JP5161094B2 - ウェハを検査する方法及びシステム - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 84
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 350
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims description 300
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 81
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 47
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 44
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 38
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 20
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 34
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 33
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 13
- 238000012552 review Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 0 *C1CCCC1 Chemical compound *C1CCCC1 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000006719 Cassia obtusifolia Nutrition 0.000 description 1
- 235000014552 Cassia tora Nutrition 0.000 description 1
- 244000201986 Cassia tora Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000001066 destructive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 1
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
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- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
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- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
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- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/47—Scattering, i.e. diffuse reflection
- G01N2021/4704—Angular selective
- G01N2021/4711—Multiangle measurement
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
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- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
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Description
表面欠陥と表面下欠陥の両方を含んでいるウェハ(COPリッチと呼ばれるウェハ)を検査ツールにより異なる波長の光で検査した。他のやり方では比較的類似の光学的構成をとる。例えば、ウェハは、第1のツールにより488nmの波長で検査された。ウェハは、さらに、第2のツールにより355nmの波長で検査された。両方の波長における検査は、斜め入射角で実行された。
Claims (21)
- ウェハを検査する方法であって、
前記ウェハ内に侵入する第1の波長の光と前記ウェハ内に実質的に侵入しない第2の波長の光を前記ウェハに照射することと、
前記照射することから結果として生じる前記ウェハからの光に応答して出力信号を発生することと、
前記出力信号を使用して前記ウェハ上の欠陥を検出することと、
前記出力信号を使用して前記欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定することと、
前記ウェハからの前記第1の波長の光に対応する前記出力信号のみを用いて前記表面下欠陥の横方向寸法を決定することと、
前記ウェハからの前記第2の波長の光に対応する前記出力信号のみを用いて前記表面欠陥の横方向寸法を決定することと、
を含み、
前記照射することは、前記第1と第2の波長の光を、実質的に同じ入射角で前記ウェハに当てることを含み、
前記出力信号を発生することは、対物レンズにより定められる複数の組の立体角で前記ウェハから散乱する前記光を集光及び検出することを含む方法。 - 前記第1の波長は可視光線波長であり、前記第2の波長は紫外線波長である請求項1に記載の方法。
- 前記第1と第2の波長の前記光を前記ウェハに前記照射することが順次実行される請求項1に記載の方法。
- 前記第1と第2の波長の前記光を前記ウェハに前記照射することが同時に実行される請求項1に記載の方法。
- 前記ウェハからの前記光が散乱光を含む請求項1に記載の方法。
- さらに、前記出力信号を使用して前記欠陥の前記表面下欠陥の深さを決定することを含む請求項1に記載の方法。
- 前記欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定することは、前記ウェハ上の位置に応じて、前記第1の波長の前記光を前記ウェハに前記照射した結果として前記ウェハから返される前記光に応答する前記出力信号と前記第2の波長の前記光を前記ウェハに照射した結果として前記ウェハから返される前記光に応答する前記出力信号とを比較することを含む請求項1に記載の方法。
- ウェハを検査するように構成されたシステムであって、
前記ウェハ内に侵入する第1の波長の光と前記ウェハ内に実質的に侵入しない第2の波長の光を前記ウェハに照射するように構成された照射サブシステムと、
前記ウェハの照射から結果として生じる前記ウェハからの光に応答して出力信号を発生するように構成される検出サブシステムと、
前記出力信号を使用して前記ウェハ上の欠陥を検出し、前記出力信号を使用して前記欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定し、前記ウェハからの前記第1の波長の光に対応する前記出力信号のみを用いて前記表面下欠陥の横方向寸法を決定し、前記ウェハからの前記第2の波長の光に対応する前記出力信号のみを用いて前記表面欠陥の横方向寸法を決定するように構成された処理サブシステムと
を備え、
前記照射サブシステムは、さらに、前記第1と第2の波長の前記光を、実質的に同じ入射角で前記ウェハに当てることにより前記ウェハを照射するように構成され、
前記検出サブシステムは、さらに、対物レンズにより定められる複数の組の立体角で前記ウェハから散乱する前記光を集光し、検出するように構成される
システム。 - 前記照射サブシステムが単一光源を含む請求項8に記載のシステム。
- 前記照射サブシステムが複数の光源を備え、前記複数の光源のうちの1つは、前記第1の波長の前記光を発生するように構成され、前記複数の光源のうちのもう1つは、前記第2の波長の前記光を発生するように構成される請求項8に記載のシステム。
- 前記第1の波長は可視光線波長であり、前記第2の波長は紫外線波長である請求項8に記載の方法。
- 前記照射サブシステムは、さらに、前記第1と第2の波長の前記光を前記ウェハに順次照射するように構成される請求項8に記載のシステム。
- 前記照射サブシステムは、さらに、前記第1と第2の波長の前記光を前記ウェハに同時に照射するように構成される請求項8に記載のシステム。
- 前記ウェハからの前記光が散乱光を含む請求項8に記載のシステム。
- 前記処理サブシステムは、さらに、前記出力信号を使用して前記ウェハ内の前記表面下欠陥の深さを決定するように構成される請求項8に記載のシステム。
- 前記処理サブシステムは、さらに、前記ウェハ上の位置に応じて、前記第1の波長の前記光を前記ウェハに照射した結果として前記ウェハから返される前記光に応答する前記出力信号と前記第2の波長の前記光を前記ウェハに照射した結果として前記ウェハから返される前記光に応答する前記出力信号とを比較し、比較することにより前記欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定するように構成される請求項8に記載のシステム。
- ウェハ上の欠陥を検出する方法を実行するコンピュータ・システム上で実行可能なプログラム命令を収めたキャリア媒体であって、前記方法は、
前記ウェハ内に侵入する第1の波長の光を前記ウェハに照射した結果として生じる前記ウェハからの光に応答する第1の出力信号を使用して前記ウェハ上の第1の欠陥を検出することと、
前記ウェハ内に実質的に侵入しない第2の波長の光を前記ウェハに照射した結果として生じる前記ウェハからの光に応答する第2の出力信号を使用して前記ウェハ上の第2の欠陥を検出することと、
前記ウェハ上のほぼ同じ位置で発生する前記第1と第2の出力信号を組み合わせて使用して前記第1と第2の欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定することと、
前記ウェハからの前記第1の波長の光に対応する前記出力信号のみを用いて前記表面下欠陥の横方向寸法を決定することと、
前記ウェハからの前記第2の波長の光に対応する前記出力信号のみを用いて前記表面欠陥の横方向寸法を決定することとを含み、
前記第1と第2の波長の前記光は実質的に同じ入射角で前記ウェハに照射され、
前記第1の出力信号と前記第2の出力信号は、対物レンズにより定められる複数の組の立体角ごとに前記ウェハから散乱する前記光を集光することにより得られる
ことを特徴とするキャリア媒体。 - 前記第1の波長は可視光線波長であり、前記第2の波長は紫外線波長である請求項17に記載のキャリア媒体。
- 前記第1と第2の波長の前記光を前記ウェハに照射した結果として生じる前記ウェハからの前記光が散乱光を含む請求項17に記載のキャリア媒体。
- 前記方法は、さらに、前記出力信号を使用して前記ウェハ内の前記表面下欠陥の深さを決定することを含む請求項17に記載のキャリア媒体。
- 前記欠陥が表面下欠陥であるか、又は表面欠陥であるかを判定することは、前記ウェハの位置に応じて、前記第1と第2の出力信号を比較することを含む請求項17に記載のキャリア媒体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/244,451 | 2005-10-06 | ||
US11/244,451 US7554656B2 (en) | 2005-10-06 | 2005-10-06 | Methods and systems for inspection of a wafer |
PCT/US2006/038568 WO2007044320A2 (en) | 2005-10-06 | 2006-09-29 | Methods and systems for inspection of a wafer |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009511878A JP2009511878A (ja) | 2009-03-19 |
JP5161094B2 true JP5161094B2 (ja) | 2013-03-13 |
Family
ID=37910812
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008534616A Active JP5161094B2 (ja) | 2005-10-06 | 2006-09-29 | ウェハを検査する方法及びシステム |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7554656B2 (ja) |
JP (1) | JP5161094B2 (ja) |
WO (1) | WO2007044320A2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2005
- 2005-10-06 US US11/244,451 patent/US7554656B2/en active Active
-
2006
- 2006-09-29 JP JP2008534616A patent/JP5161094B2/ja active Active
- 2006-09-29 WO PCT/US2006/038568 patent/WO2007044320A2/en active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007044320A2 (en) | 2007-04-19 |
WO2007044320A3 (en) | 2007-12-06 |
JP2009511878A (ja) | 2009-03-19 |
US20070081151A1 (en) | 2007-04-12 |
US7554656B2 (en) | 2009-06-30 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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