JP5157938B2 - ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 - Google Patents
ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5157938B2 JP5157938B2 JP2009015181A JP2009015181A JP5157938B2 JP 5157938 B2 JP5157938 B2 JP 5157938B2 JP 2009015181 A JP2009015181 A JP 2009015181A JP 2009015181 A JP2009015181 A JP 2009015181A JP 5157938 B2 JP5157938 B2 JP 5157938B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin paste
- resin
- die bonding
- semiconductor device
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/4824—Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73215—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
- H01L2924/10253—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Description
(実施例1)
カルボキシル基を有するブタジエンのポリマー(A)をベース樹脂として、CTBNX−1300×9(宇部興産株式会社製、商品名)を100重量部秤量し、これをらいかい機に入れた。ここに、熱硬化性樹脂(B)として予め用意していた、エポキシ樹脂(YDCH−702)25重量部とフェノール樹脂(H−1)15重量部とを含むカルビトールアセテート溶液(なお、溶剤であるカルビトールアセテートは60重量部)、及び硬化促進剤(TPPK)0.5重量部を加えて混合した。
ベース樹脂(A)、熱硬化性樹脂(B)、フィラー(C)、シリコーン複合パウダ(D)および溶剤(E)として使用する原料の種類や含有量を適宜変更したことを除き、実施例1と同様の工程に従って、各々のダイボンディング用樹脂ペーストを得た。各樹脂ペーストの配合を表1に示す。
成分(D)として、シリコーン複合パウダにかえてシリコーンゴムを使用するとともに、その他のベース樹脂(A)、熱硬化性樹脂(B)、フィラー(C)、および溶剤(E)の種類や含有量を適宜変更したことを除き、実施例1と同様の工程に従って、各々のダイボンディング用樹脂ペーストを得た。各樹脂ペーストの配合を表1に示す。
※表1における略号は次の通りである。
CTBNX−1300×9:宇部興産(株)製、商品名、カルボキシル基を有するブタジエン−アクリロニトリル共重合体(官能基数2.3/mol、数平均分子量:3500、アクリロニトリルの含有量:17重量%)
YDCH−702:東都化成(株)製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量220)
ESCN−195:日本化薬(株)製、商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキシ当量200)
H−1:明和化成(株)製、商品名、フェノールノボラック樹脂(OH当量106)
VH−4170:大日本インキ化学工業(株)製、商品名、ビスフェノールAノボラック樹脂(OH当量118)
TPPK:東京化成工業(株)製、商品名、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート
KMP−600:信越化学工業(株)製(平均粒径5μm)
トレフィルE−601:東レ・ダウコーニング(株)製、商品名、シリコーンエラストマ(平均粒径2μm)
CA:カルビトールアセテート
NMP:N−メチル−2−ピロリドン
各実施例及び各比較例で調製した各樹脂ペーストについて、以下の測定を実施した。
(粘度およびチキソトロピー指数)
粘度およびチキソトロピー指数の測定条件は以下のとおりである。測定結果を表2に示す。
・粘度:東機産業(株)製、E型粘度計で直径19.4mm、3°コーンを用いて、25℃での粘度を測定した(回転数0.5min−1)。
・チキソトロピー指数:上記粘度計を用いて、回転数1min−1および10min−1での粘度を測定し、次式により求めた。
[数1]
チキソトロピー指数=(1min−1での粘度)/(10min−1での粘度)
太陽インキ製造(株)製のソルダーレジストPSR−4000AUS−5が塗布された有機基板に、各実施例および各比較例の樹脂ペーストを5×5mmの大きさで印刷した。次に、印刷した樹脂ペーストを、60℃で15分間、さらに90℃で30分間にわたって乾燥させ半硬化状態にした(Bステージ化)。次に半硬化状態の樹脂ペースト上に、5×5mmのシリコンチップ(厚さ0.4mm)を、160℃、4kgf、1sのダイアタッチ条件で貼り付けた。その後、180℃のオーブンで1時間にわたって加熱することにより樹脂ペーストを硬化させた。このようにして得た半導体装置サンプルについて、自動接着力試験機(デイジ社製、BT−400)を用い、250℃における剪断強さ(kgf/チップ)を測定した。測定結果を表2に示す。表2に示した測定値が高いほど、熱時接着性に優れていることを意味する。
厚さ0.2mmの銅箔を両面剥離処理したE−679F(日立化成工業(株)製、商品名)を基板として使用し、その上に各実施例および各比較例の樹脂ペーストを、乾燥後の厚みが約40μmになるように7mm角の大きさに塗布した。その後、これを120℃、100分にわたってオーブン中に入れ、樹脂ペースト層を乾燥した。ついで、23℃50%RHに調湿されたクリーンルーム中に入れ、24時間わたって放置した後、樹脂ペースト層に10mm角(厚さ:0.5mm)のガラスチップを120℃、7kgの条件で5秒間圧着した。引き続き、それらをオーブンに入れ、室温から180℃まで60分かけて昇温した後に、180℃で60分間にわたり加熱し、樹脂ペースト層を硬化させ、半導体装置サンプルを作製した。このようにして得られた各サンプルの樹脂ペースト層について、クラックやボイドの有無を目視にて観察した。結果を表2に示す。
4 ダイボンディング層
6 半導体チップ
8 配線パターン
10 絶縁層
12 はんだボール
14 ワイヤ
16 封止材
100 半導体装置
Claims (5)
- (A)カルボキシル基を有するブタジエンのポリマーと、(B)熱硬化性樹脂と、(C)フィラーと、(D)シリコーンゴム粒子をシリコーン樹脂で被覆したシリコーン複合パウダと、(E)印刷用溶剤とを含むダイボンディング用樹脂ペーストであって、
前記成分(D)の含有量が、前記成分(A)、前記成分(B)及び前記成分(D)を含む樹脂成分の全重量を基準として、30重量%以上であることを特徴とするダイボンディング用樹脂ペースト。 - 固形分が40〜90重量%であり、チキソトロピー指数が1.5〜8.0であり、粘度(25℃)が5〜1000Pa・sであることを特徴とする請求項1に記載のダイボンディング用樹脂ペースト。
- 支持基板上に請求項1または2に記載のダイボンディング用樹脂ペーストを塗布する工程、
塗布された前記樹脂ペーストを乾燥して、Bステージ化する工程、
Bステージ化した前記樹脂ペースト上に半導体素子を搭載する工程、および
前記樹脂ペーストを後硬化する工程、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 支持基板上に請求項1または2に記載のダイボンディング用樹脂ペーストを塗布する工程、
塗布された前記樹脂ペースト上に半導体素子を搭載する工程、および
前記樹脂ペーストを硬化する工程
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項3または4に記載の半導体装置の製造方法により得られる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009015181A JP5157938B2 (ja) | 2009-01-27 | 2009-01-27 | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009015181A JP5157938B2 (ja) | 2009-01-27 | 2009-01-27 | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010177244A JP2010177244A (ja) | 2010-08-12 |
JP5157938B2 true JP5157938B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=42707926
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009015181A Expired - Fee Related JP5157938B2 (ja) | 2009-01-27 | 2009-01-27 | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5157938B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6159050B2 (ja) * | 2010-07-26 | 2017-07-05 | 東京応化工業株式会社 | 接着剤組成物及び接着フィルム |
WO2012046695A1 (ja) * | 2010-10-04 | 2012-04-12 | 日立化成工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5541613B2 (ja) * | 2011-06-08 | 2014-07-09 | 信越化学工業株式会社 | 熱伝導性接着剤組成物、接着用シートおよび熱伝導性ダイシング・ダイアタッチフィルム |
TW201319197A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-16 | Namics Corp | 晶粒接合劑 |
JP6155931B2 (ja) * | 2013-07-19 | 2017-07-05 | 住友ベークライト株式会社 | 樹脂組成物、接着フィルム、接着シート、ダイシングテープ一体型接着シートおよび電子部品 |
JP7184002B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2022-12-06 | 味の素株式会社 | 樹脂組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4752109B2 (ja) * | 2000-12-12 | 2011-08-17 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
JP5130682B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2013-01-30 | 日立化成工業株式会社 | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 |
JP5225853B2 (ja) * | 2006-10-04 | 2013-07-03 | 日立化成株式会社 | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP2008222815A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Toray Ind Inc | 接着剤組成物およびそれを用いた接着剤シート |
JP5008190B2 (ja) * | 2007-06-15 | 2012-08-22 | 信越化学工業株式会社 | スクリーン印刷用接着剤組成物 |
-
2009
- 2009-01-27 JP JP2009015181A patent/JP5157938B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010177244A (ja) | 2010-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5360124B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペーストおよびその用途 | |
JP5098361B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP4816876B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペーストおよび半導体装置の製造方法 | |
JP5157938B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 | |
JP5225853B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
WO2010110069A1 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、それを用いた半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
JP2004315688A (ja) | 半導体用接着フィルム、半導体装置、及び半導体装置の製造方法。 | |
JP2013093564A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP5130682B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置の製造方法、および該製造方法により得られる半導体装置 | |
WO2010070947A1 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2012077123A (ja) | 接着剤樹脂組成物、その硬化物、及び接着剤フィルム | |
JP2008277803A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2007142117A (ja) | ダイボンディングペーストおよびそれを用いた半導体装置 | |
JP2009246026A (ja) | ペースト状接着剤及びこの接着剤を用いた電子部品内蔵基板の製造方法 | |
JP2002252235A (ja) | 半導体用樹脂ペースト及びそれを用いた半導体装置 | |
JP2008270717A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト組成物、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2013170254A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2008112972A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JPH1161086A (ja) | 半導体用ダイアタッチ樹脂ペースト | |
JP2007110099A (ja) | ダイボンディング材及びダイボンディング材用樹脂ペースト | |
JP4997999B2 (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト、該樹脂ペーストを用いた半導体装置およびその製造方法 | |
JP2002134530A (ja) | 半導体用樹脂ペーストの製造方法、半導体用樹脂ペースト及び半導体装置 | |
JP2007110062A (ja) | ダイボンディング用樹脂ペースト並びに、それを用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置 | |
JP2023016331A (ja) | 導電性ペーストおよび半導体装置 | |
JP2002161192A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111208 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121011 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121126 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151221 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |