JP5154232B2 - 荷電粒子暴露装置 - Google Patents
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Description
PML2システム
該発明の好ましい第一実施形態を用いるマスクなし粒子ビーム暴露装置PML2の概観を図1に示す。以下には該発明開示に必要なだけの詳細が与えられる。図1ではその構成材は明確化のために大きさのとおりには示されず、特に粒子ビームの横幅は誇張されている。
次いでパターン化ビームpbで表されるパターンは、電気光学投影システム103により基質41上に投影し、スイッチが入ったマスク開口部21の画像を形成する。投影システム103により例えば200xの縮小を実施する。基質41は例えば、フォトレジスト層で覆ったシリコンウエハーである。ウエハー41は標的ステーション104のウエハー段階40に位置保持される。
第一段階31後、ビーム幅は例えば中間画像で、PD場初期幅L=60mmから4mmに十分減少する。その結果第二段階32での電気光学部品の大きさをビーム幅と同じ大きさに減ずる必要がないので、レンズ素子はビームに対して大きくでき、レンズ不良や結像収差の処理が容易になる。例えばビーム源―基質間全距離が約2mでは、第二段階交差部c2以後の最終レンズの焦点距離は約20mmまで小さくできる。これにより空間電荷相関の影響が殆どないので、処理可能な高電流、例えば4乃至10μA程度が可能になる。
実施例1:最終画像近くのホイル
図1に示す第一実施形態では、透過薄膜34はこのホイルが最終画像位近くになるように最終レンズと基質間に配置する。好ましくはこのホイル34と基質41間距離は200−500μm範囲と非常に小さい。このホイルでの一部電子の弾性散乱及び/又は非弾性散乱は避けられず、画像ぼけ(散乱ぼけ)への更なる寄与が起こるが、ホイルと基質間距離が小さいことによる散乱ぼけの寄与は非常に小さい。散乱についての詳細は更に以下で検討する。非弾性散乱電子の運動エネルギーは低下するが、鏡筒末端ではレンズ領域はゼロであり、それ故電子軌道は変化しない(余分な色ぼけはない)。
実施例2:中間画像でのホイル
図2に透過ホイル35が中間画像i1位置に配置された該発明の第二実施形態を示す。装置200の下部分のみを示す。以下に記載しない装置200の構成要素は図1の装置100のものと同じである。同一参照番号が全体を通して対応構成要素に適応される。
膜での散乱
図3に膜F(図1と図2のホイル34と35にそれぞれ対応する)での粒子ビームの詳細を示し、そのビーム粒子の散乱を示す。(図3では光軸cxは水平になるように回転することに注目する必要がある。)散乱は高速電子(又は粒子)が固体を通過する時の異なる物理的相互作用に基づく。図3に示すように一次ビーム1の形で膜F上に照射された電子は弾性散乱(飛行方向は変化するが運動エネルギーは不変)できるか、又は非弾性散乱(電子はその運動エネルギーをわずか失いホイルは加熱される)できる。両者の影響で一次電子の飛行方向に変化をもたらす。
中間画像での開口数は49マイクロラジアンの範囲(ホイルなしで)であり、球面ぼけは5nmの範囲である。非弾性散乱電子の開口数は98マイクロラジアンに増加し、その結果球面ぼけは10nmに増加する。しかし電子の5%だけが非弾性散乱し、これら電子はウエハーで余分のバックグランド線量を生ずる。
ホイルの汚染
ホイルの汚染は基本的には二つの起源、標的からのガス放出産物と装置中の残留ガスからの照射誘導汚染で起こる。前者の寄与は既に上で検討した。以下では後者を扱う。照射誘導汚染は照射電流密度と圧力に比例する。例えばTEMは単一集束電子ビームを用いて10nmの単一スポットを照射し、電流密度は30A/cm2の範囲である。PML2装置では数十万のマルチビームを用い、約8μAの鏡筒通過の全電流に加わる。基質での画像サイズは約160μmであり、電流密度は31mA/cm2である。この電流密度は単一集束ビームの1000分の一より小さい。ホイルを鏡筒末端に配置すると(実施例1)、ホイルでの圧力は基質圧力に等しい。それ故PML2装置のホイル寿命は標準的単一集束ビーム設備(例えばTEM)より遙かに長い。
実施例3:二つのホイル
図4に該発明の他実施形態、即ち二つのホイル34‘、35’が中間画像と標的前方に含まれる装置300を示す。従ってホイルの有益な特性を組み合わすことができる。特に中間画像でのホイル35‘は最終交差部でのクーロン相互作用を減じ、このクーロンを通る全電流は増加する(クーロン相互作用ぼけは主要ぼけである)一方、最終ホイル34’は区域S1が標的41の圧力p0と分離した真空ではないのでガス放出に耐え、第二段階32の光学部品の汚染を防ぐ。
連動センサーと安全弁
図5aと図5bに示すように、このホイルは又安全弁と共に安全装置を得るために連結センサーとして用いても良い。この安全装置を用いてホイル破壊を起こす機械的故障又は電気故障の場合に安全弁を素早く始動する。図5aを参考にすると、加熱用レーザーとして用いたようなレーザービームのような照射77がホイル35に向けられ、反射光がセンサー78で検出される。センサーは安全装置回路781と連結し、遮蔽隔膜37のような適当な開口部近くにある機械的安全弁79を制御する。図5bに示すように、ホイルが損傷するか別に弱くなる(例えば熱負荷又は損傷APSからの粒子により)場合、レーザービーム77は最早センサーに反射されず、安全装置回路を用いて安全弁79は好ましくは1ミリ秒以内に閉じる。機械シャッターは光学鏡筒からの粒子よるウエハー汚染、又はその逆による汚染を防ぐ安全装置である。又このシャッターはホイルが崩壊した場合PASシステムと電子源の超高圧p3を保護する。
Claims (11)
- エネルギー荷電粒子ビームにより標的(41)を照射する粒子ビーム投影加工装置(100,200,300)で、
―実質的にテレセントリック/共心な照射ビーム(lb)に該エネルギー粒子を発生形成する照射システム(101)、
―ビーム方向沿いに見られる照射システム以後に配置のパターン規定手段(102)で、該パターン規定手段を用いて照射ビーム路のエネルギー粒子を通す開口部からなる開口パターン(21)を位置決めし、開口パターンから現れたパターン化ビーム(pb)を形成するパターン規定手段(102)、且つ
―パターン規定手段(102)以後に位置し、パターン化ビーム(pb)を投影システム以後に位置する標的(41)に投影する投影システム(103)、からなり、前記投影システムは、少なくとも二つの連続プロジェクター段階、即ち前記開口パターン(21)の中間画像(i1)を形成する少なくとも一つの最終でないプロジェクター段階(31)と、最終画像(i0)を形成する一つの最終プロジェクター段階(32)からなり、
更に、パターン化ビーム路を横切って配置され、且つ前記パターン規定手段(102)と前記標的(41)位置との間に設けられる、少なくとも一つのホイル(35,35’,34’)からなり、前記ホイル(35,35’)が、前記最終でないプロジェクター段階により形成した中間画像(i1)の位置近くに配置されることからなる
粒子ビーム投影加工装置。 - 更に、ビーム方向沿いに見えるホイル(35、F)以後に配置した開口絞り(37,D)からなり、該絞りがビームの横広がりを制限する開口部(A)を有する請求項1に記載の装置。
- 前記パターン化ビーム路を横切って配置され、且つ前記最終画像(i0)の位置近くに配置される、少なくとも一つのホイル(34,34’)を更に有する、請求項1または2に記載の粒子ビーム投影加工装置。
- 前記ホイル(34,34’)がビーム方向沿いに見られる標的(41)位置の前方に配置される請求項3に記載の装置。
- 前記ホイル(34,34’,35,35’)のうち少なくとも一つが電位で保たれるように適応し、前記投影システム(103)の各々の前記プロジェクタ段階の最終電極を形成する請求項1乃至3のいずれか一つに記載の装置。
- 前記ホイル(34、35)が照射ビームの一部が妨害なしにホイルを通して伝播できるに十分薄い請求項1乃至5のいずれか一つに記載の装置。
- 前記ホイル(34、35)が異なるガス圧に保たれた二つの隣接受け手(S1、S2、S3)を分離する請求項1乃至6のいずれか一つに記載の装置。
- 前記ホイル(34、35)が開口パターンの各画像領域全体で連続である請求項1乃至7のいずれか一つに記載の装置。
- 前記ホイルが導電性材料からできた請求項1乃至8のいずれか一つに記載の装置。
- 前記ホイルがシリコンまたはダイアモンド状炭素を含む半導体材料でできた請求項1乃至8のいずれか一つに記載の装置。
- 前記ホイルの保全性の監視に用いられるセンサー手段(78)と、前記装置内の前記パターン化ビーム用の開口部の近くに配置された機械シャッター手段(79)とを有し、前記機械シャッター手段が、前記センサー手段により前記ホイルの損傷が検出されると、前記開口部を閉じるために用いられる、請求項1乃至10のいずれか一つに記載の装置。
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US8975600B2 (en) | 2008-05-22 | 2015-03-10 | Vladimir Balakin | Treatment delivery control system and method of operation thereof |
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US8907309B2 (en) | 2009-04-17 | 2014-12-09 | Stephen L. Spotts | Treatment delivery control system and method of operation thereof |
CN102119585B (zh) * | 2008-05-22 | 2016-02-03 | 弗拉迪米尔·叶戈罗维奇·巴拉金 | 带电粒子癌症疗法患者定位的方法和装置 |
AU2009249867B2 (en) | 2008-05-22 | 2013-05-02 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam extraction method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system |
US9058910B2 (en) | 2008-05-22 | 2015-06-16 | Vladimir Yegorovich Balakin | Charged particle beam acceleration method and apparatus as part of a charged particle cancer therapy system |
US8718231B2 (en) | 2008-05-22 | 2014-05-06 | Vladimir Balakin | X-ray tomography method and apparatus used in conjunction with a charged particle cancer therapy system |
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JP2012141343A (ja) * | 2010-12-28 | 2012-07-26 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及び電子機器 |
Family Cites Families (15)
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---|---|---|---|---|
GB1241371A (en) * | 1969-04-16 | 1971-08-04 | Ti Group Services Ltd | Apparatus for electron beam irradiation |
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EP0312653A1 (en) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electron image projector |
US4985634A (en) * | 1988-06-02 | 1991-01-15 | Oesterreichische Investitionskredit Aktiengesellschaft And Ionen Mikrofabrications | Ion beam lithography |
JPH0628993A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Fujitsu Ltd | 電子ビーム装置 |
JPH09245716A (ja) * | 1996-03-04 | 1997-09-19 | Hitachi Ltd | 電子ビーム描画方法および描画装置およびこれを用いた半導体集積回路 |
JPH11328750A (ja) * | 1998-03-12 | 1999-11-30 | Sony Corp | 電子ビームを用いた露光装置及び原盤並びに情報記録媒体 |
JPH11288529A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-10-19 | Sony Corp | 電子ビーム描画装置 |
DE19946447B4 (de) * | 1998-10-13 | 2012-01-19 | Ims Nanofabrication Ag | Teilchenoptisches Abbildungssystem für Lithographiezwecke |
JP2001236910A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 荷電粒子線装置及びデバイス製造方法 |
US6844560B2 (en) * | 2001-08-13 | 2005-01-18 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system comprising a converter plate and means for protecting the converter plate |
US6768125B2 (en) * | 2002-01-17 | 2004-07-27 | Ims Nanofabrication, Gmbh | Maskless particle-beam system for exposing a pattern on a substrate |
JP2003346698A (ja) * | 2002-05-30 | 2003-12-05 | Ebara Corp | 電子線装置及びデバイス製造方法 |
EP3671804A1 (en) * | 2002-10-30 | 2020-06-24 | ASML Netherlands B.V. | Electron beam exposure system |
JP2005003564A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Ushio Inc | 電子ビーム管および電子ビーム取り出し用窓 |
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