JP4688979B2 - 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置 - Google Patents
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- 230000008859 change Effects 0.000 title claims description 298
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 658
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 132
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 121
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 64
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 45
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 18
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 118
- 230000008569 process Effects 0.000 description 92
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 61
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 30
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 30
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 26
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 22
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 20
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 20
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 19
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 16
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 11
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- -1 Ta 2 O 5 Chemical class 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004121 SrRuO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004200 TaSiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
- H10B63/22—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes of the metal-insulator-metal type
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/20—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices comprising selection components having two electrodes, e.g. diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
- H10B63/80—Arrangements comprising multiple bistable or multi-stable switching components of the same type on a plane parallel to the substrate, e.g. cross-point arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/061—Shaping switching materials
- H10N70/063—Shaping switching materials by etching of pre-deposited switching material layers, e.g. lithography
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
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Description
[素子の構成]
図1は、本発明の第1実施形態にかかる抵抗変化型素子100の概略構成の一例を示す図であり、図1(a)は断面図、図1(b)は平面図である。図1(a)は、図1(b)においてA−A’線に沿って切った断面を矢印方向から見た断面図である。
図3および図4は、本発明の第1実施形態の抵抗変化型素子を製造する方法の一例を示す工程図である。図3(a)は基板7上に第1配線8を形成する工程を示す図であり、図3(b)は第1配線8上に第1電極材料層1’と第1抵抗変化材料層2’とを積層する工程を示す図である。図3(c)は第1電極1と第1抵抗変化層2とを完成させる工程を示す図であり、図3(d)は第1電極1と第1抵抗変化層2とを覆うように層間絶縁層3を形成する工程を示す図である。図4(a)は層間絶縁層3にスルーホール4を形成する工程を示す図であり、図4(b)はスルーホール4を充填するように第2抵抗変化材料層5’と第2電極材料層6’とを積層する工程を示す図である。図4(c)は層間絶縁層3の表面の第2抵抗変化材料層5’と第2電極材料層6’とを除去して層間絶縁層3の表面を露出させる工程を示す図であり、図4(d)はスルーホール4の他方の開口部に露出する第2抵抗変化層5と第2電極6とを覆うように第2配線9を形成する工程を示す図である。
図5は、抵抗変化型素子100に電気的パルスを印加した場合の抵抗値の変化と対応する情報の関係を示す図である。なお、電気的パルスの電圧および極性は、第1電極1を基準とした第2電極6の電位により定めるものとする。抵抗変化型素子100に電気的パルスを印加するとは、具体的には、第1電極1と第2電極6との間に、所定の極性の電圧とパルス幅を持つ電気的パルスを印加することを言う。
本実施形態の抵抗変化型素子および抵抗変化型素子の製造方法によれば、スルーホール型クロスポイント構造の記憶装置において抵抗変化層の積層構造を容易に実現できる。第1抵抗変化層と第2抵抗変化層という2つの抵抗変化層が、前者がスルーホールの外部に、後者がスルーホールの内部に形成されることで自己整合的に積層される。例えば、スルーホールの内部に2つの抵抗変化層を形成する場合に比べると、スルーホール内部の層の数が少なくなり、製造が容易となる。それぞれの抵抗変化層の組成や大きさ(厚さや面積)などの設計自由度も向上する。スルーホールの外部に形成される第1抵抗変化層はそもそもスルーホールによる制約を受けない。スルーホールの内部に形成される第2抵抗変化層もスルーホール内部の層の数が少なくなることで、相対的に自由に厚さの設定などができる。2つの抵抗変化層は、CVDやスパッタ、ALD(原子層成長)等を用いて、個別に組成を調整しつつ形成できる。かかる製造方法が採用された場合、抵抗変化層を形成した後にプラズマによる酸化で抵抗率を変化させる場合よりも、組成の均質化や2つの抵抗変化層の厚さの調整などが容易になる。これらは、製造プロセス上の自由度がより高くなるということを意味する。適切な製造プロセス条件を設定することにより、電気特性のばらつきが少ない高信頼性の抵抗変化型素子、あるいはこのような抵抗変化型素子を有する記憶装置を実現できる可能性がより高くなる。
図9は、本発明の第1実施形態の変形例3にかかる抵抗変化型素子100’の概略構成の一例を示す図である。
図12は、本発明の第1実施形態の変形例4にかかる抵抗変化型素子100”の概略構成の一例を示す図である。
[素子の構成]
図14は、本発明の第2実施形態にかかるメモリセルの概略構成の一例を示す図であり、図14(a)は平面図、図14(b)は図14(a)において線B−B’に沿って切った断面を矢印方向から見た断面図、図14(c)は図14(a)において線C−C’に沿って切った断面を矢印方向から見た断面図である。本実施形態のメモリセル200は、スルーホール4の他方の開口部と第2配線9との間に電流制御素子110が設けられている点の除いては、第1実施形態と同様である。よって、図1と図14とで共通する部分については、同一の符号を付して説明を省略する。
図16および図17は、本発明の第2実施形態のメモリセルを製造する方法の一例を示す工程図であり、図16(a)は基板7上に第1配線8を形成する工程を示す図であり、図16(b)は第1配線8上に第1電極材料層1’と第1抵抗変化材料層2’とを積層する工程を示す図であり、図16(c)は第1電極1と第1抵抗変化層2とを完成させる工程を示す図であり、図16(d)は第1電極1と第1抵抗変化層2とを覆うように層間絶縁層3を形成する工程を示す図であり、図17(a)は層間絶縁層3にスルーホール4を形成する工程を示す図であり、図17(b)はスルーホール4を充填するように第2抵抗変化材料層5’と第2電極材料層6’とを積層する工程を示す図であり、図17(c)は層間絶縁層3の上面を露出させる工程を示す図であり、図17(d)はスルーホール4の他方の開口部に露出する第2抵抗変化層5と第2電極6とを覆うように電流制御素子110および第2配線9を形成する工程を示す図である。なお、図16および図17は、電流制御素子110にMSMダイオードを用いた場合を例示する。
本実施形態のメモリセルにおいても、第1実施形態の抵抗変化型素子と同様の効果が得られる。また、本実施形態のメモリセルは、抵抗変化型素子と電流制御素子が直列に接続されているため、より安定した動作を実現でき、クロスポイント型メモリにおけるクロストークの抑制にも効果的である。
本実施形態のメモリセルにおいても、第1実施形態の変形例1〜4の抵抗変化型素子が適用可能である。抵抗変化型素子と電流制御素子の上下関係は限定されず、電流制御素子の上に抵抗変化型素子が形成されてもよい。電流制御素子と抵抗変化型素子との接続部の電極を1個としてもよい。すなわち、同一の電極を電流制御素子の電極および抵抗変化型素子の電極として用いても良い。第1配線および/または第2配線を、電流制御素子および/または抵抗変化型素子の電極として用いても良い。
図19は、本発明の第3実施形態にかかる抵抗変化型記憶装置の概略構成の一例を示す平面図である。図20は、本発明の第3実施形態にかかる抵抗変化型記憶装置の概略構成の一例を示す断面図であり、図20(a)は図19の線D−D’に沿って切った断面を矢印方向から見た図、図20(b)は図19の線E−E’に沿って切った断面を矢印方向から見た図である。
[素子の構成]
図21は、本発明の第4実施形態にかかる抵抗変化型素子の概略構成の一例を示す断面図である。
以下、エッチングストッパ層を設ける理由について説明する。図1や図9、図12に示された抵抗変化型素子100、100’、100”の構成では、いずれの場合も層間絶縁層3を貫通して第1抵抗変化層2へ到達するスルーホール4を、通常、ドライエッチングにより形成する。この際、スルーホール4の内部に露出する第1抵抗変化層2は、エッチングガスに曝される。
図25は、本発明の第4実施形態にかかる抵抗変化型素子およびメモリセルを製造する方法の一例を示す工程図であり、図25(a)は基板7上に第1配線8と第1電極1と第1抵抗変化層2とエッチングストッパ層12と層間絶縁層3とを形成する工程を示す図であり、図25(b)は層間絶縁層3にスルーホール4“を形成する工程を示す図であり、図25(c)はエッチングストッパ層12にスルーホール4’を形成する工程を示す図であり、図25(d)は第2抵抗変化層5と第2電極6と電流制御素子110と第2配線9とを形成する工程を示す図である。
形態のようなクロスポイント型の記憶装置が実現可能であることは言うまでもない。
[素子の構成]
図26は、本発明の第5実施形態にかかる抵抗変化型素子600の概略構成の一例を示す図であり、図26(a)は断面図、図26(b)は平面図である。図26(a)は、図26(b)においてA−A’線に沿って切った断面を矢印方向から見た断面図である。
図27は、本発明の第5実施形態にかかるメモリセル700の概略構成の一例を示す図であり、図27(a)は断面図、図27(b)は平面図である。図27(a)は、図27(b)においてA−A’線に沿って切った断面を矢印方向から見た断面図である。
1’第1電極材料層
2 第1抵抗変化層
2’第1抵抗変化材料層
3 層間絶縁層
4 スルーホール
4’スルーホール
4”スルーホール
5 第2抵抗変化層層
5’第2抵抗変化材料
6 第2電極
6’第2電極材料層
7 基板
8 第1配線
9 第2配線
10 絶縁層
11 第2の層間絶縁層
12 エッチングストッパ層
20 開口部
100 抵抗変化型素子
100’抵抗変化型素子
100”抵抗変化型素子
110 電流制御素子
111 第3電極
112 電流制御層
113 第4電極
150 抵抗変化型素子
200 メモリセル
300 抵抗変化型記憶装置
400 抵抗変化型素子
500 メモリセル
600 抵抗変化型素子
700 メモリセル
Claims (18)
- 基板と、前記基板上に形成された第1電極と、第2電極と、層間絶縁層と、を備え、
前記層間絶縁層を貫通するようにスルーホールが形成され、
前記スルーホールの外部に、前記スルーホールの外部にある前記第1電極と接続され、かつ遷移金属酸化物で構成される第1抵抗変化層が形成され、
前記スルーホールの内部に、遷移金属酸化物で構成される第2抵抗変化層が形成され、
前記第2抵抗変化層上に前記第2電極が形成され、
前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層とは抵抗率が異なり、
前記第1抵抗変化層と前記第2抵抗変化層とが前記スルーホールの基板側の開口部のみにおいて互いに接するように形成され、
前記第1電極と前記第2電極との間に電気的パルスが印加されることで前記第1電極と前記第2電極との間の電気抵抗が変化する、
抵抗変化型素子。 - 前記第1抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物の抵抗率が前記第2抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物の抵抗率よりも高い、請求項1に記載の抵抗変化型素子。
- 前記第2抵抗変化層は、前記スルーホールの底部と側壁部とを覆うように形成され、
さらに、前記スルーホールの内部において前記第2抵抗変化層の上に埋め込み形成された電極を備える、請求項1に記載の抵抗変化型素子。 - 前記第1抵抗変化層は、前記層間絶縁層の厚み方向から見て、前記スルーホールの基板側の開口部の全部を覆うと共にその外側にはみ出すように形成され、第2抵抗変化層は、層間絶縁層の厚み方向から見て、前記一方の開口部の全部を覆うと共にその外側にはみ出さないように形成されている、請求項1に記載の抵抗変化型素子。
- 前記第1抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物および前記第2抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物は、それぞれ、Ta、Hf、Zrからなる群より選択される少なくとも1つの遷移金属の酸化物である、請求項1に記載の抵抗変化型素子。
- 前記第1抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物および前記第2抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物はいずれもタンタル酸化物であって、
一方のタンタル酸化物をTaOxと表した場合に0.8≦x≦1.9を満足し、他方のタンタル酸化物をTaOyと表した場合にx<yを満足するように構成されている、請求項1に記載の抵抗変化型素子。 - 前記第1抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物の抵抗率が前記第2抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物の抵抗率よりも低い、請求項1に記載の抵抗変化型素子。
- 前記第1抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物の抵抗率が前記第2抵抗変化層を構成する遷移金属酸化物の抵抗率よりも高く、
前記層間絶縁層と前記第1抵抗変化層との間にフッ素化合物ガスを含むエッチングガスを用いたエッチングに耐性を有するエッチングストッパ層が形成されており、前記スルーホールは前記層間絶縁層および前記エッチングストッパ層を貫通するように形成されている、請求項1に記載の抵抗変化型素子。 - 前記エッチングストッパ層は、窒化シリコン(SiN)、酸窒化シリコン(SiON)、炭窒化シリコン(SiCN)からなる群より選択される少なくとも1つの材料で構成される、請求項8に記載の抵抗変化型素子。
- 前記エッチングストッパ層は、5nm以上の厚さを有する、請求項8または9に記載の抵抗変化型素子。
- 基板と、
基板の主面に平行な第1平面内において第1方向に互いに平行に延びるように形成された複数の第1配線と、
前記第1平面に平行な第2平面内において第2方向に互いに平行に延びるようにかつ前記複数の第1配線とそれぞれ立体交差するように形成された複数の第2配線と、
前記第1配線と前記第2配線との立体交差点のそれぞれに形成されたメモリセルとを備え、
前記メモリセルは、請求項1に記載の抵抗変化型素子と、前記抵抗変化型素子に直列に接続された電流制御素子とを備え、
前記層間絶縁層が前記第1平面と前記第2平面との間に形成されている、抵抗変化型記憶装置。 - 前記電流制御素子は、
同一のメモリセルを構成する前記抵抗変化型素子に対応する前記スルーホールの、前記第1抵抗変化層で覆われていない開口部を覆うように形成されている
請求項11に記載の抵抗変化型記憶装置。 - 前記電流制御素子は、
前記層間絶縁層の両側のうち、
同一のメモリセルを構成する前記抵抗変化型素子の第1抵抗変化層が設けられている側に形成されている、
請求項11に記載の抵抗変化型記憶装置。 - 前記電流制御素子は、MIMダイオード、MSMダイオード、バリスタからなる群より選択される少なくとも1つの素子である、請求項11に記載の抵抗変化型記憶装置。
- 基板上に、第1電極を形成する第1電極形成ステップと、
前記第1電極上に、遷移金属酸化物で構成される第1抵抗変化層を形成する第1抵抗変化層形成ステップと、
前記第1抵抗変化層の上に層間絶縁層を形成する層間絶縁層形成ステップと、
前記第1抵抗変化層の上に前記層間絶縁層を貫通するようにスルーホールを形成するスルーホール形成ステップと、
前記スルーホールの内部において前記第1抵抗変化層と前記スルーホールの開口部でのみ接するように、遷移金属酸化物で構成され、かつ前記第1抵抗変化層と抵抗率が異なる、第2抵抗変化層を形成する第2抵抗変化層形成ステップと、
前記第2抵抗変化層上に第2電極を形成するステップと、を有し、
前記第1電極と前記第2電極との間に電気的パルスが印加されることで前記第1電極と前記第2電極との間の電気抵抗が変化する、
抵抗変化型素子の製造方法。 - 前記第1抵抗変化層が、前記スルーホールの一方の開口部の全部を覆うとともに該一方の開口部の外側にはみ出すように構成される、請求項15に記載の抵抗変化型素子の製造方法。
- さらに、前記第1抵抗変化層形成ステップと前記層間絶縁層形成ステップとの間に行われる、前記第1抵抗変化層の上にフッ素化合物ガスを含むエッチングガスを用いたエッチングに耐性を有するエッチングストッパ層を形成するエッチングストッパ層形成ステップを有し、
前記層間絶縁層形成ステップは、前記第1抵抗変化層および前記エッチングストッパ層の上に層間絶縁層を形成するステップである、
請求項15に記載の抵抗変化型素子の製造方法。 - 前記スルーホール形成ステップにおいて、前記層間絶縁膜は、フッ素化合物ガスを含むエッチングガスを用いてエッチングし、前記エッチングストッパ層は、不活性ガスを用いてエッチングする、請求項17に記載の抵抗変化型素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010546160A JP4688979B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-12 | 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009165076 | 2009-07-13 | ||
JP2009165076 | 2009-07-13 | ||
JP2010546160A JP4688979B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-12 | 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置 |
PCT/JP2010/004498 WO2011007538A1 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-12 | 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4688979B2 true JP4688979B2 (ja) | 2011-05-25 |
JPWO2011007538A1 JPWO2011007538A1 (ja) | 2012-12-20 |
Family
ID=43449148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010546160A Active JP4688979B2 (ja) | 2009-07-13 | 2010-07-12 | 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8394669B2 (ja) |
JP (1) | JP4688979B2 (ja) |
WO (1) | WO2011007538A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9252189B2 (en) | 2011-06-27 | 2016-02-02 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Nonvolatile semiconductor memory element, nonvolatile semiconductor memory device, and method for manufacturing nonvolatile semiconductor memory device |
Families Citing this family (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010267784A (ja) * | 2009-05-14 | 2010-11-25 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP5788274B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2015-09-30 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の製造方法 |
JP5687978B2 (ja) * | 2011-09-14 | 2015-03-25 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 抵抗変化型不揮発記憶装置、半導体装置及び抵抗変化型不揮発記憶装置の動作方法 |
JP5282176B1 (ja) * | 2011-10-12 | 2013-09-04 | パナソニック株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
US8581224B2 (en) * | 2012-01-20 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Memory cells |
JP5412012B1 (ja) * | 2012-01-25 | 2014-02-12 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶素子とその製造方法 |
US9276204B2 (en) * | 2012-02-29 | 2016-03-01 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Memristor with channel region in thermal equilibrium with containing region |
JP2013187256A (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-19 | Toshiba Corp | 不揮発性抵抗変化素子 |
JP2013207131A (ja) * | 2012-03-29 | 2013-10-07 | Ulvac Japan Ltd | 抵抗変化素子及びその製造方法 |
US8853713B2 (en) * | 2012-05-07 | 2014-10-07 | Micron Technology, Inc. | Resistive memory having confined filament formation |
US9053781B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for a forming free resistive random access memory with multi-level cell |
US9680091B2 (en) | 2012-06-15 | 2017-06-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Structure and method for a complimentary resistive switching random access memory for high density application |
CN103579280B (zh) * | 2012-08-10 | 2015-12-02 | 复旦大学 | 电阻型存储器及其制备方法 |
US8637846B1 (en) * | 2012-08-31 | 2014-01-28 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structure including a zirconium oxide material |
JP5571833B2 (ja) | 2012-09-14 | 2014-08-13 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及び不揮発性記憶素子の製造方法 |
US9847480B2 (en) | 2012-09-28 | 2017-12-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Resistance variable memory structure and method of forming the same |
JP5555821B1 (ja) | 2012-11-14 | 2014-07-23 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子及びその製造方法 |
US9019743B2 (en) | 2012-11-29 | 2015-04-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and structure for resistive switching random access memory with high reliable and high density |
US9023699B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-05-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Resistive random access memory (RRAM) structure and method of making the RRAM structure |
US9130162B2 (en) | 2012-12-20 | 2015-09-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Resistance variable memory structure and method of forming the same |
US20140273525A1 (en) * | 2013-03-13 | 2014-09-18 | Intermolecular, Inc. | Atomic Layer Deposition of Reduced-Leakage Post-Transition Metal Oxide Films |
US9349953B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-05-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Resistance variable memory structure and method of forming the same |
US10289600B2 (en) | 2013-08-08 | 2019-05-14 | Qualcomm Incorporated | Reducing transmitter encoding jitter in a C-PHY interface using multiple clock phases to launch symbols |
US9276731B2 (en) * | 2013-08-08 | 2016-03-01 | Qualcomm Incorporated | N-phase signal transition alignment |
US9837605B2 (en) | 2013-08-16 | 2017-12-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Memory cell having resistance variable film and method of making the same |
KR102225782B1 (ko) | 2014-07-28 | 2021-03-10 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
KR102293859B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-08-25 | 삼성전자주식회사 | 가변 저항 메모리 소자 및 이의 제조 방법 |
US9893280B2 (en) * | 2015-02-06 | 2018-02-13 | Toshiba Memory Corporation | Memory device |
TWI556245B (zh) * | 2015-02-16 | 2016-11-01 | 國立中山大學 | 電阻式記憶體 |
CN106654004B (zh) * | 2015-10-29 | 2019-03-19 | 华邦电子股份有限公司 | 电阻式存储器及其制造方法 |
KR102434174B1 (ko) | 2017-11-22 | 2022-08-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 홀 내에 국한된 선택 소자 패턴를 갖는 반도체 메모리 장치 |
US10381561B2 (en) | 2018-01-10 | 2019-08-13 | Internatoinal Business Machines Corporation | Dedicated contacts for controlled electroforming of memory cells in resistive random-access memory array |
US11276732B2 (en) | 2019-09-20 | 2022-03-15 | International Business Machines Corporation | Semiconductor memory devices formed using selective barrier metal removal |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753561B1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-06-22 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple thin films |
WO2007102341A1 (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化型素子、半導体装置、およびその製造方法 |
JP2007287761A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法 |
JP2008085071A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
JP2008512857A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション | 混合原子価導電性酸化物を用いたメモリ |
WO2008117494A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Panasonic Corporation | 記憶素子及び記憶装置 |
WO2008149484A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2009050833A1 (ja) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2009081595A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Panasonic Corporation | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7082052B2 (en) * | 2004-02-06 | 2006-07-25 | Unity Semiconductor Corporation | Multi-resistive state element with reactive metal |
US7538338B2 (en) * | 2004-09-03 | 2009-05-26 | Unity Semiconductor Corporation | Memory using variable tunnel barrier widths |
JP4830275B2 (ja) * | 2004-07-22 | 2011-12-07 | ソニー株式会社 | 記憶素子 |
JP4989631B2 (ja) * | 2006-03-30 | 2012-08-01 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子 |
JP4373486B2 (ja) * | 2006-10-16 | 2009-11-25 | パナソニック株式会社 | 不揮発性記憶素子アレイおよびその製造方法 |
JP2008305889A (ja) | 2007-06-06 | 2008-12-18 | Panasonic Corp | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP5308105B2 (ja) | 2007-10-05 | 2013-10-09 | シャープ株式会社 | 可変抵抗素子及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-07-12 JP JP2010546160A patent/JP4688979B2/ja active Active
- 2010-07-12 WO PCT/JP2010/004498 patent/WO2011007538A1/ja active Application Filing
- 2010-07-12 US US13/128,575 patent/US8394669B2/en active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6753561B1 (en) * | 2002-08-02 | 2004-06-22 | Unity Semiconductor Corporation | Cross point memory array using multiple thin films |
JP2008512857A (ja) * | 2004-09-03 | 2008-04-24 | ユニティ・セミコンダクター・コーポレーション | 混合原子価導電性酸化物を用いたメモリ |
WO2007102341A1 (ja) * | 2006-03-09 | 2007-09-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 抵抗変化型素子、半導体装置、およびその製造方法 |
JP2007287761A (ja) * | 2006-04-13 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリならびにその製造方法 |
JP2008085071A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置及びその制御方法 |
WO2008117494A1 (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Panasonic Corporation | 記憶素子及び記憶装置 |
WO2008149484A1 (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-11 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2009050833A1 (ja) * | 2007-10-15 | 2009-04-23 | Panasonic Corporation | 不揮発性記憶素子、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置 |
WO2009081595A1 (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-02 | Panasonic Corporation | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 |
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WO2011007538A1 (ja) | 2011-01-20 |
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