JP2007273791A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】貯留槽内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、かつ基板に供給される薬液の温度を正確に一定に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【解決手段】基板処理装置１００は、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢを備える。薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われる。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板に処理を施す基板処理装置および基板処理方法に関する。

従来より、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

薬液を用いて基板の処理を行う基板処理装置には、一般的に、薬液を貯留するための貯留槽および薬液の温度を調整する温調機構が設けられている。基板に処理を行う際には、この貯留槽から温調機構を通して処理部に薬液が供給される。基板の処理に用いられた薬液は、廃棄または回収される。処理部から回収された処理液は再び貯留槽に戻され、基板の処理に再利用される。

しかしながら、薬液の再利用を長期にわたって繰り返し行うと、不純物の混入等により貯留槽内の薬液が劣化する。そのため、貯留槽内の薬液を定期的に交換する必要がある。その場合、基板の処理を一時的に中断するダウンタイムが発生する。それにより、スループットが低下する。

このようなダウンタイムの発生を防止するために、貯留槽を２つ設け、処理部への貯留槽の接続を交互に切り替えることが行われる。この場合、一方の貯留槽内の薬液を交換する期間中に、他方の貯留槽から処理部へ薬液を供給することにより、スループットの低下を防止することができる。

例えば、特許文献１には、処理液を貯留する第１予備槽、処理液を貯留する第２予備槽、第１温調機構および第２温調機構を備える基板処理装置が記載されている。
特開２００２−７５９４６号公報

上記特許文献１に記載の基板処理装置では、第１予備槽から第１温調機構を通して処理槽（処理部）に処理液が供給されている場合に、第２予備槽の処理液を交換することができる。逆に、第２予備槽から第２温調機構を通して処理槽に処理液が供給されている場合に、第２予備槽の処理液を交換することができる。

ここで、薬液を用いて基板の処理を行う基板処理装置においては、基板の処理精度のばらつきを防止するために、基板に供給する薬液の温度を一定に保つ必要がある。

しかしながら、上記のように、複数組の貯留槽および温調機構から選択的に薬液が供給される場合、個々の温調機構の特性のばらつきにより基板に供給される薬液の温度を正確に一定に保つことが困難である。そのため、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができない。

本発明の目的は、貯留槽内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、かつ基板に供給される薬液の温度を正確に一定に保つことができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。

（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理液を貯留するための第１の貯留槽と、処理液を貯留するための第２の貯留槽と、処理液の温度を調整する第１の温調手段と、処理液の温度を調整する第２の温調手段と、処理部、第１および第２の貯留槽ならびに第１、第２の温調手段の間での処理液の経路を形成する処理液経路形成手段とを備え、処理液経路形成手段は、第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第１の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液を循環させる第１の循環経路を形成し、第１の貯留槽の稼動時に、第２の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる第２の循環経路を形成し、第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第２の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液を循環させる第３の循環経路を形成し、第２の貯留槽の稼動時に、第１の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる第４の循環経路を形成するものである。

第１の発明に係る基板処理装置においては、処理部内で、基板に処理液を用いた処理が行われる。基板の処理に用いる処理液は、第１および第２の貯留槽に貯留される。また、第１および第２の温調手段により処理液の温度が調整される。

第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、処理液経路形成手段により、第１の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液を循環させる第１の循環経路が形成される。また、第１の貯留槽の稼動時には、処理液経路形成手段により、第２の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる第２の循環経路が形成される。

第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、処理液経路形成手段により、第２の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液を循環させる第３の循環経路が形成される。また、第２の貯留槽の稼動時には、処理液経路形成手段により、第１の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる第４の循環経路が形成される。

このように、第１の貯留槽の稼動時と第２の貯留槽の稼動時とで、処理液経路形成手段によりそれぞれ異なる循環経路が形成される。そのため、第１の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽内の処理液が処理部に供給され、第２の貯留槽内の処理液が処理部に供給されない。また、第２の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽内の処理液が処理部に供給されず、第２の貯留槽内の処理液が処理部に供給される。

この場合、第１の貯留槽の稼動時に第２の貯留槽内の処理液を交換し、第２の貯留槽の稼動時に第１の貯留槽内の処理液を交換することにより、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生を防止することができる。それにより、スループットを向上させることができる。

また、第１の貯留槽の稼動時および第２の貯留槽の稼動時において、処理部で基板の処理に用いられる処理液が、共通の第１の温調手段により温度調整される。

この場合、温調手段の特性のばらつきによる温度差が生じないため、第１の貯留槽の稼動時と第２の貯留槽の稼動時とで、基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。

また、第１の貯留槽の稼動時には第２の貯留槽内の処理液が第２の循環経路を通して循環され、第２の貯留槽の稼動時には第１の貯留内の処理液が第４の循環経路を通して循環される。

この場合、稼動していない貯留槽内の処理液が、第２の温調手段により温度調整される。そのため、第２の温調手段により調整される温度を、第１の温調手段により調整される温度と等しく設定することにより、稼動している貯留槽内の処理液の温度と稼動していない貯留槽内の処理液の温度とを等しくすることができる。

それにより、第１の貯留槽の稼動時の状態から第２の貯留槽の稼動時の状態、または第２の貯留槽の稼動時の状態から第１の貯留槽の稼動時の状態に移行した直後において、基板の処理に用いる処理液の温度を第１の温調手段により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。

（２）処理液経路形成手段は、第１の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第１の貯留槽および第１の温調手段に処理液を循環させる第５の循環経路を形成し、第２の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第２の貯留槽および第１の温調手段に処理液を循環させる第６の循環経路を形成してもよい。

この場合、第１の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第１の貯留槽内の処理液が第１の温調手段により所定の温度に維持される。また、第２の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第２の貯留槽内の処理液が第１の温調手段により所定の温度に維持される。

それにより、所定の温度に調整された処理液を任意のタイミングで基板に供給することができる。

（３）処理液経路形成手段は、第１の貯留槽および第２の貯留槽のいずれか一方から選択的に第１の温調手段に処理液を導く第１の経路切替手段と、処理部から第１の貯留槽および第２の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を戻す第２の経路切替手段と、第１の温調手段から第１の貯留槽および第２の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第３の経路切替手段と、第１の貯留槽および第２の貯留槽のいずれか一方から選択的に第２の温調手段に処理液を導く第４の経路切替手段と、第２の温調手段から第１の貯留槽および第２の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第５の経路切替手段と、第１、第２、第３、第４および第５の経路切替手段を制御する制御手段とを含み、制御手段は、第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第１の循環経路が形成されるように第１および第２の経路切替手段を設定し、第１の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第５の循環経路が形成されるように第３の経路切替手段を設定し、第１の貯留槽の稼動時に、第２の循環経路が形成されるように第４および第５の経路切替手段を設定し、第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第３の循環経路が形成されるように第１および第２の経路切替手段を設定し、第２の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第６の循環経路が形成されるように第３の経路切替手段を設定し、第２の貯留槽の稼動時に、第４の循環経路が形成されるように第４および第５の経路切替手段を設定してもよい。

この場合、第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第１の循環経路が形成されるように第１および第２の経路切替手段が設定される。第１の貯留槽の稼動時における処理部の待機時には、第５の循環経路が形成されるように第３の経路切替手段が設定される。第１の貯留槽の稼動時には、第２の循環経路が形成されるように第４および第５の経路切替手段が設定される。

第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第３の循環経路が形成されるように第１および第２の経路切替手段が設定される、第２の貯留槽の稼動時における処理部の待機時には、第６の循環経路が形成されるように第３の経路切替手段が設定される。第２の貯留槽の稼動時には、第４の循環経路が形成されるように第４および第５の経路切替手段が設定される。

このように第１、第２、第３、第４および第５の経路切替手段が制御手段により制御されることにより、第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時および待機時、ならびに第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時および稼動時において、それぞれ異なる循環経路が形成される。

そのため、第１の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽内の処理液が処理部に供給され、第２の貯留槽内の処理液が処理部に供給されない。また、第２の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽内の処理液が処理部に供給されず、第２の貯留槽内の処理液が処理部に供給される。

この場合、第１の貯留槽の稼動時に第２の貯留槽内の処理液を交換し、第２の貯留槽の稼動時に第１の貯留槽内の処理液を交換することにより、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止される。それにより、スループットが向上される。

また、第１の貯留槽の稼動時および第２の貯留槽の稼動時において、処理部で基板の処理に用いられる処理液が、共通の第１の温調手段により温度調整される。

この場合、第１の貯留槽の稼動時と第２の貯留槽の稼動時とで、処理部での基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。したがって、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。

また、第１の貯留槽の稼動時には第２の貯留槽内の処理液が第２の循環経路を通して循環され、第２の貯留槽の稼動時には第１の貯留内の処理液が第４の循環経路を通して循環される。

この場合、稼動していない貯留槽内の処理液が、第２の温調手段により温度調整される。そのため、第２の温調手段により調整される温度を、第１の温調手段により調整される温度と等しく設定することにより、稼動している貯留槽内の処理液の温度と稼動していない貯留槽内の処理液の温度とを等しくすることができる。

それにより、第１の貯留槽の稼動時の状態から第２の貯留槽の稼動時の状態、または第２の貯留槽の稼動時の状態から第１の貯留槽の稼動時の状態に移行した直後において、基板の処理に用いる処理液の温度を第１の温調手段により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。

また、第１の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第１の貯留槽内の処理液が第１の温調手段により所定の温度に維持され、第２の貯留槽の稼動時における処理部の待機時に、第２の貯留槽内の処理液が第１の温調手段により所定の温度に維持される。

それにより、所定の温度に調整された処理液を任意のタイミングで基板に供給することができる。

（４）基板処理装置は、第１の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第１の検出器と、第２の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第２の検出器とをさらに備え、制御手段は、第１の検出器および第２の検出器からの検出結果に基づいて、第１、第２、第３、第４および第５の経路切替手段を制御してもよい。

この場合、第１および第２の検出器により検出された第１および第２の貯留槽内の処理液の交換時期に基づいて、第１、第２、第３、第４および第５の経路切替手段が制御される。それにより、第１の貯留槽の稼動時の状態から第２の貯留槽の稼動時の状態、または第２の貯留槽の稼動時の状態から第１の貯留槽の稼動時の状態への移行を自動的かつ円滑に行うことができる。

（５）第２の温調手段は、第１および第２の貯留槽に共通の温調器を含んでもよい。

この場合、第１の貯留槽の稼動時における第２の貯留槽内の処理液の温度、および第２の貯留槽の稼動時における第１の貯留槽内の処理液の温度が、正確に一定の温度に維持される。

したがって、第１の貯留槽の稼動時の状態から第２の貯留槽の稼動時、または第２の貯留槽の稼動時から第１の貯留槽の稼動時の状態に移行する際に、第１の貯留槽または第２の貯留槽から処理部に供給される処理液を正確に所定の温度に調整することがより容易となる。

（６）第２の温調手段は、第１の貯留槽に対応する第１の温調器と、第２の貯留槽に対応する第２の温調器とを含み、第２の循環経路は、第１の貯留槽の稼動時に、第２の貯留槽および第２の温調器に処理液を循環させ、第４の循環経路は、第２の貯留槽の稼動時に、第１の貯留槽および第１の温調器に処理液を循環させてもよい。

この場合、第１の貯留槽に対応する第１の温調器と第２の貯留槽に対応する第２の温調器とをそれぞれ独立して設けることにより、処理液供給系統の配置および設計の自由度が向上される。

（７）第２の発明に係る基板処理方法は、基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理液を貯留するための第１および第２の貯留槽と、処理液の温度を調整する第１および第２の温調手段とを用いた基板処理方法であって、第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第１の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液を循環させる工程と、第１の貯留槽の稼動時に、第２の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる工程と、第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時に、第２の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液を循環させる工程と、第２の貯留槽の稼動時に、第１の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる工程とを含むものである。

第２の発明に係る基板処理方法においては、第１の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第１の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液が循環される。第１の貯留槽の稼動時には、第２の貯留槽および第２の温調手段に処理液が循環される。

また、第２の貯留槽の稼動時における処理部の処理時には、第２の貯留槽、第１の温調手段および処理部に処理液が循環される。第２の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽および第２の温調手段に処理液が循環される。

このように、第１の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽内の処理液が処理部に供給され、第２の貯留槽内の処理液が処理部に供給されない。また、第２の貯留槽の稼動時には、第１の貯留槽内の処理液が処理部に供給されず、第２の貯留槽内の処理液が処理部に供給される。

この場合、第１の貯留槽の稼動時に第２の貯留槽内の処理液を交換し、第２の貯留槽の稼動時に第１の貯留槽内の処理液を交換することにより、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生を防止することができる。それにより、スループットを向上させることができる。

また、第１の貯留槽の稼動時および第２の貯留槽の稼動時において、処理部で基板の処理に用いられる処理液が、共通の第１の温調手段により温度調整される。

この場合、温調手段の特性のばらつきによる温度差が生じないため、第１の貯留槽の稼動時と第２の貯留槽の稼動時とで、基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。

また、第１の貯留槽の稼動時には第２の貯留槽内の処理液が第２の循環経路を通して循環され、第２の貯留槽の稼動時には第１の貯留内の処理液が第４の循環経路を通して循環される。

この場合、稼動していない貯留槽内の処理液が、第２の温調手段により温度調整される。そのため、第２の温調手段により調整される温度を、第１の温調手段により調整される温度と等しく設定することにより、稼動している貯留槽内の処理液の温度と稼動していない貯留槽内の処理液の温度とを等しくすることができる。

それにより、第１の貯留槽の稼動時の状態から第２の貯留槽の稼動時の状態、または第２の貯留槽の稼動時の状態から第１の貯留槽の稼動時の状態に移行した直後において、基板の処理に用いる処理液の温度を第１の温調手段により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。

本発明によれば、処理液の交換時におけるダウンタイムの発生を防止することができるとともに、基板の処理に用いる処理液を正確に一定の温度に調整することができる。

以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理方法および基板処理装置について図面を参照しつつ説明する。

以下の説明において、基板とは、半導体ウェハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

また、薬液とは、例えばＢＨＦ（バッファードフッ酸）、ＤＨＦ（希フッ酸）、フッ酸、塩酸、硫酸、硝酸、リン酸、酢酸、シュウ酸もしくはアンモニア等の水溶液、またはそれらの混合溶液をいう。

（１） 基板処理装置の構成
図１は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂが配置されている。

図１の流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ洗浄処理部５ａ，５ｂへの薬液およびリンス液の供給および洗浄処理部５ａ，５ｂからの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、処理液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

洗浄処理部５ａ，５ｂでは、薬液による洗浄処理（以下、薬液処理と呼ぶ）およびリンス液による洗浄処理（以下、リンス処理と呼ぶ）が行われる。

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄが配置されている。流体ボックス部２ｃ，２ｄおよび洗浄処理部５ｃ，５ｄの各々は、上記流体ボックス部２ａ，２ｂおよび洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の構成を有し、洗浄処理部５ｃ，５ｄは洗浄処理部５ａ，５ｂと同様の処理を行う。

以下、洗浄処理部５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄを処理ユニットと総称する。搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。

処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板Ｗの搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されており、インデクサロボットＩＲはインデクサＩＤの内部に設けられている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された処理ユニットに搬送し、または、処理ユニットから受け取った基板Ｗを他の処理ユニットまたはインデクサロボットＩＲに搬送する。

本実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄのいずれかにおいて基板Ｗに薬液処理およびリンス処理が行われた後に、基板搬送ロボットＣＲにより基板Ｗが洗浄処理部５ａ〜５ｄから搬出され、インデクサロボットＩＲを介してキャリア１に搬入される。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各処理ユニットの動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。

また、基板処理装置１００においては、処理領域Ａ，Ｂの一端部側に隣接するように循環系ボックス部２Ｂが設けられている。循環系ボックス部２Ｂ内には２つの薬液タンクが設けられている。循環系ボックス部２Ｂの詳細は後述する。

（２） 洗浄処理部の構成
図２は本発明の一実施の形態に係る基板処理装置１００の洗浄処理部５ａ〜５ｄの構成を説明するための図である。

図２の洗浄処理部５ａ〜５ｄは、薬液処理により基板Ｗに付着した有機物等の不純物を除去した後、リンス処理を行う。

図２に示すように、洗浄処理部５ａ〜５ｄは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック２１を備える。スピンチャック２１は、チャック回転駆動機構３６によって回転される回転軸２５の上端に固定されている。

基板Ｗは、薬液処理およびリンス処理を行う場合に、スピンチャック２１により水平に保持された状態で回転される。なお、図２に示すように、本実施の形態では、基板Ｗの周縁部を保持するスピンチャックが用いられる。

スピンチャック２１の外方には、モータ６０が設けられている。モータ６０には、回動軸６１が接続されている。また、回動軸６１には、アーム６２が水平方向に延びるように連結され、アーム６２の先端に表面薬液ノズル５０が設けられている。

モータ６０により回動軸６１が回転するとともにアーム６２が回動し、表面薬液ノズル５０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

モータ６０、回動軸６１およびアーム６２の内部を通るように処理用供給管１０４が設けられている。処理用供給管１０４は薬液分流機構３００（後述の図３）に接続されている。

洗浄処理部５ａ〜５ｄの表面薬液ノズル５０には、後述する薬液貯留タンクから薬液分流機構３００（後述の図３）および処理用供給管１０４を通して薬液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へ薬液を供給することができる。

また、スピンチャック２１の外方には、モータ７１が設けられている。モータ７１には、回動軸７２が接続されている。また、回動軸７２には、アーム７３が水平方向に延びるように連結され、アーム７３の先端に表面リンスノズル７０が設けられている。

モータ７１により回動軸７２が回転するとともにアーム７３が回動し、表面リンスノズル７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

モータ７１、回動軸７２およびアーム７３の内部を通るようにリンス液供給管７４が設けられている。リンス液供給管７４は図示しないリンス液供給系に接続されている。

洗浄処理部５ａ〜５ｄの表面リンスノズル７０には、リンス液供給系からリンス液供給管７４を通してリンス液が供給される。それにより、基板Ｗの表面へリンス液を供給することができる。リンス液としては、例えば、純水が用いられる。また純水以外にも、温純水、イオン水、水素が溶存する還元水（電解還元水を含む。）、炭酸水、磁気水などの機能水、または希薄濃度（たとえば１ｐｐｍ程度）のアンモニア水、アンモニア過水、塩酸などを用いることができる。

基板Ｗの表面へ薬液を供給する際には、表面薬液ノズル５０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へリンス液を供給する際には、表面薬液ノズル５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へリンス液を供給する際には、表面リンスノズル７０は基板Ｗの上方に位置し、基板Ｗの表面へ薬液を供給する際には、表面リンスノズル７０は所定の位置に退避される。

スピンチャック２１の回転軸２５は中空軸からなる。回転軸２５の内部には、処理用供給管１０５およびリンス処理用供給管９２が挿通されている。処理用供給管１０５は、その一端がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に近接する位置まで延びるとともに、他端が薬液分流機構３００（後述の図３）に接続されている。リンス処理用供給管９２は、その一端がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの裏面に近接する位置まで延びるとともに、他端が図示しないリンス液供給系に接続されている。

処理用供給管１０５およびリンス処理用供給管９２の一端側の先端部には、基板Ｗの裏面中央に向けて薬液およびリンス液を吐出する裏面薬液ノズル８１および裏面リンスノズル９１が設けられている。

裏面薬液ノズル８１から基板Ｗの裏面に薬液が吐出されることにより、基板Ｗの裏面が薬液処理される。また、裏面リンスノズル９１から基板Ｗの裏面にリンス液が吐出されることにより、基板Ｗの裏面がリンス処理される。

スピンチャック２１は、処理カップ２３内に収容されている。処理カップ２３の内側には、筒状の仕切壁３３が設けられている。また、スピンチャック２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗのリンス処理に用いられたリンス液を回収して廃棄するための廃液空間３１が形成されている。廃液空間３１は、スピンチャック２１の外周に沿うように環状にかつ溝状に形成されている。

さらに、廃液空間３１を取り囲むように、処理カップ２３と仕切壁３３との間に基板Ｗの薬液処理に用いられた薬液を回収して基板処理装置１００内で循環させるための回収液空間３２が形成されている。回収液空間３２は、廃液空間３１の外周に沿うように環状かつ溝状に形成されている。

廃液空間３１には、廃液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための廃液管３４が接続され、回収液空間３２には、後述する薬液貯留槽ＴＡ，ＴＢ（図３）へ薬液を導くための回収管３５が接続されている。

処理カップ２３の上方には、基板Ｗからの薬液またはリンス液が外方へ飛散することを防止するためのスプラッシュガード２４が設けられている。このスプラッシュガード２４は、回転軸２５に対して回転対称な形状からなっている。スプラッシュガード２４の上端部の内面には、断面く字状の廃液案内溝４１が環状に形成されている。

また、スプラッシュガード２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部４２が形成されている。回収液案内部４２の上端付近には、処理カップ２３の仕切壁３３を受け入れるための仕切壁収納溝４３が形成されている。

スプラッシュガード２４は、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構３７により支持されている。ガード昇降駆動機構は、スプラッシュガード２４を、その上端部がスピンチャック２１の上端部とほぼ同じまたはスピンチャック２１の上端部よりも低い搬入搬出位置と、回収液案内部４２がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する循環位置と、廃液案内溝４１がスピンチャック２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する廃液位置との間で上下動させる。

スピンチャック２１上に基板Ｗが搬入される際、およびスピンチャック２１上から基板Ｗが搬出される際には、スプラッシュガード２４は搬入搬出位置に位置する。

スプラッシュガード２４が循環位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した薬液が回収液案内部４２により回収液空間３２に導かれ、回収管３５を通して後述の薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ（図３）に送られる。

一方、スプラッシュガード２４が廃液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散したリンス液が廃液案内溝４１により廃液空間３１に導かれ、廃液管３４を通して廃棄される。

（３） 基板処理装置の配管系統
次に、基板処理装置１００の配管系統について説明する。ここでは、薬液に関する配管系統について説明する。リンス液に関する配管系統については説明を省略する。

図３は、図１の基板処理装置１００の薬液に関する配管系統を示す図である。図３に示すように、基板処理装置１００は、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢを備える。薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢには、基板の薬液処理に用いる薬液が貯留されている。なお、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢは、図１の循環系ボックス部２Ｂ内に設けられる。

また、薬液貯留タンクＴＡには、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の濃度を検出する濃度センサＳＥ１が取り付けられている。同様に、薬液貯留タンクＴＢには、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の濃度を検出する濃度センサＳＥ２が取り付けられている。濃度センサＳＥ１，ＳＥ２の詳細は後述する。

薬液貯留タンクＴＡには、供給管１０１が接続されている。供給管１０１は、処理用供給管１０２および待機用配管１０３に分岐する。処理用供給管１０２には、バルブ９０が介挿され、待機用配管１０３には、バルブ９１が介挿されている。

薬液貯留タンクＴＢには、供給管１１１が接続されている。供給管１１１は、処理用供給管１１２および待機用配管１１３に分岐する。処理用供給管１１２には、バルブ９２が介挿され、待機用配管１１３には、バルブ９３が介挿されている。

処理用供給管１０２，１１２は、薬液分流機構３００へと延びる処理用供給管１１０に接続されている。処理用供給管１１０には、温度調節器２１０、ポンプＰ１およびフィルタＦが介挿されている。

薬液分流機構３００には、洗浄処理部５ａ〜５ｄの各々の表面薬液ノズル５０へ延びる処理用供給管１０４、および裏面薬液ノズル８１へ延びる処理用供給管１０５が接続されている。各処理用供給管１０４にはバルブ１９１が介挿され、各処理用供給管１０５にはバルブ１９２が接続されている。

なお、実際には、洗浄処理部５ａ〜５ｄに対応する４組の処理用供給管１０４，１０５および４組のバルブ１９１，１９２が設けられるが、図３においては、説明を簡略にするために、１組の処理用供給管１０４，１０５および１組のバルブ１９１，１９２のみを示す。以下に説明する図面においても同様とする。

薬液分流機構３００とバルブ１９１との間で処理用供給管１０４に配管７７が接続されている。配管７７は、配管７６に接続されており、配管７６は、薬液貯留タンクＴＡへ延びる配管７６ａと薬液貯留タンクＴＢへ延びる配管７６ｂとに分岐する。配管７７には、バルブ１０８が介挿され、配管７６ａにはバルブ９４が介挿され、配管７６ｂにはバルブ９５が介挿されている。

また、薬液分流機構３００とバルブ１９２との間で処理用供給管１０５に配管７８が接続されている。配管７８は、配管７６に接続されている。配管７８にはバルブ１０９が介挿されている。

一方、供給管１０１から延びる待機用配管１０３および供給管１１１から延びる待機用配管１１３は、待機用配管１２０の一端に接続されている。待機用配管１２０には、温度調節器２２０、ポンプＰ２およびフィルタＦが介挿されている。

待機用配管１２０の他端は、薬液貯留タンクＴＡへ延びる待機用配管１０６および薬液貯留タンクＴＢへ延びる待機用配管１０７に分岐する。待機用配管１０６には、バルブ９６が介挿され、待機用配管１０７には、バルブ９７が介挿されている。

また、洗浄処理部５ａ〜５ｄの処理カップ２３内の回収液空間３２には、回収管３５が接続されている。回収管３５は、薬液貯留タンクＴＡへ延びる回収管３５ａおよび薬液貯留タンクＴＢへ延びる回収管３５ｂに分岐する。回収管３５ａには、回収管３５側から順に、バルブ９８、フィルタＦ、ポンプＰ３およびフィルタＦが介挿されている。回収管３５ｂには、回収管３５側から順に、バルブ９９、フィルタＦ、ポンプＰ４およびフィルタＦが介挿されている。

（４）薬液の循環経路
本実施の形態では、図１の制御部４により、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われるように、バルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２の開閉が制御される。それにより、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、スループットの低下が防止される。

以下、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理を行う場合（以下、ＴＡ稼動時と呼ぶ）、および薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理を行う場合（以下、ＴＢ稼動時と呼ぶ）の薬液の循環経路について説明する。

図４には、ＴＡ稼動時およびＴＢ稼動時のバルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２の開閉状態が示される。また、図５および図６には、ＴＡ稼動時の薬液の循環経路が概略的に示され、図７および図８には、ＴＢ稼動時の薬液の循環経路が概略的に示される。

（４−１）ＴＡ稼動時
まず、ＴＡ稼動時における薬液の循環経路について説明する。

図４に示すように、ＴＡ稼動時には、バルブ９０，９３，９４，９７，９８が開かれ、バルブ９１，９２，９５，９６，９９が閉じられる。バルブ１０８，１０９，１９１，１９２は、後述するように、基板Ｗの処理工程に応じてそれぞれ開閉が切り替えられる。

バルブ９０〜９９を上記のように設定した場合、図３に示すように、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液は、ポンプＰ１の動作により供給管１０１および処理用供給管１０２，１１０を介して温度調節器２１０およびフィルタＦに導かれ、さらに薬液分流機構３００を介して処理用供給管１０４，１０５に導かれる。これにより、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が、温度調節器２１０により所定の温度に調整されるとともに、フィルタＦにより浄化される。

ここで、バルブ１０８，１９２が閉じられるとともにバルブ１０９，１９１が開かれる場合には、薬液分流機構３００から処理用供給管１０４に導かれた薬液が、洗浄処理部５ａ〜５ｄの表面薬液ノズル５０に導かれる。また、薬液分流機構３００から処理用供給管１０５に導かれた薬液が、配管７８，７６，７６ａを介して薬液貯留タンクＴＡに戻される。

これにより、表面薬液ノズル５０から基板Ｗの表面に薬液が供給され、基板Ｗの表面の薬液処理が行われる。

また、バルブ１０９，１９１が閉じられるとともにバルブ１０８，１９２が開かれる場合には、薬液分流機構３００から処理用供給管１０４に導かれた薬液が、配管７７，７６，７６ａを介して薬液貯留タンクＴＡに戻される。また、薬液分流機構３００から処理用供給管１０５に導かれた薬液が、洗浄処理部５ａ〜５ｄの裏面薬液ノズル８１に導かれる。

これにより、裏面薬液ノズル８１から基板Ｗの裏面に薬液が供給され、基板Ｗの裏面の薬液処理が行われる。

また、バルブ１０８，１０９が閉じられるとともにバルブ１９１，１９２が開かれる場合には、薬液が、薬液分流機構３００から処理用供給管１０４，１０５を介して洗浄処理部５ａ〜５ｄの表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１に導かれる。

これにより、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１から基板Ｗの表面および裏面に薬液が供給され、基板Ｗの表面および裏面の薬液処理が行われる。

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて基板Ｗの表面または裏面に供給された薬液は、ポンプＰ３の動作により、回収管３５および回収管３５ａを介して薬液貯留タンクＴＡに戻される。

上記のように、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて基板Ｗの表面および裏面の少なくとも一方の薬液処理が行われる期間中に、薬液貯留タンクＴＡから温度調節器２１０およびフィルタＦに導かれ、その後薬液貯留タンクＴＡに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路Ｒ１と呼ぶ（図５（ａ）、図５（ｂ）および図６（ａ）参照）。

バルブ１０８，１０９が開かれるとともにバルブ１９１，１９２が閉じられる場合には、薬液が、処理用供給管１０４，１０５から配管７７，７８，７６，７６ａに導かれ、薬液貯留タンクＴＡに戻される。

上記のように、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて基板Ｗの表面および裏面のどちらの薬液処理も行われない期間中に、薬液貯留タンクＴＡから温度調節器２１０およびフィルタＦに導かれ、その後薬液貯留タンクＴＡに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路Ｒ２と呼ぶ（図６（ｂ）参照）。

表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１から基板Ｗに薬液が供給されない期間は、薬液は循環経路Ｒ２を循環する。そして、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１の少なくとも一方から基板Ｗに薬液が供給される際には、薬液が循環経路Ｒ１を循環するように各バルブが切り換えられる。これにより、基板Ｗに薬液が供給されない期間中は薬液は温度調節器２１０で常に温調されており、基板Ｗに薬液を供給する際には所定の温度に温調された薬液がすぐに基板Ｗに供給される。

なお、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１のいずれか一方から基板Ｗに薬液が供給される場合であっても、基板Ｗに薬液を供給しないノズルの方の経路は、温度調節器２１０およびフィルタＦを介して薬液貯留タンクＴＡに戻される。これにより、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１の両方から薬液を供給する場合と、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１のいずれか一方から薬液を供給する場合とで、ポンプＰ１の流量を一定にすることができる。

一方、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液は、ポンプＰ２の動作により供給管１１１および待機用配管１１３，１２０を介して温度調節器２２０およびフィルタＦに導かれる。これにより、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が、温度調節器２２０により所定の温度に調整されるとともに、フィルタＦにより浄化される。なお、温度調節器２２０により調整される温度は、温度調節器２１０により調整される温度とほぼ等しくなるように設定されている。

その後、薬液は待機用配管１２０，１０７を通して薬液貯留タンクＴＢに戻される。

上記のように、薬液貯留タンクＴＢから温度調節器２２０およびフィルタＦに導かれ、薬液貯留タンクＴＢに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路Ｒ３と呼ぶ（図５（ａ）、図５（ｂ）、図６（ａ）および図６（ｂ）参照）。

このように、ＴＡ稼動時においては、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が循環経路Ｒ１または循環経路Ｒ２を通して循環され、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が循環経路Ｒ３を通して循環される。

（４−１）ＴＢ稼動時
次に、ＴＢ稼動時における薬液の循環経路について説明する。

図４に示すように、ＴＢ稼動時には、バルブ９１，９２，９５，９６，９９が開かれ、バルブ９０，９３，９４，９７，９８が閉じられる。バルブ１０８，１０９，１９１，１９２は、後述するように、基板Ｗの処理工程に応じてそれぞれ開閉が切り替えられる。

バルブ９０〜９９を上記のように設定した場合、図３に示すように、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液は、ポンプＰ２の動作により供給管１０１および待機用配管１０３，１２０を介して温度調節器２２０およびフィルタＦに導かれる。これにより、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が、温度調節器２２０により所定の温度に調整されるとともに、フィルタＦにより浄化される。

その後、薬液は待機用配管１２０，１０６を通して薬液貯留タンクＴＡに戻される。

上記のように、薬液貯留タンクＴＡから温度調節器２２０およびフィルタＦに導かれ、薬液貯留タンクＴＡに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路Ｒ４と呼ぶ（図７（ａ）、図７（ｂ）、図８（ａ）および図８（ｂ）参照）。

一方、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液は、ポンプＰ１の動作により供給管１１１、処理用供給管１１２，１１０を介して温度調節器２１０およびフィルタＦに導かれ、さらに薬液分流機構３００を介して処理用供給管１０４，１０５に導かれる。これにより、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が、温度調節器２１０により所定の温度に調整されるとともに、フィルタＦにより浄化される。

ここで、バルブ１０８，１９２が閉じられるとともにバルブ１０９，１９１が開かれる場合には、薬液分流機構３００から処理用供給管１０４に導かれた薬液が、洗浄処理部５ａ〜５ｄの表面薬液ノズル５０に導かれる。また、薬液分流機構３００から処理用供給管１０５に導かれた薬液が、配管７８，配管７６，７６ｂを介して薬液貯留タンクＴＢに戻される。

これにより、表面薬液ノズル５０から基板Ｗの表面に薬液が供給され、基板Ｗの表面の薬液処理が行われる。

また、バルブ１０９，１９１が閉じられるとともにバルブ１０８，１９２が開かれる場合には、薬液分流機構３００から処理用供給管１０４に導かれた薬液が、配管７７，７６，７６ａを介して薬液貯留タンクＴＢに戻される。また、薬液分流機構３００から処理用供給管１０５に導かれた薬液が、洗浄処理部５ａ〜５ｄの裏面薬液ノズル８１に導かれる。

これにより、裏面薬液ノズル８１から基板Ｗの裏面に薬液が供給され、基板Ｗの裏面の薬液処理が行われる。

また、バルブ１０８，１０９が閉じられるとともにバルブ１９１，１９２が開かれる場合には、薬液が、薬液分流機構３００から処理用供給管１０４，１０５を介して洗浄処理部５ａ〜５ｄの表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１に導かれる。

これにより、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１から基板Ｗの表面および裏面に薬液が供給され、基板Ｗの表面および裏面の薬液処理が行われる。

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて基板Ｗの表面または裏面に供給された薬液は、ポンプＰ４の動作により、回収管３５および回収管３５ｂを介して薬液貯留タンクＴＢに戻される。

上記のように、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて基板Ｗの表面および裏面の少なくとも一方の薬液処理が行われる期間中に、薬液貯留タンクＴＢから温度調節器２１０およびフィルタＦに導かれ、その後薬液貯留タンクＴＢに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路Ｒ５と呼ぶ（図７（ａ）、図７（ｂ）および図８（ａ）参照）。

バルブ１０８，１０９が開かれるとともにバルブ１９１，１９２が閉じられる場合には、薬液が、処理用供給管１０４，１０５から配管７７，７８，７６，７６ｂに導かれ、薬液貯留タンクＴＢに戻される。

上記のように、洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて基板Ｗの表面および裏面のどちらの薬液処理も行われない期間中に、薬液貯留タンクＴＢから温度調節器２１０およびフィルタＦに導かれ、その後薬液貯留タンクＴＢに戻される薬液の循環経路を、以下、循環経路Ｒ６と呼ぶ（図８（ｂ）参照）。

表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１から基板Ｗに薬液が供給されない期間は、薬液は循環経路Ｒ６を循環する。そして、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１の少なくとも一方から基板Ｗに薬液が供給される際には、薬液が循環経路Ｒ５を循環するように各バルブが切り換えられる。これにより、基板Ｗに薬液が供給されない期間中は薬液は温度調節器２１０で常に温調されており、基板Ｗに薬液を供給する際には所定の温度に温調された薬液がすぐに基板Ｗに供給される。

なお、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１のいずれか一方から基板Ｗに薬液が供給される場合であっても、基板Ｗに薬液を供給しないノズルの方の経路は、温度調節器２１０およびフィルタＦを介して薬液貯留タンクＴＢに戻される。これにより、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１の両方から薬液を供給する場合と、表面薬液ノズル５０および裏面薬液ノズル８１のいずれか一方から薬液を供給する場合とで、ポンプＰ１の流量を一定にすることができる。

このように、ＴＢ稼動時においては、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が循環経路Ｒ４を通して循環され、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が循環経路Ｒ５または循環経路Ｒ６を通して循環される。

（５）制御系
上記のように、本実施の形態では、図１の制御部４によりバルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２が制御される。以下、制御部４の制御動作について説明する。

図９は、基板処理装置１００の制御系を説明するためのブロック図である。

図９に示すように、濃度センサＳＥ１は、薬液貯留タンクＴＡ（図３）内の薬液の濃度を検出し、その検出結果を濃度信号Ｌ１として制御部４に与える。濃度センサＳＥ２は、薬液貯留タンクＴＢ（図３）内の薬液の濃度を検出し、その検出結果を濃度信号Ｌ２として制御部４に与える。

制御部４は、濃度信号Ｌ１，Ｌ２に基づいて薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液が劣化しているか否かを判定するとともに、バルブ信号Ｖ１によりバルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２の開閉を制御する。

さらに、制御部４は、警告機構２００に警告信号ＣＩを与え、オペレータに対する警告を行う。警告機構２００は、例えば、警告ブザーまたは警告ランプ等を含む。

ここで、制御部４によるバルブ制御処理について説明する。図１０は、制御部４によるバルブ制御処理の一例を示すフローチャートである。

図１０に示すように、制御部４は、バルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２を初期状態に設定する（ステップＳ１）。ここでは、初期状態として、ＴＡ稼動時の状態（図４）に設定する。

続いて、制御部４は、濃度センサＳＥ１から与えられる濃度信号Ｌ１に基づいて、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の濃度（以下、薬液濃度ａと呼ぶ）が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ２）。

薬液濃度ａが規定値の範囲内にある場合、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液は劣化しておらず、交換の必要がないとみなされる。この場合、制御部４はステップＳ２の判定を繰り返す。

薬液濃度ａが規定値の範囲内にない場合、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液は劣化しており、交換の必要があるとみなされる。この場合、制御部４はバルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２をＴＢ稼動時の状態（図４）に切り替える（ステップＳ３）。

続いて、制御部４は、警告機構２００を動作させることによりオペレータに対する警告を行う（ステップＳ４）。オペレータは、警告に従って薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を交換する。なお、警告機構２００の動作とは、例えば警告ブザーの発令または警告ランプの点灯等をいう。

続いて、制御部４は、濃度センサＳＥ２から与えられる濃度信号Ｌ２に基づいて、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の濃度（以下、薬液濃度ｂと呼ぶ）が予め設定された規定値の範囲内にあるか否かを判定する（ステップＳ５）。

薬液濃度ｂが規定値の範囲内にある場合、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液は劣化しておらず、交換の必要がないとみなされる。この場合、制御部４はステップＳ５の判定を繰り返す。

薬液濃度ｂが規定値の範囲内にない場合、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液は劣化しており、交換の必要があるとみなされる。この場合、制御部４はバルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２をＴＡ稼動時の状態に切り替える（ステップＳ６）。

続いて、制御部４は、警告機構２００を動作させることによりオペレータに対する警告を行う（ステップＳ６）。オペレータは、警告に従って、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を交換する。その後、制御部４は、ステップＳ２〜ステップＳ７の処理を繰り返す。

このように、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液が劣化し、交換する必要が生じた際に、バルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２が切り替えられる。それにより、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われる。

（６）本実施の形態の効果
本実施の形態では、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われ、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の交換時には薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて洗浄処理部５ａ〜５ｄにおける基板Ｗの薬液処理が行われる。

それにより、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液の交換時におけるダウンタイムの発生が防止され、スループットの低下が防止される。

また、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて基板Ｗの薬液処理を行う際、および薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて基板Ｗの薬液処理を行う際において、ともに共通の温度調節器２１０により温度調整された薬液が基板Ｗに供給される。

この場合、温度調節器の機差（特性のばらつき）による温度差が生じないため、薬液貯留タンクＴＡから基板Ｗに供給される薬液と、薬液貯留タンクＴＢから基板Ｗに供給される薬液とを正確に一定の温度に調整することができる。それにより、基板の処理精度のばらつきを確実に防止することができる。

また、本実施の形態では、ＴＡ稼動時において薬液貯留タンクＴＢの薬液が循環経路Ｒ３を通して循環され、ＴＢ稼動時において薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が循環経路Ｒ４を通して循環される。すなわち、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液のうち、基板Ｗの薬液処理に使用していない薬液貯留タンクの薬液が温度調節器２２０に導かれ、温度調整される。

ここで、温度調節器２２０により調整される温度は、温度調節器２１０により調整される温度とはほぼ等しく設定されている。そのため、ＴＡ稼動時の状態からＴＢ稼動時の状態、またはＴＢ稼動時の状態からＴＡ稼動時の状態に切り替えられた直後において、薬液貯留タンクＴＡまたは薬液貯留タンクＴＢから基板Ｗに供給される薬液の温度を温度調節器２１０により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。

また、循環経路Ｒ３および循環経路Ｒ４において、共通の温度調節器２２０により薬液の温度が調整されるので、温度調節器の機差による温度差が生じない。それにより、ＴＡ稼動時における薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の温度、およびＴＢ稼動時における薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の温度が一定の温度に維持される。

したがって、ＴＡ稼動時の状態からＴＢ稼動時の状態、またはＴＢ稼動時の状態からＴＡ稼動時の状態に切り替えられたときに、薬液貯留タンクＴＡおよび薬液貯留タンクＴＢから基板Ｗに供給される薬液を正確に所定の温度に調整することがより容易となる。

また、本実施の形態では、ＴＡ稼動時において基板Ｗに薬液を供給しない期間に、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が循環経路Ｒ２を通して循環される。また、ＴＢ稼動時において基板Ｗに薬液を供給しない期間に、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が循環経路Ｒ６を通して循環される。

この場合、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液が温度調節器２１０により常時所定の温度に維持される。それにより、所定の温度に調整された薬液を任意のタイミングで基板Ｗに供給することができる。

（７）他の実施の形態
（７−１）
基板処理装置１００は、以下に示す構成を有してもよい。図１１は、基板処理装置１００の他の構成例を説明するための図である。図１１の基板処理装置１００について、上記実施の形態と異なる点を説明する。

図１１に示すように、薬液供給タンクＴＡに接続された供給管１０１は、処理用供給管１０２および待機用配管１０３ａに分岐する。処理用供給管１０２は、上記実施の形態と同様に、処理用供給管１１０に接続される。

待機用配管１０３ａは、薬液供給タンクＴＡに延びる。待機用配管１０３ａには、バルブ９１ａ、温度調節器２２０ａ、ポンプＰ２ａおよびフィルタＦが介挿されている。

また、薬液供給タンクＴＢに接続された供給管１１１は、処理用供給管１１２および待機用配管１１３ａに分岐する。処理用供給管１１２は、上記実施の形態と同様に、処理用供給管１１０に接続される。

待機用配管１１３ａは、薬液供給タンクＴＢに延びる。待機用配管１１３ａには、バルブ９３ａ、温度調節器２２０ｂおよびポンプＰ２ｂおよびフィルタＦが介挿されている。

ＴＡ稼動時においては、バルブ９１ａが閉じられるとともにバルブ９３ａが開かれる。また、バルブ９０，９２，９４，９５，９８，９９，１０８，１０９，１９１，１９２は上記実施の形態のＴＡ稼動時と同様に設定される（図４参照）。

この場合、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が、供給管１１１および待機用配管１１３ａを通して温度調節器２２０ｂおよびフィルタＦに導かれる。これにより、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液が、温度調節器２２０ｂにより所定の温度に調整されるとともに、フィルタＦにより浄化される。その後、薬液は待機用配管１１３ａを通して薬液貯留タンクＴＢに戻される。

また、ＴＡ稼動時において、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液は、上記実施の形態と同様に、循環経路Ｒ１または循環経路Ｒ２を通して循環される（図５参照）。

ＴＢ稼動時においては、バルブ９１ａが開かれるとともにバルブ９３ａが閉じられる。また、バルブ９０，９２，９４，９５，９８，９９，１０８，１０９，１９１，１９２は上記実施の形態のＴＢ稼動時と同様に設定される（図４参照）。

この場合、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が、供給管１０１および待機用配管１０３ａを通して温度調節器２２０ａおよびフィルタＦに導かれる。これにより、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が、温度調節器２２０ａにより所定の温度に調整されるとともに、フィルタＦにより浄化される。その後、薬液は待機用配管１０３ａを通して薬液貯留タンクＴＡに戻される。

また、ＴＢ稼動時において、薬液貯留タンクＴＢ内の薬液は、上記実施の形態と同様に、循環経路Ｒ５または循環経路Ｒ６を通して循環される（図６参照）。

このように、図１１の基板処理装置１００では、ＴＡ稼動時に薬液貯留タンクＴＢの薬液が温度調節器２２０ｂにより温度調整され、ＴＢ稼動時において薬液貯留タンクＴＡ内の薬液が温度調節器２２０ａにより温度調整される。

なお、温度調節器２２０ａ，２２０ｂにより調整される温度は、温度調節器２１０により調整される温度とはほぼ等しく設定されている。

それにより、ＴＡ稼動時の状態からＴＢ稼動時の状態、またはＴＢ稼動時の状態からＴＡ稼動時の状態に切り替えられた直後において、薬液貯留タンクＴＡまたは薬液貯留タンクＴＢから基板Ｗに供給される薬液の温度を温度調節器２１０により迅速かつ容易に所定の温度に調整することができる。

また、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液の温度を調整する温度調節器２２０ａと薬液貯留タンクＴＢ内の薬液の温度を調整する温度調節器２２０ｂとを別個に設けることにより、共通の温度調節器を設ける場合に比べて、配管系統の構成が簡略化される。それにより、基板処理装置１００の設計の自由度が向上される。

また、図１１の基板処理装置１００においても、上記実施の形態の基板処理装置１００と同様に、薬液貯留タンクＴＡ内の薬液を用いて基板Ｗの薬液処理を行う際、および薬液貯留タンクＴＢ内の薬液を用いて基板Ｗの薬液処理を行う際において、ともに共通の温度調節器２１０により温度調整された薬液が基板Ｗに供給される。

（７−２）
上記実施の形態では、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液の濃度が予め設定された規定値の範囲から逸脱した際に、制御部４により各バルブの状態が切り替えられるが、本発明はこれに限らない。例えば、交換直後の薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液が不純物の混入等により劣化するまでの所要時間が予め算出され、その所要時間が経過する毎に制御部４により各バルブの状態が切り替えられてもよい。

（７−３）
上記実施の形態では、オペレータが薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液の交換を行うが、自動的に薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液の交換を行ってもよい。

この場合、例えば基板処理装置１００の外部に薬液供給装置および薬液廃液装置を設ける。薬液供給装置は、制御部４からの指令により薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢへ薬液を供給する。また、薬液廃液装置は、制御部４からの指令により薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液を廃棄する。それにより、薬液貯留タンクＴＡ，ＴＢ内の薬液の交換を行うことができる。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。

上記実施の形態においては、洗浄処理部５ａ〜５ｄが処理部に相当し、薬液貯留タンクＴＡが第１の貯留槽に相当し、薬液貯留タンクＴＢが第２の貯留槽に相当し、温度調節器２１０が第１の温調手段に相当し、温度調節器２２０が第２の温調手段に相当する。

また、供給管１０１，１１１、処理用供給管１０２，１０４，１０５，１１０，１１２、配管７６，７６ａ，７６ｂ、回収管３５，３５ａ，３５ｂ、待機用配管１０３，１０６，１０７，１１３，１２０、およびバルブ９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２が処理液経路形成手段に相当し、循環経路Ｒ１が第１の循環経路に相当し、循環経路Ｒ３が第２の循環経路に相当し、循環経路Ｒ５が第３の循環経路に相当し、循環経路Ｒ４が第４の循環経路に相当し、循環経路Ｒ２が第５の循環経路に相当し、循環経路Ｒ６が第６の循環経路に相当し、バルブ９０，９２が第１の経路切替手段に相当し、バルブ９８，９９が第２の経路切替手段に相当し、バルブ９４，９５が第３の経路切替手段に相当し、バルブ９１，９３が第４の経路切替手段に相当し、バルブ９６，９７が第５の経路切替手段に相当する。

また、制御部４が制御手段に相当し、濃度センサＳＥ１が第１の検出器に相当し、濃度センサＳＥ２が第２の検出器に相当し、温度調節器２２０ａが第１の温調器に相当し、温度調節器２２０ｂが第２の温調器に相当する。

本発明に係る基板処理装置および基板処理方法は、半導体ウェハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示装置用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板等の基板製造等のために利用可能である。

本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の洗浄処理部の構成を説明するための図である。 図１の基板処理装置の薬液に関する配管系統を示す図である。 ＴＡ稼動時およびＴＢ稼動時のバルブの開閉状態を示す図である。 ＴＡ稼動時の薬液の循環経路を概略的に示す図である。 ＴＡ稼動時の薬液の循環経路を概略的に示す図である。 ＴＢ稼動時の薬液の循環経路を概略的に示す図である。 ＴＢ稼動時の薬液の循環経路を概略的に示す図である。 基板処理装置の制御系を説明するためのブロック図である。 制御部によるバルブ制御処理の一例を示すフローチャートである。 基板処理装置の他の構成例を説明するための図である。

符号の説明

４ 制御部
５ａ〜５ｄ 洗浄処理部
３５，３５ａ，３５ｂ 回収管
５０ 表面薬液ノズル
７６，７６ａ，７６ｂ，７７，７８ 配管
８１ 裏面薬液ノズル
９０〜９９，１０８，１０９，１９１，１９２ バルブ
１００ 基板処理装置
１０１，１１１ 供給管
１０２，１０４，１０５，１１０，１１２ 処理用供給管
１０３，１０６，１０７，１１３，１２０ 待機用配管
２１０，２２０ 温度調節器
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３，Ｒ４，Ｒ５，Ｔ６ 循環経路
ＳＥ１，ＳＥ２ 濃度センサ
ＴＡ，ＴＢ 薬液貯留タンク

Claims (7)

1. 基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、
   処理液を貯留するための第１の貯留槽と、
   処理液を貯留するための第２の貯留槽と、
   処理液の温度を調整する第１の温調手段と、
   処理液の温度を調整する第２の温調手段と、
   前記処理部、前記第１および第２の貯留槽ならびに前記第１、第２の温調手段の間での処理液の経路を形成する処理液経路形成手段とを備え、
   前記処理液経路形成手段は、
   前記第１の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第１の貯留槽、前記第１の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる第１の循環経路を形成し、前記第１の貯留槽の稼動時に、前記第２の貯留槽および前記第２の温調手段に処理液を循環させる第２の循環経路を形成し、
   前記第２の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第２の貯留槽、前記第１の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる第３の循環経路を形成し、前記第２の貯留槽の稼動時に、前記第１の貯留槽および前記第２の温調手段に処理液を循環させる第４の循環経路を形成することを特徴とする基板処理装置。
2. 前記処理液経路形成手段は、
   前記第１の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第１の貯留槽および前記第１の温調手段に処理液を循環させる第５の循環経路を形成し、前記第２の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第２の貯留槽および前記第１の温調手段に処理液を循環させる第６の循環経路を形成することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記処理液経路形成手段は、
   前記第１の貯留槽および前記第２の貯留槽のいずれか一方から選択的に前記第１の温調手段に処理液を導く第１の経路切替手段と、
   前記処理部から前記第１の貯留槽および前記第２の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を戻す第２の経路切替手段と、
   前記第１の温調手段から前記第１の貯留槽および前記第２の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第３の経路切替手段と、
   前記第１の貯留槽および前記第２の貯留槽のいずれか一方から選択的に前記第２の温調手段に処理液を導く第４の経路切替手段と、
   前記第２の温調手段から前記第１の貯留槽および前記第２の貯留槽のいずれか一方に選択的に処理液を導く第５の経路切替手段と、
   前記第１、第２、第３、第４および第５の経路切替手段を制御する制御手段とを含み、
   前記制御手段は、
   前記第１の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第１の循環経路が形成されるように前記第１および第２の経路切替手段を設定し、前記第１の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第５の循環経路が形成されるように前記第３の経路切替手段を設定し、前記第１の貯留槽の稼動時に、前記第２の循環経路が形成されるように前記第４および第５の経路切替手段を設定し、前記第２の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第３の循環経路が形成されるように前記第１および第２の経路切替手段を設定し、前記第２の貯留槽の稼動時における前記処理部の待機時に、前記第６の循環経路が形成されるように前記第３の経路切替手段を設定し、前記第２の貯留槽の稼動時に、前記第４の循環経路が形成されるように前記第４および第５の経路切替手段を設定することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
4. 第１の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第１の検出器と、
   第２の貯留槽内の処理液の交換時期を検出する第２の検出器とをさらに備え、
   前記制御手段は、前記第１の検出器および前記第２の検出器からの検出結果に基づいて、前記第１、第２、第３、第４および第５の経路切替手段を制御することを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記第２の温調手段は、前記第１および第２の貯留槽に共通の温調器を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記第２の温調手段は、前記第１の貯留槽に対応する第１の温調器と、前記第２の貯留槽に対応する第２の温調器とを含み、
   前記第２の循環経路は、
   前記第１の貯留槽の稼動時に、前記第２の貯留槽および前記第２の温調器に処理液を循環させ、
   前記第４の循環経路は、
   前記第２の貯留槽の稼動時に、前記第１の貯留槽および第１の温調器に処理液を循環させることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板処理装置。
7. 基板に処理液を用いた処理を行う処理部と、処理液を貯留するための第１および第２の貯留槽と、処理液の温度を調整する第１および第２の温調手段とを用いた基板処理方法であって、
   前記第１の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第１の貯留槽、前記第１の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる工程と、
   前記第１の貯留槽の稼動時に、前記第２の貯留槽および前記第２の温調手段に処理液を循環させる工程と、
   前記第２の貯留槽の稼動時における前記処理部の処理時に、前記第２の貯留槽、前記第１の温調手段および前記処理部に処理液を循環させる工程と、
   前記第２の貯留槽の稼動時に、前記第１の貯留槽および第２の温調手段に処理液を循環させる工程とを含むことを特徴とする基板処理方法。

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