JP5144231B2 - 成膜装置 - Google Patents
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Description
用することによって、ガラス基板に薄膜を成膜する化学的気相成長(CVD:Chemical Vapor Deposition )法が用いられている。
のため、触媒CVD法を利用する成膜装置においては、噴射ノズルの交換や成膜室内のクリーニングを頻繁に実施し難い。
請求項4に記載の成膜装置は、請求項1に記載の成膜装置であって、前記供給ノズルが、前記間隙の外側へ向けて配設され、前記遮蔽板が、前記開口から見て前記間隙の反対側に配設されることを要旨とする。
請求項5に記載の成膜装置は、遮蔽板が間隙へ進入しないことから、触媒線からの成膜種を、より円滑に基板へ飛散させられる。したがって、この成膜装置は、薄膜の膜厚均一性を損なうこと無く、成膜ガスの供給状態を安定させられる。
請求項6に記載の成膜装置は、分子流の圧力領域で成膜処理を実施することから、遮蔽板に起因した成膜ガスの流動変動に関し、成膜種の濃度分布への影響、すなわち薄膜の膜
厚分布への影響を抑制できる。したがって、この成膜装置は、遮蔽板の設計の自由度を向上できる。
以下、本発明を具体化した第一実施形態を図面に従って説明する。図1は、成膜装置としての触媒CVD装置10を鉛直方向から見た図である。図1において、触媒CVD装置10は、搬入室11と、第一成膜室12と、第二成膜室13と、搬出室14とを、順にゲートバルブGVを介して連結させたインライン式の成膜装置である。
て、列立された一対の基板Sの間に吊下げられている。各触媒線15は、それぞれ図示しない電源に接続され、所定温度に加熱されることによって、成膜ガスを活性化させる。各触媒線15は、活性化された成膜ガスを等方的に拡散させる。本実施形態では、列立された一対の基板Sの間の間隙であって、各触媒線15を含む空間を、反応空間と言う。
で成膜処理を実行することから、反応空間における成膜ガス濃度が均一である場合、触媒線15上の点から飛散する成膜種は、略等方的に飛散する。一対の遮蔽片22aは、触媒線15と基板Sとの間に位置することから、遮蔽厚さHが厚くなる場合には、基板Sの主面の外縁に対し、触媒線15からの成膜種の入射を遮蔽してしまう。そこで、本実施形態においては、一対の遮蔽片22aの遮蔽厚さHが、基板Sの法線方向(+Y方向)から見て、少なくとも基板Sと重畳しない厚さに設定されている。これによれば、基板Sの外縁において成膜種が十分に入射することから、基板Sに成膜する薄膜の膜厚均一性が確保できる。
(1)上記第一実施形態において、ガス供給部20は、一対の基板Sの間の間隙の外側、すなわち反応空間の外側に配設されて基板Sの面方向に沿って延びる噴射孔N1と、噴射孔N1の開口を囲う遮蔽片22aとを有する。したがって、触媒CVD装置10は、一対の基板Sの間隙から開口へ向けて飛散する成膜種が遮蔽片22aへ衝突することから、開口における成膜残渣の堆積量を低減できる。この結果、触媒CVD装置10は、触媒線15を利用した成膜処理において、成膜ガスの供給状態を安定させられる。
以下、本発明を具体化した第二実施形態を図面に従って説明する。第二実施形態は、第一実施形態の防着部材22を変更したものである。そのため、以下においては、その変更点について詳しく説明する。図5は、第二実施形態の防着部材22を示す斜視図である。
施形態における遮蔽厚さHによって形成され、基板Sの主面の外縁においても、成膜種を十分に入射させられるように設定されている。
(5)上記第二実施形態において、噴射孔N1は、反応空間の外側から反応空間へ向けて配設され、第一遮蔽片22bは、噴射孔N1の開口から見て、該開口の反応空間の側に配設される。したがって、触媒CVD装置10は、第一遮蔽片22bが噴射孔N1の反応空間の側を囲うことから、噴射孔N1の開口における成膜残渣の堆積量を、さらに低減できる。この結果、触媒CVD装置は、触媒線15を利用した成膜処理において、成膜ガスの供給状態を、さらに安定させられる。
以下、本発明を具体化した第三実施形態を図面に従って説明する。第三実施形態は、第一実施形態のガス供給部20を変更したものである。そのため、以下においては、その変更点について詳しく説明する。図6は、第三実施形態のガス供給部20の要部を示す端面図である。
(6)上記第三実施形態において、導出孔Nは、反応空間の外側へ向けて配設され、防着部材22は、導出孔Nの開口から見て、反応空間の反対側に配設される。したがって、触媒CVD装置10は、導出孔Nの開口が反応空間の外側に向くことから、導出孔Nの開口における成膜残渣の堆積量を、確実に低減できる。また、導出孔Nの外側に向けて供給される成膜ガスは防着部材22に衝突し、その後、反応空間へ供給されることから、触媒CVD装置10は、成膜ガスの利用効率を損なうことが無い。 尚、上記実施形態は、以下の態様で実施してもよい。
する構成であるが、これに限らず、噴射孔N1ごとに形成される構成であっても良い。また、第一遮蔽片22bは、噴射孔N1ごとに形成される構成であるが、これに限らず、各噴射孔N1に共通する構成であっても良い。
Claims (6)
- 基板に薄膜を成膜する成膜装置であって、
一対の基板を立てた状態で保持して各基板を対向させるステージと、
前記各基板の間隙に配設された複数の触媒線と、
前記間隙へ成膜ガスを供給するガス供給部とを有し、
前記ガス供給部は、
前記間隙の外側に配設されて前記基板の面方向に沿って延びる供給ノズルと、
前記供給ノズルの開口を囲う遮蔽板とを有することを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記供給ノズルは、前記間隙の外側から前記間隙へ向けて配設され、
前記遮蔽板は、前記開口から前記間隙へ向けて、前記面方向に沿って延びることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1又は2に記載の成膜装置であって、
前記供給ノズルは、前記間隙の外側から前記間隙へ向けて配設され、
前記遮蔽板は、前記開口から見て前記間隙の側に配設されることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1に記載の成膜装置であって、
前記供給ノズルは、前記間隙の外側へ向けて配設され、
前記遮蔽板は、前記開口から見て前記間隙の反対側に配設されることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜4のいずれか一つに記載の成膜装置であって、
前記遮蔽板は前記間隙の外側に配設されることを特徴とする成膜装置。 - 請求項1〜5のいずれか一つに記載の成膜装置であって、
前記間隙の圧力を10Pa以下にする減圧手段を有することを特徴とする成膜装置。
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