JP5132714B2 - 透過型液晶表示装置、プロジェクター及びデジタルカメラ - Google Patents
透過型液晶表示装置、プロジェクター及びデジタルカメラ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5132714B2 JP5132714B2 JP2010119143A JP2010119143A JP5132714B2 JP 5132714 B2 JP5132714 B2 JP 5132714B2 JP 2010119143 A JP2010119143 A JP 2010119143A JP 2010119143 A JP2010119143 A JP 2010119143A JP 5132714 B2 JP5132714 B2 JP 5132714B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- insulating film
- semiconductor layer
- island
- gate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 46
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 title 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 165
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 117
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 84
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 45
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 37
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 31
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 31
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 9
- 239000010408 film Substances 0.000 description 425
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 133
- 238000000034 method Methods 0.000 description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 description 42
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 39
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 35
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 25
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 25
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 20
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 19
- 239000002585 base Substances 0.000 description 18
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 18
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 17
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 14
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 14
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 13
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 9
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 9
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical class [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 8
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 8
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 7
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 6
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 6
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005247 gettering Methods 0.000 description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 4
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 4
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 3
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 3
- -1 polyparaphenylene vinylene Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000008187 granular material Substances 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- IUOOGQJPAJDLFV-UHFFFAOYSA-N 2,3-dihydroxybutanedioic acid;ethane-1,2-diol Chemical compound OCCO.OC(=O)C(O)C(O)C(O)=O IUOOGQJPAJDLFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 238000007725 thermal activation Methods 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78606—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device
- H01L29/78618—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure
- H01L29/78621—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile
- H01L29/78627—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with supplementary region or layer in the thin film or in the insulated bulk substrate supporting it for controlling or increasing the safety of the device characterised by the drain or the source properties, e.g. the doping structure, the composition, the sectional shape or the contact structure with LDD structure or an extension or an offset region or characterised by the doping profile with a significant overlap between the lightly doped drain and the gate electrode, e.g. GOLDD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
- H01L29/7866—Non-monocrystalline silicon transistors
- H01L29/78672—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor
- H01L29/78675—Polycrystalline or microcrystalline silicon transistor with normal-type structure, e.g. with top gate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13454—Drivers integrated on the active matrix substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78651—Silicon transistors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Description
そして、結晶質TFTは信頼性の面で依然LSIなどに用いられるMOSトランジスタ(単結晶半導体基板上に作製されるトランジスタ)に及ばないとされている。例えば、結晶質TFTにはオン電流の低下といった劣化現象が観測されることがあった。この原因はホットキャリア効果であり、ドレイン近傍の高電界によって発生したホットキャリアが劣化現象を引き起こすものと考えられていた。
本発明の実施形態を図1〜図3を用いて説明する。ここでは、画素部とその周辺に設けられる駆動回路のTFTを同時に作製する方法について説明する。
図1において、基板101には、無アルカリガラス基板や石英基板を使用することが望ましい。その他にもシリコン基板や金属基板の表面に絶縁膜を形成したものを基板としても良い。そして、基板101のTFTが形成される表面には、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、または窒酸化シリコン膜からなる下地膜102をプラズマCVD法やスパッタ法で100〜400nmの厚さに形成した。例えば下地膜102として、窒化シリコン膜102を25〜100nm、ここでは50nmの厚さに、酸化シリコン膜103を50〜300nm、ここでは150nmの厚さとした2層構造で形成すると良い。下地膜102は基板からの不純物汚染を防ぐために設けられるものであり、石英基板を用いた場合には必ずしも設けなくても良い。次に下地膜102の上に20〜100nmの厚さの、非晶質シリコン膜を公知の成膜法で形成した。非晶質シリコン膜は含有水素量にもよるが、好ましくは400〜550℃で数時間加熱して脱水素処理を行い、含有水素量を5atomic%以下として結晶化の工程を行うことが望ましい。また、非晶質シリコン膜をスパッタ法や蒸着法などの他の作製方法で形成しても良いが、膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物元素を十分低減させておくことが望ましい。ここでは、下地膜と非晶質シリコン膜とは、同じ成膜法で形成することが可能であるので両者を連続形成しても良い。下地膜を形成後、一旦大気雰囲気にさらされないようにすることで表面の汚染を防ぐことが可能となり、作製されるTFTの特性バラツキを低減させることができる。非晶質シリコン膜から結晶質シリコン膜を形成する工程は、公知のレーザー結晶化技術または熱結晶化の技術を用いれば良い。また、シリコンの結晶化を助長する触媒元素を用いて熱結晶化の方法で結晶質シリコン膜を作製しても良い。その他に、微結晶シリコン膜を用いても良いし、結晶質シリコン膜を直接堆積成膜しても良い。さらに、単結晶シリコンを基板上に貼りあわせるSOI(Silicon On Insulators)の公知技術を使用して結晶質シリコン膜を形成しても良い。こうして形成された結晶質シリコン膜の不要な部分をエッチング除去して、島状半導体層104〜106を形成した。結晶質シリコン膜のnチャネル型TFTが作製される領域には、しきい値電圧を制御するため、あらかじめ1×1015〜5×1017cm-3程度の濃度でボロン(B)を添加しておいても良い。次に、島状半導体層104〜106を覆って、酸化シリコン、窒酸化シリコン、または窒化シリコンを主成分とするゲート絶縁膜107を形成した。ゲート絶縁膜107は、10〜200nm、好ましくは50〜150nmの厚さに形成すれば良い。例えば、プラズマCVD法でN2OとSiH4を原料とした窒化酸化シリコン膜を75nm形成し、その後、酸素雰囲気中または酸素と塩酸の混合雰囲気中、800〜1000℃で熱酸化して115nmのゲート絶縁膜としても良い(図1(A))。
駆動回路のnチャネル型TFTに、LDD領域となる低濃度不純物領域を形成するために、島状半導体層104、106の全面と、島状半導体層105のチャネル形成領域をレジスト膜でマスク108〜111を形成した。このとき、島状半導体層の周辺の配線を形成する領域にもレジストマスクを形成しておいても良い。そして、n型を付与する不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成した。ここではフォスフィン(PH3)を用いたイオンドープ法でリン(P)を添加した。この工程では、ゲート絶縁膜107を通してその下の半導体層にリンを添加した。添加するリン濃度は、1×1016〜1×1019atoms/cm3の範囲にするのが好ましく、ここでは1×1018atoms/cm3とした。そして、島状半導体層105にリンが添加された第1の低濃度不純物領域112、113が形成された。
この第1の低濃度不純物領域はnチャネル型TFTにおいてLDD領域を形成するためのものであり、後にゲート電極との位置関係により、ゲート電極と重ならない第2の不純物領域と、ゲート電極と重なる第3の不純物領域とに区別される。
第1の導電膜114を、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、タングステン(W)から選ばれた元素を主成分とする導電性材料で10〜100nmの厚さに形成した。第1の導電層には、窒化タンタル(TaN)や窒化タングステン(WN)を用いることが望ましい。また、図示しないが、第1の導電膜の下にシリコン膜を2〜20nm程度の厚さで形成しておいても良い。さらに、第1の導電膜114上に第2の導電膜115をTa、Ti、Mo、Wから選ばれた元素を主成分とする導電性材料で、100〜400nmの厚さに形成した。例えば、Taを200nmの厚さに形成すれば良い(図1(C))。
従って、第1の導電膜114を10〜50nmの厚さでTaN膜で形成しておいても良い。Ta膜は抵抗率を10〜50μΩcmの範囲ですることが好ましい。
レジストマスク116〜119を形成し、第1の導電膜と第2の導電膜の一部をエッチング除去して、pチャネル型TFTのゲート電極120、ゲート配線122、123を形成した。nチャネル型TFTのゲート電極は後の工程で形成するため、第1の導電膜と第2の導電膜が半導体層105、106上の全面で残るようにした。そして、レジストマスク116〜119をそのまま残してマスクとし、pチャネル型TFTが形成される半導体層104の一部に、p型を付与する不純物元素を添加するの工程を行った。ここではボロンをその不純物元素として、ジボラン(B2H6)を用いてイオンドープ法で添加した。ここでは2×1020atoms/cm3の濃度にボロンを添加した。そして、図2(A)に示すようにボロンが高濃度に添加された第5の不純物領域125、126が形成された。また、この工程において、レジストマスク116〜119を使用してゲート絶縁膜107の一部をエッチング除去して、島状半導体層104の一部を露出させた後、p型を付与する不純物元素を添加するの工程を行っても良い。
レジストマスク127〜130を形成し、nチャネル型TFTのゲート電極131、132を形成した。このときゲート電極131は低濃度不純物領域112、113と一部が重なるように形成した(図2(B))。
レジストマスク134〜136を形成し、nチャネル型TFTにおいて、ソース領域またはドレイン領域として機能する第1の不純物領域を形成する工程を行なった。レジストマスク136はnチャネル型TFTのゲート電極132を覆う形で形成された。これは、画素部のnチャネル型TFTにおいて、オフセットLDD領域となる第4の不純物領域を形成するために設けた。そして、n型を付与する不純物元素を添加して第1の不純物領域139〜143を形成した。ここでも、フォスフィン(PH3)を用いたイオンドープ法で行い、この領域のリンの濃度は1×1019〜1×1021atoms/cm3とするのが好ましく、ここでは1×1020atoms/cm3とした。また、同時に島状半導体層104のボロンが添加されている領域125、126の一部にもリンが添加された領域137、138が形成された(図2(C))。
画素部のnチャネル型TFTの、LDD領域となる低濃度不純物領域(本発明では第4の不純物領域と記す)を島状半導体層106に形成するためにn型を付与する不純物元素を添加する工程を行った。添加するリン濃度は、第1の低濃度不純物領域と同程度かそれより少なくするのが好ましく、ここでは2×1017atoms/cm3とした。そして、島状半導体層にリンが添加された第2の低濃度不純物領域144〜147を形成した(図3(A))。
ゲート絶縁膜、ゲート電極上の全面に(島状半導体層104〜106の一部が露出されている場合にはその上面にも)第1の層間絶縁膜148を形成した。第1の層間絶縁膜は窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒酸化シリコン膜で形成すれば良い。また、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜または窒酸化シリコン膜の2層構造としても良い(図示せず)。いずれにしても、第1の層間絶縁膜は500〜1000nmの厚さとなるように形成すれば良い。その後、それぞれの濃度で添加されたn型またはp型を付与する不純物元素を活性化するための熱処理の工程を行った。この工程は、電気加熱炉を用いた熱アニール法や、ハロゲンランプを用いたラピットサーマルアニール法(RTA法)で行うことができる。ここでは熱アニール法で活性化の工程を行った。加熱処理は、窒素雰囲気中において300〜700℃、好ましくは350〜550℃、例えば525℃、2時間の熱処理を行った。この処理で、半導体層の結晶化の工程でシリコンの結晶化を助長する触媒元素を用いて熱結晶化の方法で結晶質シリコン膜を作製した場合には、その触媒元素をリンを添加した領域に偏析させるゲッタリング効果が同時に得られ、チャネル形成領域から触媒元素を除去することができた。さらに、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜450℃で1〜12時間の熱処理を行い、島状半導体層を水素化する工程を行った。この工程は、プラズマ水素化法を用い、プラズマ化されることにより生成された水素雰囲気中で200〜450℃の熱処理を行っても良い(図3(B))。
第1の層間絶縁膜148にはその後、それぞれのTFTのソース領域と、ドレイン領域に達するコンタクトホールが形成された。そして、ソース配線149、150、151と、ドレイン配線152、153を形成した。図示していないが、本実施例ではこの電極を、Ti膜を100nm、Tiを含むAl膜300nm、Ti膜150nmをスパッタ法で連続して形成した3層構造の電極として用いた。そして、第1の層間絶縁膜、ソース配線、ドレイン配線、およびそれぞれの配線電極上にパッシベーション膜154を形成した。パッシベーション膜154は、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、または窒酸化シリコン膜で50〜500nmの厚さで形成した。その後、この状態で水素化処理を行うとTFTの特性向上に対して好ましい結果が得られた。例えば、3〜100%の水素を含む雰囲気中で、300〜450℃で1〜12時間の熱処理を行うと良く、あるいはプラズマ水素化法を用い、プラズマ化されることにより生成された水素雰囲気中で200〜450℃の熱処理を行っても同様の効果が得られた。その後、有機樹脂からなる第2の層間絶縁膜155を約1000nmの厚さに形成した。有機樹脂膜としては、ポリイミド、アクリル、ポリイミドアミド等を使用することができる。
有機樹脂膜を用いることの利点は、成膜方法が簡単である点や、比誘電率が低いので、寄生容量を低減できる点、平坦性に優れる点などが上げられる。なお上述した以外の有機樹脂膜を用いることもできる。ここでは、基板に塗布後、熱重合するタイプのポリイミドを用い、300℃で焼成して形成した。
画素部の第2の層間絶縁膜上に遮光膜156を形成した。遮光膜156はアルミニウム(Al)、チタン(Ti)、タンタル(Ta)から選ばれた元素を主成分とする膜で100〜300nmの厚さに形成した。そしてこの部分に保持容量を形成する目的で、遮光膜156上に誘電体膜157を50〜200nmの厚さで形成した。この誘電体膜157は、陽極酸化法を用いて遮光膜156の表面に形成された酸化膜を用いても良い。その他にも酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒酸化シリコン膜やDLC(Diamond like carbon)膜やポリイミド膜を用いても良い。しかしながら、例えばポリイミドの比誘電率3〜4に対して陽極酸化法で作製された酸化Alの比誘電率は7〜9であるので、少ない面積で大きな容量を形成する目的には後者の方が非常に適していた。
アクティブマトリクス基板の画素部のnチャネル型TFTに接続される保持容量の他の構成について説明する。図4は実施形態1と同様にして作製されたアクティブマトリクス基板の画素部の断面構造図を示す。
図5は画素部のnチャネル型TFTに接続される保持容量の他の構成について示している。図5(A)は実施形態1と同様にして作製された画素部のnチャネル型TFTである。基板501上に下地膜502、503が形成され、島状半導体層504には第1の不純物領域と第4の不純物領域が形成されている。ゲート絶縁膜505上にはゲート電極506が形成され、第1の層間絶縁膜507上にはソース配線508、ドレイン配線509が形成されている。さらに、パッシベーション膜510、第2の層間絶縁膜上に遮光膜512、有機樹脂で形成したスペーサー513を形成した。その後、図5(B)のように陽極酸化法で遮光膜の表面に誘電体膜514を形成した。そして、図5(C)のようにパッシベーション膜510に設けられた開孔515、第2の層間絶縁膜511に設けられた開孔516、スペーサー513に設けられた開口517で、画素電極518がドレイン配線509に接続されている。保持容量521は遮光膜512、誘電体膜514、画素電極518が重なる部分で形成されている。このようにスペーサー513を設けることにより、遮光膜と画素電極との間で発生するショートを防止することができ、また、遮光膜512の表面に誘電体膜514を形成するときに端部への回り込みを防止することができる。
窒酸化シリコン膜602aは、SiH4とN2OとNH3から作製されるものであり、含有する窒素濃度を25atomic%以上50atomic%未満となるようにした。
その後、窒素雰囲気中で450〜650℃の熱処理を施し、窒酸化シリコン膜602aを緻密化した。さらに窒酸化シリコン膜602bを100〜500nm、代表的には200nmの厚さに形成し、連続して非晶質半導体膜(図示せず)を20〜80nmの厚さに形成した。そして公知の結晶化の方法により結晶質シリコン膜を形成した(図示せず)。結晶質シリコン膜の不要な部分はエッチング除去され、島状の結晶質半導体膜603〜606が形成され、さらにゲート絶縁膜607が形成された。ゲート絶縁膜607は、SiH4とN2Oとから作製される窒酸化シリコン膜であり、ここでは10〜200nm、好ましくは50〜150nmの厚さで形成した(図6(A))。
TaN膜とTa膜のエッチングはCF4とO2の混合ガスにより行うことができた。そして、レジストマスク620〜625をそのまま残して、pチャネル型TFTが形成される島状半導体層603の一部に、p型を付与する不純物元素を添加する工程を行った。ここではボロンをその不純物元素として、ジボラン(B2H6)を用いてイオンドープ法で添加した。この領域のボロン濃度は2×1020atoms/cm3とした。そして、図7(A)に示すようにボロンが高濃度に添加された第5の不純物領域633、634が形成された。
画素電極676は、酸化Al膜673を介して遮光膜672上まで延在して形成され、画素電極676が遮光膜672と重なる領域で保持容量700が形成された。以上の工程で、画素部とその周辺に設けられる駆動回路のTFTが同一基板上に形成されたアクティブマトリクス基板が作製された(図8(C))。
一方、nチャネル型TFT702には、チャネル形成領域680、ソース領域となる第1の不純物領域681、ドレイン領域となる第1の不純物領域682、第1の低濃度不純物領域からゲート電極と重なりLDD領域となる第3の不純物領域683、684が形成された。このnチャネル型TFTはシフトレジスタ回路やバッファ回路に適している。
また、nチャネル型TFT703には、チャネル形成領域685、ソース領域となる第1の不純物領域686、ドレイン領域となる第1の不純物領域687、第1の低濃度不純物領域からゲート電極と重なりLDD領域となる第3の不純物領域688a、689aとゲート電極と重ならないLDD領域となる第2の不純物領域688b、689bが形成された。このようなnチャネル型TFTは、アナログスイッチが形成されるサンプリング回路に適していた。
画素部のnチャネル型TFT704には、チャネル形成領域690、691、第1の不純物領域692、696、第2の低濃度不純物領域からゲート電極と重ならないLDD領域となる第4の不純物領域693〜695が形成された。
また、図11で示すA―A'に沿った断面構造は、図8に示す画素部のA―A'断面図に対応している。
、コバルト(Co)、白金(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、といった元素であった。非晶質半導体層の内部応力は、作製条件により一様に決まるものではなかった。しかし、結晶化の工程に先立って400〜600℃の熱処理の工程を行い水素を膜中から脱離させる必要があった(図16(A))。そして、500〜600℃で4〜12時間、例えば550℃で8時間の熱処理を行い、結晶質半導体層1605が形成された(図16(B))。
この状態で、窒素雰囲気中で550〜800℃、5〜24時間、例えば600℃、12時間の熱処理を行うと、リン含有領域1608がゲッタリングサイトとして働き、結晶質半導体層1605に残存していた触媒元素をリン含有領域1608に偏析させることができた(図16(D))。そして、マスク絶縁膜膜1606と、リン含有領域1608とをエッチングして除去することにより、結晶化の工程で使用した触媒元素の濃度を1×1017atms/cm3以下にまで低減された結晶質半導体層を得ることができた。そして、島状半導体層1609に密接してゲート絶縁膜1610を形成した(図16(E))。
こうして形成された結晶質半導体層1707は棒状または針状の結晶が集合して成り、その各々の結晶は巨視的に見ればある特定の方向性をもって成長しているため、結晶性が揃っているという利点があった(図17(B))。
本発明は表示装置2414やその他の信号制御回路に適用することができる。
勿論、単色発光のEL表示装置とすることもできる。
、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、PVB(ポリビニルブチラル)またはEVA(エチレンビニルアセテート)を用いることができる。この充填材6004の内部に乾燥剤を設けておくと、吸湿効果を保持できるので好ましい。
板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムを用いることができる。なお、充填材6004としてPVBやEVAを用いる場合、数十μmのアルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることが好ましい。
を用いることができる。この充填材6004の内部に乾燥剤を設けておくと、吸湿効果を保持できるので好ましい。
板、PVF(ポリビニルフルオライド)フィルム、マイラーフィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリルフィルムを用いることができる。なお、充填材6004としてPVBやEVAを用いる場合、数十μmのアルミニウムホイルをPVFフィルムやマイラーフィルムで挟んだ構造のシートを用いることが好ましい。
に、回路図を図24(B)に示す。図23、図24(A)及び図24(B)では共通の符号を用いるので互いに参照すれば良い。
を設ける本発明の構造は極めて有効である。
画素電極3043としてはアルミニウム合金膜、銅合金膜または銀合金膜など低抵抗な導電膜またはそれらの積層膜を用いることが好ましい。勿論、他の導電膜との積層構造としても良い。
に示すように画素電極3043は画素の面積にほぼ一致するため、画素全体がEL素子として機能する。従って、発光の利用効率が非常に高く、明るい画像表示が可能となる。
を有している。この重なり合った領域には一般的にゲート容量と呼ばれる寄生容量が形成されるが、本実施例ではこの寄生容量をコンデンサ3004の代わりとして積極的に用いる点に特徴がある。
図28(A)はLov=2μmとしたときのチャネル長に対する発振周波数の変化を、注入した不純物元素の活性化条件をパラメータとして示している。チャネル長の増加と共に発振周波数は低下するが、活性化条件にはあまり依存していない。ゲート電極とオーバーラップするLDD構造を設けると、その部分による寄生容量の増加により動作周波数の低下が懸念される。しかし、図28(B)で示すように、チャネル長6μmとしてLovの値を1〜3μmまで変化させると、Lovの長さ依存性は観測されるものの、8〜12MHzの周波数で発振させることが可能であり、実用上何ら問題ないことが判明した。
102、103 下地膜
104〜106 半導体層
107 ゲート絶縁膜
120、131、132 ゲート電極
122、123 配線電極
148 第1の層間絶縁膜
149、150、151 ソース配線
152、153 ドレイン配線
154 パッシベーション膜
155 第2の層間絶縁膜
156 遮光膜
157 誘電体膜
160 画素電極
162、163 第5の不純物領域
166、165、171〜173 第1の不純物領域
167、168 第3の不純物領域
174〜177 第4の不純物領域
Claims (7)
- 同一の石英基板上に、駆動回路と画素部とを有し、
前記駆動回路は、
前記石英基板上の下地膜と、
前記下地膜上の結晶性シリコンからなる第1の島状半導体層と、前記第1の島状半導体層上の第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上の第1のゲート電極と、を有する第1の駆動TFTと、
前記下地膜上の結晶性シリコンからなる第2の島状半導体層と、前記第2の島状半導体層上の第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有する第2の駆動TFTと、を有し、
前記画素部は、
前記石英基板上の前記下地膜と、
前記下地膜上の結晶性シリコンからなる第3の島状半導体層と、前記第3の島状半導体層上の第3のゲート絶縁膜と、前記第3のゲート絶縁膜上の第3のゲート電極と、を有する画素TFTと、を有し、
前記第1の島状半導体層は、前記第1のゲート絶縁膜を挟んで前記第1のゲート電極と全部が重なるように配置されたLDD領域を有し、
前記第2の島状半導体層は、前記第2のゲート絶縁膜を挟んで前記第2のゲート電極と一部が重なるように配置されたLDD領域を有し、
前記第3の島状半導体層は、前記第3のゲート絶縁膜を挟んで前記第3のゲート電極と重ならないように配置されたLDD領域を有し、
前記第1の駆動TFT、前記第2の駆動TFT及び前記画素TFTを覆うように、第1の層間絶縁膜を有し、
前記第1の層間絶縁膜上にパッシべーション膜を有し、
前記パッシべーション膜上に平坦性を有する第2の層間絶縁膜を有し、
前記第3の島状半導体層は、前記第3の島状半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極の一方を介して、ITOからなる画素電極と電気的に接続することを特徴とする透過型液晶表示装置。 - 同一の石英基板上に、駆動回路と画素部とを有し、
前記駆動回路は、
前記石英基板上の酸化シリコンからなる下地膜と、
前記下地膜上の結晶性シリコンからなる第1の島状半導体層と、前記第1の島状半導体層上の第1のゲート絶縁膜と、前記第1のゲート絶縁膜上の第1のゲート電極と、を有する第1の駆動TFTと、
前記下地膜上の結晶性シリコンからなる第2の島状半導体層と、前記第2の島状半導体層上の第2のゲート絶縁膜と、前記第2のゲート絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有する第2の駆動TFTと、を有し、
前記画素部は、
前記石英基板上の前記下地膜と、
前記下地膜上の結晶性シリコンからなる第3の島状半導体層と、前記第3の島状半導体層上の第3のゲート絶縁膜と、前記第3のゲート絶縁膜上の第3のゲート電極と、を有する画素TFTと、を有し、
前記第1の島状半導体層は、前記第1のゲート絶縁膜を挟んで前記第1のゲート電極と全部が重なるように配置されたLDD領域を有し、
前記第2の島状半導体層は、前記第2のゲート絶縁膜を挟んで前記第2のゲート電極と一部が重なるように配置されたLDD領域を有し、
前記第3の島状半導体層は、前記第3のゲート絶縁膜を挟んで前記第3のゲート電極と重ならないように配置されたLDD領域を有し、
前記第1の駆動TFT、前記第2の駆動TFT及び前記画素TFTを覆うように、酸化シリコンからなる第1の層間絶縁膜を有し、
前記第1の層間絶縁膜上に酸化シリコンからなるパッシべーション膜を有し、
前記パッシべーション膜上に平坦性を有する第2の層間絶縁膜を有し、
前記第3の島状半導体層は、前記第3の島状半導体層と電気的に接続するソース電極及びドレイン電極の一方を介して、ITOからなる画素電極と電気的に接続することを特徴とする透過型液晶表示装置。 - 請求項1又は2において、前記第2の層間絶縁膜は有機樹脂膜であることを特徴とする透過型液晶表示装置。
- 請求項1乃至3のいずれか一項において、前記画素TFTは保持容量に電気的に接続されていることを特徴とする透過型液晶表示装置。
- 請求項4において、前記保持容量は、第1の電極、第2の電極及び誘電体膜からなり、前記誘電体膜は窒化シリコン膜であることを特徴とする透過型液晶表示装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載された透過型液晶表示装置と、光源、ミラー、及びプリズムを有するプロジェクター。
- 請求項1乃至5のいずれか一項に記載された透過型液晶表示装置と、接眼部、操作スイッチを有するデジタルカメラ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010119143A JP5132714B2 (ja) | 1999-02-12 | 2010-05-25 | 透過型液晶表示装置、プロジェクター及びデジタルカメラ |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3362399 | 1999-02-12 | ||
JP1999033623 | 1999-02-12 | ||
JP2010119143A JP5132714B2 (ja) | 1999-02-12 | 2010-05-25 | 透過型液晶表示装置、プロジェクター及びデジタルカメラ |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000033377A Division JP4549475B2 (ja) | 1999-02-12 | 2000-02-10 | 半導体装置、電子機器、および半導体装置の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010192936A JP2010192936A (ja) | 2010-09-02 |
JP5132714B2 true JP5132714B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=32843997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010119143A Expired - Fee Related JP5132714B2 (ja) | 1999-02-12 | 2010-05-25 | 透過型液晶表示装置、プロジェクター及びデジタルカメラ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US6777716B1 (ja) |
JP (1) | JP5132714B2 (ja) |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6277679B1 (en) | 1998-11-25 | 2001-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing thin film transistor |
US6524895B2 (en) * | 1998-12-25 | 2003-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6777716B1 (en) * | 1999-02-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and method of manufacturing therefor |
US6576926B1 (en) | 1999-02-23 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US6531713B1 (en) * | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
EP1041641B1 (en) | 1999-03-26 | 2015-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | A method for manufacturing an electrooptical device |
US6346730B1 (en) | 1999-04-06 | 2002-02-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device having a pixel TFT formed in a display region and a drive circuit formed in the periphery of the display region on the same substrate |
TW444257B (en) * | 1999-04-12 | 2001-07-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method for fabricating the same |
US6952020B1 (en) | 1999-07-06 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
TW459275B (en) * | 1999-07-06 | 2001-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6777254B1 (en) | 1999-07-06 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US6580094B1 (en) | 1999-10-29 | 2003-06-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro luminescence display device |
US6559594B2 (en) | 2000-02-03 | 2003-05-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP2001318627A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置 |
US6664732B2 (en) * | 2000-10-26 | 2003-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
US6825496B2 (en) | 2001-01-17 | 2004-11-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
SG103846A1 (en) * | 2001-02-28 | 2004-05-26 | Semiconductor Energy Lab | A method of manufacturing a semiconductor device |
JP3961240B2 (ja) * | 2001-06-28 | 2007-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6952023B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP3810725B2 (ja) | 2001-09-21 | 2006-08-16 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電子機器 |
TWI242680B (en) * | 2002-07-30 | 2005-11-01 | Hitachi Displays Ltd | Liquid crystal display device |
US20040227197A1 (en) * | 2003-02-28 | 2004-11-18 | Shinji Maekawa | Composition of carbon nitride, thin film transistor with the composition of carbon nitride, display device with the thin film transistor, and manufacturing method thereof |
US7238963B2 (en) * | 2003-04-28 | 2007-07-03 | Tpo Displays Corp. | Self-aligned LDD thin-film transistor and method of fabricating the same |
US20050074914A1 (en) * | 2003-10-06 | 2005-04-07 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Semiconductor device and method of fabrication the same |
US20050258488A1 (en) * | 2004-04-27 | 2005-11-24 | Toppoly Optoelectronics Corp. | Serially connected thin film transistors and fabrication methods thereof |
KR101034744B1 (ko) * | 2004-06-25 | 2011-05-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치의 박막트랜지스터 구조 |
KR20060019845A (ko) * | 2004-08-30 | 2006-03-06 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자 방출 소자 |
US7538828B2 (en) * | 2005-01-10 | 2009-05-26 | Advantech Global, Ltd | Shadow mask deposition system for and method of forming a high resolution active matrix liquid crystal display (LCD) and pixel structures formed therewith |
GB0506899D0 (en) * | 2005-04-05 | 2005-05-11 | Plastic Logic Ltd | Multiple conductive layer TFT |
WO2006126423A1 (ja) * | 2005-05-27 | 2006-11-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | 薄膜トランジスタ基板及びそれを備えた液晶表示装置、並びに薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
JP4675680B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-04-27 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
US8076570B2 (en) | 2006-03-20 | 2011-12-13 | Ferro Corporation | Aluminum-boron solar cell contacts |
US8575474B2 (en) * | 2006-03-20 | 2013-11-05 | Heracus Precious Metals North America Conshohocken LLC | Solar cell contacts containing aluminum and at least one of boron, titanium, nickel, tin, silver, gallium, zinc, indium and copper |
US7863612B2 (en) * | 2006-07-21 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and semiconductor device |
JP4548408B2 (ja) * | 2006-11-29 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
WO2008134417A1 (en) * | 2007-04-25 | 2008-11-06 | Ferro Corporation | Thick film conductor formulations comprising silver and nickel or silver and nickel alloys and solar cells made therefrom |
US8803781B2 (en) * | 2007-05-18 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and display device |
TWI361019B (en) * | 2007-05-22 | 2012-03-21 | Chimei Innolux Corp | System for displaying images including active-matr |
WO2009096148A1 (ja) * | 2008-01-29 | 2009-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | 半導体装置及びその製造方法 |
CN101946328B (zh) * | 2008-05-12 | 2012-10-10 | 夏普株式会社 | 具备薄膜晶体管的光传感器电路和显示装置 |
US8357977B2 (en) * | 2008-10-27 | 2013-01-22 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method for manufacturing same |
US8114720B2 (en) | 2008-12-25 | 2012-02-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US8471973B2 (en) * | 2009-06-12 | 2013-06-25 | Au Optronics Corporation | Pixel designs of improving the aperture ratio in an LCD |
US8680515B2 (en) * | 2011-05-03 | 2014-03-25 | Xerox Corporation | Digital marking using a bipolar imaging member |
CN103718233B (zh) * | 2011-05-13 | 2017-05-17 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
JP2013050509A (ja) * | 2011-08-30 | 2013-03-14 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP5906132B2 (ja) | 2012-05-09 | 2016-04-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
JP6074938B2 (ja) * | 2012-07-27 | 2017-02-08 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及び電子機器 |
KR102000591B1 (ko) * | 2013-06-21 | 2019-07-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 |
US9680026B2 (en) | 2013-09-13 | 2017-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having gate electrode overlapping semiconductor film |
JP2016085400A (ja) * | 2014-10-28 | 2016-05-19 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
KR102456077B1 (ko) | 2015-06-22 | 2022-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판의 제조방법 |
JP6725335B2 (ja) | 2016-06-20 | 2020-07-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 半導体装置 |
KR20210022187A (ko) | 2019-08-19 | 2021-03-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN115128873B (zh) * | 2021-03-29 | 2023-12-05 | 株式会社日本显示器 | 显示装置及显示装置的阵列基板 |
JP2023076275A (ja) * | 2021-11-22 | 2023-06-01 | シャープディスプレイテクノロジー株式会社 | アクティブマトリクス基板および液晶表示装置 |
Family Cites Families (54)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3307150B2 (ja) * | 1995-03-20 | 2002-07-24 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
JPH0434968A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Mitsubishi Electric Corp | 相補型電界効果トランジスタおよびその製造方法 |
JPH04369271A (ja) | 1991-06-17 | 1992-12-22 | Casio Comput Co Ltd | 薄膜トランジスタ |
JP2731056B2 (ja) | 1991-10-09 | 1998-03-25 | シャープ株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
JP2650543B2 (ja) | 1991-11-25 | 1997-09-03 | カシオ計算機株式会社 | マトリクス回路駆動装置 |
DE69318202T2 (de) * | 1992-02-20 | 1998-11-12 | Matsushita Electronics Corp | Festkörperbildaufnahme-Vorrichtung und Herstellungsverfahren |
US5302966A (en) * | 1992-06-02 | 1994-04-12 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Active matrix electroluminescent display and method of operation |
DE69327028T2 (de) * | 1992-09-25 | 2000-05-31 | Sony Corp | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung |
JP2924506B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
US5541747A (en) * | 1992-11-19 | 1996-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device utilizing a liquid crystal having a spontaneous polarization |
JPH0730125A (ja) | 1993-07-07 | 1995-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
US5594569A (en) | 1993-07-22 | 1997-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid-crystal electro-optical apparatus and method of manufacturing the same |
US5801673A (en) * | 1993-08-30 | 1998-09-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method for driving the same |
TW297142B (ja) | 1993-09-20 | 1997-02-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
JP3212060B2 (ja) * | 1993-09-20 | 2001-09-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法 |
JP3431033B2 (ja) | 1993-10-29 | 2003-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体作製方法 |
TW264575B (ja) | 1993-10-29 | 1995-12-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US5923962A (en) | 1993-10-29 | 1999-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor device |
US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US6433361B1 (en) | 1994-04-29 | 2002-08-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor integrated circuit and method for forming the same |
JP3599827B2 (ja) * | 1994-05-20 | 2004-12-08 | 三菱電機株式会社 | アクティブマトリクス液晶ディスプレイの製法 |
DE19500380C2 (de) | 1994-05-20 | 2001-05-17 | Mitsubishi Electric Corp | Aktivmatrix-Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür |
JP3312083B2 (ja) | 1994-06-13 | 2002-08-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6773971B1 (en) | 1994-07-14 | 2004-08-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device having lightly-doped drain (LDD) regions |
US6906383B1 (en) | 1994-07-14 | 2005-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
JP3326013B2 (ja) | 1994-07-14 | 2002-09-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6011607A (en) | 1995-02-15 | 2000-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Active matrix display with sealing material |
US5706064A (en) * | 1995-03-31 | 1998-01-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LCD having an organic-inorganic hybrid glass functional layer |
JP3948034B2 (ja) * | 1995-09-06 | 2007-07-25 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置とその製造方法、及びアクティブマトリクス基板 |
JP3184771B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-07-09 | キヤノン株式会社 | アクティブマトリックス液晶表示装置 |
JPH09171196A (ja) | 1995-10-16 | 1997-06-30 | Sharp Corp | 液晶表示装置 |
US5917563A (en) | 1995-10-16 | 1999-06-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device having an insulation film made of organic material between an additional capacity and a bus line |
JP3216502B2 (ja) * | 1995-10-16 | 2001-10-09 | 株式会社日立製作所 | Cmos薄膜半導体装置及びその製造方法 |
US5815226A (en) * | 1996-02-29 | 1998-09-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of fabricating same |
US5869378A (en) * | 1996-04-26 | 1999-02-09 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of reducing overlap between gate electrode and LDD region |
JP3525316B2 (ja) | 1996-11-12 | 2004-05-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス型表示装置 |
JP4401448B2 (ja) | 1997-02-24 | 2010-01-20 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP3973787B2 (ja) * | 1997-12-31 | 2007-09-12 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US6323490B1 (en) * | 1998-03-20 | 2001-11-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | X-ray semiconductor detector |
JP3592535B2 (ja) | 1998-07-16 | 2004-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6524895B2 (en) | 1998-12-25 | 2003-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating the same |
US6576924B1 (en) | 1999-02-12 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having at least a pixel unit and a driver circuit unit over a same substrate |
US6777716B1 (en) * | 1999-02-12 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device and method of manufacturing therefor |
US6576926B1 (en) | 1999-02-23 | 2003-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
US6306694B1 (en) | 1999-03-12 | 2001-10-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process of fabricating a semiconductor device |
US6531713B1 (en) | 1999-03-19 | 2003-03-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and manufacturing method thereof |
US6281552B1 (en) | 1999-03-23 | 2001-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistors having ldd regions |
EP1041641B1 (en) | 1999-03-26 | 2015-11-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | A method for manufacturing an electrooptical device |
US6399988B1 (en) | 1999-03-26 | 2002-06-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Thin film transistor having lightly doped regions |
US6512504B1 (en) | 1999-04-27 | 2003-01-28 | Semiconductor Energy Laborayory Co., Ltd. | Electronic device and electronic apparatus |
US6534826B2 (en) | 1999-04-30 | 2003-03-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6952020B1 (en) | 1999-07-06 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US6777254B1 (en) | 1999-07-06 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and fabrication method thereof |
-
2000
- 2000-02-11 US US09/502,675 patent/US6777716B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-09 US US10/913,415 patent/US8023042B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-05-25 JP JP2010119143A patent/JP5132714B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-09-13 US US13/230,997 patent/US8896777B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-09-29 US US14/499,313 patent/US8994887B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-03-06 US US14/640,045 patent/US9235095B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20120001244A1 (en) | 2012-01-05 |
US9235095B2 (en) | 2016-01-12 |
JP2010192936A (ja) | 2010-09-02 |
US20150014691A1 (en) | 2015-01-15 |
US6777716B1 (en) | 2004-08-17 |
US8023042B2 (en) | 2011-09-20 |
US20050007494A1 (en) | 2005-01-13 |
US20150177545A1 (en) | 2015-06-25 |
US8896777B2 (en) | 2014-11-25 |
US8994887B2 (en) | 2015-03-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5132714B2 (ja) | 透過型液晶表示装置、プロジェクター及びデジタルカメラ | |
JP4549475B2 (ja) | 半導体装置、電子機器、および半導体装置の作製方法 | |
US9910334B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method thereof | |
US9035314B2 (en) | Method for manufacturing an electrooptical device | |
JP4641582B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4869464B2 (ja) | 半導体装置およびその作製方法 | |
JP4850763B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4641586B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
JP4700159B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100526 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121025 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121030 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121106 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5132714 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |