JP5141028B2 - マスクレイアウトデータ作成方法、マスクレイアウトデータ作成装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
上記実施形態では、図3(a),(b)に示すように、トランジスタT1,T2のチャネル領域の不純物濃度をそれぞれC1,C2とするために2回のフォトリソグラフィ工程が必要である。しかし、1回のフォトリソグラフィ工程でトランジスタT1,T2のチャネル領域の不純物濃度をそれぞれC1,C2とすることも可能である。以下に、その方法について説明する。
11…ゲート絶縁膜、
12a,12b,41,42…ゲート電極、
13a…エクステンション層、
13b…ソース・ドレイン、
14…サイドウォール、
21〜24…マスク(フォトレジスト膜)、
30…マスクレイアウトデータ作成装置、
31…入力部、
32…重なり部分抽出部、
33…マスクレイアウトデータ補正部、
34…出力部、
40…素子領域。
Claims (8)
- 第1の工場設備用のマスクレイアウトデータを用いて第2の工場設備用のマスクレイアウトデータを作成するマスクレイアウトデータ作成方法であって、
前記第1の工場設備用のマスクレイアウトデータから、ゲート長が所定の範囲であるトランジスタについて、ゲート電極と素子領域との重なり部分を抽出する工程と、
前記重なり部分を拡張して拡張領域を設定する工程と、
前記拡張領域に対応するデータを生成し、前記第1の工場設備用のマスクレイアウトデータに追加し、前記第2の工場設備用のマスクレイアウトデータを作成する工程と
を有することを特徴とするマスクレイアウトデータ作成方法。 - 前記拡張領域の拡張距離は、同一素子領域内に形成される前記トランジスタのゲート電極間の距離の半分であることを特徴とする請求項1に記載のマスクレイアウトデータ作成方法。
- 前記拡張領域の大きさは、前記第2の工場設備用のマスクレイアウトデータから作成されたレチクルを使用する露光装置の最小露光面積以上であることを特徴とする請求項1に記載のマスクレイアウトデータ作成方法。
- 第1の工場設備用のマスクレイアウトデータを用いて第2の工場設備用のマスクレイアウトデータを作成するマスクレイアウトデータ作成装置であって、
前記第1の工場設備用のマスクレイアウトデータを入力する入力部と、
前記入力部に入力された前記第1の工場設備用のマスクレイアウトデータから、ゲート長が所定の範囲のトランジスタについて、ゲート電極と素子領域との重なり部分を抽出する重なり部分抽出部と、
前記重なり部分抽出部で抽出された重なり部分を拡張して拡張領域を設定し、その拡張領域に対応するデータを生成して前記第1の工場設備用のマスクレイアウトデータに追加し、第2の工場設備用のマスクレイアウトデータを作成するマスクレイアウトデータ補正部と
を有することを特徴とするマスクレイアウトデータ作成装置。 - 前記マスクレイアウトデータ補正部は、前記拡張領域の拡張距離を、同一素子領域内に形成される前記トランジスタのゲート電極間の距離の半分とすることを特徴とする請求項4に記載のマスクレイアウトデータ作成装置。
- 前記マスクレイアウトデータ補正部は、前記拡張領域の大きさを、露光装置の最小露光面積以上に決定することを特徴とする請求項4に記載のマスクレイアウトデータ作成装置。
- 半導体装置を構成する複数のトランジスタから、ゲート長に基づいて第1グループ及び第2グループを選別する選別工程と、
前記第1グループ及び前記第2グループの前記トランジスタを有する半導体基板に第1のチャネル不純物注入を行う第1注入工程と、
前記第1グループの前記トランジスタを有する前記半導体基板に第2のチャネル不純物注入を行う第2注入工程と、
前記第1グループ及び前記第2グループの前記トランジスタを有する前記半導体基板の上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成するゲート形成工程と、
前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に不純物を導入するソース・ドレイン形成工程とを有し、
前記選別工程は、第1のマスクレイアウトデータから、前記ゲート長が所定の範囲のゲート電極と素子領域との重なり部分を抽出する工程と、
前記重なり部分を拡張して拡張領域を設定する拡張工程と、
前記拡張領域に対応するレイアウトデータを生成し、前記第1のマスクレイアウトデータに追加して第2のマスクレイアウトデータを作成する作成工程とを有し、
前記第1のマスクレイアウトデータは第1の工場設備において使用され、前記第2のマスクレイアウトデータは第2の工場設備において使用されることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のチャネル不純物注入及び前記第2のチャネル不純物注入によるチャネル層の不純物濃度は、前記第2の工場設備により製造される前記第1グループの前記トランジスタ及び前記第2グループの前記トランジスタのしきい値電圧が、前記第1の工場設備により製造される前記トランジスタのしきい値電圧と等価になるように決定することを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。
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