JP5148124B2 - 電子エミッタ用基材の製造方法および電子エミッタの製造方法 - Google Patents
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Description
本発明による電子エミッタ製造方法は、真空成膜室と、上記真空成膜室内に設けられ対向する一対の半筒状電極を複数連設してなる筒状電極と、上記真空成膜室内に成膜ガスを導入するガス導入系と、上記筒状電極に直流負電圧を印加する直流電源とを備えた直流プラズマ成膜装置を用いて、上記の電子エミッタ用基材の製造方法により製造した電子エミッタ用基材を上記筒状電極の各半筒状電極間に配置し、上記真空成膜室内に上記ガス導入系から成膜ガスを導入すると共に上記筒状電極に直流負電圧を印加してこの成膜ガスをプラズマ化し、各電子エミッタ用基材の表面に電界電子放出性能を有する炭素膜を成膜することを特徴とする。
11 導電性ワイヤ
12 黒鉛含有膜
Claims (3)
- 表面が導電性の基体を多数同時に黒鉛含有ペースト溶液に浸漬して、上記基体の導電性表面に黒鉛含有ペーストを付着させる工程と、
上記付着した黒鉛含有ペーストを焼成して、上記基体の導電性表面に直流プラズマによる炭素膜成膜の条件に適合したバッファ層としての黒鉛含有膜を生成する工程と、
を含むことを特徴とする電子エミッタ用基材の製造方法。 - 上記黒鉛含有ペースト中に直流プラズマ中の炭素成分に接触作用して炭素膜生成を促進する触媒を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子エミッタ用基材の製造方法。
- 真空成膜室と、上記真空成膜室内に設けられ対向する一対の半筒状電極を複数連設してなる筒状電極と、上記真空成膜室内に成膜ガスを導入するガス導入系と、上記筒状電極に直流負電圧を印加する直流電源とを備えた直流プラズマ成膜装置を用いて、
請求項1または2に記載の電子エミッタ用基材の製造方法により製造した電子エミッタ用基材を上記筒状電極の各半筒状電極間に配置し、上記真空成膜室内に上記ガス導入系から成膜ガスを導入すると共に上記筒状電極に直流負電圧を印加してこの成膜ガスをプラズマ化し、各電子エミッタ用基材の表面に電界電子放出性能を有する炭素膜を成膜することを特徴とする電子エミッタ製造方法。
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