JP5132695B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5132695B2 JP5132695B2 JP2010028017A JP2010028017A JP5132695B2 JP 5132695 B2 JP5132695 B2 JP 5132695B2 JP 2010028017 A JP2010028017 A JP 2010028017A JP 2010028017 A JP2010028017 A JP 2010028017A JP 5132695 B2 JP5132695 B2 JP 5132695B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- light source
- flash lamp
- flash
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 22
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 43
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 26
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 13
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims description 3
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 55
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 39
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 33
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 31
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 description 21
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 16
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 10
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 7
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 5
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 240000001973 Ficus microcarpa Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
図1は、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
図6は、本発明の第2の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。なお、前出した図と対応する部分には、前出した図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する(第3の実施形態以降も同様)。
図8は、本発明の第3の実施形態に係るMOSトランジスタの製造工程を示す断面図である。
図9は、本発明の第4の実施形態に係る半導体装置の製造工程を示す断面図である。
一方、図11から、リップル幅/平均光強度は、照射距離L=30mm前後および69mm前後において、十分に低い値となる。しかし、照射距離L=69mm前後では、光強度面内均一性σの値は、図10に示すように、大きくなってしまう。
本実施形態の半導体装置の製造方法が、従来のそれと異なる点は、フラッシュランプ光源5の1/2パルス幅が所定値(1m秒)以下に設定されることにある。
Claims (5)
- 単結晶Si領域を含むSiウェハであって、前記単結晶Si領域上に長手方向を有するラインパターンを含むパターンが設けられた前記Siウェハの上方に、光源としてフラッシュランプ光源またはレーザーを配置する工程と、
前記光源から放射された光により前記Siウェハを加熱する工程であって、前記光により前記Siウェハ上に形成される光強度分布が、前記単結晶Si領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向とは異なる方向において強度が最大値となる分布が形成されるように、前記Siウェハを加熱する工程と
を有し、前記単結晶Si領域の前記結晶方位が、前記単結晶Si領域の劈開面の面方位であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記Siウェハを加熱する工程は、ウェハ裏面側から予備加熱された状態で、前記光源から放射された光により前記Siウェハ表面側から加熱されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Siウェハを加熱する工程は第1の加熱処理及び第2の加熱処理を含み、前記第1の加熱処理と前記第2の加熱処理とでは、前記光により前記Siウェハ上に形成される光強度分布が、異なる方向において強度が最大値となる分布が形成されるように、前記Siウェハを加熱することを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フラッシュランプ光源は複数のフラッシュランプを含み、かつ、前記複数のフラッシュランプの配列方向が、前記単結晶Si領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向と異なる方向になるように、前記フラッシュ光源を前記Siウェハの上方に配置することを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記フラッシュランプ光源は複数のフラッシュランプを含み、かつ、前記複数のフラッシュランプの配列方向が、前記単結晶Si領域の結晶方位及び前記ラインパターンの長手方向と異なる方向になるように、前記フラッシュ光源を前記Siウェハの上方に配置することを特徴とし、
前記複数のフラッシュランプまたは前記Siウェハを回転させることにより、前記第1の加熱処理時における前記複数のフラッシュランプの配列方向と前記第2の加熱処理時における前記複数のフラッシュランプの配列方向とを異ならせることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010028017A JP5132695B2 (ja) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010028017A JP5132695B2 (ja) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007096869A Division JP4869130B2 (ja) | 2007-04-02 | 2007-04-02 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010153889A JP2010153889A (ja) | 2010-07-08 |
JP2010153889A5 JP2010153889A5 (ja) | 2012-01-19 |
JP5132695B2 true JP5132695B2 (ja) | 2013-01-30 |
Family
ID=42572536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010028017A Expired - Lifetime JP5132695B2 (ja) | 2010-02-10 | 2010-02-10 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5132695B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101829676B1 (ko) * | 2011-12-29 | 2018-02-20 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 열 처리 방법 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02185037A (ja) * | 1989-01-11 | 1990-07-19 | Nec Corp | 短時間熱処理装置 |
JPH03283608A (ja) * | 1990-03-30 | 1991-12-13 | Fujitsu Ltd | 半導体基板 |
JPH08288280A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Mitsubishi Materials Corp | トランジスタ構造 |
JP3783304B2 (ja) * | 1996-10-31 | 2006-06-07 | 住友電気工業株式会社 | Mbe装置におけるウエハのマウント方法 |
JP4019444B2 (ja) * | 1996-12-26 | 2007-12-12 | ソニー株式会社 | 半導体製造装置 |
JPH113868A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-06 | Nec Yamagata Ltd | ランプアニール装置およびランプアニール方法 |
CN1130756C (zh) * | 1998-02-13 | 2003-12-10 | 精工爱普生株式会社 | 半导体装置的制造方法及热处理装置 |
JP3531567B2 (ja) * | 2000-02-25 | 2004-05-31 | ウシオ電機株式会社 | 閃光照射加熱装置 |
JP2002305291A (ja) * | 2001-04-06 | 2002-10-18 | Hitachi Ltd | 半導体集積回路装置の製造方法 |
-
2010
- 2010-02-10 JP JP2010028017A patent/JP5132695B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010153889A (ja) | 2010-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3746246B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4342429B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4874830B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN100536167C (zh) | 半导体装置及其制造方法 | |
JP4825459B2 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
US8426285B2 (en) | Method of fabricating semiconductor device | |
JP2005142344A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 | |
JP4455441B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
US9646838B2 (en) | Method of forming a semiconductor structure including silicided and non-silicided circuit elements | |
JP2004063574A (ja) | 半導体装置の製造方法およびアニール装置 | |
US7981816B2 (en) | Impurity-activating thermal process method and thermal process apparatus | |
JP2005072045A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2006278532A (ja) | 熱処理方法及び半導体装置の製造方法 | |
JP2005167005A (ja) | 半導体基板の熱処理方法、半導体装置の製造方法、及び熱処理装置 | |
JP2010141103A (ja) | 半導体装置の製造方法および熱処理装置 | |
US7569455B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JP5132695B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4869130B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005101196A (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2006261695A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2002246329A (ja) | 半導体基板の極浅pn接合の形成方法 | |
JP5010352B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4372041B2 (ja) | 半導体装置の製造方法およびアニール装置 | |
JP4047322B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2005079110A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120808 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121009 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121106 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5132695 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151116 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |