JP5178743B2 - 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
また、上記構成において、前記第1のコンタクトは、前記第2の配線層の前記半導体層または絶縁体層を貫通して形成されていてもよい。
また、本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、基板上にストライプ形状の第1 のメモリ配線を形成する工程と、第1のメモリ配線を含む基板上に第1の層間絶縁層を形成する工程と、第1のメモリ配線上でかつ第1の層間絶縁層の所定の位置に第1のメモリセルホールを形成する工程と、第1のメモリセルホールに第1の抵抗変化層を形成する工程と、第1のメモリセルホールの表面側に、第1の非オーミック性素子を構成する積層構成のうちの少なくとも1層をさらに埋め込み形成する工程と、第1の非オーミック性素子を構成する前記積層構成となる半導体層または絶縁体層を第1の層間絶縁層上に第1のメモリセルホールを被覆して形成する工程と、第1のメモリ配線上に第1の層間絶縁層と前記半導体層または絶縁体層を貫通して第1のコンタクトおよび第3のコンタクトを形成する工程と、第1の非オーミック性素子の半導体層または絶縁体層をパターニングして第2の配線層を第1の層間絶縁層上に第1のコンタクトの少なくとも一部を被覆して形成する工程とを含む構成からなる。
本発明の上記目的、他の目的、特徴、及び利点は、添付図面参照の下、以下の好適な実施態様の詳細な説明から明らかにされる。
図1は、本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を模式的に説明する図で、(a)は平面図、(b)は(a)の1B−1B線を矢印方向から見た断面図を示す。
[メモリセル領域のみを含む構成]
図1(a)に示すように本実施の形態の不揮発性半導体記憶装置5は、基板11と、この基板11上にストライプ形状に形成された第1のメモリ配線12と、これに直交してストライプ形状に形成された第2のメモリ配線17に挟まれてメモリセル24が形成されている。図1(b)で詳細を示して後述するが、このメモリセル24は、第1の抵抗変化層15が導電膜14aおよび導電層14bを介して第1の非オーミック性素子16と電気的に直列に接続されて構成されている。図1(a)に示すようにメモリセル24はマトリクス形状に配置され、メモリセル領域となるクロスポイントメモリ部23が形成されている。このクロスポイントメモリ部23は、マトリクス形状に配置されたメモリセル24とメモリセル24を挟む第1のメモリ配線12および第2のメモリ配線17からの引き出し配線である上層配線22とを含んで構成されている。なお、上層配線22は、第2のコンタクトと直接接続される配線パッド部22aと配線部22bとを有し、メモリセル領域外の回路との接続は配線部22bを介して接続されている。
[メモリセル領域と周辺回路領域とを含む構成]
図2は、本発明の第1の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を模式的に説明する図で、(a)は平面図、(b)は(a)の2B−2B線を矢印方向から見た断面図を示す。図2に示す不揮発性半導体記憶装置10は、図1に示すメモリセル領域であるクロスポイントメモリ部23を含む不揮発性半導体記憶装置5に加えてメモリセル領域に隣接した周辺回路領域27を有する構成としている。
[メモリセル領域と周辺回路領域と駆動回路とを含む構成]
図3は、本発明の第1の実施の形態に係る他の不揮発性半導体記憶装置30の構成を模式的に説明する断面図である。不揮発性半導体記憶装置30は図1の不揮発性半導体記憶装置10と異なり、下層に駆動回路を備えた構成となっている。
図12は、本発明の第1の実施の形態の変形例に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を模式的に説明する断面図である。
図12に示すように、本変形例の不揮発性半導体記憶装置10Aは、図2の不揮発性半導体記憶装置10の変形例である。本変形例では、上述の実施の形態のうち、図2の不揮発性半導体記憶装置10を例に取ったが、以下に述べる本変形例との相違点は、図1の不揮発性半導体記憶装置5および図3の不揮発性半導体記憶装置30にも共通する。よって、以下では、これらを一括して第1の実施の形態の不揮発性半導体記憶装置と呼び、この第1の実施の形態の不揮発性半導体記憶装置と本変形例の不揮発性半導体記憶装置10Aとを比較して説明する。本変形例と第1の実施の形態との違いは、第2のメモリ配線17の製造方法が違うことである。第1の実施の形態では、第2のメモリ配線17の材料からなる膜を第1の層間絶縁層13上に形成し、これを所望のマスクを用いて加工することにより第2のメモリ配線を形成する。一方、本変形例では、第1の層間絶縁層13に配線溝を形成し、この配線溝に第2のメモリ配線17の材料を埋め込む、いわゆるダマシンプロセスにより第2のメモリ配線17が形成されている。具体的には、第2のメモリ配線17及び周辺回路の配線20aのいずれの下層にも形成されている半導体層17bまたは絶縁体層17cが、各々の配線の側壁部にも形成されている構造となっている。
従って、このような構成においても、クロスポイントメモリ部23および周辺回路の配線20aに半導体層17bまたは絶縁体層17cが設けられている点は第1の実施の形態と同様である。しかし、このような構成であっても、第1の実施の形態と同様に、クロスポイントメモリ部23の配線と周辺回路の配線20aとは同一平面上の配線層として同時に形成することができ、クロスポイントメモリ部23および周辺回路の配線20aは、それぞれ最短距離で容易に上層配線22、28への引き出し配線を形成することができる。したがって、プロセスのマスク枚数および工程数が、ほとんど増加することなく不揮発性半導体記憶装置を製作することができる。
図6は、本発明の第2の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置の構成を模式的に説明する断面図である。第1の実施の形態との違いは、本実施の形態のクロスポイントメモリ部41は、図2に示す不揮発性半導体記憶装置10に示すクロスポイントメモリ部23が積層方向に2層形成されて構成されている点である。すなわち、不揮発性半導体記憶装置10の構造に加えて図6に示すように本実施の形態の不揮発性半導体記憶装置40は、第1の層間絶縁層13上には、第2のメモリ配線17を含む第2の配線層20および周辺回路の配線20aを覆って形成された第2の層間絶縁層18と、この第2の層間絶縁層18上に第2のメモリ配線17と直交するように形成されたストライプ形状の第3のメモリ配線42および周辺回路の配線20bとを備えている。そして、さらに第2の層間絶縁層18上にこの第3のメモリ配線42および周辺回路の配線20bを覆って第3の層間絶縁層43が形成されており、第3の層間絶縁層43上に形成された上層配線22は、図6に示すようにクロスポイントメモリ部41においては、第1のコンタクト21、第2のコンタクト26および第5のコンタクト44により第1のメモリ配線12、第2のメモリ配線17および第3のメモリ配線42と電気的に接続されて配線が引き出されている。また、周辺回路領域27においても同様に上層配線28は、第3のコンタクト29a、第4のコンタクト29bおよび第6のコンタクト45により周辺回路の配線20a、20bと電気的に接続されて配線が引き出されている。
図10は、本発明の第3の実施の形態に係る不揮発性半導体記憶装置60の断面図を示す。本実施の形態と第1の実施の形態との違いは、第1の非オーミック性素子16がショットキーダイオード16yである点である。すなわち、図10に示すように第1の非オーミック性素子16が、半導体層17cと金属電極体層17gとの2層の積層構成からなるショットキーダイオード16yであり、第1の抵抗変化層15側の金属電極体層17gが第1のメモリセルホール14中に埋め込み形成されている。
上記説明から、当業者にとっては、本発明の多くの改良や他の実施形態が明らかである。従って、上記説明は、例示としてのみ解釈されるべきであり、本発明を実行する最良の態様を当業者に教示する目的で提供されたものである。本発明の精神を逸脱することなく、その構造及び/又は機能の詳細を実質的に変更できる。
11 基板
11a 半導体基板
12 第1のメモリ配線
12a,14b,17e,42d,47b 導電層
12b,12c,17d,42e バリア層
12d 窒化タンタル層
13 第1の層間絶縁層
14 メモリセルホール
14a,47a バリア膜(導電膜)
15 第1の抵抗変化層(抵抗変化層)
16 第1の非オーミック性素子(非オーミック性素子)
16a,48a 下部電極
16b,48b 上部電極
16c 導電膜
16x,48x MSMダイオード
16y ショットキーダイオード
16z pn接合ダイオード
17 第2のメモリ配線
17a 最下層
17b,42b 半導体層
17c,42c 絶縁体層
17f 半導体膜
17g 金属電極体層
17h p型半導体層
17j n型半導体層
17k 第2のメモリ配線を埋め込むための溝
18 第2の層間絶縁層
18a 第2の層間絶縁層(下層側/第2のメモリ配線間、周辺回路の配線間を埋める)
19 第1の配線層
20 第2の配線層
20a,20b 周辺回路の配線
20c 周辺回路の配線を埋め込むための溝
21 第1のコンタクト
21a 第1のコンタクトホール
22,28 上層配線
22a 配線パッド部
22b 配線部
23,41 クロスポイントメモリ部
24 メモリセル
25 トランジスタ
26 第2のコンタクト
27 周辺回路領域
29a 第3のコンタクト
29b 第4のコンタクト
29c 第3のコンタクトホール
31 下層配線
32 下層コンタクト
32a コンタクトホール
33(33a,33b) 層間絶縁層
42 第3のメモリ配線
43 第3の層間絶縁層
44 第5のコンタクト
45 第6のコンタクト
46 第2のメモリセルホール
47 第2の抵抗変化層
48 第2の非オーミック性素子
49 第3の配線層
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に形成されたストライプ形状を有する第1のメモリ配線と、
前記基板上および前記第1のメモリ配線上に形成された第1の層間絶縁層と、
前記第1のメモリ配線上の前記第1の層間絶縁層に形成された第1のメモリセルホールと、
前記第1のメモリセルホールを介して前記第1のメモリ配線に接続された第1の抵抗変化層と、
前記第1の抵抗変化層上に形成された第1の非オーミック性素子と、
前記第1の層間絶縁層上に形成され、かつ前記第1のメモリ配線と直交しストライプ形状を有する第2のメモリ配線と、
前記第2のメモリ配線上および前記第1の層間絶縁層上に形成された第2の層間絶縁層とを備え、
前記第2のメモリ配線は前記第1の非オーミック性素子の少なくとも一部を含む複数層からなり、前記第2のメモリ配線は、最下層に配置された、前記第1の非オーミック性素子の一部である、半導体層または絶縁体層と、当該最下層より上層に配置された導電層とを有し、
前記第1のメモリ配線は、前記第1の層間絶縁層を貫通して形成された第1のコンタクトにより前記第2のメモリ配線の前記導電層と電気的に接続され、前記第1のコンタクトは、前記第2のメモリ配線の前記半導体層または前記絶縁体層を貫通して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1のメモリ配線と前記第2のメモリ配線との間に、電気的に直列に接続された前記第1の抵抗変化層と前記第1の非オーミック性素子とを有するメモリセルが形成され、
前記メモリセルがマトリクス形状に配置されたメモリセル領域と、前記メモリセル領域に隣接した周辺回路領域とを含み、
前記周辺回路領域の配線は、前記メモリセル領域の前記第1のメモリ配線と同一の構造からなる第1の周辺回路用配線および前記第2のメモリ配線と同一の構造からなる第2の周辺回路用配線を用いて形成され、
前記第1のメモリ配線と前記第1の周辺回路用配線とは、同じ層の配線層である第1の配線層から形成され、前記第2のメモリ配線と前記第2の周辺回路用配線とは、同じ層の配線層である第2の配線層から形成され、
前記第1の周辺回路用配線と前記第2の周辺回路用配線の導電層とは、前記第1の層間絶縁層を貫通して形成された第3のコンタクトにより電気的に接続され、
前記第3のコンタクトは、前記第2の配線層の前記半導体層または前記絶縁体層を貫通して形成されていることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 基板と、
前記基板上に形成されたストライプ形状を有する第1のメモリ配線と、
前記基板上および前記第1のメモリ配線上に形成された第1の層間絶縁層と、
前記第1のメモリ配線上の前記第1の層間絶縁層に形成された第1のメモリセルホールと、
前記第1のメモリセルホールを介して前記第1のメモリ配線に接続された第1の抵抗変化層と、
前記第1の抵抗変化層上に形成された第1の非オーミック性素子と、
前記第1の層間絶縁層上に形成され、かつ前記第1のメモリ配線と直交しストライプ形状を有する第2のメモリ配線と、
前記第2のメモリ配線上および前記第1の層間絶縁層上に形成された第2の層間絶縁層と、
前記第2のメモリ配線上の前記第2の層間絶縁層を貫通して形成された第2のメモリセルホールと、
前記第2のメモリセルホールを介して前記第2のメモリ配線に接続された第2の抵抗変化層と、
前記第2の抵抗変化層上に形成された第2の非オーミック性素子と、
前記第2の層間絶縁層上に形成され、かつ前記第2のメモリ配線と直交しストライプ形状を有する第3のメモリ配線とを備え、
前記第2のメモリ配線は前記第1の非オーミック性素子の少なくとも一部を含む複数層からなり、前記第2のメモリ配線は、最下層に配置された、前記第1の非オーミック性素子の一部である、第1の半導体層または第2の絶縁体層と、当該最下層より上層に配置された第1の導電層とを有し、
前記第3のメモリ配線は前記第2の非オーミック性素子の少なくとも一部を含む複数層からなり、前記第3のメモリ配線は、最下層に配置された、前記第2の非オーミック性素子の一部である、第2の半導体層または第2の絶縁体層と、当該最下層より上層に配置された第2の導電層とを有し、
前記第1のメモリ配線は、前記第1の層間絶縁層を貫通して形成された第1のコンタクトにより前記第2のメモリ配線の前記第1の導電層と電気的に接続され、前記第2のメモリ配線の前記第1の導電層は、前記第2の層間絶縁層を貫通して形成された第5のコンタクトにより前記第3のメモリ配線の前記第2の導電層と電気的に接続され、前記第1のコンタクトは、前記第2のメモリ配線の前記第1の半導体層または前記第1の絶縁体層を貫通して形成され、前記第5のコンタクトは、前記第3のメモリ配線の前記第2の半導体層または前記第2の絶縁体層を貫通して形成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1のメモリ配線と前記第2のメモリ配線との間に、電気的に直列に接続された前記第1の抵抗変化層と前記第1の非オーミック性素子とを有する第1のメモリセルが形成され、前記第3のメモリ配線との間に、電気的に直列に接続された前記第2の抵抗変化層と前記第2の非オーミック性素子とを有する第2のメモリセルが形成され、
前記第1のメモリセルおよび前記第2のメモリセルが、それぞれ、マトリクス形状に配置されたメモリセル領域と、前記メモリセル領域に隣接した周辺回路領域とを含み、前記周辺回路領域の配線は、前記メモリセル領域の前記第1のメモリ配線と同一の構造からなる第1の周辺回路用配線、前記第2のメモリ配線と同一の構造からなる第2の周辺回路用配線、および前記第3のメモリ配線と同一の構造からなる第3の周辺回路用配線を用いて形成され、
前記第1のメモリ配線と前記第1の周辺回路用配線とは、同じ層の配線層である第1の配線層から形成され、前記第2のメモリ配線と前記第2の周辺回路用配線とは、同じ層の配線層である第2の配線層から形成され、前記第3のメモリ配線と前記第3の周辺回路用配線とは、同じ層の配線層である第3の配線層から形成され、
前記第1の周辺回路用配線と前記第2の周辺回路用配線の導電層とは、前記第1の層間絶縁層を貫通して形成された第3のコンタクトにより電気的に接続され、前記第2の周辺回路用配線と前記第3の周辺回路用配線の導電層とは、前記第2の層間絶縁層を貫通して形成された第6のコンタクトにより電気的に接続され、
前記第3のコンタクトは、前記第2の配線層の前記第1の半導体層または前記第1の絶縁体層を貫通して形成され、前記第6のコンタクトは、前記第3の配線層の前記第2の半導体層または前記第2の絶縁体層を貫通して形成されていることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第2の層間絶縁層と、前記第3の層間絶縁層と、前記第3の配線層と、前記第2のメモリセルホール中に埋め込まれた前記第2の抵抗変化層と、前記第2の非オーミック性素子とを1つの構成単位として、前記構成単位をさらに1層以上積層した不揮発性半導体記憶装置において、
前記配線層のうち少なくともいずれかの一部に周辺回路の配線を形成し、前記周辺回路の配線は最下層に半導体層または絶縁体層を有し、上下に配置された異なる前記周辺回路の配線の間に配置された層間絶縁層を貫通して電気的に接続するコンタクトが、前記半導体層または前記絶縁体層を貫通して形成されていることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記第1のメモリ配線は、前記第1の抵抗変化層および前記第1のメモリ配線より下層にあるトランジスタのうち少なくともいずれかに接続されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記第2の配線層のうち前記第1の非オーミック性素子の電極となる第1のダイオード電極が、前記第1のコンタクトのうち前記第1の層間絶縁層と隣接して配置される密着層、および前記第3のコンタクトのうち前記第1の層間絶縁層と隣接して配置される密着層と同じ材料から形成され、
前記第3の配線層のうち前記第2の非オーミック性素子の電極となる第2のダイオード電極が、前記第5のコンタクトのうち前記第2の層間絶縁層と隣接して配置される密着層、および前記第6のコンタクトのうち前記第2の層間絶縁層と隣接して配置される密着層と同じ材料から形成されていることを特徴とする請求項4に記載の不揮発性半導体記憶装置。 - 前記非オーミック性素子が、半導体層と、前記半導体層の上下に形成された各々の金属電極体層との3層の積層構成からなるMSMダイオードであり、前記抵抗変化層側の前記金属電極体層が前記メモリセルホール中に埋め込み形成されていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記非オーミック性素子が、半導体層と金属電極体層との2層の積層構成からなるショットキーダイオードであり、前記金属電極体層が前記メモリセルホール中に埋め込まれていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 前記非オーミック性素子が、p型半導体層とn型半導体層との2層の積層構成からなるpn接合ダイオードであり、前記p型半導体層または前記n型半導体層が前記メモリセルホール中に埋め込まれていることを特徴とする請求項1から4のいずれか1項に記載の不揮発性半導体記憶装置。
- 基板上にストライプ形状の第1のメモリ配線を形成する工程と、
前記第1のメモリ配線を含む前記基板上に第1の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1のメモリ配線上でかつ前記第1の層間絶縁層の所定の位置に第1のメモリセルホールを形成する工程と、
前記第1のメモリセルホールに第1の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1のメモリセルホールの表面側に、第1の非オーミック性素子を構成する積層構成のうちの少なくとも1層をさらに埋め込み形成する工程と、
前記第1の非オーミック性素子の一部である、半導体層または絶縁体層を前記第1の層間絶縁層上に前記第1のメモリセルホールを被覆して形成する工程と、
前記第1のメモリ配線上に前記第1の層間絶縁層と前記半導体層または前記絶縁体層を除去して第1のコンタクトを形成する工程と、
前記半導体層または前記絶縁体層をパターニングして導電層を前記第1の層間絶縁層上に前記第1のコンタクトの少なくとも一部を被覆して形成し、最下層に配置された前記半導体層または前記絶縁体層と、当該最下層より上層に配置された前記導電層とを有する第2のメモリ配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。 - 基板上にストライプ形状の第1のメモリ配線を形成する工程と、
前記第1のメモリ配線を含む前記基板上に第1の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第1のメモリ配線上でかつ前記第1の層間絶縁層の所定の位置に第1のメモリセルホールを形成する工程と、
前記第1のメモリセルホールに第1の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第1のメモリセルホールの表面側に、前記第1の非オーミック性素子を構成する積層構成のうちの少なくとも1層をさらに埋め込み形成する工程と、
前記第1の非オーミック性素子の一部である、半導体層もしくは絶縁体層を、前記第1の層間絶縁層上に前記第1のメモリセルホールを被覆して形成する工程と、
前記第1のメモリ配線上に前記第1の層間絶縁層と前記半導体層もしくは前記絶縁体層を除去して第1のコンタクトを形成する工程と、
前記半導体層または前記絶縁体層をパターニングして導電層を前記第1の層間絶縁層上に前記第1のコンタクトの少なくとも一部を被覆して形成し、最下層に配置された前記半導体層または前記絶縁体層と、当該最下層より上層に配置された前記導電層とを有する第2のメモリ配線を形成する工程と、
前記第2のメモリ配線を被覆して前記第1の層間絶縁層上に第2の層間絶縁層を形成する工程と、
前記第2の層間絶縁層を貫通して、前記第2のメモリ配線上に、第2のメモリセルホールを形成する工程と、
前記第2のメモリセルホールに第2の抵抗変化層を形成する工程と、
前記第2のメモリセルホールの表面側に、第2の非オーミック性素子を構成する積層構成のうちの少なくとも1層をさらに埋め込み形成する工程と、
前記第2の非オーミック性素子の一部である、半導体層または絶縁体層を、前記第2の層間絶縁層上に前記第2のメモリセルホールを被覆して形成する工程と、
前記第2のメモリ配線上に前記第2の層間絶縁層と前記半導体層もしくは前記絶縁体層を除去して第5のコンタクトを形成する工程と、
前記半導体層または前記絶縁体層をパターニングして導電層を前記第2の層間絶縁層上に前記第5のコンタクトの少なくとも一部を被覆して形成し、最下層に配置された前記半導体層または前記絶縁体層と、当該最下層より上層に配置された前記導電層とを有する第3のメモリ配線を形成する工程と
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
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