JP5136250B2

JP5136250B2 - 光学フィルターの製造方法

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Publication number: JP5136250B2
Application number: JP2008180899A
Authority: JP
Inventors: 彰山下; 新平小川; 裕高田; 隆志徳永; 政広番
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Priority date: 2008-07-11
Filing date: 2008-07-11
Publication date: 2013-02-06
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Description

本発明は、光を透過、又は光の反射を防止する光学部品、例えば撮影カメラにおいて使用される帯域制限フィルター、入射光線を透過する窓（光学窓）、レンズ等の光学部品の製造方法に関する。

発光装置、受光装置、又は撮影装置などにおいて、光学部品（例えば、光学フィルター）は、該光学部品を透過する光に対して高い透過率を示すことが要求される。そのために、光学部品を構成する材料として、一般に、対象とする波長域の光に対して低い吸収率を有するものが選択される。また、光学部品を構成する材料の屈折率と該光学部品に接する媒質（通常は空気）の屈折率との差に基づいて光学部品の表面（入射面と透過面）で発生する透過率の損失を減少するために、光学部品の表面に反射防止膜を設けることもある。

例えば、従来の赤外線用の光学フィルターは、光学フィルターの窓材としてＧｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ及びＳｉなどが良く利用され、また、反射防止膜として、金属フッ化物などが採用されていた（例えば、特許文献３参照）。

また、光学部品の表面に反射防止膜を形成する代わりに、その表面に光の波長よりも小さな間隔をあけて規則的な三次元構造を微細加工することにより、この光学部品の表面に反射防止機能を与える試みがあった（例えば、特許文献１〜２、非特許文献１参照）。

特開２００２−２８７３７０号公報特表２００４−５２１３２９号公報特開２００３−１７７２１０号公報 OPTICS LETTERS, Vol. 24, No.20, October 15, p1422(Optical Society of America)

近年、撮影装置の高機能化や高効率化の要求が増してきており、これに答えるべく撮影装置が取扱う光学波長帯をマルチバンド化する必要が出てきた。ところが、上記のような多層の反射防止膜を光学部品に適用する場合には、光学部品が使用される環境（例えば、高温、ヒートサイクル）を考慮して、膜の屈折率や膜の線膨張係数などの材料特性を考慮して膜の材質を選択する必要があった。つまり、設計仕様を越えた環境下で使用されると、反射防止膜の剥離や残留歪み、反射防止膜からの残留ガスの放出といった現象が長期信頼性を阻害するおそれがあった。また、バンドパスフィルターとして急峻な波長選択性を持たせる場合には層数がさらに増加するので、かかる材質選択の問題のために使用環境が制約される課題もあった。

他方、特許文献１に示されたような、光学部品の表面に微細な凹凸を形成して反射防止効果を狙う構造では、所望の波長帯を急峻な波長選択性をもって選択することが要求されるマルチバンドの光学フィルターを得ることは特に難しかった。

本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、信頼性に優れた波長選択性の良い光学フィルターの製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係る光学フィルターの製造方法は、光学フィルターの基板に、光学フィルターが対象とする光の波長λよりも小さい開口径で基板の主面から所定の深さの複数の穴からなる群を深さ毎に複数群掘り込む第１の工程と、光学フィルターが対象とする光の波長λよりも小さい開口径で、主面を平面視したときに穴を複数含み、主面を平面視したときに含まれる穴の深さよりも浅い大口径の穴を基板に掘り込む第２の工程とを備え、所定の深さにおける穴または大口径の穴が占有する面積と穴または大口径の穴以外の基板の残地の面積との比率が深さ毎にそれぞれ所定の比率となることを特徴とする。

この発明によれば、基板表面に多層構造となる３次元構造体であって、各層における構造体の充填率と、各層の厚みを所定の値にすることにより所望の透過率特性を得ることができる。また、多層積層膜に起因する剥離等の問題も無く、信頼性に優れた波長選択性の良い光学フィルターを得ることができる。

実施の形態１．
図１は、本実施の形態１に係る光学フィルター１０の概略構成を示す斜視図である。図２は、斜視図で示した図１を平面視した模式図である。図３は、図２中に示すＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿った光学フィルターの断面の模式図である。

以下に、図面を参照しながら、赤外線検出器用の光学フィルターを例にとり、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、３〜５μｍ帯及び８〜１４μｍ帯に対応するマルチバンドの光学フィルターを例に本願発明を説明するが、他の形態も、当然に本願発明の技術的範囲に含まれる。また赤外線の波長帯にとどまることなくそれ以外の波長帯の光に対しても有効である。

まず、光学フィルター１の全体構成について説明する。
図１において、光学フィルター１は、基板２の上に配置された下層小円柱３１と大円柱４、さらに大円柱４の上に配置された上層小円柱１１から構成されている。また、これらの大小の円柱の組合わせを便宜的に表面３次元構造体３と呼ぶことにする。また、基板２、大円柱４等の材質は赤外線を透過するＳｉである。なお、Ｓｉの替わりにＧｅ，ＺｎＳｅあるいはこれらの複合材料も基板として使用できる。

図３を参照して、上述した表面３次元構造体３は、基板２に近いほうから順に、下層構造体３０、中層構造体２０、上層構造体１０の３層構造となっている。また、表面３次元構造体３は、光学特性上は等価的に３層の光学多層膜と考えることができる。以下、この理由を説明する。

まず、表面３次元構造体３が単層の場合、すなわち基板２の上に単に下層小円柱３１のみが配置されている状態（大円柱４は無い状態）を考え、光学フィルターの特性を決める屈折率が表面３次元構造体の形状で決まることを説明する。
光学部品（ここでは光学フィルター）が、ある媒質（通常は空気）に接して配置されるとき、光透過面で入射光線の散乱が発生しないためには、全ての３次元構造体（ここでは下層小円柱３１）の間隔Ｌは入射光線の波長以下になるように設計する。このような３次元構造体において凹部と凸部との面積比率（ここでは、下層小円柱３１の上底面の面積を凸部の面積、基板２の上の下層小円柱３１が占有していない部分を凹部の面積、として考える）によりその層の実効的な屈折率（ｎ_ｘ）を制御することができる。基板２の空気によって満たされている凹部分の面積比率をｆ（全て凹部の場合をｆ＝１とする）とする場合には、この単層の実効的な屈折率（ｎ_ｘ）を式（１）から求めることができる。

上述のように、（１）式に従い単層の屈折率を計算できるので、三層からなる表面３次元構造体３の場合は、上層〜下層構造体の各層毎にそれぞれ屈折率を計算することができる。図３のような３次元構造に当てはめて考えると、面積比率ｆが上層からｆ_１、ｆ_２、ｆ_３とする３層構造とすることができる。この場合の実効的な屈折率（ｎ_ｘ）は、各層によって異なりそれぞれｎ_１、ｎ_２、ｎ_３となる。このように、面積比率ｆを変えることによって、ステップ状に屈折率が変化する多層膜を積層した場合と同等の効果を得ることができる。また面積比率ｆで実効的な屈折率（ｎ_ｘ）が確定することから、例えば下層小円柱３１をランダムに配置してもよく、特に凹凸部分を周期構造とする必要は無い。

つぎに、上述した単層の波長ピークは、実効的屈折率部分の凸部の高さ（すなわち、凹部の深さ：ｄ）によって式（２）から決定される。

したがって、目的とする赤外線を透過したい波長帯を計算するには、上記（１）式を用いて各層構造体毎に屈折率（ｎ_ｘ）を算出し、透過したい波長帯に合わせて（２）式を用いて上層〜下層構造体の各層構造体の厚み（ｄ_ｘ）を求めることができる。

３〜５μｍ帯及び８〜１４μｍ帯に対応するマルチバンドの光学フィルターを設計する場合は、（１）式、（２）式を基に適宜、屈折率（ｎ_ｘ）、厚み（ｄ_ｘ）を算出し、これらを組み合わせ、通常の光学多層膜の計算手法によって目的とする透過率特性が得られるか検証する。例えば、図３に示すような三層構造体の場合に、凹部と凸部との面積比率を適宜選定し、実効屈折率ｎ_１＝１．５、ｎ_２＝２．０、ｎ_３＝２．５及び凹部の深さをｄ_１＝０．５μm、ｄ_２＝０．９μm、ｄ_３＝０．２５μmの場合に、図４に示したような設計目標とする二つの波長帯で良好な透過特性を得ることが可能である。

また本実施の形態では凸部の形状を円柱状としたが、特に円柱である必要はなく、角柱等の形状であっても問題はない。また、実効的な屈折率をステップ状とすることにより波長選択性が向上することがわかっており、各ステップの面積比率のばらつきは少ない方が望ましい。

次に、本願発明の光学フィルターの製造方法例について図を基に説明する。なお、ここで述べる製造方法はあくまでも一例であり、他の製造方法によっても上述の構造を実現することは可能である。

基板２に上述の実効屈折率を制御した３次元構造を作製する方法を説明する。図５〜図９は、本実施の形態における製造方法を工程順に示す概略断面図である。なお、断面位置は図３中に示すＩＩＩ-ＩＩＩ線に沿った位置に相当する。以下、工程順に説明する。

図５に示す第１工程では、基板２上にフォトレジスト４１のパターンを形成しマスクとする。

図６に示す第２工程では、ドライエッチング等により所定の深さまで掘り込む。

図７に示す第３工程では、一旦フォトレジスト４１を取り除き、最深部を保護し最上部を掘り込めるようにフォトレジスト４２によりマスクする。つぎにドライエッチング等により表面層部分を所定の深さまで掘り進める。

図８に示す第４工程では、再度フォトレジスト４２を除去し、最表面を保護するようにフォトレジスト４３によりマスクする。その状態で最深部分の凸部をドライエッチング等によりエッチングして所定の深さまで削る。

最後に、図９に示す第５工程で、フォトレジスト４３を除去する。エッチング及び露光工程が繰り返し、期待する表面３次元構造体を基板表面に実現する。

実施の形態２．
上述の実施の形態１では、赤外線用の光学フィルターの実現のために円柱状の突起物による制御例を示したが例を説明したが、表面３次元構造体は必ずしも円柱状の突起物である必要はなく、実効屈折率の制御のために多数の穴を基板に設けることにより面積比率ｆの制御を行ってもよい。図１０はかかる形態を示したもので、図１と同様に光学フィルターの概略構成を示す斜視図である。本実施の形態では、円柱状の突起物と基板とに円筒状の穴を開けたものを組合わせた。この形態によっても同等の効果を得ることができる。

実施の形態３．
上述の実施の形態２では、光学フィルターの実現のために円柱状の突起物による制御例を示したが、本実施の形態では図１１に示すように、穴の深さが３段階に異なるように基盤に穴を開ける加工をして面積比率ｆの制御を行ったものである。この形態によっても同等の効果を得ることができる。

実施の形態４．
上述の実施の形態１では、光学フィルターの実現のために実効屈折率（ｎ_ｘ）が最表面からｎ_１<ｎ_２<ｎ_３となっていく制御例を示したが、実効的な屈折率の配分がｎ_１<ｎ_３<ｎ_２となるように３次元構造を作製することでも光学フィルター実現することが可能である。以下、本形態の構造を説明する。図１３は、構造をわかりやすくするために、本形態の光学フィルターを分解した斜視図であり、第３層構造体と中層構造体の境界で分離して示している。また、光学フィルターの断面の模式図を図１２に示す。

本形態の構造について説明する。下層構造体３０は、基板２の表面を加工して中円柱を設けたものである。また、薄いＳｉ基板を中層構造体２０とし、さらにそのＳｉ基板の表面を加工して上層小円柱１１を形成して上層構造体１０としている。中円柱の上面にＳｉ基板（中層構造体２０）の底面を接合して３層構造にしたものが本形態の構造である。

この構造により上述の実効屈折率の配分を実現することができる。例えば、図１４に示すように、実効屈折率ｎ_１＝１．５、ｎ_２＝２．５、ｎ_３＝２．０（＝面積率から制御）及び凹部の深さ(ｄ_１＝２．０μm,ｄ_２＝０．６μm,ｄ_３＝０．７μm)の場合にターゲットとする二つの波長帯で良好な透過特性が得られる。

上述の形態４において、下層構造体を円柱により形成したが、特に他の形状によって面積率を制御しても問題は無く、角柱、六角形穴、溝でも同様な効果を示す。

実施の形態５．
上述の実施の形態１では、半導体工業で一般に使用されるリソグラフィー技術を利用したフォトレジストのパターン形成法によって微細パターンを作る例を説明した。所謂、トップダウン（Ｔｏｐ−Ｄｏｗｎ）法のアプローチで微細構造を作成する例を示した。
本実施の形態５では、ナノスケールの構造が一定の条件下で自発的に形成される自己組織化を利用した方法、所謂、ボトムアップ（Ｂｏｔｔｏｍ−Ｕｐ）法のアプローチで微細構造を作成する例を説明する。
本実施の形態は、例えば、”ＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｎａｎｏｈｏｌｅａｒｒａｙｏｎＳｉｕｓｉｎｇｓｅｌｆ−ｏｒｇａｎｉｚｅｄｐｏｒｏｕｓａｌｕｍｉｎａｍａｓｋ（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．Ｂ１９（５），Ｓｅｐ／Ｏｃｔ２００１，ｐｐ１９０１〜１９０４）”に掲載されているような、ナノメートル周期の規則的な孔の配列が蜂の巣状に自然に形成されるアルミナの自己組織化特性を、光学フィルターの製造に利用したものである。

図１５は、本実施の形態に係る光学フィルターの製造プロセスフローを示した概略図である。図１６は、本実施の形態に係る製造プロセスで製造した光学フィルターの斜視図である。なお、図１６中で示した点線の図形は、シリコン基板７６中に掘り込まれた種々の穴を透視して模式的に示したものである。図１７は、斜視図で示した図１６を平面視した模式図である。図１８は光学フィルターの断面図である。断面位置は図１７中に示すＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿った位置に相当する。図１９から図３０は、実施の形態における製造方法を工程順に示す概略断面図である。

まず、本実施の形態のプロセスフローについて概説説明する。
プロセスフローを示した図１５と光学フィルターの構造を示した図１６を参照して、はじめの第一工程で上層構造体１０を作製し、続く第二工程で下層構造体３０を作製する。最後に第三工程で中層構造体２０を作製し、光学フィルターの製造を完了する。

以下、工程順にプロセスフローを詳細に説明する。
第一工程の最初に、アルミを蒸着等の方法で成膜する。係る状態が図１９で示したアルミ７０である。アルミ７０は、その後の工程でシリコンの基板７６に小円筒穴７８を形成するためのマスクとして機能する。

次に、上述した文献に照会されているアルミナの自己組織化特性を利用したアルミナのマスクについて説明する。図１９で示したアルミ７０が成膜されたシリコン基板７６を、リン酸またはシュウ酸あるいは硫酸等の電解液中で陽極酸化すると、ナノサイズの細孔７７を持ったアルミナ７１がシリコン基板７６のアルミ成膜面側に形成され始める。係る状態が図２０で示した状態である。さらに通電し続け陽極酸化を行うと、図２１に示したような、成膜したアルミ７０がほとんど消費されてアルミナ７１になった状態の反応終了点に到達する。陽極酸化の反応終了点は通電される電流をモニタすれば判別できる。すなわち、アルミ７０が消費されてアルミナ７１が形成されている間は定常的な電流が流れるが、アルミ７０がほとんど消費されてアルミナ７１が形成できなくなると急激に電流が流れなくなる。そこで、定常的な電流が流れた後のある閾値以下に電流が下がった時点で通電を止めると、アルミナ７１とシリコン基板２との界面に薄くアルミナで形成されたバリア層８０が残った状態のナノサイズの細孔７７を多数有するアルミナ７１の層が形成できる。係る状態が図２１で示した状態である。

次に、リン酸液に浸漬等によりバリア層８０を除去すると図２２で示した状態になる。さらに、形成したアルミナ７１をマスクとして、シリコン基板７６をＣＦ4ガス等によるＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等でエッチングして、シリコン基板７６にナノサイズの小円筒穴７８を開口する。係る状態が図２３で示した状態である。
ここでは、ＣＦ4によるＲＩＥを例に挙げたが、Ａｒガス等によるＩＢＥ（ion beam etching）やＣ4Ｆ8ガス等のＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）エッチングで小円筒穴７８を形成しても良い。ここまでが、上層構造体１０を作製するための第一工程である。

次に下層構造体３０を形成するための第二工程について説明する。まず、下層構造体３０を形成する部分以外の領域をマスクするために、リソグラフィー技術を利用したフォトレジストのパターン７２を形成する。係る状態が図２４で示した状態である。次にＲＩＥ等で、シリコン基板７６のエッチングを行い、部分的にナノサイズの小円筒穴７８を深堀りする。係る状態が図２５で示した状態である。

次に、アセトン等でレジストを除去した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等で研磨して、シリコン基板７６からアルミナ７１を除去して表面にシリコン面を露出させる。係る状態が図２６で示した状態である。ここまでが、下層構造体３０を作製するための第二工程である。

次に、中層構造体２０を形成するための第三工程について説明する。
まず、シリコン基板７６を熱酸化炉にて熱酸化する。係る状態が図２７で示した状態である。図２７で示した熱酸化膜７５は、中層構造体２０を形成するときに、下層構造体３０を形成する小円筒穴７８がエッチングされないようにするためのマスクとして作用する。

次に、シリコン基板７６の表面をＣＭＰ等で研磨して、最表面の熱酸化膜７５を除去する。係る状態が図２８で示した状態である。

さらに、中層構造体２０を形成するため、中層構造体２０を形成する領域以外の部分をレジストパターン７３でマスクする。係る状態が図２９で示した状態である。

次に、レジストパターン７３でマスクされていないシリコン基板７６が露出した部分をＲＩＥによりエッチングを行い、所望の中層構造体２０を形成する。係る状態が図３０で示した状態である。

最後に、アセトン等でレジストパターン７３を除去し、ＨＦ等により熱酸化膜７５を除去して光学フィルターが完成する。完成した状態が図１８で示した状態である。

上述した実施の形態１で示したような、所謂トップダウン法のアプローチで微細構造を作成する場合には、ＥＢ描画等の高価なプロセスが必要となるため、量産に向かない。しかしながら、本実施の形態で説明したアルミナの自己組織化特性を利用する場合には、元々、ボトムアップ法であるためナノサイズの構造体を容易に作りやすく、また高価な設備を要しないので、３層構造の複雑な微細構造を安価に大量生産できる利点がある。

また、本実施の形態で説明した光学フィルターの製法では、上層、中層、下層における構造体の充填率をアルミの陽極酸化の条件でコントロールできるので、所望の透過率特性を容易に得ることができる。また、係る製法で作製した光学フィルターは単一の構造材で構成されているため、多層積層膜に起因する剥離等の問題も無く、信頼性に優れた波長選択性の良い光学フィルターを得ることができる。さらに、ＥＢ描画では、狭いエリアを描画するにも非常に高価であり、その利用に制限があったが、アルミナの自己組織化特性を利用すれば、広範な領域にナノサイズの構造体が安価に形成できる。

なお、本実施の形態ではアルミナの自己組織化特性を利用したアルミナのマスクについて説明したが、上述の形態に限られず、実施の形態３で説明した図１１に示すような穴の深さが３段階に分かれた構造にも利用可能である。すなわち、最初に図２３に示したような小円筒穴７８を多数開口し、次いで図２３,２４に示したようにレジストパターン７３で部分的に小円筒穴７８を塞いでそれ以上エッチングが進行しないようにし、所望の上層構造体１０、中層構造体２０、下層構造体３０を作り分ければよい。

実施の形態６．
実施の形態５ではアルミナの自己組織化特性を用いてナノサイズの構造体を形成したが、本実施の形態６では、ナノ粒子を用いたマスクを利用したことに特徴がある。有機溶媒または水に分散させた酸化シリコンでできたナノ粒子をシリコン基板に塗布し、有機溶媒または水を除去して酸化シリコンでできたナノ粒子のみをシリコン基板上に残し、それをエッチングマスクとして用いる方法である。例えば、特許公開公報２００７−２５０５８３に照会されているような方法である。上述の実施の形態５とは別のボトムアップ法のアプローチで微細構造を作成する例を説明する。

以下、本実施の形態６について説明する。
まず、本実施の形態のプロセスフローについて説明する。先に説明した実施の形態５と同様に、まず第一工程で上層構造体１０を作製し、続く第二工程で下層構造体３０を作製する。最後に第三工程で中層構造体２０を作製し、光学フィルターの製造を完了する。また、図３１から図４０は、実施の形態における製造方法を工程順に示す概略断面図である。なお、本実施の形態における概略断面図は、本実施の形態５と同様のものである。

以下、工程順にプロセスフローを詳細に説明する。
第一工程の最初に、シリコン基板７６に***８１を形成するためのマスクとして、酸化シリコンでできたナノ粒子８２を粉末スプレー塗布等の方法で形成する。係る状態が図３１で示した状態である。

次に、本酸化シリコンのナノ粒子８２をマスクとしてシリコン基板７６にＲＩＥ等でエッチングして、シリコン基板７６にナノサイズの***８１を堀る。係る状態が図３２で示した状態である。ここまでが、上層構造体１０を作製するための第一工程である。

次に下層構造体３０を形成するための第二工程について説明する。まず、下層構造体３０を形成する部分以外の領域をマスクするために、リソグラフィー技術を利用してフォトレジストパターン７２を形成する。係る状態が図３３で示した状態である。次にＲＩＥ等で、シリコン基板７６のエッチングを行い、部分的にナノサイズの***８１を深堀りする。係る状態が図３４で示した状態である。

次に、アセトン等でレジストを除去した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）等で研磨して、シリコン基板７６からアルミナ７１を除去して表面にシリコン面を露出させる。係る状態が図３５で示した状態である。ここまでが、下層構造体３０を作製するための第二工程である。

次に、中層構造体２０を形成するための第三工程について説明する。
まず、シリコン基板７６を熱酸化炉にて熱酸化する。係る状態が図３６で示した状態である。図３６で示した熱酸化膜７５は、中層構造体２０を形成するときに、下層構造体３０を形成する***８１がエッチングされないようにするためのマスクとして作用する。
次に、シリコン基板７６の表面をＣＭＰ等で研磨して、最表面の熱酸化膜７５を除去する。係る状態が図３７で示した状態である。
さらに、再度レジストによる中層構造体２０を形成するため、中層構造体２０を形成する部分以外の領域をマスクするために、リソグラフィー技術を利用したフォトレジストパターン７３を形成する。係る状態が図３８で示した状態である。
次に、レジストパターン７３でマスクされていないシリコン基板７６が露出した部分をＲＩＥによりエッチングを行い、所望の中層構造体２０を形成する。係る状態が図３９で示した状態である。
最後に、アセトン等でレジストパターン７３を除去し、ＨＦ等により熱酸化膜７５を除去して光学フィルターが完成する。完成した状態が図４０で示した状態である。

上述した実施の形態１で示したような、所謂トップダウン法のアプローチで微細構造を作成する場合には、ＥＢ描画等の高価なプロセスが必要となるため、量産に向かない。しかしながら、本実施の形態で説明したナノ粒子の自己組織化特性を利用する場合には、元々、ボトムアップ法であるためナノサイズの構造体を容易に作りやすく、また効果な設備を要しないので、３層構造の複雑な微細構造を安価に大量生産できる利点がある。

さらに、例えば穴ピッチを変更するためには、実施の形態５で説明した陽極酸化の場合は電解液の選択、液温や電流密度の制御など、種々の条件をコントロールする必要があるが、ナノ粒子を用いる場合は所望の大きさの粒子を分散させた所定濃度の液を選択するだけで所望の穴ピッチが得られる利点がある。

また、本実施の形態で説明した光学フィルターの製法では、上層、中層、下層における構造体の充填率をナノ粒子の大きさでコントロールできるので、所望の透過率特性を容易に得ることができる。また、係る製法で作製した光学フィルターは単一の構造材で構成されているため、多層積層膜に起因する剥離等の問題も無く、信頼性に優れた波長選択性の良い光学フィルターを得ることができる。さらに、ＥＢ描画では、狭いエリアを描画するにも非常に高価であり、その利用に制限があったが、ナノ粒子の自己組織化特性を利用すれば、広範な領域にナノサイズの構造体が安価に形成できる。

なお、ナノ粒子として酸化シリコンでできたナノ粒子を例に説明したが、他のナノ粒子でもシリコン基板のエッチング時にマスクとなる材料が使用可能である。例えば、アルミナのナノ粒子が使用可能である。

上述した実施の形態は例示であって、本発明は例示した実施形態の範囲に限定されない。例えば、上述下形態ではフィルター基板の一方の主面に凹凸形状を付加した例を説明したが、フィルター基板の他方の主面にも形成しても良い。本発明は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施形態１の光学フィルターの斜視図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの平面図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの断面図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの透過特性例である。本発明の実施形態１の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態１の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態２の光学フィルターの斜視図である。本発明の実施形態３の光学フィルターの斜視図である。本発明の実施形態４の光学フィルターの断面図である。本発明の実施形態４の光学フィルターの斜視図である。本発明の実施形態４の光学フィルターの透過特性例である。本発明の実施形態５のプロセスフローを説明する図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの斜視図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの平面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態５の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。本発明の実施形態６の光学フィルターの製造工程中の断面図である。

符号の説明

１光学フィルター、
２基板、
３表面３次元構造体、
４大円柱
１０上層構造体、
１１上層小円柱、
１２エッチング穴
１３上層基板
２０中層構造体、
３０下層構造体、
３１下層小円柱、
３２エッチング穴
３３エッチング溝
４０フォトレジスト
４１フォトレジスト
４２フォトレジスト
４３フォトレジスト
７０アルミ
７１アルミナ
７２レジストパターン
７３レジストパターン
７５熱酸化膜
７６シリコン基板
７７細孔
７８小円筒穴
７９大円筒穴
８０バリア層
８１ ***
８２ナノ粒子

Claims

光学フィルターの基板に、前記光学フィルターが対象とする光の波長λよりも小さい開口径で前記基板の主面から所定の深さの複数の穴からなる群を深さ毎に複数群掘り込む第１の工程と、
前記光学フィルターが対象とする光の波長λよりも小さい開口径で、前記主面を平面視したときに前記穴を複数含み、前記主面を平面視したときに含まれる前記穴の深さよりも浅い大口径の穴を前記基板に掘り込む第２の工程とを備え、
前記所定の深さにおける前記穴または前記大口径の穴が占有する面積と前記穴または前記大口径の穴以外の前記基板の残地の面積との比率が前記深さ毎にそれぞれ所定の比率となることを特徴とする光学フィルターの製造方法。
第１の工程の後、かつ第２の工程の前に、基板を熱酸化することによって穴の内壁に熱酸化膜を形成する中間工程を備え、
前記第１の工程は、光学フィルターの基板の表面にアルミ層を成膜し、前記アルミ層を陽極酸化することによって部分的に前記基板が露出した複数の開口部を有するアルミナ層を形成し、前記アルミナ層をマスクとして前記基板をエッチングして前記基板の主面に前記穴を掘り込み、
前記第２の工程は、前記熱酸化膜を前記主面を平面視したときに含まれる前記穴がエッチングされないようにするためのマスクとして大口径の穴を掘り込むことを特徴とする請求項１に記載の光学フィルターの製造方法。