JP5162854B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
図1および図2は、実施の形態1,2にかかる半導体装置の製造方法に用いられる印刷器具の構成を示す説明図である。図1は、印刷器具100の要部平面図であり、図2は、図1をX−X’線に沿って切断した要部断面図である。図1において、印刷器具100は、メッシュ(網目シート)2に対して一定の張力をかけ、その端部を枠1に貼り付けたものである。メッシュ2の線材はたとえばステンレスであり、線径はたとえば30μmであり、開口率はたとえば50%である。あるいは、メッシュ2の線材として、たとえばポリエステルを用いてもよい。
実施の形態1では、ウエハー6の薄層化をおこなう際のマスクを、印刷レジストを用いて形成する場合の製造プロセスについて説明した。つぎに説明する実施の形態2では、ウエハー6に不純物を注入する際のマスクや、ウエハー6の表面に配線を形成するためのマスクを、印刷レジストを用いて形成する場合の製造プロセスについて説明する。なお、実施の形態1と同様の構成には、実施の形態1と同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。
2 メッシュ
3 乳剤
4 露出部
5 被覆部
6 ウエハー
7 外周部
8 スキージ
9,10 印刷レジスト材
11 印刷レジスト膜
12 保護膜
13 容器
14 エッチング溶液
15 吐出ノズル
16 N−メチル−2−ピロリドン
17 段差
18 粒子成分
Claims (8)
- レジストの通過が可能な第1の領域およびレジストの通過を阻止する第2の領域を有し、前記第1の領域が所望のパターンに形成されてなるメッシュの下に被印刷物体を配置する配置工程と、
前記メッシュの上に粒子成分を含むレジスト材を載せ、同メッシュにスキージを押し当てて同メッシュを前記被印刷物体に接触させながら前記スキージを移動させることにより、前記被印刷物体の上に前記第1の領域に相当するパターンのレジスト材を塗布する塗布工程と、
前記被印刷物体の上に塗布されたレジスト材を熱処理してレジスト膜を形成する形成工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記被印刷物体を加工する加工工程と、
レジスト除去溶剤を用いて、加工後の前記被印刷物体から前記レジスト膜を除去する除去工程と、
前記レジスト膜が除去された前記被印刷物体に残留する粒子成分をプラズマエッチングによって除去する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記被印刷物体は、半導体ウエハーであり、
前記配置工程は、レジストの通過が可能な第1の領域およびレジストの通過を阻止する第2の領域を有し、前記第1の領域が所望のパターンに形成されてなるメッシュの下に前記半導体ウエハーを配置し、
前記塗布工程は、前記メッシュの上に粒子成分を含むレジスト材を載せ、同メッシュにスキージを押し当てて同メッシュを前記半導体ウエハーに接触させながら前記スキージを移動させることにより、前記半導体ウエハーの上に前記第1の領域に相当するパターンのレジスト材を塗布し、
前記形成工程は、前記半導体ウエハーの上に塗布されたレジスト材を熱処理してレジスト膜を形成し、
前記加工工程は、前記レジスト膜をマスクとして前記半導体ウエハーをエッチングによって選択的に研削し、
前記除去工程は、加工後の前記半導体ウエハーから前記レジスト膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記被印刷物体は、表面に絶縁膜が形成された半導体ウエハーであり、
前記配置工程は、レジストの通過が可能な第1の領域およびレジストの通過を阻止する第2の領域を有し、前記第1の領域が所望のパターンに形成されてなるメッシュの下に前記半導体ウエハーを配置し、
前記塗布工程は、前記メッシュの上に粒子成分を含むレジスト材を載せ、同メッシュにスキージを押し当てて同メッシュを前記半導体ウエハーに接触させながら前記スキージを移動させることにより、前記半導体ウエハーの上に前記第1の領域に相当するパターンのレジスト材を塗布し、
前記形成工程は、前記半導体ウエハーの上に塗布されたレジスト材を熱処理してレジスト膜を形成し、
前記加工工程は、前記レジスト膜をマスクとして前記絶縁膜をエッチングによって選択的に除去し、
前記除去工程は、加工後の前記半導体ウエハーから前記レジスト膜を除去し、
前記レジスト膜を除去した前記半導体ウエハーに、前記絶縁膜をマスクとしてイオン注入および熱処理をおこない拡散領域を形成する拡散領域形成工程をさらに含んだことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記被印刷物体は、絶縁膜上に導電膜が形成された半導体ウエハーであり、
前記配置工程は、レジストの通過が可能な第1の領域およびレジストの通過を阻止する第2の領域を有し、前記第1の領域が所望のパターンに形成されてなるメッシュの下に前記半導体ウエハーを配置し、
前記塗布工程は、前記メッシュの上に粒子成分を含むレジスト材を載せ、同メッシュにスキージを押し当てて同メッシュを前記半導体ウエハーに接触させながら前記スキージを移動させることにより、前記半導体ウエハーの上に前記第1の領域に相当するパターンのレジスト材を塗布し、
前記形成工程は、前記半導体ウエハーの上に塗布されたレジスト材を熱処理してレジスト膜を形成し、
前記加工工程は、前記レジスト膜をマスクとして前記導電膜をエッチングによって選択的に除去して配線を形成し、
前記除去工程は、加工後の前記半導体ウエハーから前記レジスト膜を除去することを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記除去工程は、水平方向に回転させた前記被印刷物体に前記レジスト除去溶剤を噴射して前記レジスト膜を除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去工程は、前記被印刷物体を前記レジスト除去溶剤に浸漬して前記レジスト膜を除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記除去工程は、前記レジスト除去溶剤に浸漬した前記被印刷物体を回転させて前記レジスト膜を除去することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記レジスト除去溶剤は、水への溶解度が8wt%以上であることを特徴とする請求項5〜7のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
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