JP5135711B2 - Electronic device and manufacturing method thereof - Google Patents
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本発明は、電子装置及びその製造方法に関し、より詳しくは、カーボンナノチューブ束を用いたトランジスタなどの電子装置及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an electronic device and a manufacturing method thereof, and more particularly to an electronic device such as a transistor using a carbon nanotube bundle and a manufacturing method thereof.
近年、カーボンナノチューブが注目を集めているが、その形成方法として、当初、触媒層から鉛直方向に成長させる方法が開発された。例えば、特許文献1や特許文献2などがある。
In recent years, carbon nanotubes have attracted attention. As a method for forming the carbon nanotubes, a method of growing vertically from a catalyst layer was originally developed. For example, there are
しかし、電子や正孔の速度がシリコンより大きいこと、及びバリスティック輸送現象を示すことなどカーボンナノチューブの優れた特性を生かすため、最近では、半導体素子としてのカーボンナノチューブの応用が研究されるようになってきている。そのため、半導体装置へのカーボンナノチューブの応用に適した、カーボンナノチューブを水平方向に成長させる方法が種々検討されている。 However, in order to take advantage of the excellent properties of carbon nanotubes, such as the speed of electrons and holes higher than that of silicon and the phenomenon of ballistic transport, the application of carbon nanotubes as semiconductor devices has recently been studied. It has become to. Therefore, various methods for growing carbon nanotubes in the horizontal direction suitable for application of carbon nanotubes to semiconductor devices have been studied.
例えば、特許文献3では、垂直成長を抑制する層により対向する触媒パターンを覆い、触媒パターン間にカーボンナノチューブを成長させる方法が開示されている。カーボンナノチューブの成長方法として熱分解法、触媒熱分解法、プラズマ気相蒸着法などが開示されている。形成したカーボンナノチューブをスピンバルブ単電子トランジスタに適用している。
For example,
特許文献4では、半導体基板上に対向させて配置した2つの触媒アイランド間に電界を印加して化学気相成長法によりカーボンナノチューブを形成する方法が開示されている。形成したカーボンナノチューブを単一電子トランジスタに適用している。
特許文献5では、ナノチューブの懸濁液に浸漬して単分子膜パターン上にこれに沿ってナノチューブを形成する方法や電界の存在下で対向する触媒部位間にナノチューブを化学気相成長させる方法が開示されている。形成したナノチューブをクロスバアレイに適用している。
In
特許文献6では、触媒層が2つの電気的絶縁層の間に挟まれた積層構造を有し、かつ触媒層は電気的絶縁層の側壁面から後退するように配置されている。触媒層端面から電気的絶縁層の側壁面に至る空間は上下が電気的絶縁層に挟まれた細孔が形成されており、後退した触媒層端面からナノチューブを水平方向に気相エピタキシー法により成長させている。細孔の幾何学的性質によりナノチューブの直径及び成長方向が制御される。形成したナノチューブをガスセンサに適用している。
しかしながら、上記した特許文献に開示された技術では、架橋確率が低いため、架橋本数が少なく、その制御性にも問題がある。このため、単一電子トランジスタに適用することはできても、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を必要とする高出力のトランジスタに適用することは難しい。 However, in the technique disclosed in the above-mentioned patent document, since the probability of crosslinking is low, the number of crosslinks is small, and there is a problem in controllability. For this reason, although it can be applied to a single-electron transistor, it is difficult to apply it to a high-power transistor that requires hundreds to thousands of carbon nanotube bundles.
本発明はかかる従来の問題点に鑑みて創作されたもので、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を同時に方向制御して水平方向に形成することができる電子装置の製造方法及びそのカーボンナノチューブ束を用いた電子装置を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of such conventional problems, and a method of manufacturing an electronic device capable of simultaneously controlling the direction of hundreds to thousands of carbon nanotube bundles in the horizontal direction and the carbon nanotubes An object of the present invention is to provide an electronic device using a bundle.
本発明の一観点によれば、基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、前記下地絶縁膜の一部を除去して前記基板の一部領域を露出させる工程と、前記露出した前記基板の一部領域のうち、前記下地絶縁膜の側壁面寄りの部分に触媒金属を形成する工程と、前記触媒金属の表面から前記下地絶縁膜の前記側壁面と上表面に沿ってカーボンナノチューブ束を化学気相成長させる工程とを有する電子装置の製造方法が提供される。 According to an aspect of the present invention, a step of forming a base insulating film on a substrate, a step of removing a part of the base insulating film to expose a partial region of the substrate, and a step of exposing the exposed substrate Forming a catalytic metal on a portion of the partial region closer to the side wall surface of the base insulating film, and chemically treating the carbon nanotube bundle from the surface of the catalytic metal along the side wall surface and the upper surface of the base insulating film. There is provided a method of manufacturing an electronic device having a step of vapor phase growth.
本発明の電子装置の製造方法によれば、開口部内に露出する基板の一部の領域であって開口部の側壁面寄りに形成した触媒金属から開口部の側壁面に沿って化学気相成長させているので、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を形成することができる。 According to the method for manufacturing an electronic device of the present invention, chemical vapor deposition is performed along the side wall surface of the opening from the catalytic metal formed in the partial region of the substrate exposed in the opening and close to the side wall of the opening. As a result, hundreds to thousands of carbon nanotube bundles can be formed.
さらに、開口部から突出させてカーボンナノチューブ束の成長を続けさせることで、カーボンナノチューブ束は屈曲し、絶縁膜の上表面からのファンデルワールス力により、その束は方向制御されて絶縁膜の上表面に沿って、即ち絶縁膜の上表面に水平方向に形成される。 Further, by allowing the carbon nanotube bundle to continue to grow by projecting from the opening, the carbon nanotube bundle is bent, and the direction of the bundle is controlled by van der Waals force from the upper surface of the insulating film, and the upper surface of the insulating film is It is formed in the horizontal direction along the surface, that is, on the upper surface of the insulating film.
本発明の別の観点によれば、基板と、前記基板の一部領域を除く領域に形成された下地絶縁膜と、前記露出した基板の一部領域のうち、前記下地絶縁膜の側壁面寄りの部分に形成された触媒層と、前記触媒層から前記下地絶縁膜の側壁面と上表面に沿って形成された、キャリアが通るカーボンナノチューブ束とを有することを特徴とする電子装置が提供される。 According to another aspect of the present invention, a substrate, a base insulating film formed in a region excluding a partial region of the substrate, and a portion of the exposed substrate close to a sidewall surface of the base insulating film. There is provided an electronic device comprising: a catalyst layer formed in a portion; and a carbon nanotube bundle that is formed from the catalyst layer along a side wall surface and an upper surface of the base insulating film and through which carriers pass. The
本発明の電子装置によれば、キャリアが通るカーボンナノチューブ束が下地絶縁膜の上表面に沿って形成されているので、そのカーボンナノチューブ束をトランジスタのチャネルとして、或いはチャネルに加えてチャネルの両側のソース領域及びドレイン領域として、又はダイオードの基体として用いることが可能となる。 According to the electronic device of the present invention, the carbon nanotube bundles through which the carriers pass are formed along the upper surface of the base insulating film. Therefore, the carbon nanotube bundles are formed on the both sides of the channel as the channel of the transistor or in addition to the channel. It can be used as a source region and a drain region, or as a base of a diode.
本発明の電子装置の製造方法によれば、絶縁膜の上表面に水平方向にカーボンナノチューブ束を形成することができるので、カーボンナノチューブ束をトランジスタやダイオードの基体として用いたときに、加工を容易に行うことができる。 According to the method for manufacturing an electronic device of the present invention, a carbon nanotube bundle can be formed in the horizontal direction on the upper surface of the insulating film. Therefore, when the carbon nanotube bundle is used as a substrate of a transistor or a diode, processing is easy. Can be done.
そかも、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を形成することができるので、トランジスタやダイオードを形成したときに大きい電流を制御することが可能となる。 Moreover, since hundreds to thousands of carbon nanotube bundles can be formed, a large current can be controlled when a transistor or a diode is formed.
また、本発明の電子装置によれば、カーボンナノチューブ束をトランジスタ又はダイオードの基体として用いることが可能となるので、大きい電流を制御し得る電子装置を提供することが可能となる。 In addition, according to the electronic device of the present invention, the carbon nanotube bundle can be used as a substrate of a transistor or a diode, so that an electronic device capable of controlling a large current can be provided.
以下、本発明の実施形態について添付の図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings.
(第1の実施形態)
図1は、本発明の第1の実施形態のトランジスタを示す断面図である。
(First embodiment)
FIG. 1 is a cross-sectional view showing a transistor according to a first embodiment of the present invention.
第1の実施形態のトランジスタは、図1に示すように、基板1、基板1上の下地絶縁膜2、基板1上の触媒層3、触媒層3と接触し、絶縁膜2の側壁面及び上表面に沿って形成されたカーボンナノチューブ束4、カーボンナノチューブ束4を被覆する絶縁膜5、カーボンナノチューブ束4上のゲート絶縁膜7、ゲート絶縁膜7上のゲート電極8、ゲート電極8を被覆する絶縁膜9、カーボンナノチューブ束4と接触したソース電極10a及びドレイン電極10bで構成される。
As shown in FIG. 1, the transistor of the first embodiment is in contact with the
カーボンナノチューブ束4は、数百乃至数千本のカーボンナノチューブが束になった構成を有する。その束は、下地絶縁膜2からのファンデルワールス力により、触媒層3から下地絶縁膜2の側壁面に沿って延び、さらに屈曲して下地絶縁膜2の上表面に沿って、平行方向に延びている。下地絶縁膜2上のカーボンナノチューブ束4がトランジスタのソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域を構成する。ゲート電極8はゲート絶縁膜7を介してカーボンナノチューブ束4のチャネル領域上に形成されている。ソース電極10aは絶縁膜5、9間の開口部6aを通してカーボンナノチューブ束4のソース領域に接触し、ドレイン電極10bは絶縁膜5、9間の開口部6bを通してカーボンナノチューブ束4のドレイン領域に接触している。
The
基板1として、シリコンなどの半導体基板、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などの絶縁膜、又は、Ta膜などの金属膜を用いることができる。または、ガラス基板やセラミック基板などを用いてもよい。
As the
また、カーボンナノチューブ束4にファンデルワールス力を及ぼす下地絶縁膜2として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることができる。さらに、多孔質シリコン系低誘電率膜、フロロカーボン系低誘電率膜又は樹脂系低誘電率膜を用いることができる。
Further, a silicon oxide film or a silicon nitride film can be used as the base
触媒層3として、膜厚1〜5nmのCo膜、Fe膜、Ni膜又はこれらの合金膜を用いることができる。また、アルミナ、シリカ、マグネシア又はゼオライトにCo、Fe又はNiの少なくとも何れか一を含有する金属微粒子を担持させた膜を用いることができる。触媒層3を直接基板1上に被着してもよいが、触媒層3の下に、膜厚1〜5nmのTi膜のみ、或いはそれぞれ膜厚1〜5nmを有するW及びTiの積層膜などを敷いてもよい。
As the
絶縁膜5、9、及びゲート絶縁膜7として、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることができる。
As the
ゲート電極8、ソース電極10a及びドレイン電極10bの材料として、Tiを用いることができる。
Ti can be used as a material for the
次に、図2(a)乃至(c)、図3(a)乃至(c)を参照して、図1に示すトランジスタの製造方法について説明する。図2(a)乃至(c)、図3(a)乃至(c)はトランジスタの製造方法について示す工程断面図である。 Next, with reference to FIGS. 2A to 2C and FIGS. 3A to 3C, a method for manufacturing the transistor shown in FIG. 1 will be described. 2A to 2C and FIGS. 3A to 3C are process cross-sectional views illustrating a method for manufacturing a transistor.
図2(a)に示すように、CVD(Chemical Vapor Deposition)法などによりSi基板1上に膜厚約350nmのSiO2膜(絶縁膜)2を形成する。続いて、図示しないレジストマスクを用いたフォトリソグラフィー法によりSiO2膜2をパターニングし、SiO2膜2に直径約2μmの円筒状の開口部2aを形成する。
As shown in FIG. 2A, a SiO 2 film (insulating film) 2 having a thickness of about 350 nm is formed on the
次いで、図2(b)に示すように、全面にレジスト膜を形成した後、レジスト膜をパターニングすることによりレジストパターン11を形成する。レジストパターン11はSiO2膜2の開口部2aの底部を偏って覆うように形成される。その結果、開口部2a底部に露出していたSi基板1の一部がレジストパターン11から露出することになる。この場合、Si基板1の露出部分に隣接する開口部2aの側壁面の一部も露出するようにする。
Next, as shown in FIG. 2B, after a resist film is formed on the entire surface, a resist
続いて、同じく図2(b)に示すように、レジストパターン11をマスクとして、スパッタ法などにより全面に膜厚約1nmのCo膜(触媒金属膜)3を堆積する。これにより、レジストパターン11上、及び開口部2aの側壁面に隣接するSi基板1上にCo膜3が形成される。
Subsequently, as shown in FIG. 2B, a Co film (catalytic metal film) 3 having a thickness of about 1 nm is deposited on the entire surface by sputtering or the like using the resist
続いて、レジストパターン11を除去すると、開口部2a内に露出する基板1の一部の領域であって開口部2aの側壁面寄りにCo膜(触媒層)3が形成される。
Subsequently, when the resist
次いで、温度400〜600℃に加熱した基板1上に、水素(H2)ガスをキャリアとしてアセチレンを供給する。すると、Co膜3上から数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束4が成長し始める。カーボンナノチューブ束4は開口部2aの側壁面からのファンデルワールス力により開口部2aの側壁面に沿って成長する。さらに成長を続けて開口部2aからカーボンナノチューブ束4を突出させると、カーボンナノチューブ束4はSiO2膜2の上表面の方に屈曲する。さらに、成長を続けると、カーボンナノチューブ束4はSiO2膜2の上表面からのファンデルワールス力によりSiO2膜2の上表面に沿って成長する。この工程の実施後の状態を図2(c)に示す。
Next, acetylene is supplied onto the
なお、カーボンナノチューブ束4を合成する反応ガスとして、上記したアセチレン(H2キャリアにより供給)のほかに、メタン(H2キャリアにより供給)や、エタノール(Arガスのバブリングにより供給)などを用いることができる。
In addition to the above-mentioned acetylene (supplied by H 2 carrier), methane (supplied by H 2 carrier), ethanol (supplied by bubbling Ar gas) or the like is used as a reaction gas for synthesizing the
次に、図3(a)に示すように、CVD法により全面にSiO2膜5を形成した後、SiO2膜5をパターニングし、カーボンナノチューブ束4上のSiO2膜5にトランジスタを形成するための開口部5aを形成する。
Next, as shown in FIG. 3A, after the SiO 2 film 5 is formed on the entire surface by the CVD method, the SiO 2 film 5 is patterned to form a transistor in the SiO 2 film 5 on the
次いで、図3(b)に示すように、開口部5a内に露出するカーボンナノチューブ束4上にSiO2膜とTi膜を順に積層した後、パターニングし、SiO2膜からなるゲート絶縁膜7とTi膜からなるゲート電極8を形成する。
Next, as shown in FIG. 3B, an SiO 2 film and a Ti film are sequentially stacked on the
続いて、ゲート電極8の両側でそれぞれソース領域及びドレイン領域となるカーボンナノチューブ束4にp型或いはn型の導電性を付与するため、以下の処理を行う。p型を付与する場合、酸素雰囲気中で加熱してカーボンナノチューブ束4を酸化する。酸化した領域がp型領域となる。一方、n型を付与する場合、カーボンナノチューブ束4にポタジウムを接触させ、反応した領域がn型領域となる。
Subsequently, in order to impart p-type or n-type conductivity to the
次に、図3(c)に示すように、全面にSiO2膜を形成した後、SiO2膜をパターニングし、ゲート電極8を被覆するSiO2膜9を形成するとともに、ゲート電極8を被覆するSiO2膜9と開口部5aとの間のカーボンナノチューブ束4上にソース電極用及びドレイン電極用のコンタクト窓6a、6bを形成する。
Next, as shown in FIG. 3C, after forming an SiO 2 film on the entire surface, the SiO 2 film is patterned to form an SiO 2 film 9 covering the
次いで、スパッタ法により全面にTi膜を形成した後、Ti膜をパターニングし、コンタクト窓6a、6b内のカーボンナノチューブ束4と接触するソース電極10a及びドレイン電極10bを形成する。この工程の実施後の状態を図3(c)に示す。
Next, after forming a Ti film on the entire surface by sputtering, the Ti film is patterned to form a
以上のようにして、第1の実施の形態に係る絶縁ゲート型電界効果トランジスタの主な構造が完成する。 As described above, the main structure of the insulated gate field effect transistor according to the first embodiment is completed.
上記した第1の実施の形態においては、開口部2a内に露出する基板1の一部の領域であって開口部2aの側壁寄りに形成した触媒層3から開口部2aの側壁面に沿ってカーボンナノチューブを化学気相成長させているので、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束4を形成することができる。
In the first embodiment described above, a part of the
さらに、開口部2aから突出させてカーボンナノチューブ束4の成長を続けさせることで、カーボンナノチューブ束4は屈曲し、下地絶縁膜2の上表面からのファンデルワールス力により、その束4は方向制御されて絶縁膜4の上表面に沿って、即ち下地絶縁膜2の上表面に水平方向に形成される。
Further, by making the
このため、カーボンナノチューブ束をトランジスタやダイオードの基体として用いたときに、加工を容易に行うことができる。 For this reason, when the carbon nanotube bundle is used as a substrate of a transistor or a diode, processing can be easily performed.
しかも、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束4を絶縁ゲート型電界効果トランジスタのチャネルとして、さらにチャネルの両側のソース及びドレインとして用いることが可能となるので、大きい電流を制御することが可能な高出力トランジスタを提供することが可能となる。 In addition, hundreds to thousands of carbon nanotube bundles 4 can be used as the channel of the insulated gate field effect transistor and also as the source and drain on both sides of the channel, so that a large current can be controlled. A high output transistor can be provided.
次に、第1の実施の形態に係る他のトランジスタの製造方法について、図4を参照して説明する。図4は上面図である。 Next, a method for manufacturing another transistor according to the first embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a top view.
図4では、Si基板1上のSiO2膜2上に、数百乃至数千本のカーボンナノチューブを束ねたカーボンナノチューブ束4a、4b、4c、4dが4本相互に平行に並び、形成されている。この製造工程は、上記した製造工程のうち、図2(a)〜(c)の工程に相当する。
In FIG. 4, four carbon nanotube bundles 4 a, 4 b, 4 c, and 4 d in which hundreds to thousands of carbon nanotubes are bundled are arranged in parallel on the SiO 2 film 2 on the
まず、図2(a)と同様な工程により、Si基板1上のSiO2膜2に4つの絶縁膜の切除部2a〜2dを形成する。この場合、絶縁膜の切除部2a〜2dの側壁面が同じ方向を向くように形成する。
First, four insulating film cut
次いで、図2(b)と同様な工程により、下地絶縁膜の切除部2a〜2d内に露出する基板1の一部の領域であって下地絶縁膜の切除部2a〜2dの側壁面寄りにCo膜(触媒層)3a〜3dを形成する。
Next, by a process similar to that shown in FIG. 2B, a part of the
次に、図2(c)と同様な工程により、触媒層3a〜3dと接触し、下地絶縁膜の切除部2a〜2dの側壁面とSiO2膜2の上表面に沿って相互に平行に並ぶ4本のカーボンナノチューブ束4a、4b、4c、4dを形成する。
Next, in the same process as in FIG. 2C, the catalyst layers 3 a to 3 d are brought into contact with each other and parallel to each other along the side wall surfaces of the base insulating film cut
なお、以降、図3(a)〜(c)と同様な工程により、カーボンナノチューブ束4a、4b、4c、4dの一束当たり1つ、計4つの絶縁ゲート型電界効果トランジスタが形成される。
Thereafter, a total of four insulated gate field effect transistors, one per bundle of
上記した第1の実施の形態の他の製造方法によれば、図1と同じ構造の高出力トランジスタを同一基板上に一度に複数形成することが可能となる。 According to the other manufacturing method of the first embodiment described above, a plurality of high-power transistors having the same structure as in FIG. 1 can be formed on the same substrate at the same time.
(第2の実施形態)
図5は、本発明の第2の実施形態に係る電子装置の構造を示す断面図である。図6は、図5の電子装置の平面構造を示す上面図であり、図5は、図6のカーボンナノチューブ束の成長方向に沿う断面図に相当する。
(Second Embodiment)
FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic device according to the second embodiment of the present invention. 6 is a top view showing a planar structure of the electronic device of FIG. 5, and FIG. 5 corresponds to a cross-sectional view along the growth direction of the carbon nanotube bundle of FIG.
第2の実施形態に係る電子装置においては、図5に示すように、基板21上に4段の段差26a乃至26dを有する絶縁膜22が形成されている。段差26a乃至26dは、段差26a乃至26dの一段ごとにそれぞれ絶縁膜を積層し、パターニングにより形成してもよいし、厚い膜厚の絶縁膜22を形成し、パターニングにより順次形成してもよい。
In the electronic device according to the second embodiment, as illustrated in FIG. 5, an insulating
その絶縁膜22の上に、一端部が基板21上の触媒層23と接触した一繋がりのカーボンナノチューブ束24が形成されている。言い換えれば、一端部が基板21上の触媒層23と接触したカーボンナノチューブ束24は、第1の段差26aの側壁面に沿って鉛直方向に、第1の段差26aの上平面22aに沿って水平方向に、第2の段差26bの側壁面に沿って鉛直方向に、第2の段差26bの上平面22bに沿って水平方向に、第3の段差26cの側壁面に沿って鉛直方向に、第3の段差26cの上平面22cに沿って水平方向に、さらに、第4の段差26dの側壁面に沿って鉛直方向に、第4の段差26dの上平面22dに沿って水平方向に、連続して延びている。
On the insulating
そして、上平面22a〜22dのうち、第1、第3、第4の上平面22a、22c、22d上で水平方向に延びている各カーボンナノチューブ束24にトランジスタTr1〜Tr2及び発光ダイオードなどのダイオードDiが形成されている。ダイオードDiはカーボンナノチューブ束上に間隔をおいて一対の電極が形成されているような構造を有する。
Of the
さらに、カーボンナノチューブ束24を被覆する絶縁膜25が形成されている。
Further, an insulating
上記基板21、絶縁膜22及び触媒層23その他の各要素の材料として、それらの各要素に対応する第1の実施形態の要素の材料と同じものを用いることができる。
As the material of the
第2の実施形態では、図5及び図6の構造を得るため、絶縁膜22の表面からのファンデルワールス力と段差26a乃至26dの側壁面の方向とを利用して、カーボンナノチューブ束24の成長方向の制御が行われている。
In the second embodiment, in order to obtain the structures of FIGS. 5 and 6, the van der Waals force from the surface of the insulating
次に、図6を参照して、そのカーボンナノチューブ束24の成長方向の制御方法を含むカーボンナノチューブ束24の成長方法について説明する。
Next, a method for growing the
反応ガスを供給することにより、触媒層23表面からカーボンナノチューブ束24が成長し始める。第1の段差26aの側壁面から受けるファンデルワールス力により第1の段差26aの側壁面に沿って鉛直方向に成長する。束24が第1の段差26aの上平面22aから突出すると屈曲し、第1の段差26aの上平面22aから受けるファンデルワールス力により第1の段差26aの上平面22aに沿って水平方向に成長する。その成長方向は第1の段差26aの側壁面に略直角な方向であり、この実施形態では、第2の段差26bの方向である。
By supplying the reaction gas, the
第2の段差26bの側壁面まで成長した後、第2の段差26bの側壁面から受けるファンデルワールス力により第2の段差26bの側壁面に沿って鉛直方向に成長する。束24が第2の段差26bの上平面22bから突出すると屈曲し、第2の段差26bの上平面22bから受けるファンデルワールス力により、第2の段差26bの上平面22bに沿って水平方向に成長する。その成長方向は第2の段差26bの側壁面に略直角な方向であり、この実施形態では、第3の段差26cの方向である。
After growing to the side wall surface of the
第3の段差26cの側壁面まで成長した後、第3の段差26cの側壁面から受けるファンデルワールス力により第3の段差26cの側壁面に沿って鉛直方向に成長する。束24が第3の段差26cの上平面22cから突出すると屈曲し、第3の段差26cの上平面22cから受けるファンデルワールス力により、第3の段差26cの上平面22cに沿って水平方向に成長する。その成長方向は第3の段差26cの側壁面に略直角な方向であり、この実施形態では、第4の段差26dの方向である。
After growing to the side wall surface of the
さらに、第4の段差26dの側壁面まで成長した後、第4の段差26dの側壁面から受けるファンデルワールス力により第4の段差26dの側壁面に沿って鉛直方向に成長する。束24が第3の段差26cの上平面22cから突出すると屈曲し、第4の段差26dの上平面22dから受けるファンデルワールス力により、第4の段差26dの上平面22dに沿って水平方向に成長する。その成長方向は第4の段差26dの側壁面に略直角な方向である。
Further, after growing up to the side wall surface of the
以上のように、本発明の第2の実施形態においては、基板24上の絶縁膜22に段差(開口部)26aを形成し、その段差26aの下に露出する基板21上であって段差26aの側壁面に隣接する領域に触媒層23を形成し、その触媒層23からカーボンナノチューブ束24を成長させている。
As described above, in the second embodiment of the present invention, the step (opening) 26a is formed in the insulating
これにより、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を形成することができる。 Thereby, hundreds to thousands of carbon nanotube bundles can be formed.
また、その絶縁膜22に形成された各段差26a乃至26dの上平面22a〜22dで水平方向に延びるカーボンナノチューブ束24を作製することができるので、それらのうち少なくとも何れか一を用いてトランジスタ及びダイオードを作製することができる。
In addition, since the
さらに、段差26a乃至26dの側壁面の向きを調整することでそのトランジスタやダイオードを基板21上の所望の位置に配置することが可能となる。
Further, by adjusting the direction of the side wall surfaces of the
以上により、基板21上の所望の位置に配置され、大きい電流を制御することができる高出力トランジスタなどを提供することが可能となる。
As described above, it is possible to provide a high-power transistor or the like that is disposed at a desired position on the
(第3の実施形態)
図7は、本発明の第3の実施形態に係る電子装置の構造を示す断面図である。
(Third embodiment)
FIG. 7 is a cross-sectional view showing the structure of an electronic device according to the third embodiment of the present invention.
図7において、図1と異なるところは、カーボンナノチューブ束4に2つの絶縁ゲート型電界効果トランジスタTr3、Tr4が隣接して形成されていること、各トランジスタTr4、Tr5のさらに上層にカーボンナノチューブ束からなる配線など35a〜35e、37a、37b、38が形成されていることである。図7において、図1と同じ符号で示すものは図1と同じものであり、新たな構成については以下に説明する。
7 differs from FIG. 1 in that two insulated gate field effect transistors Tr3 and Tr4 are formed adjacent to the
Tr3は、カーボンナノチューブ束4のチャネル領域の上に形成されたゲート絶縁膜31a及びゲート電極32aと、その束4のソース領域に接触するソース電極33bと、ドレイン領域に接触するドレイン電極33aとで構成される。Tr4は、カーボンナノチューブ束4のチャネル領域の上に形成されたゲート絶縁膜31b及びゲート電極32bと、その束4のソース領域に接触するソース電極33bと、その束4のドレイン領域に接触するドレイン電極33cとで構成される。ソース領域及びソース電極33bはTr4及びTr5で共通になっている。
Tr3 includes a
各トランジスタTr3、Tr4のさらに上層において、カーボンナノチューブ束を用いて多層配線化するため、Tr3及びTr4は第1の層間絶縁膜38により被覆されている。そして、第1の層間絶縁膜38に形成された開口部内に、Tr3及びTr4の各電極33a乃至33eから触媒層34a乃至34eを介してカーボンナノチューブ束35a乃至35eを成長させている。カーボンナノチューブ束35a乃至35eのうち、カーボンナノチューブ束35a、35c、35eは開口部から突出し、屈曲して成長し、第1の層間絶縁膜38の上表面に水平方向に延びる配線層を構成しており、カーボンナノチューブ束35b、35dは開口部の側壁面に沿って鉛直方向に成長し、プラグを構成している。
In the upper layer of each of the transistors Tr3 and Tr4, Tr3 and Tr4 are covered with a first
さらに、第1の層間絶縁膜38の上表面には、カーボンナノチューブ束35b、35dとそれぞれ接続する、表面に触媒層が形成された中継電極36a、36cが形成されている。さらに、中継電極36a、36cの間の第1の層間絶縁膜38の上表面に別の中継電極36bが形成されている。中継電極36a〜36cは、Tiパターン膜の側面及び上表面がCo膜(触媒層)で覆われている構造を有する。
Further, on the upper surface of the first
中継電極36aと中継電極36bの間にカーボンナノチューブ束からなる接続配線37aが形成され、中継電極36cと中継電極36bの間にカーボンナノチューブ束からなる接続配線37bが形成されている。接続配線37aを構成するカーボンナノチューブ束は、中継電極36aと中継電極36bの間に電界を印加して成長させられ、接続配線37bを構成するカーボンナノチューブ束は、中継電極36cと中継電極36bの間に電界を印加して成長させられる。
A connection wiring 37a made of a carbon nanotube bundle is formed between the
さらに上層に配線などを配置するため、中継電極36a、36b、36c及び接続配線37a、37bが第2の層間絶縁膜39により被覆され、その第2の層間絶縁膜39には中継電極36b上からカーボンナノチューブ束を成長させて形成したプラグ38が埋め込まれている。
Further, in order to dispose wirings and the like in the upper layer, the
上記絶縁膜38、39及び触媒層34a〜34eその他の各要素の材料として、それらの各要素に対応する第1の実施形態の要素の材料と同じものを用いることができる。
As the materials of the insulating
上記の多層配線構造のうち、カーボンナノチューブ束4とTr3及びTr4、さらにカーボンナノチューブ束35a〜35e、38は第1の実施形態の方法及びそれに準じた方法により作成することができる。また、カーボンナノチューブ束37a、37bは、現在よく知られた技術により作成することができる。
Among the multilayer wiring structure described above, the
以上のように、本発明の第3の実施形態によれば、第1及び第2の実施形態の方法を用いて、数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束を用いた多層配線構造が可能であるとともに、その多層配線構造内に数百乃至数千本のカーボンナノチューブ束で構成される高出力トランジスタなどを作製することができる。 As described above, according to the third embodiment of the present invention, a multilayer wiring structure using hundreds to thousands of carbon nanotube bundles is possible by using the methods of the first and second embodiments. In addition, it is possible to manufacture a high-power transistor or the like composed of hundreds to thousands of carbon nanotube bundles in the multilayer wiring structure.
以下、本発明の諸態様を、付記としてまとめて記載する。 Hereinafter, various aspects of the present invention will be collectively described as supplementary notes.
(付記1) 基板上に下地絶縁膜を形成する工程と、
前記下地絶縁膜の一部を除去して前記基板の一部領域を露出させる工程と、
前記露出した基板の一部領域のうち、前記下地絶縁膜の側壁面寄りの部分に触媒金属を形成する工程と、
前記触媒金属の表面から前記下地絶縁膜の前記側壁面と上表面に沿ってカーボンナノチューブ束を化学気相成長させる工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
(Appendix 1) A step of forming a base insulating film on a substrate;
Removing a portion of the base insulating film to expose a partial region of the substrate;
Forming a catalytic metal in a portion of the exposed substrate near the side wall surface of the base insulating film,
Chemical vapor deposition of carbon nanotube bundles from the surface of the catalytic metal along the side wall surface and the upper surface of the base insulating film;
A method for manufacturing an electronic device, comprising:
(付記2) 前記一部領域側が低くなる段差を前記下地絶縁膜に形成する工程を更に有し、
前記カーボンナノチューブを化学成長させる工程において、前記段差の側壁面から前記下地絶縁膜の上表面に沿って前記カーボンナノチューブを成長させることを特徴とする付記1に記載の電子装置の製造方法。
(Additional remark 2) It further has the process of forming the level | step difference in which the said partial region side becomes low in the said base insulating film,
2. The method of manufacturing an electronic device according to
(付記3) 前記下地絶縁膜の上表面の前記カーボンナノチューブの上に、ゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側の前記カーボンナノチューブの上に、ソース電極とドレイン電極とを形成する工程とを有することを特徴とする付記1に記載の電子装置の製造方法。
(Supplementary Note 3) A step of forming a gate electrode on the carbon nanotube on the upper surface of the base insulating film via a gate insulating film;
The method of manufacturing an electronic device according to
(付記4) 基板と、
前記基板の一部領域を除く領域に形成された下地絶縁膜と、
前記一部領域から前記下地絶縁膜の側壁面と上表面に沿って形成され、キャリアが通るカーボンナノチューブ束と、
を有することを特徴とする電子装置。
(Appendix 4) a substrate,
A base insulating film formed in a region excluding a partial region of the substrate;
A carbon nanotube bundle formed along the side wall surface and the upper surface of the base insulating film from the partial region,
An electronic device comprising:
(付記5) 前記下地絶縁膜の上表面の前記カーボンナノチューブの上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極の両側の前記カーボンナノチューブの上に形成されたソース電極及びドレイン電極とを有し、
前記カーボンナノチューブ、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極によりトランジスタが構成されたことを特徴とする付記4に記載の電子装置。
(Supplementary Note 5) A gate electrode formed on the carbon nanotube on the upper surface of the base insulating film via a gate insulating film;
A source electrode and a drain electrode formed on the carbon nanotubes on both sides of the gate electrode;
The electronic device according to
(付記6) 前記下地絶縁膜の上表面の前記カーボンナノチューブの上に間隔をおいて形成された対の電極を更に有し、
前記カーボンナノチューブ、前記対の電極により発光素子又はダイオードが構成されたことを特徴とする付記4に記載の電子装置。
(Additional remark 6) It further has a pair of electrodes formed on the carbon nanotube on the upper surface of the base insulating film at an interval,
The electronic device according to
(付記7) 前記トランジスタを覆い、前記ゲート電極、前記ソース電極、及び前記ドレイン電極のいずれかの上に開口部を備えた層間絶縁膜と、
前記開口内に上方向に成長したカーボンナノチューブ束よりなるプラグとを有することを特徴とする付記5に記載の電子装置。
(Supplementary Note 7) An interlayer insulating film that covers the transistor and includes an opening on any of the gate electrode, the source electrode, and the drain electrode;
The electronic device according to
(付記8) 前記プラグを構成する前記カーボンナノチューブ束は、前記開口部から突出し、屈曲して前記層間絶縁膜の上表面に延在することを特徴とする付記7に記載の電子装置。
(Supplementary note 8) The electronic device according to
(付記9) 前記層間絶縁膜の上表面に延在する前記カーボンナノチューブ束は、チャネル又は配線を構成することを特徴とする付記8に記載の電子装置。
(Additional remark 9) The said carbon nanotube bundle | flux extended on the upper surface of the said interlayer insulation film comprises a channel or wiring, The electronic device of
(付記10) 前記プラグの上に形成された触媒金属と、
前記触媒金属から前記層間絶縁膜上に横方向に成長したカーボンナノチューブ束よりなる配線又はチャネルとを有することを特徴とする付記7に記載の電子装置。
(Supplementary Note 10) Catalytic metal formed on the plug;
8. The electronic device according to
(付記11) 前記下地絶縁膜に、前記一部領域側が低くなる段差が形成されると共に、
前記カーボンナノチューブ束が、前記段差の側壁面から前記下地絶縁膜の上表面に沿って形成されたことを特徴とする付記4に記載の電子装置。
(Supplementary Note 11) In the base insulating film, a step is formed in which the partial region side is lowered, and
The electronic device according to
(付記12) 前記下地絶縁膜の上表面に沿って形成された前記カーボンナノチューブ束は、前記段差の側壁面に垂直な方向に延在することを特徴とする付記11に記載の電子装置。
(Additional remark 12) The said carbon nanotube bundle formed along the upper surface of the said base insulating film is extended in the direction perpendicular | vertical to the side wall surface of the said level | step difference, The electronic device of
1、21…基板、
2…下地絶縁膜、
2a〜2d…下地絶縁膜の切除部、
3、3a〜3d、23、34a〜34e…触媒層、
4、4a〜4d、24、35a〜35e、37a、37b…カーボンナノチューブ束、
5、9、22、25…絶縁膜、
6a、6b…開口部、
7、31a,31b…ゲート絶縁膜、
8、32a、32b…ゲート電極、
10a、33b…ソース電極、
10b、33a、33c…ドレイン電極、
22a〜22d…段差の上平面、
26a〜26d…段差、
36a〜36c…接続電極、
38、39…層間絶縁膜。
1, 21 ... substrate,
2 ... Underlying insulating film,
2a to 2d: excision of the base insulating film,
3, 3a-3d, 23, 34a-34e ... catalyst layer,
4, 4a-4d, 24, 35a-35e, 37a, 37b ... carbon nanotube bundle,
5, 9, 22, 25 ... insulating film,
6a, 6b ... opening,
7, 31a, 31b ... gate insulating film,
8, 32a, 32b ... gate electrodes,
10a, 33b ... source electrode,
10b, 33a, 33c ... drain electrode,
22a-22d ... the upper surface of the step,
26a-26d ... steps,
36a-36c ... connection electrode,
38, 39... Interlayer insulating film.
Claims (5)
前記基板の一部領域を除く領域に形成された下地絶縁膜と、
前記露出した基板の一部領域のうち、前記下地絶縁膜の側壁面寄りの部分に形成された触媒層と、
前記触媒層から前記下地絶縁膜の側壁面と上表面に沿って形成された、キャリアが通るカーボンナノチューブ束と、
を有することを特徴とする電子装置。 A substrate,
A base insulating film formed in a region excluding a partial region of the substrate;
Of the exposed partial region of the substrate, a catalyst layer formed in a portion near the side wall surface of the base insulating film;
A bundle of carbon nanotubes formed from the catalyst layer along the side wall surface and the upper surface of the base insulating film, through which carriers pass,
An electronic device comprising:
前記カーボンナノチューブ束が、前記段差の側壁面から前記絶縁膜の上表面に沿って形成されたことを特徴とする請求項1に記載の電子装置。 A step is formed in the base insulating film so that the partial region side is lowered,
The electronic device according to claim 1, wherein the carbon nanotube bundle is formed along the upper surface of the insulating film from a side wall surface of the step.
前記下地絶縁膜の一部を除去して前記基板の一部領域を露出させる工程と、
前記露出した前記基板の一部領域のうち、前記下地絶縁膜の側壁面寄りの部分に触媒金属を形成する工程と、
前記触媒金属の表面から前記下地絶縁膜の前記側壁面と上表面に沿ってカーボンナノチューブ束を化学気相成長させる工程と、
を有することを特徴とする電子装置の製造方法。 Forming a base insulating film on the substrate;
Removing a portion of the base insulating film to expose a partial region of the substrate;
Forming a catalytic metal in a portion of the exposed partial region of the substrate close to a side wall surface of the base insulating film;
Chemical vapor deposition of carbon nanotube bundles from the surface of the catalytic metal along the side wall surface and the upper surface of the base insulating film;
A method for manufacturing an electronic device, comprising:
前記カーボンナノチューブを化学成長させる工程において、前記段差の側壁面から前記下地絶縁膜の上表面に沿って前記カーボンナノチューブを成長させることを特徴とする請求項4に記載の電子装置の製造方法。 Further comprising the step of forming a step in the base insulating film that lowers the partial region side,
5. The method of manufacturing an electronic device according to claim 4, wherein, in the step of chemically growing the carbon nanotubes, the carbon nanotubes are grown along the upper surface of the base insulating film from the side wall surface of the step.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006141721A JP5135711B2 (en) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | Electronic device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP5135711B2 true JP5135711B2 (en) | 2013-02-06 |
Family
ID=38844265
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006141721A Active JP5135711B2 (en) | 2006-05-22 | 2006-05-22 | Electronic device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5135711B2 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4416376B2 (en) * | 2002-05-13 | 2010-02-17 | 富士通株式会社 | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP3804594B2 (en) * | 2002-08-02 | 2006-08-02 | 日本電気株式会社 | Catalyst supporting substrate, carbon nanotube growth method using the same, and transistor using carbon nanotubes |
JP4296769B2 (en) * | 2002-11-06 | 2009-07-15 | 株式会社デンソー | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP2006278502A (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Light emitting device and its manufacturing method |
-
2006
- 2006-05-22 JP JP2006141721A patent/JP5135711B2/en active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007311710A (en) | 2007-11-29 |
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