KR101661097B1 - 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 하나의 공정챔버에 다수장의 기판이 장착되어 있는 다수개의 카세트를 장입한 상태에서 소스 가스 및 퍼지 가스가 통과하는 구간을 최소화하여 공정시간이 단축되고 생산성이 높은 원자층 증착장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 고생산성 박막 증착이 가능한 원자층 증착장치는, 내부를 진공 상태로 만드는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부에 일정한 차단 공간을 형성하도록 설치되며, 다수장의 기판에 대하여 원자층 증착 공정이 이루어지는 공정 박스; 원자층 증착 공정 진행 중에 상기 카세트를 상기 공정 박스 내에서 지지하는 카세트 지지부; 상기 지지부의 전단에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버 및 공정 박스의 게이트를 공정 진행 중에 차단하는 이중 도어부; 상기 이중 도어부에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버 및 공정 박스의 게이트를 통하여 다수장의 기판이 배치된 다수개의 카세트를 상기 공정 박스 내부로 반입하거나 반출하는 카세트 이송수단; 상기 공정 박스의 상부에 설치되며, 원자층 증착 공정을 위한 소스 가스 및 퍼지 가스를 분배하여 상기 카세트 지지부에 장착되어 있는 카세트에 배치된 기판 사이로 공급하는 가스 분배 공급부; 상기 카세트 지지부에 형성되며, 상기 카세트를 통과한 소스 가스 및 퍼지 가스를 하측으로 배기하는 가스 배기부; 상기 공정 박스 하측으로 이동하는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 진공 챔버 외부로 흡입하여 배출하는 배출 펌프;를 포함한다.

Description

고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치{THE APPARATUS FOR DEPOSITING A ATOMIC LAYER}
본 발명은 원자층 증착 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 하나의 공정챔버에 다수장의 기판이 장착되어 있는 다수개의 카세트를 장입한 상태에서 소스 가스 및 퍼지 가스가 통과하는 구간을 최소화하여 공정시간이 단축되고 생산성이 높은 원자층 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자나 평판 디스플레이 소자 등의 제조에서는 다양한 제조공정을 거치게 되는데, 그 중에서 웨이퍼나 글래스(이하, '기판'이라고 한다) 상에 소정의 박막을 증착시키는 공정이 필수적으로 진행된다. 이러한 박막 증착공정은 스퍼터링법(sputtering), 화학기상증착법(CVD: chemical vapor deposition), 원자층 증착법(ALD: atomic layer deposition) 등이 주로 사용된다.
먼저, 스퍼터링법은 예를 들어, 플라즈마 상태에서 아르곤 이온을 생성시키기 위해 고전압을 타겟에 인가한 상태에서 아르곤 등의 비활성 가스를 공정챔버 내로 주입시킨다. 이때, 아르곤 이온들은 타겟의 표면에 스퍼터링되고, 타겟의 원자들은 타겟의 표면으로부터 이탈되어 기판에 증착된다.
이러한 스퍼터링법에 의해 기판과 접착성이 우수한 고순도 박막을 형성할 수 있으나, 공정 차이를 갖는 고집적 박막을 스퍼터링법으로 증착하는 경우에는 전체 박막에 대해서 균일도를 확보하기가 매우 어려워 미세한 패턴을 위한 스퍼티링법의 적용에는 한계가 있다.
다음으로 화학기상증착법은 가장 널리 이용되는 증착기술로서, 반응가스와 분해가스를 이용하여 요구되는 두께를 갖는 박막을 기판상에 증착하는 방법이다. 예컨데, 화학기상증착법은 먼저 다양한 가스들을 반응 챔버로 주입시키고, 열, 빛 또는 플라즈마와 같은 고에너지에 의해 유도된 가스들을 화학반응시킴으로써 기판상에 요구되는 두께의 박막을 증착시킨다.
아울러 화학기상증착법에서는 반응에너지만큼 인가된 플라즈마 또는 가스들의 비(ratio) 및 양(amount)을 통해 반응 조건을 제어함으로써, 증착률을 증가시킨다.
그러나 화학기상증착법에서는 반응들이 빠르기 때문에 원자들의 열역학적 안정성을 제어하기 매우 어렵고, 박막의 물리적, 화학적 전기적 특성을 저하시키는 문제점이 있다.
마지막으로 원자층 증착법은 (ALD: Atomic Layer Deposition)은 박막을 형성하기 위한 반응 챔버(chamber) 내로 두 가지 이상의 반응물(reactants)을 하나씩 차례로 투입하여 각각의 반응물의 분해와 흡착에 의해서 박막을 원자층 단위로 증착하는 방법이다. 즉, 제1반응가스를 펄싱(pulsing) 방식으로 공급하여 챔버 내부에서 하부막에 화학적으로 증착시킨 후, 물리적으로 결합하고 있는 잔류 제1반응가스는 퍼지(purge) 방식으로 제거된다. 이어서, 제2반응가스도 펄싱(pulsing)과 퍼지(purge) 과정을 통해 일부가 제1반응가스(제1반응물)와 화학적인 결합을 하면서 원하는 박막이 기판에 증착된다. 상술한 원자층 증착공정에서, 각각의 반응가스가 일회의 펄싱(pulsing) 및 퍼지(purge)가 행해지는 시간을 사이클(cycle)이라 부른다. 이러한 원자층 증착방식으로 형성 가능한 박막으로는 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2 및 ZnO가 대표적이다.
상기 원자층 증착은 60℃ 이하의 낮은 온도에서도 우수한 단차도포성(step coverage)을 갖는 박막을 형성할 수 있기 때문에, 차세대 반도체 소자, 디스플레이, 태양전지 등을 제조하는 공정에서 많은 사용이 예상되는 공정기술이다.
이러한 원자층 증착 기술이 반도체 분야 뿐만아니라 디스플레이, 태양전지 등의 분야에 확대되어 사용되기 위해서는 대면적 기판에 대하여 균일한 박막을 얻을 수 있어야 할 뿐만아니라, 대면적 기판 다수장의 한 번의 공정으로 처리하여 충분한 생산성을 확보하여야 한다.
그런데 다수장의 기판을 한번의 공정으로 처리하기 위하여 다수장의 기판이 로딩된 카세트 다수개를 길게 장입한 상태에서 원자층 증착 공정을 수행하다 보면, 공정가스가 통과하는 구간이 길어져서 공정 시간이 길어질 뿐만아니라, 다수장의 기판에 대한 균일한 박막 형성이 어려운 문제점이 있다.
따라서 다수개의 카세트를 장입한 상태에서도 짧은 공정 시간 안에 모든 기판에 대하여 균일한 공정을 수행할 수 있는 원자층 증착장치의 개발이 절실하게 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 하나의 공정챔버에 다수장의 기판이 장착되어 있는 다수개의 카세트를 장입한 상태에서 소스 가스 및 퍼지 가스가 통과하는 구간을 최소화하여 공정시간이 단축되고 생산성이 높은 원자층 증착장치를 제공하는 것이다.
전술한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 고생산성 박막 증착이 가능한 원자층 증착장치는, 내부를 진공 상태로 만드는 진공 챔버; 상기 진공 챔버 내부에 일정한 차단 공간을 형성하도록 설치되며, 다수장의 기판에 대하여 원자층 증착 공정이 이루어지는 공정 박스; 원자층 증착 공정 진행 중에 상기 카세트를 상기 공정 박스 내에서 지지하는 카세트 지지부; 상기 지지부의 전단에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버 및 공정 박스의 게이트를 공정 진행 중에 차단하는 이중 도어부; 상기 이중 도어부에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버 및 공정 박스의 게이트를 통하여 다수장의 기판이 배치된 다수개의 카세트를 상기 공정 박스 내부로 반입하거나 반출하는 카세트 이송수단; 상기 공정 박스의 상부에 설치되며, 원자층 증착 공정을 위한 소스 가스 및 퍼지 가스를 분배하여 상기 카세트 지지부에 장착되어 있는 카세트에 배치된 기판 사이로 공급하는 가스 분배 공급부; 상기 카세트 지지부에 형성되며, 상기 카세트를 통과한 소스 가스 및 퍼지 가스를 하측으로 배기하는 가스 배기부; 상기 공정 박스 하측으로 이동하는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 진공 챔버 외부로 흡입하여 배출하는 배출 펌프;를 포함한다.
그리고 본 발명에서 상기 카세트 지지부에는, 다수개의 카세트가 길이방향으로 나란하게 장착되고, 상기 카세트에는 카세트 장착 방향과 동일한 방향으로 다수장의 기판이 수직으로 배치되는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 가스 분배 공급부는, 외부의 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 공정 박스의 상면 하나 이상의 지점에 공급하는 가스 공급 배관; 상기 공정 박스의 상면에 설치되며, 상기 가스 공급 배관에 의하여 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 1차 확산시키는 1차 가스 확산부; 상기 공정 박스 상면 하측에 일정 간격 이격되어 상기 공정 박스 내부 공간을 차단하도록 설치되며, 상기 1차 가스 확산부에서 확산되어 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 균일하게 분산시켜 하측 방향으로 공급하는 2차 가스 확산부;를 포함하는 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 2차 가스 확산부는, 상기 카세트에 배치된 기판의 길이 방향과 직교하는 방향으로 다수개의 분사 슬릿이 형성되는 확산 플레이트인 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 2차 가스 확산부는, 상기 카세트에 배치된 기판의 길이 방향과 직교하는 방향으로 다수개의 분사홀 라인이 형성되는 확산 플레이트인 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 가스 배기부는, 상기 카세트 지지부를 관통하여 형성되는 다수개의 배기홀인 것이 바람직하다.
또한 본 발명에서 상기 카세트 지지부는, 상기 공정 박스의 하면과 일정 간격 이격되어 설치되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면 다수개의 카세트를 장입한 상태에서 다수장의 기판에 대하여 일괄적으로 원자층 증착 공정을 수행하면서도 소스 가스 및 퍼지 가스가 통과하는 구간이 짧아서 공정 시간이 매우 짧고 다수장의 기판에 대하여 균일한 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 1차 가스 확산부의 구조를 도시하는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 2차 가스 확산부의 구조를 도시하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 2차 가스 확산부의 구조를 도시하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 가스 배기부의 구조를 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가스 배기부의 구조를 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 카세트 지지부에 카세트가 장착된 상태를 도시하는도면이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치에서 가스의 흐름을 도시하는 도면이다.
도 9은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치에서 카세트 지지부가 반출된 상태를 도시하는 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 실시예를 상세하게 설명한다.
본 실시예에 따른 원자층 증착 장치(100)는 도 1에 도시된 바와 같이, 진공 챔버(110), 공정 박스(120), 카세트 지지부(130), 이중 도어부(140), 카세트 이송수단(150), 가스 분배 공급부(160), 가스 배기부(170) 및 배출 펌프(180)를 포함하여 구성될 수 있다.
먼저 상기 진공 챔버(110)는 본 실시예에 따른 원자층 증착 장치(100)의 전체적인 외형을 이루는 구성요소로서, 내부를 진공 상태로 만들 수 있는 구조를 가진다. 그리고 상기 진공 챔버(110)의 일측벽에는 도 9에 도시된 바와 같이, 후술하는 카세트 지지부(130) 및 이에 장착된 카세트(C)가 출입할 수 있도록 제1 게이트(112)가 형성된다.
다음으로 상기 공정 박스(120)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 진공 챔버(110) 내부에 상기 진공 챔버(110) 내벽과 일정 간격 이격된 상태로 설치된다. 그리고 상기 공정 박스(120)에 의하여 다른 공간과 차단된 공간이 형성되고, 이 차단 공간 내에서 원자층 증착 공정이 이루어진다. 따라서 상기 공정 박스(120)에는 원자층 증착 공정을 위한 다양한 구성요소들이 설치되며, 이에 대해서는 후술한다.
그리고 상기 공정 박스(120)의 일측벽에는 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 카세트 지지부(130) 및 이에 장착되어 있는 카세트(C)가 출입할 수 있도록 제2 게이트(122)가 형성된다. 이때 상기 제2 게이트(122)와 제1 게이트(112)는 서로 나란하게 형성되어 카세트(C)의 출입이 원활하게 이루어지도록 한다.
다음으로 상기 카세트 지지부(130)는 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 카세트(C)가 나란하게 장착되는 구성요소이다. 따라서 다수개의 카세트(C)들은 상기 카세트 지지부(130)에 장착된 상태로 상기 공정 박스(120) 내로 진입하고, 원자층 증착 공정도 이루어진다. 구체적으로 상기 카세트 지지부(130)는 도 6, 7에 도시된 바와 같이, 상기 카세트(C)의 하부 모서리 부분을 지지하고, 하부 중앙 부분은 소스 가스 및 퍼지 가스의 배기를 위하여 개방되는 구조를 가지는 것이 바람직하다. 이에 대해서는 후술한다.
한편 본 실시예에서 상기 카세트 지지부(130)에는, 도 7에 도시된 바와 같이, 다수개의 카세트(C)가 길이방향으로 나란하게 장착되고, 상기 카세트(C)에는 카세트 장착 방향과 동일한 방향으로 다수장의 기판(W)이 수직으로 배치되는 것이 원활한 원자층 증착 공정을 수행할 수 있어서 바람직하다.
그리고 본 실시예에서 상기 카세트 지지부(130)는, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정 박스(120)의 하면과 일정 간격 이격되어 설치되는 것이, 소스 가스 및 퍼지 가스가 기판 사이의 공간을 통과하면서 균일하고 안정된 흐름을 유지할 수 있어서 바람직하다. 즉, 상기 카세트 지지부(130)와 공정 박스(120) 하면 사이에 일정한 버퍼 공간(B)이 형성됨으로써, 상측에서 하측 방향으로 이동하는 소스 가스 및 퍼지 가스의 흐름이 균일하고 일정하게 유지되고, 이에 의하여 기판에 균일한 박막을 기판 전면에 걸쳐서 형성할 수 있는 것이다.
다음으로 상기 이중 도어부(140)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 카세트 지지부(130)의 전단에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버(110) 및 공정 박스(120)의 제1, 2 게이트(112, 122)를 공정 진행 중에 차단하는 구성요소이다. 따라서 상기 이중 도어부(140)는 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 게이트(112)를 차단하는 제1 도어(142)와 제2 게이트(122)를 차단하는 제2 도어(144)가 나란하게 설치되는 구조를 가지며, 제1 도어(142)와 제2 도어(144) 사이에는 탄성 부재(146)가 구비되어 제1, 2 게이트(112, 122)의 완벽한 차단이 가능한 것이 바람직하다.
다음으로 상기 카세트 이송수단(150)은 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 이중 도어부(140)에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버(110) 및 공정 박스(120)의 게이트(112, 122)를 통하여 다수장의 기판이 배치된 다수개의 카세트(C)를 상기 공정 박스(120) 내부로 반입하거나 반출하는 구성요소이다. 즉, 상기 카세트 이송수단(150)은 상기 이중 도어부(140) 및 카세트 지지부(130)를 수평이동시킴으로써, 도 9에 도시된 바와 같이, 다수개의 카세트(C)를 반출하거나 도 1에 도시된 바와 같이, 다수개의 카세트(C)를 공정 박스(120) 내부로 반입할 수 있는 것이다.
다음으로 상기 가스 분배 공급부(160)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정 박스(120)의 상부에 설치되며, 원자층 증착 공정을 위한 소스 가스 및 퍼지 가스를 분배하여 상기 카세트 지지부(130)에 장착되어 있는 카세트(C)에 배치된 기판(W) 사이로 공급하는 구성요소이다. 즉, 상기 가스 분배 공급부(160)는 상기 공정 박스(120) 내에서 이루어지는 원자층 증착 공정이 상기 공정박스(120) 내에 장입되어 있는 모든 기판(W)에 대하여 균일하게 이루어지도록 소스 가스 및 퍼지 가스를 균일하게 분배하여 공급하는 것이다.
이를 위하여 본 실시예에서 상기 가스 분배 공급부(160)는 구체적으로 도 1에 도시된 바와 같이, 가스 공급 배관(162), 1차 가스 확산부(164) 및 2차 가스 확산부(166)를 포함하여 구성될 수 있다. 먼저 상기 가스 공급 배관(162)은 외부의 가스 공급부(도면에 미도시)로부터 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 공정 박스(120)의 상면 하나 이상의 지점에 공급하는 구성요소이다. 따라서 상기 가스 공급 배관(162)은 본 실시예에 따른 원자층 증착 장치(100)에 하나 이상 다수개가 설치될 수 있으며, 다수개가 설치되는 경우에는 서로 일정한 간격으로 이격되어 설치되는 것이 바람직하다.
다음으로 1차 가스 확산부(164)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정 박스(120)의 상면에 설치되며, 상기 가스 공급 배관(162)에 의하여 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 1차 확산시키는 구성요소이다. 구체적으로 상기 1차 가스 확산부(164)는 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 공정 박스(120)의 상면 일부를 삼각형 형태로 음각하여 확산홈(164a)을 형성한 상태에서, 확산홈(164a)이 일정한 틈을 가지도록 덮개(164b)를 덮어서 형성된다. 그러면, 상기 가스 공급 배관(162)에 의하여 점 형태로 공급되는 가스들이 상기 확산홈(164a)을 통하여 1차 확산된 상태에서 후술하는 2차 가스 확산부(166) 방향으로 공급된다.
다음으로 상기 2차 가스 확산부(166)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정 박스(120) 상면 하측에 일정 간격 이격되어 상기 공정 박스(120) 내부 공간을 차단하도록 플레이트 형태로 설치된다. 이 2차 가스 확산부(166)에 의하여 상기 1차 가스 확산부(164)에서 확산되어 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 균일하게 분산시켜 하측 방향으로 공급하는 것이다. 따라서 상기 2차 가스 확산부(166)는 상기 공정 박스(120) 내부 상측 공간을 수평 방향으로 가로질러 설치되며, 도 3에 도시된 바와 같이, 다수개의 분사홀(166a)이 매트릭스 형태로 배치되는 구조를 가질 수 있다.
이때 다수개의 분사홀(166a)이 배치되는 형태는 도 3에 도시된 바와 같이, 라인(166b)을 이루게 되는데, 분사홀이 배치되는 라인(166b)은 도 5에 도시된 카세트(C)에 배치된 기판(W)의 길이 방향과 직교하는 방향으로 형성된다. 그리고 이러한 라인(166b)은 일정한 간격 이격되어 다수개가 평행하게 상기 2차 가스 확산부(166A) 전체 영역에 걸쳐서 형성된다.
한편 본 실시예에서 상기 2차 가스 확산부(166B)에는 도 4에 도시된 바와 같이, 다수개의 분사 슬릿(166c)이 형성될 수도 있다. 이 경우에는 도 5에 도시된 바와 같은 상기 카세트(C)에 배치된 기판(W)의 길이 방향과 직교하는 방향으로 다수개의 분사 슬릿(166c)이 형성되되, 각 분사 슬릿은 서로 일정한 간격 이격되어 설치된다.
다음으로 상기 가스 배기부(170)는 도 5, 6에 도시된 바와 같이, 상기 카세트 지지부(130)에 형성되며, 상기 카세트(C)를 통과한 소스 가스 및 퍼지 가스를 하측으로 배기하는 구성요소이다. 즉, 상기 가스 배기부(170)는 상기 2차 가스 확산부(166)를 통하여 상기 카세트(C) 및 기판(W) 방향으로 공급된 소스 가스 및 퍼지 가스가 원활하게 하측으로 배출되도록 상기 카세트 지지부(130)를 관통하여 형성된다.
구체적으로 상기 가스 배기부(170)는 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 카세트 지지부(130)의 하측을 완전히 개방하여 형성되는 완전 개방홀(170a)로 형성될 수도 있고, 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 카세트 지지부(130)를 관통하여 형성되는 다수개의 배기홀(170b)로 형성될 수도 있다. 이때 상기 배기홀이 형성되는 영역은 카세트가 배치되는 영역과 일치하는 것이 바람직하다.
다음으로 상기 배출 펌프(180)는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 공정 박스(120) 하측으로 이동하는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 진공 챔버(110) 외부로 흡입하여 배출하는 구성요소이다.
이러한 구조를 가지는 본 실시예에 따른 원자층 증착 장치(100)에서는 도 8에 도시된 바와 같이, 가스 분배 공급부(160)에 의하여 수평 방향으로 확산된 소스 가스 및 퍼지 가스가 바로 하측 방향으로 이동하여 이동 구간이 짧아서 공정 시간이 단축된다. 따라서 다수개의 카세트(C)를 장입한 상태에서도 최소한 공정 시간을 가지고 균일한 박막을 형성할 수 있는 장점이 있다.
100 : 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착 장치
110 : 진공 챔버 120 : 공정 박스
130 : 카세트 지지부 140 : 이중 도어부
150 : 카세트 이송수단 160 : 가스 분배 공급부
170 : 가스 배기부 180 : 배출 펌프

Claims (7)

  1. 내부를 진공 상태로 만드는 진공 챔버;
    상기 진공 챔버 내부에 일정한 차단 공간을 형성하도록 설치되며, 다수장의 기판에 대하여 원자층 증착 공정이 이루어지는 공정 박스;
    원자층 증착 공정 진행 중에 카세트를 상기 공정 박스 내에서 지지하는 카세트 지지부;
    상기 카세트 지지부의 전단에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버 및 공정 박스의 게이트를 공정 진행 중에 차단하는 이중 도어부;
    상기 이중 도어부에 결합되어 설치되며, 상기 진공 챔버 및 공정 박스의 게이트를 통하여 다수장의 기판이 배치된 다수개의 카세트를 상기 공정 박스 내부로 반입하거나 반출하는 카세트 이송수단;
    상기 공정 박스의 상부에 설치되며, 원자층 증착 공정을 위한 소스 가스 및 퍼지 가스를 분배하여 상기 카세트 지지부에 장착되어 있는 카세트에 배치된 기판 사이로 공급하는 가스 분배 공급부;
    상기 카세트 지지부에 형성되며, 상기 카세트를 통과한 소스 가스 및 퍼지 가스를 하측으로 배기하는 가스 배기부;
    상기 공정 박스 하측으로 이동하는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 진공 챔버 외부로 흡입하여 배출하는 배출 펌프;를 포함하며,
    상기 가스 분배 공급부는,
    외부의 가스 공급부로부터 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 상기 공정 박스의 상면 하나 이상의 지점에 공급하는 가스 공급 배관;
    상기 공정 박스의 상면에 설치되며, 상기 가스 공급 배관에 의하여 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 1차 확산시키는 1차 가스 확산부;
    상기 공정 박스 상면 하측에 일정 간격 이격되어 상기 공정 박스 내부 공간을 차단하도록 설치되며, 상기 1차 가스 확산부에서 확산되어 공급되는 소스 가스 및 퍼지 가스를 균일하게 분산시켜 하측 방향으로 공급하는 2차 가스 확산부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 카세트 지지부에는,
    다수개의 카세트가 길이방향으로 나란하게 장착되고, 상기 카세트에는 카세트 장착 방향과 동일한 방향으로 다수장의 기판이 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치.
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서, 상기 2차 가스 확산부는,
    상기 카세트에 배치된 기판의 길이 방향과 직교하는 방향으로 다수개의 분사 슬릿이 형성되는 확산 플레이트인 것을 특징으로 하는 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 2차 가스 확산부는,
    상기 카세트에 배치된 기판의 길이 방향과 직교하는 방향으로 다수개의 분사홀 라인이 형성되는 확산 플레이트인 것을 특징으로 하는 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가스 배기부는,
    상기 카세트 지지부를 관통하여 형성되는 다수개의 배기홀인 것을 특징으로 하는 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 카세트 지지부는,
    상기 공정 박스의 하면과 일정 간격 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착장치.
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