JP5175610B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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(1)本願発明に含まれる一実施の形態である半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む、
(a)その表面に半導体パッケージが接着されたテープをピックアップステージ上に配置し、前記表面とは反対側の前記テープの裏面を前記ピックアップステージの上面に設けられた透明ないし半透明の支持板に固定する工程;
(b)前記(a)工程の後、前記ピックアップステージの内部に設けられた光源から前記テープの前記裏面に光を照射し、前記半導体パッケージの上方に配置した撮像手段によって前記半導体パッケージを撮影する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記(b)工程で撮影された前記半導体パッケージの画像を処理することによって前記半導体パッケージの位置を検出してから、ピックアップ手段を前記半導体パッケージの上方に配置する工程;
(d)前記(c)工程の後、前記ピックアップステージの内部にそれぞれ設けられ、かつ前記半導体パッケージと重なる位置にそれぞれ設けられた複数の突き上げ針を上昇させることによって前記テープから前記半導体パッケージを剥離し、前記テープから剥離された前記半導体パッケージを前記ピックアップ手段により吸着・保持する工程;
(e)前記(d)工程の後、前記ピックアップ手段に吸着・保持された前記半導体パッケージを印刷ステージ上に位置決めする工程;
(f)前記(e)工程の後、前記印刷ステージ上に位置決めされた前記半導体パッケージの所定位置にマークを形成する工程;
ここで、
前記光源は、前記複数の突き上げ針で囲まれる領域に配置されている。
2 カード本体(半導体パッケージ)
3 ケース(キャップ)
3a 溝
3b 突起
4 配線基板
5C、5F シリコンチップ
6 チップコンデンサ
7 モールド樹脂
8 配線
9 Auワイヤ
10 シート状接着剤
11 外部接続端子
12 マーク
13 ガイド溝
14 ノッチ溝
15 抜け防止溝
20 マップ基板(大型配線基板)
21 ダイシングテープ
22 リング
23 ダイシングブレード
25 印刷ステージ
26 接着ステージ
27 クランプ
28 画像処理装置
29 クランプ
30 ピックアップステージ
31 ピックアップハンド
32 駆動系
33 CCDカメラ(撮像手段)
34 LED光源
35 突き上げ針
36 突き上げ台座
37 支持板
38 貫通穴
39 エアー抜き穴
40 Oリング
41 カードステージ(第1ステージ)
42 ケースステージ(キャップステージ、第2ステージ)
43、44 CCDカメラ
45 画像処理装置
46 LED光源
47 吸着板
50 位置補正用治具
51 メカニカルチャック
DL ダイシングライン
LB レーザビーム
Claims (6)
- 以下の工程を含む半導体装置の製造方法:
(a)その表面に半導体パッケージが接着されたテープをピックアップステージ上に配置し、前記表面とは反対側の前記テープの裏面を前記ピックアップステージの上面に設けられた透明ないし半透明の支持板に固定する工程;
(b)前記(a)工程の後、前記ピックアップステージの内部に設けられた光源から前記テープの前記裏面に光を照射し、前記半導体パッケージの上方に配置した撮像手段によって前記半導体パッケージを撮影する工程;
(c)前記(b)工程の後、前記(b)工程で撮影された前記半導体パッケージの画像を処理することによって前記半導体パッケージの位置を検出してから、ピックアップ手段を前記半導体パッケージの上方に配置する工程;
(d)前記(c)工程の後、前記ピックアップステージの内部にそれぞれ設けられ、かつ前記半導体パッケージと重なる位置にそれぞれ設けられた複数の突き上げ針を上昇させることによって前記テープから前記半導体パッケージを剥離し、前記テープから剥離された前記半導体パッケージを前記ピックアップ手段により吸着・保持する工程;
(e)前記(d)工程の後、前記ピックアップ手段に吸着・保持された前記半導体パッケージを印刷ステージ上に位置決めする工程;
(f)前記(e)工程の後、前記印刷ステージ上に位置決めされた前記半導体パッケージの所定位置にマークを形成する工程;
ここで、
前記光源は、前記複数の突き上げ針で囲まれる領域に配置されている。 - 前記半導体パッケージは、配線基板と、前記配線基板の主面上に実装された半導体チップと、前記配線基板の裏面に形成され、前記半導体チップと電気的に接続された複数の外部接続端子と、前記配線基板の主面および前記半導体チップを封止するモールド樹脂とを有し、
前記(f)工程では、前記配線基板の裏面に前記マークを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップにメモリ回路が形成されていることを特徴とする請求項2記載の半導体装置の製造方法。
- 前記メモリ回路は、電気的に消去および書き込み可能な不揮発性メモリ回路であり、
前記配線基板の主面上には、前記不揮発性メモリ回路に対するメモリインタフェース動作を制御するインタフェースコントローラ回路が形成された第2の半導体チップがさらに実装されていることを特徴とする請求項3記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ピックアップステージに内蔵された前記光源は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 前記(f)工程では、前記半導体パッケージの前記所定位置にレーザービームを照射することによって、前記マークを形成することを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
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