JP5168568B2 - 薄膜バルク波共振器 - Google Patents
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Description
薄膜バルク波共振器10は、第一の主面20A及び第二の主面20Bを有する素子基板20と、素子基板20の第一の主面20A上に形成される積層共振体30とを備える。素子基板20の材質としては、適度な機械的強度を有し、且つエッチングなどの微細加工に適した材質であれば、特に限定されるものではないが、例えば、シリコン単結晶基板、サファイア単結晶基板、セラミックス基板、石英、ガラス基板などが好適である。同図においては、素子基板20と圧電体膜31との間に、二酸化珪素膜(SiO2)などの絶縁膜から成る下地層21が形成される例が示されているが、必須ではない。
圧電共振子の積層構造:下部電極(Pt:140nm)/圧電体膜(AlN:1450nm)/上部電極(Pt:140nm)/重石電極(Pt:20nm)
Claims (4)
- 積層共振体と、
前記積層共振体がその厚み方向に自由振動できる空間を提供するキャビティを有する素子基板と、
前記キャビティの開口部を閉塞する蓋基板であって、前記キャビティを外気に連通させるための気体流路を有する蓋基板と、
前記積層共振体、前記素子基板、及び前記蓋基板を封止する封止部材と、
を備える薄膜バルク波共振器。 - 請求項1に記載の薄膜バルク波共振器であって、
前記気体流路は、前記蓋基板の主面に対して平行に形成されている、薄膜バルク波共振器。 - 請求項1又は請求項2に記載の薄膜バルク波共振器であって、
前記気体流路は、前記蓋基板のダイシングラインに沿って形成されている、薄膜バルク波共振器。 - 請求項3に記載の薄膜バルク波共振器であって、
前記蓋基板の表裏を貫通するとともに前記気体流路に連通する複数の貫通孔が前記ダイシングラインに沿って形成されている、薄膜バルク波共振器。
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