JP5170282B2 - 電子部品の製造方法 - Google Patents
電子部品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5170282B2 JP5170282B2 JP2011104604A JP2011104604A JP5170282B2 JP 5170282 B2 JP5170282 B2 JP 5170282B2 JP 2011104604 A JP2011104604 A JP 2011104604A JP 2011104604 A JP2011104604 A JP 2011104604A JP 5170282 B2 JP5170282 B2 JP 5170282B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- semiconductor substrate
- electronic
- electronic component
- saw
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/11—Manufacturing methods
Landscapes
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
本発明の電子部品の第1の実施形態について図1を参照しながら説明する。本実施形態においては、電子素子を弾性表面波素子に適用した場合を例にして説明し、電子部品を弾性表面波装置に適用した場合を例にして説明する。以下の説明においては、弾性表面波素子を「SAW(Surface Acoustic Wave)素子」と、弾性表面波装置を「SAWパッケージ」と適宜称する。
次に、図2〜図12を参照しながらSAWパッケージの製造方法について説明する。ここで、本実施形態においては、SAWパッケージ1は同一のシリコン基板100上に複数(図12参照)同時に一括して形成されるが、簡単のため図2〜図11においては1つのSAWパッケージ1を形成する場合が示されている。
第1絶縁層14は、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ベンゾシクロブテン(BCB)、ポリベンゾオキサゾール(PBO)等で形成することができる。あるいは、第1絶縁層14は、酸化珪素(SiO2)、窒化珪素(SiN)等、絶縁性があれば他のもので形成されてもよい。
そして、エッチング処理が行われ、図中、右側の電極15を覆う第1絶縁層14の一部が除去されて開口部が形成される。次に、前記開口部を形成した第1絶縁層14上のフォトレジストをマスクとして、ドライエッチングにより、複数の電極15のうち、図中、右側の電極15の一部が開口される。更に、その開口に対応する下地層11、及び半導体基板10を一部がエッチングにより除去される。これにより、図3に示すように、半導体基板10の第2面10B側の一部に孔部12Hが形成される。
これにより、図9に示すように、半導体基板10が薄くされるとともに、貫通電極12の一端部が、第1面10Aより露出する。
SAWパッケージ1の第2の実施形態について図13を参照しながら説明する。ここで、以下の説明において、上述した実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
貫通電極12の一端部及び端子51は、金属接続しやすいように、金などの表面処理、あるいはロウ材を表面に設けることが好ましい。あるいは、貫通電極12の一端部と端子51とは、接着剤層30の収縮による圧接でもよい。なお、封止部材40上にSAW素子50を形成する場合には、封止部材40を形成するための大きなシリコン基板上にSAW素子50を予め複数設けた後、形成されたSAW素子50毎に切断(ダイシング)する構成を採用可能である。また本実施形態においても、最終工程でダイシングする形態の他に、適切な工程(途中工程)で個片化するようにしてもよい。
図14はSAWパッケージ1の第3の実施形態を示す図である。本実施形態における特徴的な部分は、半導体基板10の第1面10Aと封止部材40との間に設けられた第2基板80に、SAW素子50を設けた点にある。本実施形態においても、半導体基板10とは別の部材にSAW素子50を設けることにより、半導体基板10に掛かる熱応力、膜応力の影響を受けにくいため、良好な特性を得ることができる。SAW素子50は、第2基板80のうち、半導体基板10の第1面10Aに対向する面80Aに設けられる。第2基板80は、シリコン基板、水晶基板、及びシリコンとダイヤとを含む基板によって構成されている。第2基板80上にSAW素子50を形成する場合には、第2基板80を形成するための大きなシリコン基板上にSAW素子50を予め複数設けた後、形成されたSAW素子50毎に切断(ダイシング)する構成を採用可能である。また本実施形態においても、最終工程でダイシングする形態の他に、適切な工程(途中工程)で個片化するようにしてもよい。そして、半導体基板10の第1面10Aより突出するようにして設けられた貫通電極12の一端部と、第2基板80の面80A上に形成されたSAW素子50の端子51とが電気的に接続される。本実施形態においても、貫通電極12の一端部及び端子51は、金属接続しやすいように、金などの表面処理、あるいはロウ材を表面に設けることが好ましい。あるいは、貫通電極12の一端部と端子51とは、接着剤層30の収縮による圧接でもよい。その後、半導体基板10と封止部材40とが接着剤層30を介して接合され、半導体基板10と封止部材40と接着剤層30とで囲まれた内部空間60に、SAW素子50を有する第2基板80が配置される。
図15は、上述したSAWパッケージ1を搭載した電子機器の一例を示す図であって、携帯電話300を示す図である。小型化・薄型化が実現された本発明のSAWパッケージ1を搭載したので、小型化を実現された携帯電話300が実現される。
Claims (6)
- 第1面と前記第1面とは反対側の第2面とを有する半導体基板と、
前記第1面に設けられた電子素子と、
前記第2面に設けられた集積回路と、
前記第1面と前記第2面とを貫通する貫通電極と、
前記集積回路に電気的に接続され、前記第2面に設けられた電極と、
少なくとも前記集積回路を覆うように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた外部電極と、を備え、
前記貫通電極の前記第1面側の端部が、前記電子素子と電気的に接続され、
前記貫通電極の前記第2面側の端部が、前記電極に積層して電気的に接続され、
前記貫通電極が、前記半導体基板の面方向から見て、前記外部電極の中心及び前記集積回路より前記半導体基板の外周に近い側に設けられていることを特徴とする電子部品。 - 第1面と及び前記第1面とは反対側の第2面とを有する半導体基板と、
前記第2面に設けられた集積回路と、
前記第1面と離れて対向する第3面を有する封止部材と、
前記第1面から前記第2面までを貫通する貫通電極と、
前記集積回路に電気的に接続され、前記第2面に設けられた電極と、
少なくとも前記集積回路を覆うように設けられた絶縁層と、
前記絶縁層に設けられた外部電極と、
前記第3面に設けられ、前記第1面と前記第3面との間に封止された電子素子と、を備え、
前記第1面より突出した前記貫通電極の前記第1面側の端部が、前記電子素子と電気的に接続され、
前記貫通電極の前記第2面側の端部が、前記電極に積層して電気的に接続され、
前記貫通電極が、前記半導体基板の面方向から見て、前記外部電極の中心及び前記集積回路よりも前記半導体基板の外周に近い側に設けられていることを特徴とする電子部品。 - 絶縁膜は、貫通孔の内壁に設けられ、
前記貫通電極は、前記絶縁膜により囲まれた内部に充填された導電材料を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の電子部品。 - 前記絶縁膜は、樹脂膜であることを特徴とする請求項3記載の電子部品。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品が実装された回路基板。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の電子部品を有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011104604A JP5170282B2 (ja) | 2004-09-13 | 2011-05-09 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004265189 | 2004-09-13 | ||
JP2004265189 | 2004-09-13 | ||
JP2011104604A JP5170282B2 (ja) | 2004-09-13 | 2011-05-09 | 電子部品の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008141522A Division JP2008219943A (ja) | 2004-09-13 | 2008-05-29 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011160476A JP2011160476A (ja) | 2011-08-18 |
JP5170282B2 true JP5170282B2 (ja) | 2013-03-27 |
Family
ID=36605686
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008141522A Pending JP2008219943A (ja) | 2004-09-13 | 2008-05-29 | 電子部品の製造方法 |
JP2011104604A Expired - Fee Related JP5170282B2 (ja) | 2004-09-13 | 2011-05-09 | 電子部品の製造方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008141522A Pending JP2008219943A (ja) | 2004-09-13 | 2008-05-29 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (2) | JP2008219943A (ja) |
CN (1) | CN100525097C (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4311376B2 (ja) | 2005-06-08 | 2009-08-12 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器 |
JP2009194091A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Seiko Instruments Inc | 電子部品、電子機器、及びベース部材製造方法 |
US8991022B2 (en) | 2009-01-07 | 2015-03-31 | Daishinku Corporation | Method for manufacturing piezoelectric resonator device |
JP5471987B2 (ja) * | 2010-09-07 | 2014-04-16 | 株式会社大真空 | 電子部品パッケージ用封止部材、電子部品パッケージ、及び電子部品パッケージ用封止部材の製造方法 |
WO2019124126A1 (ja) | 2017-12-22 | 2019-06-27 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置並びに弾性波装置の製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01289136A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
US5448014A (en) * | 1993-01-27 | 1995-09-05 | Trw Inc. | Mass simultaneous sealing and electrical connection of electronic devices |
JP2000134037A (ja) * | 1998-10-21 | 2000-05-12 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の水晶発振器 |
KR100518616B1 (ko) * | 2001-01-18 | 2005-10-04 | 노키아 코포레이션 | 필터디바이스 및 필터디바이스를 제조하는 방법 |
JP2003078389A (ja) * | 2001-08-31 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
JP2003229473A (ja) * | 2002-02-04 | 2003-08-15 | Sony Corp | 半導体ウエハの処理方法及びこれに用いるウエハキャリア |
JP4766831B2 (ja) * | 2002-11-26 | 2011-09-07 | 株式会社村田製作所 | 電子部品の製造方法 |
JP4221756B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2009-02-12 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電発振器およびその製造方法 |
JP4322508B2 (ja) * | 2003-01-15 | 2009-09-02 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2004221351A (ja) * | 2003-01-15 | 2004-08-05 | Seiko Epson Corp | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 |
JP2006109400A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 電子部品、回路基板、電子機器、電子部品の製造方法 |
-
2005
- 2005-09-09 CN CNB2005100999219A patent/CN100525097C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-05-29 JP JP2008141522A patent/JP2008219943A/ja active Pending
-
2011
- 2011-05-09 JP JP2011104604A patent/JP5170282B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011160476A (ja) | 2011-08-18 |
JP2008219943A (ja) | 2008-09-18 |
CN100525097C (zh) | 2009-08-05 |
CN1750394A (zh) | 2006-03-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10636726B2 (en) | Semiconductor device, manufacturing method for semiconductor device, electronic component, circuit substrate, and electronic apparatus | |
JP2006109400A (ja) | 電子部品、回路基板、電子機器、電子部品の製造方法 | |
JP5170282B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
JP5569473B2 (ja) | 電子部品、回路基板及び電子機器 | |
JP2008211806A (ja) | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電子部品、回路基板及び電子機器 | |
JP5773027B2 (ja) | 電子部品及び電子機器 | |
JP5516511B2 (ja) | 電子部品、回路基板及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110608 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20110609 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120127 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20120402 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121102 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5170282 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |