JP5173504B2 - Sealing panel manufacturing method and plasma display panel manufacturing method using the same - Google Patents

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Description

本発明は、封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法に関するものである。 The present invention relates to a manufacturing method of the sealing panel and the manufacturing how the plasma display using the same.

従来から、プラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という。）は表示装置の分野で広く利用されており、最近では大画面で高品質かつ低価格のＰＤＰが要求されている。
一般にＰＤＰは、前面基板と背面基板とが封着材を介して貼り合わされ、内部に放電ガスが封入されたものである。ＰＤＰとして、前面基板に維持電極および走査電極が形成され、背面基板にアドレス電極が形成された３電極面放電型が主流となっている。走査電極とアドレス電極との間に電圧を印加して放電を発生させると、封入された放電ガスがプラズマ化して紫外線が放出される。この紫外線により、背面基板に形成された蛍光体が励起されて、可視光が放出されるようになっている。 Conventionally, a plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”) has been widely used in the field of display devices, and recently, a large screen, high quality and low price PDP is required.
In general, a PDP has a front substrate and a rear substrate bonded together with a sealing material, and a discharge gas is sealed inside. As the PDP, a three-electrode surface discharge type in which a sustain electrode and a scan electrode are formed on a front substrate and an address electrode is formed on a rear substrate has become the mainstream. When a voltage is applied between the scan electrode and the address electrode to generate a discharge, the enclosed discharge gas is turned into plasma and ultraviolet rays are emitted. This ultraviolet light excites the phosphor formed on the back substrate to emit visible light.

両基板の封着材として、従来は低融点ガラスが採用されていたが、近時では樹脂材料を採用する技術が提案されている。封着材として樹脂材料を採用することで、パネル封着時の加熱条件および冷却条件が緩和されるため、パネル製造時間を大幅に短縮することが可能になる。
一方、封着材として熱硬化性樹脂材料を採用すると、パネル封着時の加熱により、樹脂材料自体の蒸発しやすい成分または樹脂材料に含まれるＣＯ２や、Ｃ６Ｈ６、その他炭化物等の不純物ガスや水分が、アウトガスとしてパネル内部に放出される虞がある。 Conventionally, low-melting glass has been used as a sealing material for both substrates, but recently, a technique using a resin material has been proposed. By adopting a resin material as the sealing material, the heating conditions and cooling conditions at the time of panel sealing are alleviated, so that the panel manufacturing time can be greatly shortened.
On the other hand, when a thermosetting resin material is employed as the sealing material, CO 2 , C 6 H 6 , other carbides, etc. contained in the resin material itself or components that easily evaporate due to heating during panel sealing Impurity gas and moisture may be released into the panel as outgas.

これに対して、例えば特許文献１に示すように、各基板を封着する封着材として紫外線硬化性樹脂材料を用いる技術が提案されている。この構成によれば、紫外線照射によって両基板を封着することが可能になり、封着時の高温加熱が必要なくなる。そのため、封着材から放出されるアウトガスの放出量を低減させることができ、パネルの製造時間を短縮することができるとされている。
特開２００２−７５１９７号公報 On the other hand, as shown in Patent Document 1, for example, a technique using an ultraviolet curable resin material as a sealing material for sealing each substrate has been proposed. According to this configuration, both substrates can be sealed by ultraviolet irradiation, and high temperature heating during sealing is not necessary. For this reason, the amount of outgas released from the sealing material can be reduced, and the manufacturing time of the panel can be shortened.
JP 2002-75197 A

しかしながら、上述のように封着材として紫外線硬化性樹脂を用いる場合であっても、パネル封着後に、封着材に含まれている水分等がパネル内部に放出されたり、外部から封着材を透過して水分等がパネル内部に侵入したりする虞がある。
その結果、パネル内部に水分が侵入することで、パネル内部に封入されている放電ガスの純度が次第に低下していき、放電電圧が上昇するため、消費電力が増加するという問題がある。また、ＰＤＰの清浄化やエージングに時間を要することになるという問題がある。 However, even when an ultraviolet curable resin is used as the sealing material as described above, moisture or the like contained in the sealing material is released to the inside of the panel after the panel sealing, or the sealing material from the outside. There is a risk that moisture or the like may penetrate into the panel through the permeation.
As a result, when moisture enters the panel, the purity of the discharge gas sealed inside the panel gradually decreases and the discharge voltage increases, resulting in a problem of increased power consumption. In addition, there is a problem that it takes time to clean and age the PDP.

そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであって、封着材の塗布後に封着材から放出される水分を低減することができる封着パネルの製造方法及びそれを用いたプラズマディスプレイの製造方法を提供するものである。また、水分の発生が少ない紫外線硬化性樹脂を提供するものである。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and a method for manufacturing a sealing panel capable of reducing moisture released from the sealing material after application of the sealing material and the use thereof. The present invention provides a method for manufacturing a plasma display. Further, the present invention provides an ultraviolet curable resin that generates less moisture.

上記目的を達成するため、本発明に係る封着パネルの製造方法は、第１基板および第２基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、前記第２基板における前記第１基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程を有し、前記塗布工程に先立って、前記封着材を３５℃以上８５℃以下で加熱しつつ、０．１Ｐａ以下の減圧雰囲気下で２０時間以上１２０時間以下保持する長時間脱ガス工程を有し、前記長時間脱ガス工程に先立って、前記封着材を１４０℃以上で加熱しつつ、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持する高温脱ガス工程を有することを特徴とする。
この構成によれば、長時間脱ガス工程において、封着材となる紫外線硬化性樹脂を減圧雰囲気下で長時間加熱することで、封着材を第２基板に塗布する前に、封着材に含まれる低蒸気圧成分（主に水分）を放出しておくことができる。これにより、封着材の塗布後に封着材中に含まれる水分が放出されるのを防止することが可能になり、室内や両基板が汚染されることを防ぐことができる。
そして、このような封着材を硬化させることで、封着材の硬化時に水分による重合阻害が低減され、硬化重合反応が効率良く行われるため、膜特性に優れ、ガス透過の少ない封着材を形成することができる。これにより、両基板の封着後に、室内に存在する水分が封着材を透過し、パネル内部まで侵入することを防ぐことができる。また、封着材中に含まれる水分を除去しておくことで、封着後に封着材に含まれる水分がパネル内部に向けて放出されるのを防止することが可能になる。
ここで、長時間脱ガス工程の際に、減圧雰囲気下で３５℃以上８５℃以下の範囲で封着材を加熱しつつ、２０時間以上１２０時間以下保持することで、封着材の硬化不良を防いだ上で、封着材中に含まれる水分を効率良く除去することができる。したがって、封着材の塗布後に封着材から放出される水分を低減することができる。 In order to achieve the above object, a method for manufacturing a sealing panel according to the present invention is a method for manufacturing a sealing panel in which a first substrate and a second substrate are bonded together with a sealing material, A coating step of coating the sealing material made of an ultraviolet curable resin on a surface of the substrate facing the first substrate, and prior to the coating step, the sealing material is at 35 ° C. or more and 85 ° C. or less. while heating, have a long degassing step of holding under a reduced pressure of not more than atmospheric 0.1 Pa 20 hours to 120 hours or less, the long time prior to the degassing step, heating said sealing material at 140 ° C. or higher while being characterized by Rukoto to have a high temperature degassing step of holding more than 10 minutes under a reduced pressure of not more than atmospheric 10kPa least 100 Pa.
According to this configuration, in the long-time degassing step, the ultraviolet curable resin to be a sealing material is heated for a long time in a reduced pressure atmosphere, so that the sealing material is applied to the second substrate before being applied. The low vapor pressure component (mainly moisture) contained in can be released. Thereby, it becomes possible to prevent the moisture contained in the sealing material from being released after the sealing material is applied, and it is possible to prevent the room and both substrates from being contaminated.
And by curing such a sealing material, polymerization inhibition due to moisture is reduced at the time of curing of the sealing material, and the curing polymerization reaction is performed efficiently, so that the sealing material has excellent film characteristics and less gas permeation. Can be formed. Thereby, it is possible to prevent moisture existing in the room from passing through the sealing material and entering the inside of the panel after the both substrates are sealed. Further, by removing the moisture contained in the sealing material, it becomes possible to prevent the moisture contained in the sealing material from being released toward the inside of the panel after sealing.
Here, during the degassing step for a long time, the sealing material is heated in a range of 35 ° C. or higher and 85 ° C. or lower in a reduced pressure atmosphere, and held for 20 hours or more and 120 hours or less, so that the sealing material is not cured properly In addition, the moisture contained in the sealing material can be efficiently removed. Therefore, moisture released from the sealing material after application of the sealing material can be reduced.

また、この構成によれば、長時間脱ガス工程に先立って、封着材を１４０℃以上で加熱するとともに、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持する高温脱ガス工程を有することで、封着材に含まれる高蒸気圧成分（主に樹脂材料自体）を効率良く放出させることができる。一方、圧力を１００Ｐａ以上に設定することで、減圧により生じる封着材の硬化を防止することができる。 Further, according to the configuration of this, a long time prior to the degassing step, the sealing material with heating at 140 ° C. or higher, with a high temperature degassing step of holding more than 10 minutes under a reduced pressure of not more than atmospheric 10kPa least 100Pa Thus, the high vapor pressure component (mainly the resin material itself) contained in the sealing material can be efficiently released. On the other hand, by setting the pressure to 100 Pa or more, it is possible to prevent the sealing material from being hardened due to the reduced pressure.

また、前記塗布工程では、露点が−４０℃以下の乾燥雰囲気下で前記封着材を塗布することを特徴とする。
この構成によれば、露点が−４０℃以下に設定された乾燥雰囲気下において、封着材を塗布することで、上述した長時間脱ガス工程を経た封着材に再び水分等が吸着することがない。したがって、水分等が除去された封着材を第２基板に対して確実に塗布することができるため、ガス透過の少ない封着材を形成することができる。したがって、両基板の封着後にパネル内部に向けて水分が放出されるのを確実に防止することができる。 In the application step, the sealing material is applied in a dry atmosphere having a dew point of −40 ° C. or less.
According to this configuration, when a sealing material is applied in a dry atmosphere with a dew point set to −40 ° C. or lower, moisture or the like is adsorbed again on the sealing material that has undergone the long-time degassing step. There is no. Therefore, since the sealing material from which moisture and the like are removed can be reliably applied to the second substrate, a sealing material with less gas permeation can be formed. Accordingly, it is possible to reliably prevent moisture from being released toward the inside of the panel after the both substrates are sealed.

また、前記長時間脱ガス工程と前記塗布工程との間は、減圧雰囲気下または露点が−４０℃以下の乾燥雰囲気下で前記封着材を保持する。
この構成によれば、長時間脱ガス工程と塗布工程との間において、封着材を減圧雰囲気下または露点が−４０℃以下の乾燥雰囲気下に保持することで、上述した長時間脱ガス工程を経た封着材に水分等が再び吸着することがない。したがって、ガス透過の少ない封着材を形成することができ、封着後に封着材から水分が放出されるのを確実に防止することができる。 In addition, the sealing material is held under a reduced pressure atmosphere or a dry atmosphere having a dew point of −40 ° C. or less between the long-time degassing step and the coating step.
According to this configuration, the above-described long-time degassing step is performed by maintaining the sealing material in a reduced pressure atmosphere or a dry atmosphere having a dew point of −40 ° C. or less between the long-time degassing step and the coating step. Moisture or the like is not adsorbed again on the sealing material that has undergone the above. Therefore, it is possible to form a sealing material with little gas permeation, and reliably prevent moisture from being released from the sealing material after sealing.

一方、本発明に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、上記封着パネルの製造方法を用いたことを特徴とする。
この構成によれば、上述した封着パネルの製造方法を用いることで、ガス透過の少ない封着材により封着されるため、封着後においてパネル内部に水分等が侵入することを防止することができる。したがって、放電ガスの純度を良好な状態で維持することが可能になり、放電電圧の増加を防ぐことができるため、スループット向上および省エネルギーを実現した低コストなプラズマディスプレイパネルを製造することができる。 On the other hand, a method for manufacturing a plasma display panel according to the present invention is characterized by using the above-described method for manufacturing a sealing panel.
According to this configuration, by using the sealing panel manufacturing method described above, sealing is performed with a sealing material with less gas permeation, thereby preventing moisture or the like from entering the panel after sealing. Can do. Accordingly, the purity of the discharge gas can be maintained in a good state, and an increase in the discharge voltage can be prevented, so that a low-cost plasma display panel that realizes improved throughput and energy saving can be manufactured.

一方、本発明に係る紫外線硬化性樹脂は、第１基板と第２基板とを貼り合わせる封着材として用いられる紫外線硬化性樹脂であって、前記封着材として塗布される前に、前記封着材を１４０℃以上で加熱しつつ、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持する高温脱ガス処理が施され、続いて、３５℃以上８５℃以下で加熱しつつ、０．１Ｐａ以下の減圧雰囲気下で２０時間以上１２０時間以下保持する長時間脱ガス処理が施されていることを特徴とする。
この構成によれば、封着材となる紫外線硬化性樹脂に予め長時間脱ガス処理を施すことで、紫外線硬化性樹脂に含まれる水分等を放出しておくことができる。これにより、紫外線硬化性樹脂中に含まれる水分が放出されるのを防止することが可能になり、紫外線硬化性樹脂を封着材として塗布した後に室内や両基板が汚染されることを防ぐことができる。
そして、このような紫外線硬化性樹脂を硬化させることで、紫外線硬化性樹脂の硬化時に水分による重合阻害が低減され、硬化重合反応が効率良く行われるため、膜特性に優れ、ガス透過の少ない膜を形成することができる。 On the other hand, UV-curable resin according to the present invention is a UV-curable resin used as sealing material bonding the first substrate and the second substrate, prior to being applied as the sealing material, said sealing While the dressing is heated at 140 ° C. or higher, a high temperature degassing treatment is performed for 10 minutes or more in a reduced pressure atmosphere of 100 Pa or higher and 10 kPa or lower, followed by heating at 35 ° C. or higher and 85 ° C. or lower to 0.1 Pa. It is characterized in that a degassing treatment is performed for a long period of time that is maintained for 20 hours to 120 hours under the following reduced pressure atmosphere.
According to this configuration, moisture or the like contained in the ultraviolet curable resin can be released by subjecting the ultraviolet curable resin serving as the sealing material to degassing treatment for a long time in advance. This makes it possible to prevent moisture contained in the UV curable resin from being released, and to prevent contamination of the room and both substrates after applying the UV curable resin as a sealing material. Can do.
By curing such an ultraviolet curable resin, the polymerization inhibition due to moisture is reduced at the time of curing the ultraviolet curable resin, and the curing polymerization reaction is efficiently performed. Therefore, the film has excellent film characteristics and has little gas permeation. Can be formed.

本発明によれば、封着材の硬化時に水分による重合阻害が低減され、硬化重合反応が効率良く行われるため、膜特性に優れ、ガス透過の少ない封着材を形成することができる。これにより、室内に存在する水分が封着材を透過し、パネル内部まで侵入することを防ぐことができる。また、封着材中に含まれる水分を除去しておくことで、封着後に封着材に含まれる水分がパネル内部に向けて放出されるのを防止することが可能になる。
したがって、放電ガスの純度を良好な状態で維持することが可能になり、放電電圧の増加を防ぐことができるため、スループット向上および省エネルギーを実現した低コストなプラズマディスプレイパネルを製造することができる。 According to the present invention, polymerization inhibition due to moisture is reduced when the sealing material is cured, and the curing polymerization reaction is efficiently performed. Therefore, it is possible to form a sealing material having excellent film characteristics and low gas permeation. Thereby, it is possible to prevent moisture existing in the room from passing through the sealing material and entering the inside of the panel. Further, by removing the moisture contained in the sealing material, it becomes possible to prevent the moisture contained in the sealing material from being released toward the inside of the panel after sealing.
Accordingly, the purity of the discharge gas can be maintained in a good state, and an increase in the discharge voltage can be prevented, so that a low-cost plasma display panel that realizes improved throughput and energy saving can be manufactured.

以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
なお、本明細書において基板の「内面」とは、当該基板の両表面のうち、当該基板と対をなす基板との対向面をいうものとする。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In each drawing used for the following description, the scale of each member is appropriately changed to make each member a recognizable size.
Note that in this specification, the “inner surface” of a substrate refers to a surface facing both the surfaces of the substrate and the substrate that is paired with the substrate.

（プラズマディスプレイパネル）
図１は、３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。このプラズマディスプレイパネル（以下「ＰＤＰ」という。）１００は、対向配置された背面基板２および前面基板１と、両基板１，２の間に形成された複数の放電室１６とを備えている。 (Plasma display panel)
FIG. 1 is an exploded perspective view of a three-electrode AC type plasma display panel. The plasma display panel (hereinafter referred to as “PDP”) 100 includes a rear substrate 2 and a front substrate 1 which are disposed to face each other, and a plurality of discharge chambers 16 formed between the substrates 1 and 2.

前面基板１の内面には、所定の間隔でストライプ状に表示電極１２（走査電極１２ａおよび維持電極１２ｂ）が形成されている。この表示電極１２は、ＩＴＯ等の透明導電性材料とバス電極によって構成されている。この表示電極１２を覆うように誘電体層１３が形成され、その誘電体層１３を覆うように保護膜１４が形成されている。この保護膜１４は、放電ガスのプラズマ化によって発生した陽イオンから誘電体層１３を保護するものであり、ＭｇＯやＳｒＯ等のアルカリ土類金属の酸化物によって構成されている。   Display electrodes 12 (scanning electrodes 12 a and sustaining electrodes 12 b) are formed in stripes at predetermined intervals on the inner surface of the front substrate 1. The display electrode 12 is composed of a transparent conductive material such as ITO and a bus electrode. A dielectric layer 13 is formed so as to cover the display electrode 12, and a protective film 14 is formed so as to cover the dielectric layer 13. The protective film 14 protects the dielectric layer 13 from cations generated by the plasma of the discharge gas, and is made of an alkaline earth metal oxide such as MgO or SrO.

一方、背面基板２の内面には、所定の間隔でストライプ状にアドレス電極１１が形成されている。このアドレス電極１１は、前記表示電極１２と直交する方向に配置されている。このアドレス電極１１と表示電極１２との交点が、ＰＤＰ１００の画素になっている。
そのアドレス電極１１を覆うように、誘電体層１９が形成されている。また、隣接するアドレス電極１１の間における誘電体層１９の上面には、アドレス電極１１と平行に隔壁（リブ）１５が形成されている。さらに、隣接する隔壁１５の間における誘電体層１９の上面および隔壁１５の側面に、蛍光体１７が配設されている。この蛍光体１７は、赤、緑、青の何れかの蛍光を発光するものである。 On the other hand, address electrodes 11 are formed in stripes on the inner surface of the back substrate 2 at predetermined intervals. The address electrodes 11 are arranged in a direction orthogonal to the display electrodes 12. The intersection of the address electrode 11 and the display electrode 12 is a pixel of the PDP 100.
A dielectric layer 19 is formed so as to cover the address electrode 11. A partition wall (rib) 15 is formed in parallel with the address electrode 11 on the upper surface of the dielectric layer 19 between the adjacent address electrodes 11. Further, phosphors 17 are disposed on the upper surface of the dielectric layer 19 and the side surfaces of the partition 15 between the adjacent partitions 15. The phosphor 17 emits red, green, or blue fluorescence.

図２（ａ）は、ＰＤＰの平面図である。上述した前面基板１と背面基板２とが、両基板１，２間の周縁部に配置された封着材２０により貼り合わされている。
図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。図２（ｂ）に示すように、前面基板１と背面基板２とが貼り合わされることにより、隣接する隔壁１５の間に放電室１６が形成されている。この放電室１６の内部には、ＮｅおよびＸｅの混合ガス等の放電ガスが封入されている。 FIG. 2A is a plan view of the PDP. The front substrate 1 and the back substrate 2 described above are bonded together by a sealing material 20 disposed at the peripheral edge between the substrates 1 and 2.
FIG.2 (b) is side surface sectional drawing in the AA line of Fig.2 (a). As shown in FIG. 2B, the discharge chamber 16 is formed between the adjacent barrier ribs 15 by bonding the front substrate 1 and the rear substrate 2 together. A discharge gas such as a mixed gas of Ne and Xe is sealed inside the discharge chamber 16.

そして、アドレス電極１１と走査電極１２ａとの間に直流電圧を印加して対向放電を発生させ、さらに走査電極１２ａと維持電極１２ｂとの間に交流電圧を印加して面放電を発生させる。すると、放電室１６内に封入された放電ガスがプラズマ化して、真空紫外線が放射される。この紫外線によって蛍光体１７が励起され、可視光が前面基板１から放出されるようになっている。   A DC voltage is applied between the address electrode 11 and the scan electrode 12a to generate a counter discharge, and an AC voltage is applied between the scan electrode 12a and the sustain electrode 12b to generate a surface discharge. Then, the discharge gas sealed in the discharge chamber 16 is turned into plasma, and vacuum ultraviolet rays are emitted. The phosphor 17 is excited by the ultraviolet rays, and visible light is emitted from the front substrate 1.

（封着材）
上述した封着材２０の材料として、蒸発しやすい成分や水分、不純物ガスの放出が少なく、パネル貼り合わせ強度を確保することが可能な材料を採用する必要がある。このような材料として、本実施形態では封着時に加熱を必要とせず、常温下で紫外線を照射することにより粘度が上昇して硬化する紫外線硬化性エポキシ樹脂（カチオン系）を用いている。また、カチオン系の他に、ラジカル系等を用いることも可能であり、紫外線硬化性樹脂全般を適用することが可能である。 (Sealing material)
As the material of the sealing material 20 described above, it is necessary to adopt a material that can easily evaporate components, moisture, and impurity gas, and can ensure the panel bonding strength. As such a material, in this embodiment, an ultraviolet curable epoxy resin (cationic type) that does not require heating at the time of sealing and is cured by increasing the viscosity when irradiated with ultraviolet rays at room temperature is used. In addition to the cationic system, a radical system or the like can also be used, and general ultraviolet curable resins can be applied.

（ＰＤＰの製造方法）
次に、本発明の封着パネルの製造方法として、ＰＤＰの製造方法について説明する。図３は、本実施形態に係るＰＤＰの製造方法のフローチャートである。
図３に示すように、ＰＤＰの製造工程は、脱ガス工程（Ｓ４０）と、パネル工程（Ｓ５０）と、モジュール・セット工程（Ｓ５２）との３つに大きく分けられる。そのパネル工程（Ｓ５０）は、前面基板工程（Ｓ６０）と、背面基板工程（Ｓ７０）と、パネル化工程（Ｓ８０）との３つに分けられる。 (PDP manufacturing method)
Next, the manufacturing method of PDP is demonstrated as a manufacturing method of the sealing panel of this invention. FIG. 3 is a flowchart of the PDP manufacturing method according to the present embodiment.
As shown in FIG. 3, the manufacturing process of the PDP is roughly divided into a degassing process (S40), a panel process (S50), and a module setting process (S52). The panel process (S50) is divided into a front substrate process (S60), a back substrate process (S70), and a panel forming process (S80).

図４は、ＰＤＰの製造装置のブロック図である。
図４に示すように、ＰＤＰの製造装置５０は、前面基板ライン６０の後端、背面基板ライン７０の後端およびパネル化ライン８０の前端が、それぞれ搬送室５５，５６を介して接続されたものである。背面基板ライン７０の塗布室７９には、ＵＶ硬化樹脂セット室９０が接続されている。また、製造装置５０に設けられた各室は、それぞれゲートバルブ（不図示）を介して接続されている。このＰＤＰの製造装置５０は、図３に示すＰＤＰの製造プロセスのうち二点鎖線で囲われた範囲５０を、真空中または制御された雰囲気中で連続して実施する真空一貫装置である。 FIG. 4 is a block diagram of a PDP manufacturing apparatus.
As shown in FIG. 4, in the PDP manufacturing apparatus 50, the rear end of the front substrate line 60, the rear end of the rear substrate line 70, and the front end of the paneling line 80 are connected via transfer chambers 55 and 56, respectively. Is. A UV curable resin set chamber 90 is connected to the coating chamber 79 of the back substrate line 70. The chambers provided in the manufacturing apparatus 50 are connected to each other via gate valves (not shown). The PDP manufacturing apparatus 50 is a consistent vacuum apparatus that continuously performs the range 50 surrounded by the two-dot chain line in the PDP manufacturing process shown in FIG. 3 in a vacuum or in a controlled atmosphere.

前面基板ライン６０は、誘電体層１３までが形成された前面基板１を受け入れる前面板仕込室（真空排気室）６１と、前面基板１を１５０〜３５０℃程度に加熱する加熱室６２と、電子ビーム蒸着法により保護膜１４を形成する成膜室６４と、保護膜１４を形成した後の前面基板１を冷却させつつ、搬送室５６に搬送する前段で前面基板１を一時的に待機させる冷却・バッファ室６６とを備えている。   The front substrate line 60 includes a front plate preparation chamber (evacuation chamber) 61 that receives the front substrate 1 on which the dielectric layer 13 is formed, a heating chamber 62 that heats the front substrate 1 to about 150 to 350 ° C., and an electron Cooling in which the front substrate 1 is temporarily put on standby before being transferred to the transfer chamber 56 while cooling the film formation chamber 64 for forming the protective film 14 by the beam evaporation method and the front substrate 1 after the protective film 14 is formed. A buffer chamber 66 is provided.

一方、背面基板ライン７０は、蛍光体１７が形成された背面基板２を受け入れる背面板仕込室（真空排気室）７６と、背面基板２を加熱する加熱室７７と、加熱脱ガスした後の背面基板２を冷却させつつ、塗布室７９に搬送する前段で背面基板２を一時的に待機させる冷却・バッファ室７８と、封着材２０を塗布する塗布室７９とを備えている。   On the other hand, the back substrate line 70 includes a back plate preparation chamber (evacuation chamber) 76 that receives the back substrate 2 on which the phosphor 17 is formed, a heating chamber 77 that heats the back substrate 2, and a back surface that has been heated and degassed. While cooling the substrate 2, a cooling / buffer chamber 78 for temporarily waiting the back substrate 2 in the previous stage of conveyance to the coating chamber 79 and a coating chamber 79 for coating the sealing material 20 are provided.

図３，４に示すように、前面基板工程（Ｓ６０）では、まず表示電極１２となる透明電極を形成する（Ｓ６２）。具体的には、ＩＴＯやＳｎＯ２等の透明導電膜をスパッタ法等で形成し、パターニングして表示電極１２を形成する。次に、透明導電膜からなる表示電極１２の電気抵抗を低減するため、金属材料からなる補助電極（バス電極）をスパッタ法等により形成する（Ｓ６３）。次に、各電極の保護と壁電荷の形成を目的として、誘電体層１３を印刷法等により厚さ２０〜４０μｍに形成する。 As shown in FIGS. 3 and 4, in the front substrate process (S60), first, a transparent electrode to be the display electrode 12 is formed (S62). Specifically, a transparent conductive film such as ITO or SnO 2 is formed by sputtering or the like and patterned to form the display electrode 12. Next, in order to reduce the electrical resistance of the display electrode 12 made of a transparent conductive film, an auxiliary electrode (bus electrode) made of a metal material is formed by sputtering or the like (S63). Next, for the purpose of protecting each electrode and forming wall charges, the dielectric layer 13 is formed to a thickness of 20 to 40 μm by a printing method or the like.

その後、誘電体層１３までが形成された前面基板１を、製造装置５０の前面板仕込室６１に搬入し、前面板仕込室６１内を真空排気する。続いて、前面板仕込室６１から加熱室６２に前面基板１を搬送し、加熱室６２内を真空雰囲気下に保持した状態で前面基板１を１５０〜３５０℃程度で焼成する（Ｓ６４）。次に、前面基板１を成膜室６４に搬送し、誘電体層１３の保護と二次電子放出効率の向上のため、電子ビーム蒸着法等により厚さ７００〜１２００ｎｍの保護膜１４を形成する（Ｓ６６）。そして、前面基板１を冷却・バッファ室６６に搬送し、前面基板１を冷却しつつ、封着室８２の前段にて待機させておく。   Thereafter, the front substrate 1 on which the dielectric layer 13 is formed is carried into the front plate preparation chamber 61 of the manufacturing apparatus 50, and the front plate preparation chamber 61 is evacuated. Subsequently, the front substrate 1 is transferred from the front plate preparation chamber 61 to the heating chamber 62, and the front substrate 1 is baked at about 150 to 350 ° C. with the inside of the heating chamber 62 held in a vacuum atmosphere (S64). Next, the front substrate 1 is transferred to the film formation chamber 64, and a protective film 14 having a thickness of 700 to 1200 nm is formed by electron beam evaporation or the like in order to protect the dielectric layer 13 and improve secondary electron emission efficiency. (S66). Then, the front substrate 1 is transported to the cooling / buffer chamber 66, and the front substrate 1 is cooled and kept waiting in front of the sealing chamber 82.

一方、背面基板工程（Ｓ７０）では、まずＡｇ、Ｃｒ／Ｃｕ／ＣｒまたはＡｌからなるアドレス電極１１を形成する（Ｓ７２）。次に、アドレス電極１１を保護するため誘電体層１９を形成する（Ｓ７４）。次に、放電空間および蛍光体１７の発光面積を増加させるため、隔壁１５をサンドブラスト法等によって形成する（Ｓ７５）。サンドブラスト法は、隔壁１５の材料となるガラスペーストを背面基板２上に塗布し、乾燥後にマスク材をパターニングし、アルミナやガラスビーズ等の研磨剤を高圧で吹き付けることにより、所定形状の隔壁１５を形成する方法である。次に、スクリーン印刷法等により蛍光体１７を塗布し、乾燥させる（Ｓ７６）。   On the other hand, in the back substrate process (S70), first, the address electrode 11 made of Ag, Cr / Cu / Cr or Al is formed (S72). Next, a dielectric layer 19 is formed to protect the address electrodes 11 (S74). Next, in order to increase the light emission area of the discharge space and the phosphor 17, the partition 15 is formed by a sandblast method or the like (S75). In the sand blasting method, a glass paste as a material of the partition wall 15 is applied on the back substrate 2, and after drying, a mask material is patterned, and an abrasive such as alumina or glass beads is sprayed at a high pressure to form the partition wall 15 having a predetermined shape. It is a method of forming. Next, the phosphor 17 is applied by a screen printing method or the like and dried (S76).

その後、蛍光体１７までが形成された背面基板２を、製造装置５０の背面板仕込室７６に搬入し、背面板仕込室７６内を真空排気する。続いて、背面板仕込室７６から加熱室７７に背面基板２を搬送し、加熱室７７内を真空雰囲気下に保持した状態で、背面基板２を４００℃程度で約３０分間、加熱脱ガスする。その後、背面基板２を冷却・バッファ室７８に搬送し、背面基板２を冷却する。そして、冷却・バッファ室７８内に露点が低いガス、例えばＮｅおよびＸｅの混合ガス（例えば、Ｎｅ−４％Ｘｅ）等の放電ガスやＮ２等を導入する。この時、冷却・バッファ室７８を、露点が−４０℃以下の乾燥雰囲気下に保持することが好ましい。なお、本実施形態において、乾燥雰囲気下とは露点が−４０℃以下のガス雰囲気下とする。 Thereafter, the back substrate 2 on which the phosphors 17 are formed is carried into the back plate preparation chamber 76 of the manufacturing apparatus 50 and the back plate preparation chamber 76 is evacuated. Subsequently, the back substrate 2 is transported from the back plate preparation chamber 76 to the heating chamber 77, and the back substrate 2 is heated and degassed at about 400 ° C. for about 30 minutes while the inside of the heating chamber 77 is held in a vacuum atmosphere. . Thereafter, the rear substrate 2 is transferred to the cooling / buffer chamber 78 to cool the rear substrate 2. Then, a gas having a low dew point, for example, a discharge gas such as a mixed gas of Ne and Xe (for example, Ne-4% Xe), N 2, or the like is introduced into the cooling / buffer chamber 78. At this time, the cooling / buffer chamber 78 is preferably maintained in a dry atmosphere having a dew point of −40 ° C. or lower. In this embodiment, the dry atmosphere is a gas atmosphere having a dew point of −40 ° C. or lower.

ここで、本実施形態の脱ガス工程について説明する。本実施形態の脱ガス工程は、上述した製造装置５０（図４参照）とは別体で設けられた脱ガス処理装置で行う。図５は、脱ガス処理装置を示すブロック図である。
図５に示すように、脱ガス処理装置１１０は、第１脱ガス処理室１０１と、第２脱ガス処理室１０２と、第１脱ガス処理室１０１および第２脱ガス処理室１０２において、脱ガス処理が施された封着材２０を取り出すための取出室１０３とを備えている。各室１０１〜１０３は、それぞれゲートバルブを介して接続されている。 Here, the degassing process of this embodiment will be described. The degassing step of this embodiment is performed by a degassing apparatus provided separately from the manufacturing apparatus 50 (see FIG. 4) described above. FIG. 5 is a block diagram showing the degassing apparatus.
As shown in FIG. 5, the degassing apparatus 110 is degassed in the first degassing chamber 101, the second degassing chamber 102, the first degassing chamber 101 and the second degassing chamber 102. And a take-out chamber 103 for taking out the sealing material 20 subjected to the gas treatment. Each of the chambers 101 to 103 is connected via a gate valve.

図３に示すように、脱ガス工程（Ｓ４０）では、封着材２０に含まれる高蒸気圧成分（主に樹脂材料自体）を除去する第１脱ガス工程（Ｓ４１：高温脱ガス工程）と、封着材２０に含まれる低蒸気圧成分（主に水分）を除去する第２脱ガス工程（Ｓ４２：長時間脱ガス工程）とを行う。これにより、後述する封着材塗布（Ｓ７７）に先立って、封着材２０に含まれる樹脂材料自体の蒸発しやすい成分または樹脂材料に含まれるＣＯ２や、Ｃ６Ｈ６、その他炭化物等の不純物ガスや水分を予め放出しておく。 As shown in FIG. 3, in the degassing step (S40), a first degassing step (S41: high temperature degassing step) for removing the high vapor pressure component (mainly the resin material itself) contained in the sealing material 20; Then, a second degassing step (S42: long-time degassing step) for removing low vapor pressure components (mainly moisture) contained in the sealing material 20 is performed. Thereby, prior to the sealing material application (S77) to be described later, the easily evaporating component of the resin material itself contained in the sealing material 20 or CO 2 contained in the resin material, C 6 H 6 , other carbides, etc. Impurity gas and moisture are discharged in advance.

まず、第１脱ガス工程では、まずアルミからなるトレー内に封着材２０を２ｇ程度充填し、トレー内で厚さが２ｍｍ程度になるように薄く広げる。次に、トレーを第１脱ガス処理室１０１内に搬送し、ロータリーポンプ等により第１脱ガス処理室１０１内を１ｋＰａ程度まで減圧した状態で、封着材２０を１８０℃程度まで加熱し、約３０分間保持する。すると、封着材２０に含まれる樹脂材料自体の蒸発しやすい成分または樹脂材料に含まれる不純物ガスや水分のうち、主に樹脂材料自体が第１脱ガス処理室１０１内にアウトガスとして放出される。なお、第１脱ガス処理における処理条件は、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で、１４０℃以上で加熱しつつ、１０分以上保持することが好ましい。これにより、減圧により生じる封着材２０の硬化を防止した上で、封着材２０に含まれる樹脂材料自体を効率よく除去することができる。   First, in the first degassing step, about 2 g of the sealing material 20 is first filled in a tray made of aluminum, and the tray is thinly expanded so as to have a thickness of about 2 mm. Next, the tray is transported into the first degassing chamber 101, and the sealing material 20 is heated to about 180 ° C. in a state where the pressure in the first degassing chamber 101 is reduced to about 1 kPa by a rotary pump or the like. Hold for about 30 minutes. Then, the resin material itself contained in the sealing material 20 is easily evaporated, or out of the impurity gas and moisture contained in the resin material, the resin material itself is mainly released into the first degassing treatment chamber 101 as outgas. . In addition, it is preferable that the process conditions in a 1st degassing process hold | maintain for 10 minutes or more, heating at 140 degreeC or more in the pressure reduction atmosphere of 100 Pa or more and 10 kPa or less. As a result, the resin material itself contained in the sealing material 20 can be efficiently removed while preventing the sealing material 20 from being cured due to reduced pressure.

その後、加熱、排気を停止して第１脱ガス処理室１０１内にＮ２を導入し、第１脱ガス処理室１０１を大気圧程度に保持する。そして、封着材２０の温度が６５℃程度まで低下したところで、封着材２０が収容されたトレーを第２脱ガス処理室１０２へ搬送する。なお、第１脱ガス処理室１０１と第２脱ガス処理室１０２との間を接続する搬送ライン（不図示）は、Ｎ２が大気圧程度まで導入された乾燥雰囲気下であることが好ましい。 Thereafter, heating and exhaust are stopped, N 2 is introduced into the first degassing chamber 101, and the first degassing chamber 101 is maintained at about atmospheric pressure. Then, when the temperature of the sealing material 20 is lowered to about 65 ° C., the tray in which the sealing material 20 is accommodated is conveyed to the second degassing treatment chamber 102. The transport line that connects the first degassing chamber 101 and the second degassing chamber 102 (not shown) is preferably N 2 is dry atmosphere which is introduced to approximately atmospheric pressure.

次に、第１脱ガス処理が施された封着材２０に第２脱ガス処理を施す（Ｓ４２）。まず、ターボ分子ポンプ等により第２脱ガス処理室１０２内を１．０×１０−３Ｐａまで高真空排気した状態で、封着材２０を３５℃程度まで加熱し、約４８時間保持する。すると、封着材２０に含まれる樹脂材料自体の蒸発しやすい成分または樹脂材料に含まれるＣＯ２や、Ｃ６Ｈ６、その他炭化物等の不純物ガスや水分のうち、主に水分が第２脱ガス処理室１０２内にアウトガスとして放出される。なお、第２脱ガス処理室１０２内の圧力は、０．１Ｐａ以下であればよい。また、第２脱ガス処理の時間条件および温度条件については後に詳述する。 Next, a second degassing process is performed on the sealing material 20 that has been subjected to the first degassing process (S42). First, the sealing material 20 is heated to about 35 ° C. and held for about 48 hours in a state where the inside of the second degassing treatment chamber 102 is evacuated to 1.0 × 10 −3 Pa by a turbo molecular pump or the like. As a result, among the components that are easily evaporated of the resin material itself contained in the sealing material 20 or the impurity gas and moisture such as CO 2 , C 6 H 6 , and other carbides contained in the resin material, mainly moisture is removed from the second material. The gas is discharged as outgas into the gas processing chamber 102. Note that the pressure in the second degassing treatment chamber 102 may be 0.1 Pa or less. The time condition and temperature condition of the second degassing process will be described in detail later.

その後、第２脱ガス処理室１０２内を露点−６０℃程度の乾燥ガス（例えば、Ｎ２）に置換し、トレーを取出室１０３に搬送する。取出室１０３は、グローブボックスとなっており、露点−６０℃程度の乾燥雰囲気下に保持されている。この取出室１０３内にて第２脱ガス処理が施された封着材２０を、取出室１０３内でディスペンス用のシリンジに充填する。そして、封着材２０が充填されたシリンジを、真空排気（例えば０．１Ｐａ以下）された搬送ボックス内に収容してＵＶ硬化樹脂セット室９０に搬送する。 Thereafter, the inside of the second degassing treatment chamber 102 is replaced with a dry gas (for example, N 2 ) having a dew point of about −60 ° C., and the tray is transferred to the take-out chamber 103. The take-out chamber 103 is a glove box, and is held in a dry atmosphere with a dew point of about −60 ° C. The sealing material 20 that has been subjected to the second degassing process in the take-out chamber 103 is filled in a syringe for dispensing in the take-out chamber 103. Then, the syringe filled with the sealing material 20 is housed in a transport box that is evacuated (for example, 0.1 Pa or less) and transported to the UV curable resin set chamber 90.

次に、搬送ボックスをＵＶ硬化樹脂セット室９０内に搬送した後、ＵＶ硬化樹脂セット室９０内に例えばＮ２等の乾燥ガスを導入し、ＵＶ硬化樹脂セット室９０内の露点を−４０℃程度まで下げる。ＵＶ硬化樹脂セット室９０はグローブボックスとなっており、ＵＶ硬化樹脂セット室９０内の露点が−４０℃程度まで下がった後、搬送ボックスからシリンジを取り出す。続いて、塗布室７９とＵＶ硬化樹脂セット室９０とのゲートバルブを開き、塗布室７９からＵＶ硬化樹脂セット室９０にディスペンサーを取り出す。そして、ＵＶ硬化樹脂セット室９０内にて、封着材２０が充填されたシリンジをディスペンサーにセットする。続いて、ディスペンサーを塗布室７９に戻し、塗布室７９とＵＶ硬化樹脂セット室９０とのゲートバルブを閉じることで、封着材２０のセットが完了する。 Next, after the transport box is transported into the UV curable resin set chamber 90, a dry gas such as N 2 is introduced into the UV curable resin set chamber 90, and the dew point in the UV curable resin set chamber 90 is set to −40 ° C. Lower to the extent. The UV curable resin set chamber 90 is a glove box, and after the dew point in the UV curable resin set chamber 90 is lowered to about −40 ° C., the syringe is taken out from the transport box. Subsequently, the gate valve between the coating chamber 79 and the UV curable resin setting chamber 90 is opened, and the dispenser is taken out from the coating chamber 79 to the UV curable resin setting chamber 90. Then, the syringe filled with the sealing material 20 is set in the dispenser in the UV curable resin setting chamber 90. Subsequently, the dispenser is returned to the coating chamber 79, and the gate valve between the coating chamber 79 and the UV curable resin setting chamber 90 is closed, whereby the setting of the sealing material 20 is completed.

続いて、冷却・バッファ室６６で待機させておいた背面基板２を塗布室７９に搬送し、塗布室７９にてニードルディスペンス法により背面基板２の内面に封着材２０を塗布する（塗布工程）。具体的には、塗布室７９内を冷却・バッファ室７８内と同条件の乾燥雰囲気下（露点−４０℃以下）に保持した状態で、ニードルディスペンス法により脱ガス工程（Ｓ４０）を経た封着材２０を、背面基板２の周縁部に連続的に塗布していく。このように、露点が−４０℃以下に設定された乾燥雰囲気下において、封着材２０を塗布することで、第２脱ガス工程を経た封着材２０に再び水分等が吸着することがない。したがって、水分等が除去された封着材２０を背面基板２に対して確実に塗布することができるため、ガス透過の少ない封着材２０を形成することができる。したがって、両基板１，２の封着後に水分等が放出されるのを確実に防止することができる。なお、第２脱ガス工程と塗布工程との間は、乾燥雰囲気下ではなく高真空雰囲気下に保持してもよい。また、封着材２０の塗布方法は、スクリーン印刷法等を採用することも可能である。   Subsequently, the back substrate 2 kept in the cooling / buffer chamber 66 is transferred to the coating chamber 79, and the sealing material 20 is applied to the inner surface of the back substrate 2 by the needle dispensing method in the coating chamber 79 (application process). ). Specifically, sealing is performed through a degassing step (S40) by a needle dispensing method in a state where the inside of the coating chamber 79 is maintained in a dry atmosphere (dew point −40 ° C. or lower) under the same conditions as in the cooling / buffer chamber 78. The material 20 is continuously applied to the peripheral edge of the back substrate 2. Thus, by applying the sealing material 20 in a dry atmosphere where the dew point is set to −40 ° C. or lower, moisture or the like is not adsorbed again on the sealing material 20 that has undergone the second degassing step. . Therefore, since the sealing material 20 from which moisture and the like have been removed can be reliably applied to the back substrate 2, the sealing material 20 with less gas permeation can be formed. Therefore, it is possible to reliably prevent moisture and the like from being released after the substrates 1 and 2 are sealed. In addition, you may hold | maintain not a dry atmosphere but a high vacuum atmosphere between a 2nd degassing process and an application | coating process. Further, a screen printing method or the like can be adopted as a method for applying the sealing material 20.

そして、上述した前面基板１および背面基板２を貼り合わせるパネル化工程を行う（Ｓ８０）。パネル化工程では、保護膜１４が形成された前面基板１と、封着材２０が塗布された背面基板２とが、乾燥雰囲気下に保持されたままの状態で、それぞれ搬送室５５，５６を介して封着室８２に搬送される。そして、封着後の両基板１，２は、取出室８４へ搬送されて取り出されることとなる。   Then, the above-described paneling process for bonding the front substrate 1 and the rear substrate 2 is performed (S80). In the panel forming step, the transfer chambers 55 and 56 are respectively set in a state where the front substrate 1 on which the protective film 14 is formed and the back substrate 2 on which the sealing material 20 is applied are held in a dry atmosphere. To the sealing chamber 82. Then, both the substrates 1 and 2 after sealing are conveyed to the take-out chamber 84 and taken out.

封着室８２において、まず封着室８２内を１×１０−４Ｐａ以下程度まで減圧する真空排気工程（Ｓ８１）を経た後、封着室８２（図４参照）内に放電ガスを導入する放電ガス導入工程（Ｓ８２）を行い、その後両基板１，２のアライメント工程（Ｓ８３）と、封着工程（Ｓ８４）とを行う。なお、封着材２０の塗布工程から真空排気工程までの時間は１５分程度が好ましい。また、塗布工程の雰囲気条件と、塗布工程から真空排気工程までの時間条件との関係については、後に詳述する。また、必要な場合には、短時間のエージング工程（Ｓ８６）を行う。また、アライメント工程後に放電ガスを導入してもよい。 In the sealing chamber 82, first, after passing through an evacuation step (S81) for reducing the pressure in the sealing chamber 82 to about 1 × 10 −4 Pa or less, a discharge gas is introduced into the sealing chamber 82 (see FIG. 4). A discharge gas introduction step (S82) is performed, and then an alignment step (S83) for both substrates 1 and 2 and a sealing step (S84) are performed. The time from the application process of the sealing material 20 to the evacuation process is preferably about 15 minutes. Further, the relationship between the atmospheric conditions in the coating process and the time conditions from the coating process to the vacuum evacuation process will be described in detail later. If necessary, a short aging step (S86) is performed. Further, a discharge gas may be introduced after the alignment step.

放電ガス導入工程では、減圧された製造装置５０内にＮｅおよびＸｅの混合ガス（例えば、Ｎｅ−４％Ｘｅ）等の放電ガスを導入する。次に、アライメント工程では、真空槽の大気側に設置したＣＣＤカメラにより前面基板１および背面基板２のアライメントマークを読み取り、両基板１，２の位置合わせを行う。   In the discharge gas introduction step, a discharge gas such as a mixed gas of Ne and Xe (for example, Ne-4% Xe) is introduced into the reduced-pressure manufacturing apparatus 50. Next, in the alignment step, the alignment marks on the front substrate 1 and the rear substrate 2 are read by a CCD camera installed on the atmosphere side of the vacuum chamber, and the substrates 1 and 2 are aligned.

そして、封着工程では、位置合わせした両基板１，２を貼り合わせる。具体的には、両基板１，２の周縁部に均一に濡れ広がった時点で紫外線を照射し、封着材２０を硬化させる。例えば、波長３６５ｎｍの紫外線照射装置を用いて、６Ｗ・ｓ／ｃｍ２の条件で紫外線を照射する。これにより、封着材２０により両基板１，２が封着される。 In the sealing step, the aligned substrates 1 and 2 are bonded together. Specifically, the sealing material 20 is cured by irradiating ultraviolet rays when the peripheral portions of both the substrates 1 and 2 are uniformly spread. For example, ultraviolet rays are irradiated under the condition of 6 W · s / cm 2 using an ultraviolet irradiation device having a wavelength of 365 nm. Thereby, both the substrates 1 and 2 are sealed by the sealing material 20.

（脱ガス条件調査試験）
ここで、本願の発明者は、上述した第２脱ガス工程における最適な脱ガス条件を求めるために、様々な条件下で第２脱ガス処理を施した封着材を用いて作製したＰＤＰの放置変動の値を測定する試験を行った。 (Degassing condition investigation test)
Here, in order to obtain the optimum degassing conditions in the second degassing step described above, the inventor of the present application uses a sealing material subjected to the second degassing treatment under various conditions. A test was conducted to measure the value of neglected variation.

まず、本願の発明者は、第２脱ガス工程における温度・時間をそれぞれ変動させて作製したサンプルＰＤＰ（以下、ＰＤＰという）の放電電圧と放置変動とを測定する試験を行った。   First, the inventor of the present application conducted a test for measuring the discharge voltage and the standing fluctuation of a sample PDP (hereinafter referred to as PDP) manufactured by varying the temperature and time in the second degassing step.

本試験におけるＰＤＰは、上述した実施形態のＰＤＰ１００と同等のものであり、前面基板１には、誘電体層１３上にＭｇＯからなる保護膜１４を厚さ４００ｎｍで形成した。一方、背面基板２には、蛍光体１７を形成した後に４００℃で３０分間焼成し、その後、封着材２０の塗布および搬送は、露点が−５０℃以下の乾燥雰囲気下で行い、放電ガス置換のための排気までの所要時間は約１５分とした。また、放電ガスには、Ｎｅ−４％Ｘｅを用いて４００Ｔｏｒｒで封止を行った。なお、本試験におけるＰＤＰは、保護膜１４の作製から放電ガスの封入まで大気中に取り出すことなく、真空一貫装置で作製した。   The PDP in this test is equivalent to the PDP 100 of the above-described embodiment, and a protective film 14 made of MgO is formed on the dielectric layer 13 on the front substrate 1 with a thickness of 400 nm. On the other hand, after the phosphor 17 is formed on the back substrate 2, it is baked at 400 ° C. for 30 minutes, and then the sealing material 20 is applied and transported in a dry atmosphere having a dew point of −50 ° C. or less. The time required for exhaust for replacement was about 15 minutes. The discharge gas was sealed at 400 Torr using Ne-4% Xe. Note that the PDP in this test was produced with a vacuum integrated device without taking it out into the atmosphere from the production of the protective film 14 to the enclosure of the discharge gas.

本試験に用いる封着材の脱ガス処理として、まず第１脱ガス処理室１０１にて１８０℃、１ｋＰａの雰囲気下で３０分間の第１脱ガス処理を行い、封着材２０中の不純物ガスを除去した後、第２脱ガス処理室１０２にて第２脱ガス処理を行った。   As the degassing treatment of the sealing material used in this test, first, the first degassing treatment chamber 101 is subjected to a first degassing treatment at 180 ° C. in an atmosphere of 1 kPa for 30 minutes, and the impurity gas in the sealing material 20 is thus obtained. Then, a second degassing process was performed in the second degassing process chamber 102.

（試験１）
試験１における第２脱ガス処理は、１．０×１０−３Ｐａの高真空雰囲気下において、温度３５℃に一定に設定し、第２脱ガス処理の脱ガス時間を変動させた。そして、この時の放電開始電圧および放電維持電圧、放置変動を測定する試験を行った。なお、放置変動とは、初期状態のＰＤＰと温度７０℃の雰囲気下に７２時間放置した後のＰＤＰとにおける第１セルの放電開始電圧（Ｖｆ１）の変動を示している。なお放置変動測定では、ＶｆｎやＶｓｍｎ等に比べて、Ｖｆ１の電圧変化がもっとも大きくなる。 (Test 1)
The second degassing process in Test 1 was set at a constant temperature of 35 ° C. in a high vacuum atmosphere of 1.0 × 10 −3 Pa, and the degassing time of the second degassing process was varied. And the test which measures the discharge start voltage at this time, a discharge maintenance voltage, and neglected variation was done. Note that the variation in standing indicates the variation in the discharge start voltage (Vf1) of the first cell between the PDP in the initial state and the PDP after being left in an atmosphere at a temperature of 70 ° C. for 72 hours. In the neglected variation measurement, the voltage change of Vf1 is the largest compared to Vfn, Vsmn, and the like.

図６は、脱ガス時間（ｈｒ）に対する放電電圧と放置変動（Ｖ（図６中円プロット））との関係を示すグラフである。なお、図６中Ｖｆｎ（図６中菱形プロット）は最終セルの放電開始電圧であり、Ｖｓｍｎ（図６中正方形プロット）は最終セルの放電維持電圧である。なお、最終セルの放電開始電圧とは、全部のセルを放電開始させるのに必要な駆動電圧である。また、最終セルの放電維持電圧とは、全部のセルを点灯させた状態から駆動電圧を徐々に下げた場合に、最終セルが消灯する電圧である。   FIG. 6 is a graph showing the relationship between the discharge voltage with respect to the degassing time (hr) and the standing fluctuation (V (circle plot in FIG. 6)). In FIG. 6, Vfn (diamond plot in FIG. 6) is the discharge start voltage of the final cell, and Vsmn (square plot in FIG. 6) is the discharge sustain voltage of the final cell. Note that the discharge start voltage of the final cell is a drive voltage necessary to start discharge of all cells. Further, the discharge sustaining voltage of the last cell is a voltage at which the last cell is turned off when the drive voltage is gradually lowered from the state where all the cells are turned on.

図６に示すように、放置変動については、第２脱ガス処理を全く行っていない封着材を用いて作製したＰＤＰでは、２４（Ｖ）であったが、脱ガス時間が増加するにつれ放置変動が小さくなるという結果が得られた。さらに、４８（ｈｒ）の第２脱ガス処理を行った封着材を用いて作製したＰＤＰでは、放置変動が９（Ｖ）と第２脱ガス処理を行っていない場合に比べて半分以下となる結果が得られた。また、脱ガス時間が４８（ｈｒ）以上の場合に放置変動が若干増加するが、その値は脱ガス時間が１２０（ｈｒ）の時に放置変動は１２（Ｖ）であり、第２脱ガス処理を行っていない場合に比べて半分程度に収まっている。   As shown in FIG. 6, the variation in neglect was 24 (V) in the PDP manufactured using the sealing material that was not subjected to the second degassing treatment at all, but it was left as the degassing time increased. The result was that the fluctuation was small. Furthermore, in the PDP manufactured using the sealing material that has been subjected to the second degassing treatment of 48 (hr), the uncontrolled fluctuation is 9 (V), which is less than half that in the case where the second degassing treatment is not performed. The result was obtained. Further, when the degassing time is 48 (hr) or more, the standing fluctuation slightly increases, but when the degassing time is 120 (hr), the leaving fluctuation is 12 (V), and the second degassing treatment is performed. It is about half of the case when not doing.

ここで、放置変動が小さいということは、７２時間放置した後でもパネル内部に封入されている放電ガスの純度が低下せず、放電開始電圧が増加していないということを示している。つまり、第２脱ガス処理を行うことで、封着材に含まれる水分のほとんどが離脱するため、第２脱ガス処理後の封着材からは水分がほとんど放出されないことが考えられる。一方、第２脱ガス処理の時間が長過ぎると放置変動が増加するのは、封着材中に含まれる硬化のために必要な成分までが蒸発してしまい、硬化時に硬化不良が起こっているのではないかと考えられる。以上の結果から、第２脱ガス工程における最適な脱ガス時間としては、２０（ｈｒ）以上１２０（ｈｒ）以下程度であることが好ましい。   Here, the fact that the neglected fluctuation is small indicates that the purity of the discharge gas sealed inside the panel does not decrease and the discharge start voltage does not increase even after leaving for 72 hours. In other words, since most of the moisture contained in the sealing material is removed by performing the second degassing process, it is considered that almost no moisture is released from the sealing material after the second degassing process. On the other hand, if the time of the second degassing treatment is too long, the standing fluctuation increases because components necessary for curing contained in the sealing material evaporate, and curing failure occurs during curing. It is thought that. From the above results, the optimum degassing time in the second degassing step is preferably about 20 (hr) to 120 (hr).

（試験２）
次に、試験条件を圧力１．０×１０−３Ｐａ、時間４８（ｈｒ）として一定に設定し、脱ガス温度を３５℃〜８５℃まで変動させた場合において、上述した測定方法と同様の方法で試験を行った。 (Test 2)
Next, when the test conditions were set to a constant pressure of 1.0 × 10 −3 Pa and time 48 (hr) and the degassing temperature was varied from 35 ° C. to 85 ° C., the same measurement method as described above was used. The method was tested.

図７は、脱ガス温度（℃）に対する放電電圧（Ｖ）と放置変動（Ｖ（図７中三角プロット））との関係を示すグラフである。なお、図７中Ｖｆｎ（図７中菱形プロット）は最終セルの放電開始電圧であり、Ｖｓｍｎ（図７中正方形プロット）は最終セルの放電維持電圧である。   FIG. 7 is a graph showing the relationship between the discharge voltage (V) and the standing fluctuation (V (triangular plot in FIG. 7)) with respect to the degassing temperature (° C.). In FIG. 7, Vfn (diamond plot in FIG. 7) is the discharge start voltage of the final cell, and Vsmn (square plot in FIG. 7) is the discharge sustain voltage of the final cell.

図７に示すように、放置変動についても、第２脱ガス処理の温度を増加させることで減少傾向にあることが分かる。その結果、脱ガス温度が６５（℃）の時には、放置変動が４（Ｖ）程度に収まっている。つまり、第２脱ガス処理を行うことで、封着材に含まれる水分のほとんどが離脱するため、第２脱ガス処理後の封着材からは水分がほとんど放出されないことがわかる。   As shown in FIG. 7, it can be seen that the neglected variation also tends to decrease by increasing the temperature of the second degassing process. As a result, when the degassing temperature is 65 (° C.), the neglect fluctuation is about 4 (V). That is, it can be seen that, by performing the second degassing process, most of the moisture contained in the sealing material is released, so that almost no moisture is released from the sealing material after the second degassing process.

これに対して、脱ガス温度を６５（℃）より増加させると、放置変動は増加傾向にあることが分かる。具体的には、脱ガス温度が７５（℃）では５（Ｖ）と若干増加し、８５（℃）では１０（Ｖ）となっており、３５（℃）の時における放置変動の値を上回る結果となった。これは、第２脱ガス処理の温度が高過ぎると、封着材中に含まれる硬化のために必要な成分が大量に蒸発したり、高熱により封着材が硬化し始めたりする等、硬化時に硬化不良が起こっているのではないかと考えられる。以上の結果から、第２脱ガス処理の脱ガス温度としては、５０（℃）以上７０（℃）以下程度が最適と考えられる。   On the other hand, when the degassing temperature is increased from 65 (° C.), it is understood that the standing fluctuation tends to increase. Specifically, when the degassing temperature is 75 (° C.), it slightly increases to 5 (V), and when it is 85 (° C.), it is 10 (V), which exceeds the value of the fluctuation of standing at 35 (° C.). As a result. This is because if the temperature of the second degassing process is too high, a large amount of components necessary for curing contained in the sealing material will evaporate, or the sealing material will start to cure due to high heat. It is thought that poor curing sometimes occurs. From the above results, it is considered that the optimum degassing temperature for the second degassing process is about 50 (° C.) to 70 (° C.).

このように、第２脱ガス工程の際に、０．１Ｐａ以下の減圧雰囲気下で５０℃以上７０℃以下の範囲で封着材を加熱しつつ、２０時間以上１２０時間以下保持することで、封着材２０の硬化不良を防いだ上で、封着材２０中に含まれる水分を効率良く除去することができる。したがって、封着材２０の塗布後に封着材２０から放出される水分を低減することができる。   Thus, in the second degassing step, by holding the sealing material in a range of 50 ° C. or more and 70 ° C. or less in a reduced pressure atmosphere of 0.1 Pa or less, holding for 20 hours or more and 120 hours or less, The moisture contained in the sealing material 20 can be efficiently removed after preventing the curing failure of the sealing material 20. Therefore, the moisture released from the sealing material 20 after application of the sealing material 20 can be reduced.

（試験３）
試験３では、上述した封着材塗布（Ｓ７７）工程の塗布雰囲気と、封着材塗布（Ｓ７７）工程の終了後からパネル化工程（Ｓ８０）の真空排気（Ｓ８１）工程に移るまでの時間（以下、暴露時間という）とを変動させて作製されたＰＤＰにおいて、上述した測定方法と同様の方法で試験を行った。なお、試験２における第２脱ガス処理の条件は、圧力１．０×１０−３（Ｐａ）、時間４８（ｈｒ）、温度６５（℃）として一定に設定した。また、本試験における塗布雰囲気とは、塗布雰囲気中の露点を示している。 (Test 3)
In Test 3, the coating atmosphere in the above-described sealing material application (S77) process and the time from the end of the sealing material application (S77) process to the evacuation (S81) process in the paneling process (S80) ( In the following, the test was performed in the same manner as the measurement method described above in a PDP produced by varying the exposure time). In addition, the conditions of the 2nd degassing process in Test 2 were set constant as pressure 1.0 * 10 <-3> (Pa), time 48 (hr), and temperature 65 (degreeC). Moreover, the coating atmosphere in this test has shown the dew point in coating atmosphere.

図８は、暴露時間（ｍｉｎ）に対する放置変動（Ｖ）を各塗布雰囲気毎に示すグラフである。なお、試験２の塗布雰囲気として、露点を−５０（℃）（図８中菱形プロット）、−６０（℃）（図８中三角プロット）、−７０（℃）（図８中正方形プロット）に設定した。   FIG. 8 is a graph showing the variation in standing (V) with respect to the exposure time (min) for each coating atmosphere. In addition, as an application atmosphere of Test 2, dew points were set to −50 (° C.) (diamond plot in FIG. 8), −60 (° C.) (triangle plot in FIG. 8), and −70 (° C.) (square plot in FIG. 8). Set.

図８に示すように、各塗布雰囲気においても暴露時間が長くなるにつれ、放置変動が増加傾向にあることが分かる。さらに、露点が高くなるにつれ、各暴露時間における放置変動の値も大きくなることがわかる。具体的には、露点が−７０（℃）、暴露時間が１５（ｍｉｎ）の場合には放置変動が４（Ｖ）であり、さらに６０（ｍｉｎ）までの放置変動を１０（Ｖ）以下に抑えることができた。また、露点が−６０（℃）、暴露時間が１５（ｍｉｎ）の場合には放置変動が７（Ｖ）程度であり、３０（ｍｉｎ）の時には１３（Ｖ）、６０（ｍｉｎ）の時には１８（Ｖ）であった。一方、露点が−５０（℃）、暴露時間が１５（ｍｉｎ）の場合には放置変動が１２（Ｖ）であり、６０（ｍｉｎ）の場合には２３（Ｖ）まで増加してしまった。   As shown in FIG. 8, it can be seen that the exposure fluctuation tends to increase as the exposure time becomes longer in each coating atmosphere. Furthermore, it can be seen that as the dew point becomes higher, the value of the neglected fluctuation at each exposure time becomes larger. Specifically, when the dew point is −70 (° C.) and the exposure time is 15 (min), the neglected variation is 4 (V), and further the neglected variation up to 60 (min) is 10 (V) or less. I was able to suppress it. Further, when the dew point is −60 (° C.) and the exposure time is 15 (min), the standing fluctuation is about 7 (V), and when it is 30 (min), it is 13 (V), and when it is 60 (min), 18 (V). On the other hand, when the dew point was −50 (° C.) and the exposure time was 15 (min), the standing fluctuation was 12 (V), and when it was 60 (min), it increased to 23 (V).

以上の結果より、封着材塗布から真空排気までの塗布雰囲気は、露点が−５０℃以下が最適な雰囲気条件であると考えられる。なお、露点が−５０℃の雰囲気下においては、封着材塗布から真空排気までの時間を１０分以内に設定することが好ましい。また、露点が−４０℃の場合には、露点が−５０℃の場合に比べて水分量が３．２倍程度になるので、封着材の塗布から排気までを３分程度で行うのであれば実用上問題ない。   From the above results, it can be considered that the optimum atmosphere for the coating atmosphere from the sealing material coating to the vacuum evacuation has a dew point of −50 ° C. or lower. In an atmosphere having a dew point of −50 ° C., it is preferable to set the time from application of the sealing material to evacuation within 10 minutes. When the dew point is −40 ° C., the amount of water is about 3.2 times that when the dew point is −50 ° C., so the process from application of the sealing material to exhaust can be performed in about 3 minutes. There is no practical problem.

（加速試験）
次に、本願の発明者は、温度７０℃、湿度８５％の恒温恒湿の雰囲気下で加速試験を行い、ＰＤＰの放電電圧の変動を測定した。なお、本試験で用いたＰＤＰは、第１脱ガス処理後に１．０×１０−３Ｐａの高真空雰囲気下において、６５℃、４８時間の第２脱ガス処理を施した封着材を用いて封着したものである。
図９は、加速試験時間（ｈｒ）に対する放電電圧（Ｖ）の変動を示すグラフである。なお、Ｖｆ１（図９中菱形プロット）は第１セルの放電開始電圧であり、Ｖｆｎ（図９中白抜き菱形プロット）は最終セルの放電開始電圧である。また、Ｖｓｍ１（図９中正方形プロット）は第１セルの放電維持電圧であり、Ｖｓｍｎ（図９中白抜き正方形プロット）は最終セルの放電維持電圧である。 (Accelerated test)
Next, the inventor of the present application conducted an acceleration test in a constant temperature and humidity atmosphere with a temperature of 70 ° C. and a humidity of 85%, and measured fluctuations in the discharge voltage of the PDP. Note that the PDP used in this test uses a sealing material that has been subjected to a second degassing treatment at 65 ° C. for 48 hours in a high vacuum atmosphere of 1.0 × 10 −3 Pa after the first degassing treatment. It is sealed.
FIG. 9 is a graph showing the variation of the discharge voltage (V) with respect to the acceleration test time (hr). Vf1 (diamond plot in FIG. 9) is the discharge start voltage of the first cell, and Vfn (open diamond plot in FIG. 9) is the discharge start voltage of the final cell. Vsm1 (square plot in FIG. 9) is the discharge sustain voltage of the first cell, and Vsmn (open square plot in FIG. 9) is the discharge sustain voltage of the final cell.

図９に示すように、放電開始電圧Ｖｆおよび放電維持電圧Ｖｓｍｎともに若干増加傾向にあるものの、その増加量は少なく、１０８０（ｈｒ）放置後でも８（Ｖ）程度であり、実用上問題のない結果が得られた。つまり、第２脱ガス処理を行った封着材を用いたＰＤＰは、恒温恒湿の雰囲気下に長時間曝されてもパネル内部への水分の侵入が少ないということがわかる。これは、第２脱ガス処理を行うことで、封着材中に含まれる水分を放出することができたからではないかと考えられる。すなわち、封着材の硬化時に水分による重合阻害が低減され、硬化重合反応が効率良く行われるため、ガス透過の少ない封着材を形成することができたからではないかと考えられる。
なお、図示しないが、第２脱ガス処理を行っていない封着材を用いて作製したＰＤＰを、同様の雰囲気下に曝すと約７２時間後には点灯しなくなってしまった。これは、恒温恒湿雰囲気下に存在する水分が封着材を透過してＰＤＰのパネル内部に侵入し、放電ガスの純度が低下したからであると考えられる。 As shown in FIG. 9, although both the discharge start voltage Vf and the discharge sustain voltage Vsmn tend to increase slightly, the increase amount is small and is about 8 (V) even after leaving for 1080 (hr), and there is no practical problem. Results were obtained. That is, it can be seen that the PDP using the sealing material subjected to the second degassing treatment has less moisture intrusion into the panel even when exposed to a constant temperature and humidity atmosphere for a long time. This is considered to be because the moisture contained in the sealing material could be released by performing the second degassing treatment. That is, it is considered that a sealing material with less gas permeation could be formed because polymerization inhibition due to moisture was reduced during curing of the sealing material and the curing polymerization reaction was efficiently performed.
In addition, although not shown in figure, when PDP produced using the sealing material which has not performed 2nd degassing process was exposed to the same atmosphere, after about 72 hours, it stopped lighting. This is presumably because the moisture present in the constant temperature and humidity atmosphere penetrates the sealing material and enters the inside of the PDP panel, and the purity of the discharge gas is reduced.

以上に詳述したように、本実施形態におけるＰＤＰの製造方法では、背面基板２における前面基板１との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる封着材２０を塗布する塗布工程を有し、塗布工程に先立って、第２脱ガス工程を有する構成とした。
この構成によれば、第２脱ガス工程において、封着材２０となる紫外線硬化性樹脂を減圧雰囲気下で長時間加熱することで、封着材２０を背面基板２に塗布する前に、封着材２０に含まれる低蒸気圧成分（主に水分）を放出しておくことができる。これにより、封着材２０の塗布後に封着材２０中に含まれる水分が放出されるのを防止することが可能になり、封着室８２内や両基板１，２が汚染されることを防ぐことができる。
そして、このような封着材２０を硬化させることで、封着材２０の硬化時に水分による重合阻害が低減され、硬化重合反応が効率良く行われるため、膜特性に優れ、ガス透過の少ない封着材２０を形成することができる。これにより、両基板１，２の封着後に、封着室８２内に存在する水分が封着材２０を透過し、パネル内部まで侵入することを防ぐことができる。また、封着材２０中に含まれる水分を除去しておくことで、封着後に封着材２０に含まれる水分が、パネル内部に向けて放出されるのを防止することが可能になる。 As described in detail above, the method for manufacturing the PDP in the present embodiment includes an application step of applying the sealing material 20 made of an ultraviolet curable resin to the surface of the back substrate 2 facing the front substrate 1. Prior to the coating step, the second degassing step is employed.
According to this configuration, in the second degassing step, the ultraviolet curable resin to be the sealing material 20 is heated in a reduced pressure atmosphere for a long time, so that the sealing material 20 is applied to the back substrate 2 before being sealed. The low vapor pressure component (mainly moisture) contained in the dressing 20 can be released. As a result, it becomes possible to prevent the moisture contained in the sealing material 20 from being released after the sealing material 20 is applied, so that the sealing chamber 82 and both the substrates 1 and 2 are contaminated. Can be prevented.
Then, by curing the sealing material 20, the polymerization inhibition due to moisture is reduced when the sealing material 20 is cured, and the curing polymerization reaction is efficiently performed. The dressing 20 can be formed. Thereby, it is possible to prevent moisture existing in the sealing chamber 82 from passing through the sealing material 20 and entering the inside of the panel after the both substrates 1 and 2 are sealed. Further, by removing the moisture contained in the sealing material 20, it is possible to prevent the moisture contained in the sealing material 20 from being released toward the inside of the panel after sealing.

また、第２脱ガス工程と塗布工程との間において、封着材２０を高真空雰囲気下または乾燥雰囲気下に保持することで、第２脱ガス工程を経た封着材２０に水分等が再び吸着することがない。したがって、ガス透過の少ない封着材２０を形成することができ、封着後に封着材２０から水分が放出されるのを確実に防止することができる。   In addition, by holding the sealing material 20 in a high vacuum atmosphere or a dry atmosphere between the second degassing step and the coating step, moisture or the like is again added to the sealing material 20 that has undergone the second degassing step. There is no adsorption. Therefore, the sealing material 20 with little gas permeation can be formed, and it is possible to reliably prevent moisture from being released from the sealing material 20 after sealing.

そして、封着パネルの製造方法を用いて作製されたＰＤＰ１００は、ガス透過の少ない封着材２０により封着されるため、封着後においてパネル内部に水分等が侵入することを防止することができる。したがって、放電ガスの純度を良好な状態で維持することが可能になり、放電電圧の増加を防ぐことができるため、スループット向上および省エネルギーを実現した低コストなプラズマディスプレイパネルを製造することができる。   And since PDP100 produced using the manufacturing method of a sealing panel is sealed with the sealing material 20 with little gas permeation | transmission, it can prevent that a water | moisture content etc. penetrate | invade inside a panel after sealing. it can. Accordingly, the purity of the discharge gas can be maintained in a good state, and an increase in the discharge voltage can be prevented, so that a low-cost plasma display panel that realizes improved throughput and energy saving can be manufactured.

なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。   The technical scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, and includes various modifications made to the above-described embodiments without departing from the spirit of the present invention. That is, the specific materials and configurations described in the embodiments are merely examples, and can be changed as appropriate.

例えば、上記実施形態では本発明をプラズマディスプレイパネルに適用したが、本発明を有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）ディスプレイパネルや、電界放出ディスプレイパネルに適用することも可能である。   For example, in the above embodiment, the present invention is applied to a plasma display panel. However, the present invention can also be applied to an organic EL (electroluminescence) display panel or a field emission display panel.

有機ＥＬディスプレイパネルは、陽極と陰極との間に発光層等の機能層を挟持した構成を備えており、発光層から発光した光をそのまま表示光として利用するものである。
また、電界放出ディスプレイパネルは、画素ごとに配置された電子放出源(エミッター)から真空中に電子を放ち、蛍光体にぶつけて発光させるものである。電界放出ディスプレイパネルとして、突起状の電子放出素子を備えたＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）や、表面伝導型の電子放出素子を備えたＳＥＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｎ−Ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）等が挙げられる。 The organic EL display panel has a configuration in which a functional layer such as a light emitting layer is sandwiched between an anode and a cathode, and uses light emitted from the light emitting layer as display light as it is.
The field emission display panel emits electrons from an electron emission source (emitter) arranged for each pixel in a vacuum and strikes a phosphor to emit light. Examples of the field emission display panel include a field emission display (FED) including a protruding electron-emitting device, and a surface-conduction electron-emitter display (SED) including a surface-conduction electron-emitting device.

このように、有機ＥＬや電界放出ディスプレイパネルに本発明を適用した場合でも、ガス透過の少ない封着材により封着することで、封着後においてパネル内部に水分等が侵入することを防止することができる。したがって、表示特性に優れた有機ＥＬや電界放出ディスプレイパネルを提供することができる。   As described above, even when the present invention is applied to an organic EL or a field emission display panel, sealing with a sealing material with less gas permeation prevents moisture or the like from entering the panel after sealing. be able to. Therefore, it is possible to provide an organic EL or a field emission display panel having excellent display characteristics.

例えば、本実施形態においては、脱ガス処理装置における第１脱ガス処理室と第２脱ガス処理室との間の搬送ラインを、乾燥雰囲気下に保持していたが、第１脱ガス処理の終了後に短時間（１時間程度）であれば大気に曝しても問題はない。
また、本実施形態においては、脱ガス処理装置と真空一貫装置とを別体として設けた場合について説明したが、例えば真空一貫装置のＵＶ硬化樹脂セット室に脱ガス処理装置を連結するような構成も可能である。この場合、脱ガス処理された封着材を自動でディスペンサーに充填するような構成を採用することが可能である。
また、本実施形態では、脱ガス処理として、第１脱ガス処理と第２脱ガス処理とを施す場合について説明したが、第２脱ガス処理（長時間脱ガス処理）のみを行うような構成にしてもよい。 For example, in the present embodiment, the transfer line between the first degassing chamber and the second degassing chamber in the degassing apparatus is maintained in a dry atmosphere. There is no problem even if it is exposed to the atmosphere for a short time (about 1 hour) after completion.
In this embodiment, the case where the degassing apparatus and the integrated vacuum apparatus are provided separately has been described. For example, a configuration in which the degassing apparatus is connected to the UV curable resin set chamber of the integrated vacuum apparatus. Is also possible. In this case, it is possible to adopt a configuration in which the dispenser is automatically filled with the degassed sealing material.
In the present embodiment, the case where the first degassing process and the second degassing process are performed as the degassing process has been described. However, only the second degassing process (long-time degassing process) is performed. It may be.

３電極ＡＣ型プラズマディスプレイパネルの分解斜視図である。It is a disassembled perspective view of a 3 electrode AC type plasma display panel. （ａ）はＰＤＰの平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における側面断面図である。(A) is a top view of PDP, (b) is side surface sectional drawing in the AA of (a). 本実施形態に係るＰＤＰの製造方法のフローチャートである。It is a flowchart of the manufacturing method of PDP which concerns on this embodiment. ＰＤＰの製造装置のブロック図である。It is a block diagram of the manufacturing apparatus of PDP. 脱ガス処理装置のブロック図である。It is a block diagram of a degassing processing apparatus. 脱ガス時間（ｈｒ）に対する放電電圧（Ｖ）と放置変動（Ｖ）との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the discharge voltage (V) with respect to degassing time (hr), and neglected fluctuation | variation (V). 脱ガス温度（℃）に対する放電電圧（Ｖ）と放置変動（Ｖ）との関係を示すグラフである。It is a graph which shows the relationship between the discharge voltage (V) with respect to degassing temperature (degreeC), and neglected fluctuation | variation (V). 暴露時間（ｍｉｎ）に対する放置変動（Ｖ）を各塗布雰囲気毎に示すグラフである。It is a graph which shows the leaving variation (V) with respect to exposure time (min) for every application atmosphere. 加速試験時間（ｈｒ）に対する放電電圧（Ｖ）の変動を示すグラフである。It is a graph which shows the fluctuation | variation of the discharge voltage (V) with respect to acceleration test time (hr).

符号の説明Explanation of symbols

１…前面基板 ２…背面基板 ２０…封着材 Ｓ４０…脱ガス工程 Ｓ７７…封着材塗布工程 Ｓ８４…封着工程 Ｓ４１…第１脱ガス工程（高温脱ガス処理工程） Ｓ４２…第２脱ガス工程（長時間脱ガス工程） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Front substrate 2 ... Back substrate 20 ... Sealing material S40 ... Degassing process S77 ... Sealing material application process S84 ... Sealing process S41 ... 1st degassing process (high temperature degassing process process) S42 ... 2nd degassing Process (long-time degassing process)

Claims (4)

第１基板および第２基板が、封着材を介して貼り合わされた封着パネルの製造方法であって、
前記第２基板における前記第１基板との対向面に、紫外線硬化性樹脂からなる前記封着材を塗布する塗布工程を有し、
前記塗布工程に先立って、前記封着材を３５℃以上８５℃以下で加熱しつつ、０．１Ｐａ以下の減圧雰囲気下で２０時間以上１２０時間以下保持する長時間脱ガス工程を有し、
前記長時間脱ガス工程に先立って、前記封着材を１４０℃以上で加熱しつつ、１００Ｐａ以上１０ｋＰａ以下の減圧雰囲気下で１０分以上保持する高温脱ガス工程を有することを特徴とする封着パネルの製造方法。 The first substrate and the second substrate are a manufacturing method of a sealing panel bonded with a sealing material,
An application step of applying the sealing material made of an ultraviolet curable resin to a surface of the second substrate facing the first substrate;
Prior to the coating step, there is a long-time degassing step in which the sealing material is heated at 35 ° C. or higher and 85 ° C. or lower and held in a reduced pressure atmosphere of 0.1 Pa or lower for 20 hours or longer and 120 hours or shorter,
Prior to the long-time degassing step, the sealing material has a high-temperature degassing step in which the sealing material is heated at 140 ° C. or higher and held in a reduced pressure atmosphere of 100 Pa or higher and 10 kPa or lower for 10 minutes or longer. Panel manufacturing method. 前記塗布工程では、露点が−４０℃以下の乾燥雰囲気下で前記封着材を塗布することを特徴とする請求項１記載の封着パネルの製造方法。   The method for manufacturing a sealing panel according to claim 1, wherein in the application step, the sealing material is applied in a dry atmosphere having a dew point of −40 ° C. or less. 前記長時間脱ガス工程と前記塗布工程との間は、減圧雰囲気下または露点が−４０℃以下の乾燥雰囲気下で前記封着材を保持することを特徴とする請求項１または請求項２記載の封着パネルの製造方法。   The said sealing material is hold | maintained in a reduced pressure atmosphere or a dry atmosphere whose dew point is -40 degrees C or less between the said long time degassing process and the said application | coating process. Manufacturing method for sealing panels. 請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の封着パネルの製造方法を用いたことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。   A method for manufacturing a plasma display panel, wherein the method for manufacturing a sealing panel according to any one of claims 1 to 3 is used.
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