づいて出射する発光ステップと、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数に基づいて遅延させる同期信号制御ステップと、前記同期信号の入力に基づいて、前記変調光により照射された被検出物からの反射光を受光する受光ステップと、前記変調光と前記反射光の位相差から前記被検出物までの距離を算出する演算ステップとを有することを特徴とする。
これにより、受光手段への同期信号の入力タイミングから受光開始時点までの時間を変化させる必要がないため、撮像素子を駆動するための回路を簡単にすることができ、CPUへの負荷を低減することができる。
そして、第2の本発明において、前記受光ステップは、前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記反射光の光量をサンプリングするようにしてもよい。
また、第2の本発明において、前記受光ステップは、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の時間的長さを変更する露光期間変更ステップを有し、前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間に基づいて遅延させるようにしてもよい。この場合、変更された前記露光期間に対応した受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルを用い、前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記テーブルの情報に基づいて遅延させるようにしてもよい。あるいは、変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算ステップを有し、前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算部からのタイミング情報に基づいて遅延させるようにしてもよい。
また、第2の本発明において、前記変調光は、一定の周波数にて強度変調され、前記受光ステップは、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の周期を変更する露光タイミング変更ステップを有し、前記発光ステップは、前記露光タイミング変更ステップにて変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記周波数にて強度変調された前記変調光における波形の波長を変更する波長変更ステップを有し、前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間の周期に基づいて遅延させるようにしてもよい。この場合、変更された前記露光期間の周期に対応した前記変調光における前記波長と、受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルを用い、前記波長変更ステップは、前記テーブルの情報に基づいて、前記変調光における前記波長を変更し、前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記テーブルの情報に基づいて遅延させるようにしてもよい。あるいは、変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記変調光における前記波長を演算する波長演算ステップと、変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算ステップとを有し、前記波長変更ステップは、前記変調光における前記波長を、前記波長演算ステップにて求められた波長に変更し、前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算ステップにて求められた受光開始タイミングに基づいて遅延させるようにしてもよい。
また、第2の本発明において、少なくとも以下の処理を行うようにしてもよい。すなわち、
(1)前記発光ステップは、発生した前記同期信号の入力に基づく第1照射開始から所定期間にわたって変調光を出射し、発生した前記同期信号の入力に基づく第2照射開始から所定期間にわたって変調光を出射し、
(2)前記受光ステップは、前記第1照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記変調光により照射された前記被検出物からの第1反射光を受光し、前記第2照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記変調光により照射された前記被検出物からの第2反射光を受光し、
(3)前記演算ステップは、少なくとも前記第1変調光と前記第1反射光の位相差と、前記第2変調光と前記第2反射光の位相差とに基づいて、前記被検出物までの距離を演算する。
この場合、前記受光ステップは、前記第1照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記第1反射光の光量をサンプリングし、前記第2照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力を基準として前記一定周期ごとに設定された露光期間において前記第2反射光の光量をサンプリングし、前記演算ステップは、前記第1反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第1反射光の位相差とし、前記第2反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第2反射光の位相差としてもよい。
また、第2の本発明において、前記演算ステップにて算出された前記被検出物までの距離と、前記被検出物までの実測距離との差に基づいて、前記同期信号制御ステップでの前記同期信号の遅延時間を補正する受光開始補正ステップを有するようにしてもよい。
以上説明したように、本発明に係る測距装置及び測距方法によれば、撮像素子を駆動するための回路も簡単にすることができ、CPUへの負荷を低減することができる。
以下、本発明に係る測距装置及び測距方法の実施の形態例を図1〜図16を参照しながら説明する。
先ず、第1の実施の形態に係る測距装置(以下、単に第1測距装置10Aと記す)は、図1に示すように、強度変調された変調光12を出射する発光手段14と、変調光12により照射された被検出物16からの反射光18を受光する受光手段20と、変調光12と反射光18の位相差から被検出物16までの距離を算出する演算手段22と、発光開始を示す同期信号Saを発生する同期信号発生部24とを有する。
発光手段14は、発光部26と、該発光部26から出射される光を強度変調して変調光12として出射させる発光制御部28とを有する。変調光12は、同期信号Saの例えば立ち下がり時点t0を基準時として照射開始されるようになっている。
発光部26は、複数のLEDが配列されて構成されている。発光制御部28は、同期信号発生部24からの同期信号Saの入力に基づいて、発光部26を制御して、例えば発光部26から出射される光を例えば発光強度がサイン曲線に沿って強度変調された変調光12として出射させる。
受光手段20は、撮像素子30と、反射光18を撮像素子30の受光面に結像させる光学系32と、撮像素子30を駆動するための撮像素子制御部34と、撮像素子30からの撮像信号Sbをアナログの画像信号Scに信号処理するアナログ信号処理部36と、画像信号Scをデジタル変換して画像データDcにするA/D変換部38と、画像データDcが保存されるバッファメモリ40とを有する。
撮像素子30は、図2に示すように、受光部42と、該受光部42に隣接して設けられた水平転送路44とを有する。受光部42は、入射光量に応じた量の電荷に光電変換する画素46(フォトダイオード)が多数マトリクス状に配され、さらにこれら多数の画素46のうち、列方向に配列された画素46に対して共通とされた垂直転送路48が多数本、行方向に配列されている。水平転送路44は、多数本の垂直転送路48に対して共通とされている。
ここで、画素46から電荷を読み出す手順、例えば映像出力で用いられるフレームの概念に基づいて電荷の読出し手順を説明すると、図3A及び図3Bに示すように、例えば第1フレームにおいて、各画素46は、反射光18を受けて電荷を発生し、蓄積していく(露光)。このとき、第1フレーム全体にわたって露光するのではなく、必要なタイミングに露光期間を設定し、各露光期間において露光を行う。この露光期間は、撮像素子制御部34からの制御信号に基づいて撮像素子30に設置された電気光学シャッタあるいはCCD電子シャッタを駆動することで設定される。なお、各画素46に隣接してオーバーフロードレイン領域50が形成され、排出用電極52に所定電圧を印加することで、オーバーフロードレイン領域50の電位ポテンシャルが下がり、画素に蓄積されていた電荷を排出することができるようになっている。
そして、次の第2フレームにおいて電荷転送を行う。具体的には、第2フレームの例えば垂直ブランキング期間において、図4A及び図4Bに示すように、垂直転送路48の1パケット分に対応する垂直転送用電極54に所定電圧を印加することによって、該パケットの電位ポテンシャルが画素46の電位ポテンシャルよりも下がる。これにより、画素46に蓄積されていた電荷は垂直転送路48側に流れ込むこととなる。その後、電位ポテンシャルを元に戻し、水平ブランキング期間において、垂直転送用電極54に転送時電圧を印加することによって、図2に示すように、電荷を水平転送路44に向けて転送する。水平転送路44に電荷が転送されると、水平走査期間において、水平転送用電極に転送時電圧が印加されることによって、電荷が出力部56に向けて転送される。そして、出力部56において、シリーズに電荷の量に応じた電圧信号に変換されて撮像信号Sbとして出力されることになる。
第2フレームにおける水平ブランキング期間及び水平走査期間が順次繰り返されることによって、各画素46に蓄積されていた電荷が順次垂直転送路48及び水平転送路44を介して出力部56にシリーズに転送され、撮像信号Sbとして出力されることになる。
上述した第2フレームにおいては、各画素46での露光を停止するようにしてもよいし、露光を行うようにしてもよい。
撮像素子30からの撮像信号Sbは、アナログ信号処理部36においてアナログの画像信号Scに信号処理される。画像信号Scは、A/D変換部38にてデジタル変換されて画像データDcとされる。この画像データDcは、反射光18を必要なタイミング(露光期間)でサンプリングしたサンプリング値が各画素46に対応して配列されたデータ構造を有する。
そして、バッファメモリ40には、上述したTOF方式に従って4種類の画像データDc(第1画像データDc1〜第4画像データDc4)が保存される。第1画像データDc1は、変調光12の位相が例えば0°であるタイミングで反射光18をサンプリングした際のサンプリング値が各画素46に対応して配列されたデータ構造を有する。同様に、第2画像データDc2、第3画像データDc3、第4画像データDc4は、それぞれ変調光12の位相が例えば90°、180°、270°であるタイミングで反射光18をサンプリングした際のサンプリング値が各画素46に対応して配列されたデータ構造を有する。
演算手段22は、第1画像データDc1〜第4画像データDc4に基づいて、各画素46に対応した被検出物16までの距離を算出する距離演算部58を有する。
この距離演算部58での演算アルゴリズム、特に、1つの画素46における距離の演算手法について図5を参照しながら説明する。変調光12の軌跡を原点を中心とする円60で考えたとき、反射光18は、変調光12の位相が0°(360°)、90°、180°、270°のとき、それぞれ点P1、P2、P3、P4に位置し、点P1の座標を(A,−B)としたとき、P2の座標は(B,A)、P3の座標は(−A,B)、P4の座標は(−B,−A)となる。
これらの座標は、図5の直角三角形62に変換することができるため、反射光18の変調光12に対する位相遅れφは、以下の式(1)で求めることができる。
φ=arctan{(B−(−B))/(A−(−A))} ……(1)
ここで、Aは第2画像データDc2のサンプリング値S2に対応し、−Aは第4画像データDc4のサンプリング値S4に対応し、Bは第3画像データDc3のサンプリング値S3に対応し、−Bは第1画像データDc1のサンプリング値S1に対応することから、(1)式は以下の式(2)に書き換えることができる。
φ=arctan{(S3−S1)/(S2−S4)} ……(2)
そして、変調光12の1周期をTとしたとき、変調光12を出射してから反射光18が受光されるまでの遅延時間τは、
τ=T×(φ/2π)
で求めることができる。
この遅延時間τは、被検出物16までの距離Lの往復距離であり、その間を光速cの速度で進むため、距離Lは、
L=(τ×c)/2
で求めることができる。
距離演算部58は、上述したアルゴリズムが例えばソフトウエアとして組み込まれており、上述のアルゴリズムが各画素46に対して行われ、各画素46に対応した距離が演算され、その結果、被検出物16の立体的な構造が検出されることになる。
そして、第1測距装置10Aの受光手段20は、同期信号発生部24から撮像素子制御部34への同期信号Saの到達時間を変化させる同期信号制御手段64を有する。特に、この第1測距装置10Aの同期信号制御手段64は、撮像素子制御部34への同期信号Saの到達時間を同期信号Saの発生回数に応じて遅延させる同期信号遅延部66を有する。
また、撮像素子制御部34は、入力された同期信号Saの例えば立ち下がり時点を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において反射光18の光量をサンプリングするように撮像素子30を制御する。
すなわち、図6に示すように、撮像素子制御部34が、同期信号Saの例えば立ち下がり時点から所定期間Taが経過した時点で最初の露光期間Trを開始し、さらに、各露光期間Trの1周期を変調光12の1波長に合わせることによって、変調光12の位相が0°、90°、180°、270°のうちのいずれかにおける反射光18のサンプリング値が得られるように制御した場合、同期信号遅延部66において、同期信号Saの発生回数に基づいて同期信号Saの撮像素子制御部34への到達時間をλ/4ずつ遅らせることによって、変調光12の位相が0°、90°、180°、270°における反射光18のサンプリング値が得られることとなる。
具体的に、図6を参照しながら説明すると、図6での変調光12と各露光期間Trの時間的配置関係は、先ず、初期状態(同期信号Saに遅延をかけない状態:同期信号Sa1参照)では、変調光12Aに対して0°の位置に露光期間Trの中心が位置し、同期信号Saをλ/4だけ遅延させた場合(同期信号Sa2参照)は、変調光12に対して90°の位置に露光期間Trの中心が位置する。同様に、同期信号を(2λ)/4だけ遅延させた場合(同期信号Sa3参照)は、変調光12に対して180°の位置に露光期間Trの中心が位置し、同期信号を(3λ)/4だけ遅延させた場合(同期信号Sa4参照)は、変調光12に対して270°の位置に露光期間Trの中心が位置することになる。
このことから、初期状態において、同期信号Saの立ち下がり時点t0から所定期間Taが経過した時点で露光期間Trを開始したとき、変調光12の位相が0°における反射光18のサンプリング値S1が得られるように設定した場合、同期信号発生部24にて発生した同期信号Saが撮像素子制御部34に到達するまでの時間を変化させて、λ/4に相当する時間だけ遅らせると、変調光12の位相が90°における反射光18のサンプリング値S2が得られ、さらに、λ/4に相当する時間だけ遅らせると、変調光12の位相が180°における反射光18のサンプリング値S3が得られ、さらに、λ/4に相当する時間だけ遅らせると、変調光12の位相が270°における反射光18のサンプリング値S4が得られることとなる。
次に、第1測距装置10Aの処理動作について図6の波形図、図7のフローチャートを参照しながら説明する。
先ず、同期信号発生部24は、第1フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS101)。発光制御部28は、同期信号Saの立ち下がり時点t0に基づいて発光部26から変調光12を出射させる(ステップS102)。
発光部26から出射された変調光12は、被検出物16に照射され、該被検出物16からの反射光18が光学系32を介して撮像素子30に入射される。同期信号遅延部66は、第1フレームの同期信号Saを第1回の同期信号Sa1と認識し、遅延をかけずに撮像素子制御部34に出力する(ステップS103)。撮像素子30は、第1フレームの同期信号Sa(Sa1)の立ち下がり時点t0から時間Taだけ遅れた時点、すなわち、変調光12の位相が0°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように調整され、さらに、各露光期間Trの周期が変調光の波長λとなるように調整されている。
従って、この第1フレームにおいては、変調光12の位相が0°であるときの反射光18の光量が光電変換されて撮像素子30に蓄積されることになる(ステップS104)。その後、同期信号発生部24は、第2フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS105)。同期信号遅延部66は、第2フレームの同期信号Saを第1回の同期信号Sa1と認識し、遅延をかけずに撮像素子制御部34に出力する。撮像素子30に蓄積された電荷は、この第2フレームにおいて転送されてアナログ信号(画像信号)とされ(ステップS106)、さらにデジタル変換されて(ステップS107)、変調光12の位相が0°であるときの反射光18のサンプリング値S1が画素ごとに配列された第1画像データDc1としてバッファメモリ40に保存される(ステップS108)。この段階で、変調光12の出射が終了する(ステップS109)。
次に、同期信号発生部24は、第3フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS110)。発光制御部28は、同期信号Saの立ち下がり時t0から変調光12を出射させる(ステップS111)。
発光部26から出射された変調光12は、被検出物16に照射され、該被検出物16からの反射光18が光学系32を介して撮像素子30に入射される。このとき、同期信号遅延部66は、第3フレームの同期信号Saを第2回の同期信号Sa2と認識し、時間λ/4だけ遅延して撮像素子制御部34に出力する(ステップS112)。従って、撮像素子30は、発生した第3フレームの同期信号Saの立ち下がり時点t0から時間Ta+λ/4だけ遅れた時点、すなわち、変調光12の位相が90°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように制御され、さらに、各露光期間Trの周期が変調光の波長λとなるように制御されることになる。このとき、到達した第3フレームの同期信号Saの立ち下がり時点から露光期間Trの開始時点までの時間はTaで一定である。
従って、この第3フレームにおいては、変調光12の位相が90°であるときの反射光18の光量が光電変換されて撮像素子30に蓄積されることになる(ステップS113)。その後、同期信号発生部24は、第4フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS114)。同期信号遅延部66は、第4フレームの同期信号Saを第2回の同期信号Sa2と認識し、時間λ/4だけ遅延して撮像素子制御部34に出力する。撮像素子30に蓄積された電荷は、この第4フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ(ステップS115)、さらにデジタル変換されて(ステップS116)、変調光12の位相が90°であるときの反射光18のサンプリング値S2が画素ごとに配列された第2画像データDc2としてバッファメモリ40に保存される(ステップS117)。この段階で、変調光12の出射が終了する(ステップS118)。
次に、同期信号発生部24は、第5フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS119)。発光制御部28は、同期信号Saの立ち下がり時t0から変調光12を出射させる(ステップS120)。
発光部26から出射された変調光12は、被検出物16に照射され、該被検出物16からの反射光18が光学系32を介して撮像素子30に入射される。このとき、同期信号遅延部66は、第5フレームの同期信号Saを第3回の同期信号Sa3と認識し、時間(2λ)/4だけ遅延して撮像素子制御部34に出力する(ステップS121)。従って、撮像素子30は、5フレームの同期信号Saの立ち下がり時点t0から時間Ta+(2λ)/4だけ遅れた時点、すなわち、変調光12の位相が180°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように制御され、さらに、各露光期間Trの周期が変調光12の波長λとなるように制御されることになる。この場合も、到達した第5フレームの同期信号Saの立ち下がり時点から露光期間Trの開始時点までの時間はTaで一定である。
従って、この第5フレームにおいては、変調光12の位相が180°であるときの反射光18の光量が光電変換されて撮像素子30に蓄積されることになる(ステップS122)。その後、同期信号発生部24は、第6フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS123)。同期信号遅延部66は、第6フレームの同期信号Saを第3回の同期信号Sa3と認識し、時間(2λ)/4だけ遅延して撮像素子制御部34に出力する。撮像素子30に蓄積された電荷は、この第6フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ(ステップS124)、さらにデジタル変換されて(ステップS125)、変調光12の位相が180°であるときの反射光18のサンプリング値S3が画素ごとに配列された第3画像データDc3としてバッファメモリ40に保存される(ステップS126)。この段階で、変調光12の出射が終了する(ステップS127)。
次に、同期信号発生部24は、第7フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS128)。発光制御部28は、同期信号Saの立ち下がり時t0から変調光12を出射させる(ステップS129)。
発光部26から出射された変調光12は、被検出物16に照射され、該被検出物16からの反射光18が光学系32を介して撮像素子30に入射される。このとき、同期信号遅延部66は、第7フレームの同期信号Saを第4回の同期信号Sa4と認識し、時間(3λ)/4だけ遅延して撮像素子制御部34に出力する(ステップS130)。従って、撮像素子30は、第7フレームの同期信号Saの立ち下がり時点t0から時間Ta+(3λ)/4だけ遅れた時点、すなわち、変調光12の位相が270°となる時点で最初の露光期間Trの中心が位置するように制御され、さらに、各露光期間Trの周期が変調光12の波長λとなるように制御されることになる。この場合も、到達した第7フレームの同期信号Saの立ち下がり時点から露光期間Trの開始時点までの時間はTaで一定である。
従って、この第7フレームにおいては、変調光12の位相が270°であるときの反射光18の光量が光電変換されて撮像素子30に蓄積されることになる(ステップS131)。その後、同期信号発生部24は、第8フレームを示す同期信号Saを出力する(ステップS132)。同期信号遅延部66は、第8フレームの同期信号Saを第4回の同期信号Sa4と認識し、時間(3λ)/4だけ遅延して撮像素子制御部34に出力する。撮像素子30に蓄積された電荷は、この第8フレームにおいて転送されてアナログ信号とされ(ステップS133)、さらにデジタル変換されて(ステップS134)、変調光12の位相が270°であるときの反射光18のサンプリング値S4が画素ごとに配列された第4画像データDc4としてバッファメモリ40に保存される(ステップS135)。この段階で、変調光12の出射が終了する(ステップS136)。
次に、距離演算部58は、バッファメモリ40に保存された第1画像データDc1〜第4画像データDc4に基づいて被検出物16までの距離を演算する(ステップS137)。
このように、第1測距装置10Aにおいては、同期信号発生部24から撮像素子制御部34への同期信号Saの到達時間を該同期信号Saの発生回数に応じて変化させるようにしたので、撮像素子制御部34への同期信号Saの入力タイミングから受光開始時点までの時間Taを変化させる必要がなく、露光期間Trの配置パターンが1つで済むことから、撮像素子30を駆動するための回路(撮像素子制御部34)を簡単にすることができ、CPUへの負荷を低減することができる。
次に、第2の実施の形態に係る測距装置(以下、第2測距装置10Bと記す)について図8〜図10を参照しながら説明する。
この第2測距装置10Bは、図8に示すように、上述した第1測距装置10Aとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
すなわち、受光手段20は、外部からの制御信号に基づいて露光期間Trの幅(時間的長さ)を変更する露光期間変更部70を有し、さらに、同期信号制御手段64は、上述した同期信号遅延部66に加えて、露光期間変更部70にて変更された露光期間Trに基づいて、撮像素子30での受光開始タイミングを変更する第1受光開始変更部72と、変更された露光期間Trに対応した受光開始タイミングの情報が登録された第1情報テーブル74が記憶されたメモリ76とを有する。この第2測距装置10Bでの受光開始タイミングの変更とは、供給される同期信号Saを、変更された露光期間Trに基づいた時間だけ一律に遅延させることを示す。第1情報テーブル74には、露光期間Trに対応した遅延時間が記憶されている。
従って、同期信号制御手段64は、同期信号発生部24からの同期信号Saを、第1受光開始変更部72において、変更された露光期間Trとメモリ76に記憶された第1情報テーブル74の情報に基づいて遅延し、さらに、同期信号遅延部66において、同期信号Saの発生回数に応じて遅延させる。もちろん、この逆でもよい。
次に、第2測距装置10Bの動作原理について図6及び図9を参照しながら説明する。
図6に示すように、最初の段階では、第1測距装置10Aと同様に、同期信号Saの立ち下がり時点t0で発光部26から変調光が出射される。
受光手段20においては、同期信号遅延部において、同期信号の発生回数に基づいて同期信号の撮像素子制御部への到達時間をλ/4ずつ遅らせることによって、変調光12の位相が0°、90°、180°、270°における反射光18のサンプリング値が得られることとなる。
ところで、被検出物16や背景が明るく、受光手段20にて受光した信号が飽和状態になってしまうような場合は、使用者の操作入力、オートアイリス、撮像素子30の電子シャッタ等で露光期間Trの幅が変更される場合がある。つまり、外部からの制御信号に基づいて露光期間Trの幅が変更される場合がある。このような場合、通常は、露光期間Trの中心位置を変化させずに、露光期間Trの幅を変化させるようにしている。そのため、露光期間Trの開始時点が変化し、それに応じて、撮像素子30に対する駆動信号の印加タイミング等も変えなければならず、キャリブレーションが必要になるという問題がある。
そこで、この第2測距装置10Bでは、露光期間変更部70は、操作部78からの指示信号(使用者の操作指示による露光期間Trを短くするか、長くするかの指示信号)や、バッファメモリ40に蓄積されたサンプリング値に基づいて露光期間Trを短くするか、長くするかを演算する露光期間演算部80から指示信号(露光期間Trを短くするか、長くするかの指示信号)に基づいて、露光期間Trを変更する。
露光期間Trの変更としては、時間的長さの異なる数種の露光期間Tr(少なくとも2種以上の露光期間Tr)を用意しておき、露光期間Trを短くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trよりも1段階短い露光期間Trを選択し、あるいは露光期間Trを長くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trよりも1段階長い露光期間Trを選択する。
この手法を採用することにより、露光期間Trの変更を簡単に設定することができる。
しかし、同期信号の立ち下がり時点から所定期間Taにて露光を開始するようにした場合は、変更前の露光期間と変更後の露光期間Trの各中心時点がずれてしまうため、この状態で反射光18をサンプリングしても、変調光12の規定の4つの位相(180°、90°、0°、270°)でサンプリングすることができない。
そこで、予め用意した複数種の露光期間Trに対応してそれぞれ識別コードを割り当てておき、露光期間変更部70にて選択した露光期間Trに対応する識別コードを第1受光開始変更部72に送信することによって、第1受光開始変更部72は、変更された露光期間Trを認識することができる。
そして、第1受光開始変更部72は、変更された露光期間Tr(選択された露光期間)とメモリ76に記憶された第1情報テーブル74の情報に基づいて、受光開始タイミングを変更する。具体的には、変更後の露光期間Trは、上述したように、露光期間変更部70から送信された識別コードにて認識できることから、第1情報テーブル74に登録される情報としては、例えば図10に示すように、露光期間Trの識別コードと、該露光期間Trの識別コードに対応した同期信号の第1遅延時間とが考えられる。
ここで、第1遅延時間は、初期状態の露光期間Tr(例えば図6に示す露光期間Tr)をWa、変更後の露光期間Tr(例えば図9に示す露光期間Tr)をWbとしたとき、
Td=(Wa−Wb)/2
で求めることができる。変更後の露光期間Wbは、識別コードに対応して予め判明しているため、識別コードに対応した第1遅延時間Tdを得ることは容易である。
そして、例えば図9に示すように、第1フレームの同期信号Saは、第1受光開始変更部72にて第1遅延時間Tdだけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Saの立ち下がり時点t1から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が0°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が0°における反射光18のサンプリング値S1が得られる。
次に、第3フレームの同期信号Saは、第1受光開始変更部72にて第1遅延時間Tdだけ遅延され、さらに同期信号遅延部66にてλ/4に相当する時間だけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Saの立ち下がり時点t2から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が90°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が90°における反射光18のサンプリング値S2が得られる。
次に、第5フレームの同期信号Saは、第1受光開始変更部72にて第1遅延時間Tdだけ遅延され、さらに同期信号遅延部66にて(2λ)/4に相当する時間だけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Saの立ち下がり時点t3から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が180°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が180°における反射光18のサンプリング値S3が得られる。
次に、第7フレームの同期信号Saは、第1受光開始変更部72にて第1遅延時間Tdだけ遅延され、さらに同期信号遅延部66にて(3λ)/4に相当する時間だけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Saの立ち下がり時点t4から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が270°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が270°における反射光18のサンプリング値S4が得られる。
このように、変更後の各露光期間Trの中心時点において、反射光18をサンプリングした場合に、変調光12の規定の4つの位相(180°、90°、0°、270°)でサンプリングすることができ、第1測距装置10Aと同様に、距離演算部58での距離演算を高精度に行わせることができる。
また、第2測距装置10Bにおいては、第1受光開始変更部72において、露光期間変更部70にて変更された露光期間Trに基づいて、撮像素子30での受光開始タイミングを変更するようにしたので、同期信号Saの立ち下がり時点から露光期間Trの開始時点までの時間(所定時間Ta)を変化させる必要がない。つまり、同期信号Saに対する露光期間Trの相対時間を変化させないため、上述したようなキャリブレーションは不要となる。
この場合、露光期間Trの識別コードに対応した遅延時間Tdの情報が登録された第1情報テーブル74を使用し、該第1情報テーブル74の情報に基づいて、変更後の露光期間Trに対応した受光開始タイミングを変更するようにしたので、変更された露光期間Trに基づく受光開始タイミングを複雑な演算を用いることなく、第1情報テーブル74に対するアクセスにて簡単に求めることができるため、処理時間の短縮を図ることができる。
次に、第3の実施の形態に係る測距装置(以下、第3測距装置10Cと記す)を図11を参照しながら説明する。
この第3測距装置10Cは、図11に示すように、上述した第2測距装置10Bとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
先ず、露光期間変更部70は、初期段階の露光期間Trが予め設定され、露光期間Trを短くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trを1/n(n:実数)分だけ短くし、露光期間Trを長くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trを1/n(n:実数)分だけ長くする。
そして、第3測距装置10Cは、上述したメモリ76に代えて、変更された露光期間Trに基づいて、遅延時間Tdを演算する第1受光開始演算部82が設置されている。
この第1受光開始演算部82は、変更された露光期間Trの幅に基づいて、上述した第1遅延時間Tdの演算式に基づいて第1遅延時間Tdを演算する。演算にて得られた第1遅延時間Tdは、第1受光開始変更部72に供給される。第1受光開始変更部72及び同期信号遅延部66は、上述した第2測距装置10Bと同様であるため、その重複説明を省略する。
この第3測距装置10Cにおいても、第2測距装置10Bと同様に、距離演算部58での距離演算を高精度に行わせることができ、上述したようなキャリブレーションは不要となる。特に、この第3測距装置10Cでは、第1情報テーブル74を格納するためのメモリ76やメモリ領域を設ける必要がない。
次に、第4の実施の形態に係る測距装置(以下、第4測距装置10Dと記す)について図12〜図13を参照しながら説明する。
この第4測距装置10Dは、図12に示すように、上述した第1測距装置10Aとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
すなわち、受光手段20は、外部からの制御信号に基づいて露光期間Trの周期Tt(図13参照)を変更する露光タイミング変更部84を有し、発光手段14は、露光タイミング変更部84にて変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて変調光12の波長λ(図6、図13参照)を変更する波長変更部86を有する。
また、同期信号制御手段64は、上述した同期信号遅延部66に加えて、露光タイミング変更部84にて変更された露光期間Trの周期に基づいて、撮像素子30での受光開始タイミングを変更する第2受光開始変更部88と、変更された露光期間Trの周期に基づいて、同期信号遅延部66での遅延時間を補正する遅延時間補正部90と、変更された露光期間Trに対応した波長と受光開始タイミングと補正遅延時間の情報が登録された第2情報テーブル92が記憶されたメモリ76とを有する。この第4測距装置10Dでの受光開始タイミングの変更とは、供給される同期信号Saを、変更された露光期間Trの周期に基づいた第2遅延時間Teだけ一律に遅延させることを示す。第2情報テーブル92には、露光期間Trの周期に対応した波長と第2遅延時間Teと補正遅延時間Tfが記憶されている。
従って、同期信号制御手段64は、同期信号発生部24からの同期信号Saを、第2受光開始変更部88において、変更された露光期間Trの周期とメモリ76に記憶された第2情報テーブル92の情報に基づいて遅延し、さらに、同期信号遅延部66において、同期信号Saの発生回数に応じて遅延し、さらに、遅延時間補正部90において、変更された露光期間Trの周期と第2情報テーブル92の情報に基づいて遅延させる。なお、遅延の順番は任意である。
次に、第4測距装置10Dの動作原理について図6及び図13も参照しながら説明する。
図6に示すように、最初の段階では、第1測距装置10Aと同様に、同期信号Saの立ち下がり時点t0で発光部26から変調光が出射される。
受光手段20においては、同期信号遅延部66において、同期信号の発生回数に基づいて同期信号Saの撮像素子制御部34への到達時間をλ/4ずつ遅らせることによって、変調光12の位相が0°、90°、180°、270°における反射光18のサンプリング値が得られることとなる。
ところで、被検出物16までの距離が遠い場合においては、演算された距離が無効な値を示すことがあり、このような場合、CPUからの制御信号や使用者の操作入力に従って、1フレームの時間的長さが変更され、それに伴って、変調光12の波長λが変更される場合がある。つまり、外部からの制御信号に基づいて1フレームの時間的長さが変更される場合がある。このような場合、通常は、変更された1フレームの時間的長さに合わせて露光期間Trの中心位置を決定することになるが、予め設定された露光期間Trの周期Ttに対して整数レベルの変化(整数倍の分周、あるいは整数倍の逓倍)であれば、簡単であるが、実数レベルでの変化ともなると、専用のキャリブレーションが必要になるという問題がある。
そこで、この第4測距装置10Dでは、波長変更部86は、操作部78からの指示信号(使用者の操作指示による1フレームの時間的長さを短くするか、長くするかの指示信号)や、バッファメモリ40に蓄積されたサンプリング値に基づいて1フレームの時間的長さを短くするか、長くするかを演算する露光タイミング演算部94から指示信号(1フレームの時間的長さを短くするか、長くするかの指示信号)に基づいて、変調光12の波長λを変更する。
同様に、露光タイミング変更部84は、操作部78からの指示信号や、露光タイミング演算部94から指示信号に基づいて、露光期間Trの周期Ttを変更する。
露光期間Trの周期Ttとしては、予め時間的長さの異なる数種の周期Tt(少なくとも2種以上の周期)を用意しておき、1フレームを短くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trの周期Ttよりも1段階短い周期Ttを選択し、あるいは1フレームを長くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trの周期Ttよりも1段階長い周期Ttを選択する。
この手法を採用することにより、変更された露光期間Trの周期Ttに合わせて、変調光12の波長λを設定することができるため、予め設定された露光期間Trの周期Ttに対して整数レベル(整数倍の分周、あるいは整数倍の逓倍)で露光期間Trの周期Ttを変化させることができ、回路構成を簡単にすることができる。
露光期間Trの周期Ttを、予め設定された露光期間Trの周期Ttに対して整数レベル(整数倍の分周、あるいは整数倍の逓倍)で変化させた場合、変調光12の波長λが変化していなければ、この状態で反射光18をサンプリングしても、変調光12の規定の4つの位相(180°、90°、0°、270°)でサンプリングすることができるが、変調光12の波長λを変化させた場合は、反射光18をサンプリングしても、変調光12の規定の4つの位相でサンプリングすることができない。
そこで、予め用意した複数種の露光期間Trの周期Ttに対応してそれぞれ識別コードを割り当てておき、露光タイミング変更部84にて選択した露光期間Trの周期Ttに対応する識別コードを波長変更部86、第2受光開始変更部88及び遅延時間補正部90に送信することによって、波長変更部86、第2受光開始変更部88及び遅延時間補正部90は、現在、変更された露光期間Trの周期Ttを認識することができる。
そして、波長変更部86は、変更された露光期間Trの周期Tt(選択された露光期間の周期)とメモリ76に記憶された第2情報テーブル92の情報に基づいて、変調光12の波長λを変更する。また、第2受光開始変更部88は、変更された露光期間Trの周期Ttと第2情報テーブル92の情報に基づいて、受光開始タイミングを変更し、遅延時間補正部90は、変更された露光期間Trの周期Ttと第2情報テーブル92の情報に基づいて、同期信号遅延部66で遅延された同期信号Saの遅延時間を補正する。
具体的には、変更後の露光期間Trの周期Ttは、上述したように、露光タイミング変更部84から送信された識別コードにて認識できることから、第2情報テーブル92に登録される情報としては、例えば図14に示すように、露光期間Trの周期Ttの識別コードと、該露光期間Trの周期Ttの識別コードに対応した波長λの情報と、同期信号の第2遅延時間Teの情報と、補正遅延時間Tfの情報が考えられる。
ここで、第2遅延時間Teは、初期状態の変調光12の波長をλ、変更後の変調光12の波長をaλとしたとき、
Te=(a−1)λ
で求めることができる。また、補正遅延時間Tfは、遅延時間補正部90にて認識される同期信号Saの回数をnとしたとき、
Tf=(n−1)(a−1)λ/4
で求めることができる。補正遅延時間Tfの情報は、第2情報テーブル92には、(a−1)λ/4が登録され、実際の補正遅延時間Tfは、遅延時間補正部90において、補正遅延時間Tfの情報に(n−1)を乗算して求めるようにしている。
回数nに関し、遅延時間補正部90は、上述した同期信号遅延部66と同様に、第1フレームの同期信号Sa及び第2フレームの同期信号Saを第1回の同期信号Sa1と認識することから、n=1となり、以下同様に、第3フレーム及び第4フレームの同期信号Saを第2回の同期信号Sa2と認識することから、n=2、第5フレーム及び第6フレームの同期信号Saを第3回の同期信号Sa3と認識することから、n=3、第7フレーム及び第8フレームの同期信号Saを第4回の同期信号Sa4と認識することから、n=4となる。
このように、変更後の露光期間Trの周期に対応する波長λは、識別コードに対応して予め判明しているため、識別コードに対応した第2遅延時間Te及び補正遅延時間Tfを得ることは容易である。
そして、波長変更部86は、メモリ76に記憶された第2情報テーブル92に登録された複数の波長情報のうち、変更された露光期間Trの周期Ttに対応する波長情報を読み出して発光制御部28に供給する。発光制御部28は、供給された波長情報に基づいて変調光12の波長λを変更する。
第2受光開始変更部88は、第2情報テーブル92に登録された複数の遅延時間Teの情報のうち、変更された露光期間Trの周期Ttに対応する遅延時間Teの情報を読み出し、その第2遅延時間Teだけ同期信号Saを遅延させる。
遅延時間補正部90は、第2情報テーブル92に登録された複数の補正遅延時間Tfの情報のうち、変更された露光期間Trの周期Ttに対応する補正遅延時間Tfの情報を読み出し、その補正遅延時間Tfだけ同期信号Saを遅延させる。
なお、同期信号遅延部66は、上述したように、同期信号Saを、該同期信号Saの発生回数に応じて遅延させる。
従って、例えば図13に示すように、波長λが変更された変調光12が出射されることになるが、第1フレームの同期信号Saは、第2受光開始変更部88にて第2遅延時間Teだけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Sa1の立ち下がり時点t11から所定時間Taだけ遅れた時点で露光期間が開始され、変調光12の位相が0°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が0°における反射光18のサンプリング値S1が得られる。
次に、第3フレームの同期信号Saは、第2受光開始変更部88にて遅延時間Te(=(a−1)λ)だけ遅延され、さらに同期信号遅延部66にてλ/4に相当する時間だけ遅延され、さらに遅延時間補正部90にて補正遅延時間Tf(=(a−1)λ/4)だけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Sa2の立ち下がり時点t12から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が90°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が90°における反射光18のサンプリング値S2が得られる。
次に、第5フレームの同期信号Saは、第2受光開始変更部88にて遅延時間Teだけ遅延され、さらに同期信号遅延部にて(2λ)/4に相当する時間だけ遅延され、、さらに遅延時間補正部90にて補正遅延時間Tf(=2(a−1)λ/4)だけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Sa3の立ち下がり時点t13から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が180°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が180°における反射光18のサンプリング値S3が得られる。
次に、第7フレームの同期信号Saは、第2受光開始変更部88にて遅延時間Teだけ遅延され、さらに同期信号遅延部66にて(3λ)/4に相当する時間だけ遅延され、さらに遅延時間補正部90にて補正遅延時間Tf(=3(a−1)λ/4)だけ遅延されて撮像素子制御部34に入力されることから、該同期信号Sa4の立ち下がり時点t14から所定時間Taだけ遅れた時点で変更後の露光期間Trが開始され、変調光12の位相が270°となる時点で露光期間Trの中心が位置することになり、その結果、変調光12の位相が270°における反射光18のサンプリング値S4が得られる。
このように、周期を変更した後の各露光期間Trの中心時点において、反射光18をサンプリングした場合に、変調光12の規定の4つの位相(180°、90°、0°、270°)でサンプリングすることができ、第2測距装置10Bと同様に、距離演算部58での距離演算を高精度に行わせることができる。
また、第4測距装置10Dにおいては、露光タイミング変更部84において、各露光期間Trの周期Ttを変更し、波長変更部86において、変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて変調光12の波長λを変更し、第2受光開始変更部88において、変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて撮像素子30での受光開始タイミングを変更し、遅延時間補正部90において、同期信号遅延部66での遅延時間を補正するようにしているため、露光期間Trの周期Ttに合わせて、変調光12の波長λを設定することができ、その結果、予め設定された露光期間Trの周期Ttに対して整数レベル(整数倍の分周、あるいは整数倍の逓倍)で露光タイミングを変化させることができ、回路構成を簡単にすることができる。
この場合、露光期間Trの周期Ttの識別コードに対応した変調光12の波長、受光開始タイミング及び補正遅延時間Tfの情報が登録された第2情報テーブル92を使用し、該第2情報テーブル92の情報に基づいて、変調光12の波長、受光開始タイミングを変更し、さらに、同期信号遅延部66での遅延時間を補正するようにしたので、変更された露光期間Trの周期Ttに基づく変調光12の波長、受光開始タイミング及び補正遅延時間Tfを複雑な演算を用いることなく、第2情報テーブル92に対するアクセスにて簡単に求めることができるため、処理時間の短縮を図ることができる。
次に、第5の実施の形態に係る測距装置(以下、第5測距装置10Eと記す)を図15を参照しながら説明する。
この第5測距装置10Eは、図15に示すように、上述した第4測距装置10Dとほぼ同様の構成を有するが、以下の点で異なる。
先ず、露光タイミング変更部84は、初期段階の露光期間Trの周期Ttが予め設定され、露光期間Trの周期Ttを短くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trの周期Ttを1/m(m:整数)分だけ短くし、露光期間Trの周期Trを長くする指示信号が入力された場合に、現在の露光期間Trの周期Ttを1/m(m:整数)分だけ長くする。
そして、第5測距装置10Eは、変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて、変調光12の波長を演算する波長演算部96と、撮像素子30での受光開始タイミングを演算する第2受光開始演算部98と、同期信号遅延部66での遅延時間を補正するための補正遅延時間Tfを演算する補正遅延時間演算部100とが設置されている。
波長演算部96は、変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて、変調光12の波長を演算する。演算にて得られた波長の情報は、発光制御部28に供給される。第2受光開始演算部98は、変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて、上述した第2遅延時間Teの演算式に基づいて第2遅延時間Teを演算する。演算にて得られた第2遅延時間Teは、第2受光開始変更部88に供給される。補正遅延時間演算部100は、変更された露光期間Trの周期Ttに基づいて、上述した補正遅延時間Tfの演算式に基づいて補正遅延時間Tfを演算する。演算にて得られた補正遅延時間Tfは、遅延時間補正部90に供給される。第2受光開始変更部88、遅延時間補正部90及び同期信号遅延部66は、上述した第4測距装置10Dと同様であるため、その重複説明を省略する。
従って、この第5測距装置10Eにおいても、第4測距装置10Dと同様に、距離演算部58での距離演算を高精度に行わせることができ、上述したようなキャリブレーションは不要となる。特に、この第5測距装置10Eでは、第2情報テーブル92を格納するためのメモリ76やメモリ領域を設ける必要がない。
次に、第6の実施の形態に係る測距装置(以下、第6測距装置10Fと記す)について図16を参照しながら説明する。
この第6測距装置10Fは、図16に示すように、上述した第1測距装置10Aとほぼ同様の構成を有するが、差分演算部102と、受光開始補正部104とを有する点で異なる。
差分演算部102は、距離演算部58にて算出された被検出物16までの距離(算出距離Lc)と、操作部78によって入力された被検出物16までの実測距離Lrとの差分ΔLを演算する。
受光開始補正部104は、差分演算部102にて得られた差分ΔLに基づいて、同期信号遅延部66での同期信号Saの遅延時間を補正する。
具体的には、受光開始補正部104は、差分演算部102にて得られた差分ΔLに基づいて、同期信号Saの発生回数に応じて付加される遅延時間(λ/4)を補正する。すなわち、距離演算部58にて算出された被検出物16までの距離(算出距離Lc)が、操作部78によって入力された被検出物16までの実測距離Lrよりも短ければ、遅延時間を、例えば時間的に短く(あるいは時間的に長く)設定する。反対に、算出距離Lcが、実測距離Lrよりも長ければ、遅延時間を、現在の設定時間よりも例えば例えば時間的に長く(あるいは時間的に短く)設定する。
これによって、補正された遅延時間に基づいて被検出物16までの距離が演算され、再び実測距離Lrと比較される。
そして、算出距離Lcと実測距離Lrが一致あるいはほぼ一致した段階で、一旦、差分演算部102及び受光開始補正部104での動作が終了する。
この第6測距装置10Fによれば、被検出物16までの距離の誤測定を補正できるため、精度よく、且つ、安定に測距することができる。
なお、本発明に係る測距装置及び測距方法は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。
第1測距装置の構成を示すブロック図である。 撮像素子の概略構成を示す説明図である。 図3A及び図3Bは、撮像素子での電荷蓄積状態を示す説明図である。 図4A及び図4Bは、撮像素子での電荷転送状態を示す説明図である。 撮像素子からの撮像信号に基づくサンプリング値によって反射光の位相遅れを求める原理を示す説明図である。 発光手段から出射される変調光と、同期信号及び露光期間の関係を示す波形図である。 第1測距装置での処理動作を示すフローチャートである。 第2測距装置の構成を示すブロック図である。 露光期間の幅を変更した後の変調光、反射光、同期信号及び露光期間の関係を示す波形図である。 第1情報テーブルの内訳を示す説明図である。 第3測距装置の構成を示すブロック図である。 第4測距装置の構成を示すブロック図である。 露光期間の周期(変調光の波長)を変更した後の変調光、反射光、同期信号及び露光期間の関係を示す波形図である。 第2情報テーブルの内訳を示す説明図である。 第5測距装置の構成を示すブロック図である。 第6測距装置の構成を示すブロック図である。 TOF(Time Of Flight)方式の光波測距方法を示す説明図である。 変調光に対する反射光の位相の遅れを示す波形図である。 従来例に係る測距装置での処理動作を示すフローチャートである。 図20Aは従来例に係る測距装置での第1フレームにおける変調光、反射光、同期信号及び露光期間の関係を示す波形図であり、図20Bは同じく第3フレームでの関係を示す波形図であり、図20Cは同じく第5フレームでの関係を示す波形図であり、図20Dは同じく第7フレームでの関係を示す波形図である。
符号の説明
10A〜10F…第1測距装置〜第6測距装置
12…変調光 14…発光手段
16…被検出物 18…反射光
20…受光手段 22…演算手段
24…同期信号発生部 26…発光部
28…発光制御部 30…撮像素子
32…光学系 34…撮像素子制御部
36…アナログ信号処理部 38…A/D変換部
40…バッファメモリ 58…距離演算部
64…同期信号制御手段 66…同期信号遅延部
70…露光期間変更部 72…第1受光開始変更部
74…第1情報テーブル 76…メモリ
80…露光期間演算部 82…第1受光開始演算部
84…露光タイミング変更部 86…波長変更部
88…第2受光開始変更部 90…遅延時間補正部
92…第2情報テーブル 96…波長演算部
98…第2受光開始演算部

Claims (18)

  1. 一定間隔で同期信号を発生する同期信号発生部と、
    強度変調された変調光を、前記同期信号の入力に基づいて出射する発光手段と、
    前記同期信号の入力に基づいて、前記変調光により照射された被検出物からの反射光を受光する受光手段と、
    前記変調光と前記反射光の位相差から前記被検出物までの距離を算出する演算手段と、
    前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を前記同期信号の発生回数に応じて変化させる同期信号制御手段とを有し、
    前記受光手段は、前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記反射光の光量をサンプリングし、
    前記受光手段は、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の時間的長さを変更する露光期間変更部を有し、
    前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間に基づいて前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させることを特徴とする測距装置。
  2. 請求項記載の測距装置において、
    変更された前記露光期間に対応した受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルが記憶されたメモリを有し、
    前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記メモリに記憶された前記テーブルの情報に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させることを特徴とする測距装置。
  3. 請求項記載の測距装置において、
    変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算部を有し、
    前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算部からのタイミング情報に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させることを特徴とする測距装置。
  4. 請求項記載の測距装置において、
    前記変調光は、一定の周波数にて強度変調され、
    前記受光手段は、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の周期を変更する露光タイミング変更部を有し、
    前記発光手段は、前記露光タイミング変更部にて変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記周波数にて強度変調された前記変調光における波形の波長を変更する波長変更部を有し、
    前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間の周期に基づいて前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させることを特徴とする測距装置。
  5. 請求項記載の測距装置において、
    変更された前記露光期間の周期に対応した前記変調光における前記波長と、受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルが記憶されたメモリを有し、
    前記波長変更部は、前記メモリに記憶された前記テーブルの情報に基づいて、前記変調光における前記波長を変更し、
    前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記メモリに記憶された前記テーブルの情報に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させることを特徴とする測距装置。
  6. 請求項記載の測距装置において、
    変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記変調光における前記波長を演算する波長演算部と、
    変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算部とを有し、
    前記波長変更部は、前記変調光における前記波長を、前記波長演算部にて求められた波長に変更し、
    前記同期信号制御手段は、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算部にて求められた受光開始タイミングに基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を変化させることを特徴とする測距装置。
  7. 請求項1記載の測距装置において、
    少なくとも以下の処理を行うことを特徴とする測距装置。
    (1)前記発光手段は、前記同期信号発生部からの前記同期信号の入力に基づく第1照射開始から所定期間にわたって第1変調光を出射し、前記同期信号発生部からの前記同期信号の入力に基づく第2照射開始から所定期間にわたって第2変調光を出射し、
    (2)前記受光手段は、前記第1照射開始に基づいて前記同期信号制御手段から出力される前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記第1変調光により照射された前記被検出物からの第1反射光を受光し、前記第2照射開始に基づいて前記同期信号制御手段から出力される前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記第2変調光により照射された前記被検出物からの第2反射光を受光し、
    (3)前記演算手段は、少なくとも前記第1変調光と前記第1反射光の位相差と、前記第2変調光と前記第2反射光の位相差とに基づいて、前記被検出物までの距離を演算する。
  8. 請求項記載の測距装置において、
    前記受光手段は、前記第1照射開始に基づいて出力される前記同期信号制御手段からの前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記第1反射光の光量をサンプリングし、前記第2照射開始に基づいて出力される前記同期信号制御手段からの前記同期信号の入力を基準として前記一定周期ごとに設定された露光期間において前記第2反射光の光量をサンプリングし、
    前記演算手段は、前記第1反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第1反射光の位相差とし、前記第2反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第2反射光の位相差とすることを特徴とする測距装置。
  9. 請求項1記載の測距装置において、
    前記演算手段にて算出された前記被検出物までの距離と、前記被検出物までの実測距離との差に基づいて、前記同期信号発生部から前記受光手段への前記同期信号の到達時間を補正する受光開始補正部を有することを特徴とする測距装置。
  10. 一定間隔で同期信号を発生するステップと、
    強度変調された変調光を、前記同期信号の入力に基づいて出射する発光ステップと、
    発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数に基づいて遅延させる同期信号制御ステップと、
    前記同期信号の入力に基づいて、前記変調光により照射された被検出物からの反射光を受光する受光ステップと、
    前記変調光と前記反射光の位相差から前記被検出物までの距離を算出する演算ステップとを有し、
    前記受光ステップは、前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記反射光の光量をサンプリングし、
    前記受光ステップは、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の時間的長さを変更する露光期間変更ステップを有し、
    前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間に基づいて遅延させることを特徴とする測距方法。
  11. 請求項10記載の測距方法において、
    変更された前記露光期間に対応した受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルを用い、
    前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記テーブルの情報に基づいて遅延させることを特徴とする測距方法。
  12. 請求項10記載の測距方法において、
    変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算ステップを有し、
    前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算ステップからのタイミング情報に基づいて遅延させることを特徴とする測距方法。
  13. 請求項10記載の測距方法において、
    前記変調光は、一定の周波数にて強度変調され、
    前記受光ステップは、外部からの制御信号に基づいて前記露光期間の周期を変更する露光タイミング変更ステップを有し、
    前記発光ステップは、前記露光タイミング変更ステップにて変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記周波数にて強度変調された前記変調光における波形の波長を変更する波長変更ステップを有し、
    前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、変更された前記露光期間の周期に基づいて遅延させることを特徴とする測距方法。
  14. 請求項13記載の測距方法において、
    変更された前記露光期間の周期に対応した前記変調光における前記波長と、受光開始タイミングの情報が登録されたテーブルを用い、
    前記波長変更ステップは、前記テーブルの情報に基づいて、前記変調光における前記波長を変更し、
    前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記テーブルの情報に基づいて遅延させることを特徴とする測距方法。
  15. 請求項13記載の測距方法において、
    変更された前記露光期間の周期に基づいて、前記変調光における前記波長を演算する波長演算ステップと、
    変更された前記露光期間に基づいて、受光開始タイミングを演算するタイミング演算ステップとを有し、
    前記波長変更ステップは、前記変調光における前記波長を、前記波長演算ステップにて求められた波長に変更し、
    前記同期信号制御ステップは、発生した前記同期信号を、前記同期信号の発生回数と、前記タイミング演算ステップにて求められた受光開始タイミングに基づいて遅延させることを特徴とする測距方法。
  16. 請求項10記載の測距方法において、
    少なくとも以下の処理を行うことを特徴とする測距方法。
    (1)前記発光ステップは、発生した前記同期信号の入力に基づく第1照射開始から所定期間にわたって第1変調光を出射し、発生した前記同期信号の入力に基づく第2照射開始から所定期間にわたって第2変調光を出射し、
    (2)前記受光ステップは、前記第1照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記第1変調光により照射された前記被検出物からの第1反射光を受光し、前記第2照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力から前記所定期間にわたって、前記第2変調光により照射された前記被検出物からの第2反射光を受光し、
    (3)前記演算ステップは、少なくとも前記第1変調光と前記第1反射光の位相差と、前記第2変調光と前記第2反射光の位相差とに基づいて、前記被検出物までの距離を演算する。
  17. 請求項16記載の測距方法において、
    前記受光ステップは、前記第1照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力を基準として一定周期ごとに設定された露光期間において前記第1反射光の光量をサンプリングし、前記第2照射開始に基づく前記同期信号制御ステップからの前記同期信号の入力を基準として前記一定周期ごとに設定された露光期間において前記第2反射光の光量をサンプリングし、
    前記演算ステップは、前記第1反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第1反射光の位相差とし、前記第2反射光の光量のサンプリング結果を前記所定期間にわたって積算した値を前記変調光と前記第2反射光の位相差とすることを特徴とする測距方法。
  18. 請求項10記載の測距方法において、
    前記演算ステップにて算出された前記被検出物までの距離と、前記被検出物までの実測距離との差に基づいて、前記同期信号制御ステップでの前記同期信号の遅延時間を補正する受光開始補正ステップを有することを特徴とする測距方法。
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