JP5125886B2 - Organic electroluminescence device and method for producing the same - Google Patents
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Description
本発明は、陰極隔壁を有する有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法に関するものである。 The present invention relates to an organic electroluminescence device having a cathode barrier rib and a method for producing the same.
従来、有機エレクトロルミネッセンス（以下、エレクトロルミネッセンスをＥＬと略すことがある。）素子の製造方法として、陽極上に逆テーパー（逆台形）形状を有する絶縁性の隔壁を設け、その上から有機層および陰極を順に蒸着法により成膜することにより、陰極を分断する方法が知られている。
しかしながら、隔壁が一部欠損する場合や、隔壁の周囲にゴミやパーティクル（微粒子）等が付着している場合には、陰極を蒸着法により成膜すると、隔壁を隔てて隣り合う陰極が隔壁を乗り越えてつながってしまい、電気的に絶縁したい陰極間でショートするという問題がある。
Conventionally, as a method for producing an organic electroluminescence (hereinafter, electroluminescence may be abbreviated as EL) element, an insulating partition having a reverse taper (reverse trapezoidal) shape is provided on an anode, and an organic layer and A method of dividing the cathode by forming the cathode in order by vapor deposition is known.
However, in the case where a part of the partition wall is missing, or when dust or particles (fine particles) are attached around the partition wall, when the cathode is formed by vapor deposition, the adjacent cathodes across the partition wall form the partition wall. There is a problem of short-circuiting between cathodes that are over-connected and electrically insulated.
そこで、電気的に絶縁したい陰極間に複数の隔壁を並べて設けることにより、陰極を確実に分断する方法が提案されている（特許文献１および特許文献２参照）。
In view of this, a method has been proposed in which a plurality of partition walls are provided side by side between cathodes that are to be electrically insulated to reliably divide the cathodes (see
上記の陰極を分断するために隔壁を設ける方法において、有機層を蒸着法ではなく塗布法で成膜する場合、隔壁の側面にもインクが付着し、隔壁の周辺では有機層の厚みが厚くなることがある。このような場合、隔壁の周辺で有機層の厚みが厚いことにより、陰極を分断できなくなるおそれがある。 In the method of providing a partition to divide the cathode, when the organic layer is formed by a coating method instead of a vapor deposition method, ink adheres to the side of the partition, and the thickness of the organic layer increases around the partition. Sometimes. In such a case, there is a possibility that the cathode cannot be divided due to the thick organic layer around the partition wall.
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、有機層を塗布法で成膜する場合に、隔壁によって陰極を確実に分断することが可能な有機ＥＬ素子およびその製造方法を提供することを主目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above problems, and provides an organic EL device capable of reliably dividing a cathode by a partition when an organic layer is formed by a coating method, and a method for manufacturing the same. This is the main purpose.
上記目的を達成するために、本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域を画定する複数の絶縁性の隔壁とを有し、上記隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されている有機ＥＬ素子用基板上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記隔壁を構成する複数の上記小隔壁のうち発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側の端部での上記有機層の高さをｔ1、上記発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側とは反対側の端部での上記有機層の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように上記小隔壁の間隔が調整されていることを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法を提供する。 In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a substrate on which the first electrode layer is formed, and a plurality of second electrode layers. A plurality of insulating partition walls defining a partition region to be divided, and each of the partition walls is formed on a substrate for an organic EL element including a plurality of small partition walls provided in parallel at predetermined intervals. And an organic layer forming step of forming at least one organic layer among the organic layers constituting the organic EL layer including the light emitting layer by a printing method, a discharging method, or a transfer method, and a plurality of the above-described barrier ribs The height of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side of the small partition on the light emitting region side is t 1 , the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side when the height of the organic layer at the end opposite to the t 2 and, t 1> Intervals of the small partition wall to be 2 to provide a method for manufacturing an organic EL element characterized in that it is adjusted.
本発明によれば、隔壁の各々が所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成され、この小隔壁間の間隔がｔ1＞ｔ2となるように調整されており、有機層を印刷法、吐出法または転写法により形成するので、有機層形成用塗工液が小隔壁の発光領域側の側面に付着して隔壁の周辺で有機層の厚みが厚くなる場合であっても、小隔壁間に有機層形成用塗工液が入り込むのを抑制することが可能である。よって、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することが可能である。 According to the present invention, each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, and the spacing between the small partition walls is adjusted so that t 1 > t 2. Since the layer is formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method, the organic layer forming coating liquid adheres to the side surface of the small partition wall on the light emitting region side, and the thickness of the organic layer increases around the partition wall. Moreover, it is possible to suppress the organic layer forming coating liquid from entering between the small partition walls. Therefore, it is possible to reliably divide the second electrode layer and prevent a short circuit between the second electrode layers located with the partition wall interposed therebetween.
さらに、本発明においては、上記有機層形成工程後に、上記有機ＥＬ層上に、金属材料を成膜して第２電極層を形成する第２電極層形成工程を有することが好ましい。第２電極層の材料としては抵抗が低いものであればよく、金属材料が最も適しているからである。 Furthermore, in this invention, it is preferable to have a 2nd electrode layer formation process which forms a 2nd electrode layer by forming a metal material into a film on the said organic EL layer after the said organic layer formation process. This is because the second electrode layer may be made of a material having a low resistance, and a metal material is most suitable.
この際、上記金属材料の成膜方法が真空蒸着法であってもよい。真空蒸着法は、ドライプロセスで有機ＥＬ層へのダメージが少ない方法であり、積層に適しているからである。 At this time, the film forming method of the metal material may be a vacuum deposition method. This is because the vacuum deposition method is a method that causes little damage to the organic EL layer in a dry process and is suitable for stacking.
また、上記金属材料として金属ペーストを用いてもよい。ウェットプロセスはドライプロセスよりも大面積の対応に適しているからである。ウェットプロセスであっても、有機ＥＬ層に影響を与えない溶媒が配合された金属ペーストは使用可能である。 Further, a metal paste may be used as the metal material. This is because the wet process is more suitable for a larger area than the dry process. Even in the wet process, a metal paste containing a solvent that does not affect the organic EL layer can be used.
また、本発明は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域を画定する複数の絶縁性の隔壁と、上記隔壁間の上記第１電極層上に形成され、発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成され、上記隔壁により分断されている第２電極層とを有し、上記隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されており、上記隔壁を構成する複数の上記小隔壁のうち発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側の端部での上記第２電極層の高さをｔ3、上記発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側とは反対側の端部での上記第２電極層の高さをｔ4としたとき、ｔ3＞ｔ4であり、上記隔壁を挟んで隣接する上記第２電極層が互いに電気的に絶縁されていることを特徴とする有機ＥＬ素子を提供する。 Further, the present invention defines a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, and a dividing region formed on the substrate on which the first electrode layer is formed and dividing the second electrode layer into a plurality of portions. A plurality of insulating partition walls, an organic EL layer including a light emitting layer formed on the first electrode layer between the partition walls, and a second layer formed on the organic EL layer and separated by the partition wall. Each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, and is provided on the light emitting region side among the plurality of small partition walls constituting the partition wall. The height of the second electrode layer at the end of the small partition wall on the light emitting region side is t 3 , and the end of the small partition wall provided on the light emitting region side is opposite to the light emitting region side When the height of the second electrode layer at t 4 is t 4 , t 3 > t 4 and adjacent to the partition wall The organic EL element is characterized in that the second electrode layers are electrically insulated from each other.
本発明によれば、隔壁の各々が所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されており、ｔ3＞ｔ4であるので、塗工液が小隔壁の発光領域側の側面に付着して隔壁の周辺で有機層の厚みが厚くなった場合であっても、小隔壁間に位置する有機層の厚みを薄くすることができ、小隔壁間に位置する第２電極層の高さを低くすることができる。よって、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することが可能である。 According to the present invention, each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, and t 3 > t 4 , so that the coating liquid is on the light emitting region side of the small partition wall. Even when the organic layer is thickened around the barrier ribs attached to the side surfaces, the thickness of the organic layer positioned between the small barrier ribs can be reduced, and the second electrode layer positioned between the small barrier ribs. Can be reduced in height. Therefore, it is possible to reliably divide the second electrode layer and prevent a short circuit between the second electrode layers located with the partition wall interposed therebetween.
上記発明においては、上記第１電極層と上記隔壁との間に絶縁層が形成されていることが好ましい。第１電極層と第２電極層とが接触してショートするのを防ぐことができるからである。 In the said invention, it is preferable that the insulating layer is formed between the said 1st electrode layer and the said partition. This is because the first electrode layer and the second electrode layer can be prevented from coming into contact and short-circuiting.
さらに、本発明においては、上記有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層が、メニスカス状の断面形状を有していてもよい。有機ＥＬ層を構成する有機層がメニスカス状の断面形状を有する場合には、隔壁の周辺で有機層の厚みが厚くなるが、本発明の構成とすることにより、第２電極層を確実に分断することができる。 Further, in the present invention, at least one of the organic layers constituting the organic EL layer may have a meniscus cross-sectional shape. When the organic layer constituting the organic EL layer has a meniscus cross-sectional shape, the thickness of the organic layer is increased around the partition wall, but the second electrode layer is reliably divided by the configuration of the present invention. can do.
本発明においては、隔壁の各々が所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されているので、小隔壁間に有機層形成用塗工液が入り込むのを抑制して、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することができるという効果を奏する。 In the present invention, since each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, the organic layer forming coating liquid is prevented from entering between the small partition walls, There is an effect that the two electrode layers can be surely divided to prevent a short circuit between the second electrode layers located across the partition wall.
以下、本発明の有機ＥＬ素子およびその製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the organic EL device of the present invention and the manufacturing method thereof will be described in detail.
Ａ．有機ＥＬ素子の製造方法
まず、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域を画定する複数の絶縁性の隔壁とを有し、上記隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されている有機ＥＬ素子用基板上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層形成工程を有し、上記隔壁を構成する複数の上記小隔壁のうち発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側の端部での上記有機層の高さをｔ1、上記発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側とは反対側の端部での上記有機層の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように上記小隔壁間の間隔が調整されていることを特徴とするものである。
A. First, the manufacturing method of the organic EL device of the present invention will be described.
The organic EL device manufacturing method of the present invention includes a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a substrate on which the first electrode layer is formed, and the second electrode layer is divided into a plurality of portions. A plurality of insulating partition walls that define a dividing region to be formed, and each of the partition walls is formed on a substrate for an organic EL element including a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval. The organic layer forming step of forming at least one organic layer among the organic layers constituting the organic EL layer including the light emitting layer by a printing method, a discharge method or a transfer method, and a plurality of the small layers constituting the partition The height of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side of the partition on the light emitting region side is t 1 , and the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side Where t 1 > t 2 , where t 2 is the height of the organic layer at the opposite end. The distance between the small partition walls is adjusted so that
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の一例を示す工程図である。まず、基板２と、基板２上に形成された第１電極層３と、第１電極層３上に形成された絶縁層４と、絶縁層４上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域１０を画定する複数の絶縁性の隔壁５とを有する有機ＥＬ素子用基板１を準備する（図１(a)、有機ＥＬ素子用基板調製工程）。この有機ＥＬ素子用基板１において、隔壁５の各々は、所定間隔ｄをおいて平行に設けられた複数の小隔壁５ａ，５ｂから構成されている。小隔壁５ａ，５ｂ間の間隔ｄは、後述の有機層形成工程にて形成される有機層について、小隔壁５ａの発光領域１１側の端部での有機層６の高さをｔ1、小隔壁の発光領域１１側とは反対側の端部での有機層６の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように調整されている。また、図１(a)に示す例においては、図２に例示するように、第１電極層３のストライプパターンに、隔壁５（小隔壁５ａ，５ｂ）のストライプパターンが直交するように、隔壁５（小隔壁５ａ，５ｂ）が形成されている。なお、図１(a)は図２のＡ−Ａ線断面図である。
The manufacturing method of the organic EL element of this invention is demonstrated referring drawings.
FIG. 1 is a process diagram showing an example of a method for producing an organic EL element of the present invention. First, a
次に、有機ＥＬ素子用基板１上の全面に、印刷法、吐出法または転写法、例えばグラビア印刷法により有機層形成用塗工液を塗布し、有機層６を形成する（図１(b)、有機層形成工程）。図１(b)に示す例においては、有機層６として発光層を形成している。有機層６は、ｔ1＞ｔ2となるように形成される。図１(b)に示す例においては、小隔壁５ａ，５ｂの発光領域１１側の側面にも有機層形成用塗工液が付着し、隔壁５の周辺で有機層６の厚みが厚くなっている。一方、小隔壁５ａ，５ｂ間の間隔ｄは比較的狭いため、小隔壁５ａ，５ｂ間に有機層形成用塗工液が入り込み難くなる。そのため、ｔ1＞ｔ2となるのである。なお、図１(b)においては、ｔ2＝０となっている。
Next, a coating liquid for forming an organic layer is applied to the entire surface of the organic
印刷法、吐出法または転写法の場合に、小隔壁間の間隔が比較的狭いと、小隔壁間に有機層形成用塗工液が入り込み難くなる理由は明らかではないが、次のように考えられる。すなわち、印刷法では、小隔壁間の間隔が比較的狭いので、版やブランケットが小隔壁間の第１電極層表面に接触できなくなり、小隔壁間に有機層形成用塗工液が入り込み難くなるものと思料される。転写法では、印刷法と同様に、小隔壁間の間隔が比較的狭いので、転写シートが小隔壁間の第１電極層表面に接触できなくなり、小隔壁間に有機層形成用塗工液が入り込み難くなるものと思料される。また、吐出法では、有機層形成用塗工液を小隔壁間の第１電極層上に吐出しないことにより、小隔壁間に有機層形成用塗工液を入り込み難くすることができる。 In the case of the printing method, the discharge method, or the transfer method, if the interval between the small partition walls is relatively narrow, it is not clear why the organic layer forming coating solution does not easily enter between the small partition walls. It is done. That is, in the printing method, since the interval between the small partition walls is relatively narrow, the plate or the blanket cannot contact the surface of the first electrode layer between the small partition walls, and the organic layer forming coating liquid is difficult to enter between the small partition walls. It is thought to be a thing. In the transfer method, as in the printing method, since the interval between the small partition walls is relatively narrow, the transfer sheet cannot contact the surface of the first electrode layer between the small partition walls. It is thought that it becomes difficult to enter. Further, in the discharge method, the organic layer forming coating liquid can be made difficult to enter between the small partition walls by not discharging the organic layer forming coating liquid onto the first electrode layer between the small partition walls.
次いで、有機層６上に、例えば金属材料を真空蒸着法により成膜し、第２電極層７を形成する（図１(c)、第２電極層形成工程）。金属材料は小隔壁５ａ，５ｂ間にも堆積されるので、小隔壁５ａ，５ｂ間にも第２電極層７が形成される。この第２電極層７は、隔壁５（小隔壁５ａ，５ｂ）により分断される。
Next, a metal material, for example, is deposited on the
本発明によれば、隔壁の各々が所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成され、この小隔壁間の間隔がｔ1＞ｔ2となるように調整されており、有機層を印刷法、吐出法または転写法により形成するので、有機層形成用塗工液が小隔壁の発光領域側の側面に付着して隔壁の周辺で有機層の厚みが厚くなる場合であっても、小隔壁間に有機層形成用塗工液が入り込むのを抑制することが可能である。よって、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することが可能である。 According to the present invention, each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, and the spacing between the small partition walls is adjusted so that t 1 > t 2. Since the layer is formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method, the organic layer forming coating liquid adheres to the side surface of the small partition wall on the light emitting region side, and the thickness of the organic layer increases around the partition wall. Moreover, it is possible to suppress the organic layer forming coating liquid from entering between the small partition walls. Therefore, it is possible to reliably divide the second electrode layer and prevent a short circuit between the second electrode layers located with the partition wall interposed therebetween.
なお、「分断領域」とは、第２電極層を複数に分断する領域であって、発光に寄与しない領域をいう。この分断領域は、隔壁が設けられている領域であり、隔壁により画定される。 The “divided region” is a region where the second electrode layer is divided into a plurality of regions and does not contribute to light emission. This divided region is a region where a partition is provided, and is defined by the partition.
「発光領域」とは、発光に寄与する領域をいう。
「隔壁を構成する複数の小隔壁のうち発光領域側に設けられた小隔壁」とは、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち、隔壁の両端に位置する２個の小隔壁をいう。図２に例示するように、隔壁５が２個の小隔壁５ａ，５ｂから構成されている場合、２個の小隔壁５ａ，５ｂのいずれもが隔壁５の両端に位置する小隔壁となる。一方、図３に例示するように、隔壁５が３個の小隔壁５ａ，５ｂ，５ｃから構成されている場合、３個の小隔壁５ａ，５ｂ，５ｃのうち、隔壁５の両端に位置する２個の小隔壁は、小隔壁５ａ，５ｃである。
The “light emitting region” refers to a region that contributes to light emission.
The “small partition provided on the light emitting region side among the plurality of small partitions constituting the partition” refers to two small partitions located at both ends of the partition among the plurality of small partitions constituting the partition. As illustrated in FIG. 2, when the
「発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部」とは、発光領域側に設けられた小隔壁の端部のうち、発光領域側に位置する端部をいう。
一方、「発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部」とは、発光領域側に設けられた小隔壁の端部のうち、発光領域側とは反対側に位置する端部をいう。
“The end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side” refers to the end located on the light emitting region side of the end of the small partition provided on the light emitting region side.
On the other hand, “the end of the small partition provided on the light emitting region side opposite to the light emitting region side” is the end of the small partition provided on the light emitting region side opposite to the light emitting region side. The end that is located.
「発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での有機層の高さｔ1」とは、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部における、小隔壁の下地層表面から有機層表面までの高さをいう。図１(b)に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが絶縁層４の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は絶縁層４であり、上記有機層の高さｔ1は、小隔壁５ａの発光領域１１側の端部における絶縁層４表面から有機層６表面までの高さとなる。また、図４(b)に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが第１電極層３の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は第１電極層３であり、上記有機層の高さｔ1は、小隔壁５ａの発光領域１１側の端部における第１電極層３表面から有機層６表面までの高さとなる。すなわち、上記有機層の高さｔ1は、小隔壁の発光領域側の端部における有機層のみの高さ（厚み）をいう。
なお、図４(a)〜(c)は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
“Height t 1 of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side” means that the small partition at the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side This refers to the height from the surface of the underlying layer to the surface of the organic layer. As illustrated in FIG. 1B, when the
4A to 4C are process diagrams showing another example of the method for manufacturing the organic EL element of the present invention.
一方、「発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での有機層の高さｔ2」とは、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部における、小隔壁の下地層表面から有機層表面までの高さをいう。図１(b)に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが絶縁層４の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は絶縁層４であり、上記有機層の高さｔ2は、小隔壁５ａの発光領域１１側とは反対側の端部における絶縁層４表面から有機層６表面までの高さとなる。また、図４(b)に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが第１電極層３の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は第１電極層３であり、上記有機層の高さｔ2は、小隔壁５ａの発光領域１１側とは反対側の端部における第１電極層３表面から有機層６表面までの高さとなる。すなわち、上記有機層の高さｔ2は、小隔壁の発光領域側とは反対側の端部における有機層のみの高さ（厚み）をいう。
On the other hand, “the height t 2 of the organic layer at the end opposite to the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side” means the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side. Means the height from the surface of the base layer of the small partition wall to the surface of the organic layer at the opposite end. As illustrated in FIG. 1B, when the
なお、上記有機層の高さｔ1，ｔ2は、Zygo社製の走査型白色干渉法またはキーエンス社製のレーザ顕微鏡により測定することができる。 The heights t 1 and t 2 of the organic layer can be measured by a scanning white interference method manufactured by Zygo or a laser microscope manufactured by Keyence.
「小隔壁間の間隔」とは、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち、隣接する小隔壁の向かい合う端部から端部までの距離をいう。
なお、小隔壁間の間隔は、光学顕微鏡、レーザ顕微鏡、走査型白色干渉法により測定することができる。
The “interval between the small partition walls” refers to a distance from the end portion to the end portion of the adjacent small partition walls among the plurality of small partition walls constituting the partition wall.
In addition, the space | interval between small partitions can be measured with an optical microscope, a laser microscope, and a scanning white interferometry.
本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、上記有機層形成工程を有するものであればよいが、有機層形成工程前に、上記有機ＥＬ素子用基板を調製する有機ＥＬ素子用基板調製工程や、有機層形成工程を有し、有機ＥＬ層を形成する有機ＥＬ層形成工程や、有機ＥＬ層形成工程後に、有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する第２電極層形成工程等を有することができる。
以下、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法における各工程について説明する。
The organic EL device manufacturing method of the present invention may be any method as long as it has the organic layer forming step, but before the organic layer forming step, the organic EL device substrate preparing step of preparing the organic EL device substrate, An organic EL layer forming step for forming an organic EL layer, and a second electrode layer forming step for forming a second electrode layer on the organic EL layer after the organic EL layer forming step. Can do.
Hereinafter, each process in the manufacturing method of the organic EL element of this invention is demonstrated.
１．有機ＥＬ素子用基板調製工程
本発明における有機ＥＬ素子用基板調製工程は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域を画定する複数の絶縁性の隔壁とを有し、上記隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されている有機ＥＬ素子用基板を調製する工程である。本工程においては、後述の有機層形成工程にて形成される有機層について、上記隔壁を構成する複数の上記小隔壁のうち発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側の端部での上記有機層の高さをｔ1、上記発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側とは反対側の端部での上記有機層の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように上記小隔壁間の間隔が調整される。
以下、有機ＥＬ素子用基板における各構成について説明する。
1. Organic EL element substrate preparation step The organic EL element substrate preparation step in the present invention is formed on a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, and a substrate on which the first electrode layer is formed. A plurality of insulating partitions defining a dividing region for dividing the second electrode layer into a plurality of portions, and each of the partitions is composed of a plurality of small partitions provided in parallel at a predetermined interval. This is a step of preparing an organic EL element substrate. In this step, for the organic layer formed in the organic layer forming step described later, the end portion on the light emitting region side of the small partition wall provided on the light emitting region side among the plurality of small partition walls constituting the partition wall. The height of the organic layer at t 1 , and the height of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side opposite to the light emitting region side is t 2 , The interval between the small partition walls is adjusted so that t 1 > t 2 .
Hereinafter, each configuration in the organic EL element substrate will be described.
（１）隔壁
本発明における隔壁は、第１電極層が形成された基板上に複数形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域を画定するものである。隔壁の各々は、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されている。この小隔壁間の間隔は、後述の有機層形成工程にて形成される有機層について、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での有機層の高さをｔ1、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での有機層の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように調整される。
(1) Partition Wall A plurality of partition walls in the present invention are formed on the substrate on which the first electrode layer is formed, and demarcate a dividing region that divides the second electrode layer into a plurality of portions. Each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval. The space between the small partition walls is the end of the small partition wall provided on the light emitting region side of the plurality of small partition walls constituting the partition wall in the organic layer formed in the organic layer forming step described later. the height t 1 of the organic layer, when the light emitting region side of the small partition wall provided in the light emitting region side where the height of the organic layer at the end opposite the t 2, and t 1> t 2 It is adjusted to become.
小隔壁間の間隔は、ｔ1＞ｔ2となるように調整されていればよく、有機層を形成する際の塗布方法に応じて適宜調整されるものであるが、具体的には、１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは６０μｍ〜１μｍの範囲内、さらに好ましくは３０μｍ〜１μｍの範囲内である。小隔壁間の間隔が広すぎると、有機層形成用塗工液が小隔壁間に入り込みやすくなり、第２電極層を分断することが困難となるおそれがあるからである。一方、小隔壁間の間隔が狭すぎるものは形成が困難であったり、また小隔壁間の間隔が狭すぎると有機層が小隔壁間で連なって成膜されるおそれがあったりするからである。
なお、小隔壁間の間隔の測定方法については、上述したとおりである。
The interval between the small partition walls may be adjusted so as to satisfy t 1 > t 2, and is appropriately adjusted according to the coating method when forming the organic layer, and specifically, 100 μm. It is preferable that it is below, More preferably, it exists in the range of 60 micrometers-1 micrometer, More preferably, it exists in the range of 30 micrometers-1 micrometer. This is because if the distance between the small partition walls is too wide, the organic layer forming coating liquid tends to enter between the small partition walls and it may be difficult to separate the second electrode layer. On the other hand, if the distance between the small partition walls is too narrow, it is difficult to form, or if the distance between the small partition walls is too narrow, the organic layer may be continuously formed between the small partition walls. .
The method for measuring the distance between the small partition walls is as described above.
隔壁を構成する小隔壁の数が３個以上である場合、通常、小隔壁間の間隔は等間隔とされる。 When the number of the small partition walls constituting the partition walls is three or more, the intervals between the small partition walls are usually equal.
隔壁を構成する小隔壁の数としては、複数であればよく、例えば、２個、３個等とすることができる。隔壁を構成する小隔壁の数が多すぎると、発光領域が相対的に狭くなることから、隔壁を構成する小隔壁の数は２個であることが好ましい。 The number of the small partition walls constituting the partition wall may be plural, for example, two, three, or the like. If the number of the small partition walls constituting the partition wall is too large, the light emitting region becomes relatively narrow. Therefore, the number of the small partition walls constituting the partition wall is preferably two.
小隔壁が所定の高さを有していれば、第２電極層を複数に分断することができるため、小隔壁の断面形状としては、特に限定されるものではなく、例えば、矩形状、台形状（順テーパー形状）、逆テーパー形状等が挙げられる。好ましくは、逆テーパー形状等のオーバーハング形状である。 If the small partition wall has a predetermined height, the second electrode layer can be divided into a plurality of parts. Therefore, the sectional shape of the small partition wall is not particularly limited. Examples include a shape (forward taper shape) and a reverse taper shape. An overhang shape such as a reverse taper shape is preferable.
逆テーパー形状の場合、基板表面に対するテーパー角度θは、０°＜θ＜９０°であればよいが、好ましくは２０°＜θ＜８０°、より好ましくは３０°＜θ＜７０°である。なお、逆テーパー形状の場合、テーパー角度θとは、図４(a)に例示するような基板２表面に対するテーパー角度θをいう。
In the case of a reverse taper shape, the taper angle θ with respect to the substrate surface may be 0 ° <θ <90 °, preferably 20 ° <θ <80 °, more preferably 30 ° <θ <70 °. In the case of an inversely tapered shape, the taper angle θ refers to the taper angle θ with respect to the surface of the
ここで、小隔壁の端部とは、小隔壁の最も外側の端部をいう。例えば、小隔壁の断面形状が逆テーパー形状である場合、小隔壁の端部は、図１(b)および図４(b)に例示するように上底面の端部となる。また例えば、小隔壁の断面形状が順テーパー形状である場合、小隔壁の端部は、図５に例示するように下底面の端部となる。
すなわち、例えば、小隔壁の断面形状が逆テーパー形状である場合、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での有機層の高さｔ1は、図１(b)および図４(b)に例示するように、小隔壁５ａの発光領域１１側の上底面の端部における有機層の高さｔ1になる。また、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での有機層の高さｔ2は、図１(b)および図４(b)に例示するように、小隔壁５ａの発光領域１１側とは反対側の上底面の端部における有機層の高さｔ2になる。
また例えば、小隔壁の断面形状が順テーパー形状である場合、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での有機層の高さｔ1は、図５に例示するように、小隔壁５ａの発光領域１１側の下底面の端部における有機層の高さｔ1になる。また、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での有機層の高さｔ2は、図５に例示するように、小隔壁５ａの発光領域１１側とは反対側の下底面の端部における有機層の高さｔ2になる。
Here, the end portion of the small partition wall means the outermost end portion of the small partition wall. For example, when the cross-sectional shape of the small partition wall is an inversely tapered shape, the end portion of the small partition wall is the end portion of the upper bottom surface as illustrated in FIGS. 1B and 4B. For example, when the cross-sectional shape of the small partition wall is a forward tapered shape, the end portion of the small partition wall is the end portion of the lower bottom surface as illustrated in FIG.
That is, for example, when the cross-sectional shape of the small partition is an inversely tapered shape, the height t 1 of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side is as shown in FIG. As illustrated in FIG. 4B, the height of the organic layer is t 1 at the end of the upper bottom surface of the
Further, for example, when the cross-sectional shape of the small partition is a forward tapered shape, the height t 1 of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side is as illustrated in FIG. The height of the organic layer is t 1 at the end of the lower bottom surface of the
小隔壁の高さとしては、通常、基板表面から小隔壁表面までの高さが、発光領域の中心部における基板表面から第２電極層表面までの高さよりも高くなるように設定される。 The height of the small partition walls is usually set so that the height from the substrate surface to the surface of the small partition walls is higher than the height from the substrate surface to the second electrode layer surface at the center of the light emitting region.
隔壁の形成位置としては、有機ＥＬ素子の駆動方式や表示方式等により適宜選択される。例えば、パッシブ型の有機ＥＬ素子の場合、通常、第１電極層がストライプパターンに形成されることから、この第１電極層のストライプパターンに直交するように、隔壁を構成する小隔壁もストライプパターンに形成される。また例えば、エリアカラーの有機ＥＬ素子の場合であって、かつ、第１電極層が、取り出し電極等が形成されている領域を除いて基板上にほぼ全面に形成されており、隔壁によって発光領域を所望のパターンに区画する場合、隔壁を構成する小隔壁は、所望のパターン、例えば、絵柄、文字のパターンに形成される。 The partition formation position is appropriately selected depending on the driving method and display method of the organic EL element. For example, in the case of a passive organic EL element, since the first electrode layer is usually formed in a stripe pattern, the small barrier ribs constituting the barrier rib are also arranged in a stripe pattern so as to be orthogonal to the stripe pattern of the first electrode layer. Formed. Further, for example, in the case of an area-color organic EL element, the first electrode layer is formed almost entirely on the substrate except the region where the extraction electrode and the like are formed, and the light emitting region is formed by the partition. When partitioning into a desired pattern, the small partition walls constituting the partition walls are formed in a desired pattern, for example, a picture pattern or a character pattern.
隔壁を構成する複数の小隔壁は、所定間隔をおいて平行に設けられていればよく、小隔壁の形状は、直線状、曲線状等とすることができる。 The plurality of small partitions constituting the partition need only be provided in parallel at a predetermined interval, and the shape of the small partitions can be linear, curved, or the like.
隔壁により画定される分断領域の幅は、特に限定されるものではないが、３００μｍ以下であることが好ましい。分断領域の幅が上記範囲であれば、分断領域に有機層形成用塗工液が入り込むのを抑制する効果を十分に確保することができるからである。また、分断領域の幅が広すぎると、発光領域が相対的に狭くなるからである。 The width of the dividing region defined by the partition walls is not particularly limited, but is preferably 300 μm or less. This is because, if the width of the divided region is within the above range, it is possible to sufficiently ensure the effect of suppressing the organic layer forming coating liquid from entering the divided region. Further, if the width of the divided region is too wide, the light emitting region becomes relatively narrow.
隔壁の形成材料としては、例えば、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、スチレン系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。 Examples of the partition wall forming material include photosensitive polyimide resins, acrylic resins, novolac resins, styrene resins, phenol resins, melamine resins, and other photo-curing resins, thermosetting resins, and inorganic materials. Can be mentioned.
この場合、隔壁の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。 In this case, as a method for forming the partition wall, a general method such as a photolithography method or a printing method can be used.
（２）第１電極層
本発明に用いられる第１電極層は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常は陽極として形成される。
(2) First electrode layer The first electrode layer used in the present invention may be an anode or a cathode, but is usually formed as an anode.
第１電極層は透明性を有していても有していなくてもよい。第１電極層の透明性は、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第１電極層側から光を取り出す場合は、第１電極層は透明または半透明である必要がある。 The first electrode layer may or may not have transparency. The transparency of the first electrode layer is appropriately selected depending on the light extraction surface and the like. For example, when light is extracted from the first electrode layer side, the first electrode layer needs to be transparent or translucent.
陽極としては、正孔が注入し易いように仕事関数の大きい導電性材料を用いることが好ましく、具体的には、ＩＴＯ、酸化インジウム、金のような仕事関数の大きい金属、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリアルキルチオフェン誘導体、ポリシラン誘導体のような導電性高分子等を挙げることができる。 As the anode, a conductive material having a high work function is preferably used so that holes can be easily injected. Specifically, a metal having a high work function such as ITO, indium oxide, gold, polyaniline, polyacetylene, poly Examples thereof include conductive polymers such as alkylthiophene derivatives and polysilane derivatives.
第１電極層は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。 The first electrode layer preferably has a low resistance, and generally a metal material is used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
第１電極層は、基板上にパターン状に形成されていてもよく、取り出し電極等が形成されている領域を除いて基板上にほぼ全面に形成されていてもよい。通常、第１電極層は基板上にパターン状に形成される。第１電極層が、取り出し電極等が形成されている領域を除いて基板上にほぼ全面に形成されている場合には、隔壁によって発光領域を所望のパターンに区画することができる。 The first electrode layer may be formed in a pattern on the substrate, or may be formed on almost the entire surface of the substrate except for the region where the extraction electrode or the like is formed. Usually, the first electrode layer is formed in a pattern on the substrate. When the first electrode layer is formed on almost the entire surface of the substrate except for the region where the extraction electrode or the like is formed, the light emitting region can be partitioned into a desired pattern by the partition.
第１電極層の成膜方法としては、一般的な電極の成膜方法を用いることができ、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等のＰＶＤ法や、ＣＶＤ法などを挙げることができる。また、第１電極層のパターニング方法としては、所望のパターンに精度よく形成することができる方法であれば特に限定されるものではなく、具体的にはフォトリソグラフィー法等を挙げることができる。 As a method for forming the first electrode layer, a general electrode forming method can be used, and examples thereof include a PVD method such as a vacuum deposition method, a sputtering method, an ion plating method, a CVD method, and the like. it can. Further, the patterning method of the first electrode layer is not particularly limited as long as it can be accurately formed into a desired pattern, and specific examples thereof include a photolithography method.
（３）基板
本発明に用いられる基板は、上述の隔壁、第１電極層などを支持するものであり、所定の強度を有するものであれば特に限定されない。本発明においては、第１電極層が所定の強度を有する場合には、第１電極層が基板を兼ねるものであってもよいが、通常は所定の強度を有する基板上に第１電極層が形成される。
(3) Substrate The substrate used in the present invention is not particularly limited as long as it supports the above-described partition walls, the first electrode layer, and the like and has a predetermined strength. In the present invention, when the first electrode layer has a predetermined strength, the first electrode layer may also serve as the substrate, but usually the first electrode layer is formed on the substrate having the predetermined strength. It is formed.
基板としては、上記の隔壁や第１電極層等が形成可能であれば特に限定されるものではないが、例えば光の取出し面により光透過性が必要か否かが適宜決定される。一般的には、基板側を光の取出し面とすることが好ましいことから、基板は透明な材料で形成されることが好ましい。 The substrate is not particularly limited as long as the above partition walls, the first electrode layer, and the like can be formed. For example, whether or not light transmission is necessary is appropriately determined depending on the light extraction surface. In general, since it is preferable to use the substrate side as a light extraction surface, the substrate is preferably formed of a transparent material.
このような基板の形成材料としては、例えばソーダ石灰ガラス、アルカリガラス、鉛アルカリガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸ガラス、シリカガラス等のガラス板、またはフィルム状に成形が可能な樹脂基板等を用いることができる。この樹脂基板に用いる樹脂としては、耐溶媒性および耐熱性の比較的高い高分子材料であることが好ましい。具体的には、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリスチレン、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド、ポリアセタール、ポリエステル、ポリカーボネート、変性ポリフェニレンエーテル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリエーテルイミド、ポリエーテルサルフォン、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、液晶性ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリミクロイキシレンジメチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアクリレート、アクリロニトリル−スチレン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、シリコーン樹脂、非晶質ポリオレフィン等が挙げられる。また、上記の他にも所定の条件を満たす高分子材料であれば使用可能であり、２種類以上の共重合体を用いることもできる。さらに必要に応じて水分、酸素等のガスを遮断するガスバリア性を有する基板を用いてもよい。 As a material for forming such a substrate, for example, a glass plate such as soda lime glass, alkali glass, lead alkali glass, borosilicate glass, aluminosilicate glass, silica glass, or a resin substrate that can be formed into a film is used. be able to. The resin used for the resin substrate is preferably a polymer material having relatively high solvent resistance and heat resistance. Specifically, fluorine resin, polyethylene, polypropylene, polyvinyl chloride, polyvinyl fluoride, polystyrene, ABS resin, polyamide, polyacetal, polyester, polycarbonate, modified polyphenylene ether, polysulfone, polyarylate, polyetherimide, polyether mon Phon, Polyamideimide, Polyimide, Polyphenylene sulfide, Liquid crystalline polyester, Polyethylene terephthalate, Polybutylene terephthalate, Polyethylene naphthalate, Polymicroxylene dimethylene terephthalate, Polyoxymethylene, Polyethersulfone, Polyetheretherketone, Polyacrylate, Acrylonitrile -Styrene resin, phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, Epoxy resins, polyurethanes, silicone resins, amorphous polyolefins, and the like. In addition to the above, any polymer material that satisfies a predetermined condition can be used, and two or more types of copolymers can be used. Furthermore, you may use the board | substrate which has gas barrier property which interrupts | blocks gas, such as a water | moisture content and oxygen, as needed.
（４）絶縁層
本発明においては、第１電極層と隔壁との間に絶縁層が形成されていることが好ましい。第１電極層と第２電極層とが接触してショートするのを防ぐことができるからである。この絶縁層は、第１電極層の端部を覆うように形成されていることが好ましい。第１電極層の端部では有機ＥＬ層の厚みが薄くなるため、絶縁層を形成することでショートし難くすることができる。また隣り合う発光領域が電気的に接続されるのを防ぐことができるからである。絶縁層が形成された部分は、発光に寄与しない領域とすることができる。
(4) Insulating layer In this invention, it is preferable that the insulating layer is formed between the 1st electrode layer and the partition. This is because the first electrode layer and the second electrode layer can be prevented from coming into contact and short-circuiting. This insulating layer is preferably formed so as to cover the end of the first electrode layer. Since the thickness of the organic EL layer is reduced at the end portion of the first electrode layer, short-circuiting can be made difficult by forming an insulating layer. In addition, it is possible to prevent the adjacent light emitting regions from being electrically connected. The portion where the insulating layer is formed can be a region that does not contribute to light emission.
絶縁層の形成材料としては、感光性ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂等の光硬化型樹脂、または熱硬化型樹脂、および無機材料等を挙げることができる。 Examples of the material for forming the insulating layer include photo-curing resins such as photosensitive polyimide resins and acrylic resins, thermosetting resins, and inorganic materials.
絶縁層の形成方法としては、フォトリソグラフィー法、印刷法等の一般的な方法を用いることができる。 As a method for forming the insulating layer, a general method such as a photolithography method or a printing method can be used.
２．有機層形成工程
本発明における有機層形成工程は、上記有機ＥＬ素子用基板上に、発光層を含む有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する工程である。本工程においては、上記隔壁を構成する複数の上記小隔壁のうち発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側の端部での上記有機層の高さをｔ1、上記発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側とは反対側の端部での上記有機層の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように上記有機層が形成される。
2. Organic layer forming step The organic layer forming step in the present invention is a method in which at least one organic layer among the organic layers constituting the organic EL layer including the light emitting layer is formed on the organic EL element substrate by a printing method, a discharge method or This is a step of forming by a transfer method. In this step, the height of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side among the plurality of small partitions constituting the partition is t 1 , the light emitting region The organic layer is formed so that t 1 > t 2 , where t 2 is the height of the organic layer at the end of the small partition provided on the side opposite to the light emitting region side. The
本発明に用いられる有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものである。すなわち、有機ＥＬ層とは、少なくとも発光層を含む層であり、その層構成が有機層１層以上の層をいう。通常、塗布によるウェットプロセスで有機ＥＬ層を形成する場合は、溶媒との関係で多数の層を積層することが困難であることから、１層もしくは２層の有機層で構成される場合が多いが、有機材料を工夫したり、真空蒸着法を組み合わせたりすることにより、さらに多数層とすることも可能である。 The organic EL layer used in the present invention has one or more organic layers including at least a light emitting layer. That is, the organic EL layer is a layer including at least a light emitting layer, and the layer configuration is a layer having one or more organic layers. Usually, when an organic EL layer is formed by a wet process by coating, it is often difficult to stack a large number of layers in relation to a solvent, so that it is often composed of one or two organic layers. However, it is possible to further increase the number of layers by devising organic materials or combining vacuum deposition methods.
発光層以外に有機ＥＬ層を構成する有機層としては、正孔注入層、電子注入層、正孔輸送層、電子輸送層等を挙げることができる。正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。また、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。さらに、有機ＥＬ層を構成する有機層としては、キャリアブロック層のような正孔もしくは電子の突き抜けを防止し、再結合効率を高めるための層等を挙げることができる。 Examples of the organic layer constituting the organic EL layer other than the light emitting layer include a hole injection layer, an electron injection layer, a hole transport layer, and an electron transport layer. The hole transport layer may be integrated with the hole injection layer by imparting a hole transport function to the hole injection layer. In addition, the electron transport layer may be integrated with the electron injection layer by adding an electron transport function to the electron injection layer. Furthermore, as an organic layer which comprises an organic EL layer, the layer etc. for preventing the penetration of a hole or an electron like a carrier block layer, and improving recombination efficiency can be mentioned.
本発明においては、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成する。印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層の数としては、１層以上であればよく、例えば１層、２層、３層等とすることができる。 In the present invention, at least one organic layer of the organic layers constituting the organic EL layer is formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method. The number of organic layers formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method may be one or more, for example, one layer, two layers, three layers, or the like.
印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層としては、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、および電子注入層が挙げられる。中でも、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層は、発光層であることが好ましい。また、印刷法、吐出法または転写法により形成する有機層は、正孔注入層および発光層であってもよい。 Examples of the organic layer formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method include a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. In particular, the organic layer formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method is preferably a light emitting layer. The organic layer formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method may be a hole injection layer and a light emitting layer.
上記有機層を形成する際には、有機ＥＬ素子用基板上に、有機層を形成するための有機層形成用塗工液を、印刷法、吐出法または転写法により塗布する。この有機層形成用塗工液には、有機層の種類に応じた材料が用いられる。
以下、本工程における有機層および有機層の形成方法に分けて説明する。
When the organic layer is formed, an organic layer forming coating solution for forming the organic layer is applied onto the organic EL element substrate by a printing method, a discharge method, or a transfer method. A material corresponding to the type of the organic layer is used for the organic layer forming coating solution.
Hereinafter, the organic layer and the method for forming the organic layer in this step will be described separately.
（１）有機層
（ｉ）発光層
本発明における発光層に用いられる材料としては、例えば、色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料等の発光材料を挙げることができる。
(1) Organic layer (i) Light emitting layer As a material used for the light emitting layer in this invention, light emitting materials, such as a pigment type material, a metal complex type material, and a polymeric material, can be mentioned, for example.
色素系材料としては、シクロペンタジエン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、シロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどを挙げることができる。 Examples of dye materials include cyclopentadiene derivatives, tetraphenylbutadiene derivatives, triphenylamine derivatives, oxadiazole derivatives, pyrazoloquinoline derivatives, distyrylbenzene derivatives, distyrylarylene derivatives, silole derivatives, thiophene ring compounds, pyridine ring compounds. Perinone derivatives, perylene derivatives, oligothiophene derivatives, trifumanylamine derivatives, oxadiazole dimers, pyrazoline dimers, and the like.
また、金属錯体系材料としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾール亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロビウム錯体等、中心金属にＡｌ、Ｚｎ、Ｂｅ等または、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｄｙ等の希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造等を有する金属錯体を挙げることができる。 Examples of the metal complex-based material include an aluminum quinolinol complex, a benzoquinolinol beryllium complex, a benzoxazole zinc complex, a benzothiazole zinc complex, an azomethylzinc complex, a porphyrin zinc complex, and a eurobium complex. And metal complexes having a rare earth metal such as Tb, Eu, Dy, etc., and having an oxadiazole, thiadiazole, phenylpyridine, phenylbenzimidazole, quinoline structure or the like as a ligand.
さらに、高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリビニルカルバゾール等、ポリフルオレン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、およびそれらの共重合体等を挙げることができる。 Furthermore, examples of the polymer material include polyparaphenylene vinylene derivatives, polythiophene derivatives, polyparaphenylene derivatives, polysilane derivatives, polyacetylene derivatives, polyvinylcarbazole, polyfluorene derivatives, polyquinoxaline derivatives, and copolymers thereof. be able to.
上記発光層中には、発光効率の向上、発光波長を変化させる等の目的でドーピング剤を添加してもよい。このようなドーピング剤としては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾリン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾン、キノキサリン誘導体、カルバゾール誘導体、フルオレン誘導体を挙げることができる。 A dopant may be added to the light emitting layer for the purpose of improving the light emission efficiency and changing the light emission wavelength. Examples of such doping agents include perylene derivatives, coumarin derivatives, rubrene derivatives, quinacridone derivatives, squalium derivatives, porphyrin derivatives, styryl dyes, tetracene derivatives, pyrazoline derivatives, decacyclene, phenoxazone, quinoxaline derivatives, carbazole derivatives, fluorene derivatives. Can be mentioned.
発光層の厚みとしては、電子と正孔との再結合の場を提供して発光する機能を発現することができる厚みであれば特に限定されるものではなく、例えば１ｎｍ〜５００ｎｍ程度とすることができる。 The thickness of the light emitting layer is not particularly limited as long as it can provide a function of emitting light by providing a recombination field between electrons and holes, and is, for example, about 1 nm to 500 nm. Can do.
本発明においては、隔壁により発光層が分断され、パターン状に形成される。この際、発光層は、赤・緑・青等の複数色の発光部を有するようにパターン状に形成されていることが好ましい。これにより、カラー表示が可能な有機ＥＬ素子を得ることができる。この場合、例えば図２に示す有機ＥＬ素子用基板１を用いて、図８および図９に例示するように赤色の発光部８Ｒ、緑色の発光部８Ｇおよび青色の発光部８Ｂを有するようにパターン状に発光層を形成することができる。
In the present invention, the light emitting layer is divided by the barrier ribs and formed into a pattern. At this time, the light emitting layer is preferably formed in a pattern so as to have light emitting portions of a plurality of colors such as red, green, and blue. Thereby, an organic EL element capable of color display can be obtained. In this case, for example, the organic
（ii）正孔注入層
上述したように、正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。すなわち、正孔注入層は、正孔注入機能のみを有していてもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。
(Ii) Hole Injection Layer As described above, the hole transport layer may be integrated with the hole injection layer by imparting a hole transport function to the hole injection layer. That is, the hole injection layer may have only a hole injection function, or may have both a hole injection function and a hole transport function.
正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン誘導体等を用いることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
The material used for the hole injection layer is not particularly limited as long as the material can stabilize the injection of holes into the light emitting layer. In addition, phenylamine type, starburst type amine type, phthalocyanine type, polyaniline, polythiophene, polyphenylene vinylene derivative, and the like can be used. Specifically, bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine (α-NPD), 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (MTDATA),
また、正孔注入層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。 Further, the thickness of the hole injection layer is not particularly limited as long as the hole injection function and the hole transport function are sufficiently exhibited. Specifically, the thickness is in the range of 0.5 nm to 1000 nm, particularly 10 nm. It is preferable to be within a range of ˜500 nm.
（iii）電子注入層
上述したように、電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。すなわち、電子注入層は、電子注入機能のみを有していてもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有していてもよい。
(Iii) Electron Injection Layer As described above, the electron transport layer may be integrated with the electron injection layer by adding an electron transport function to the electron injection layer. That is, the electron injection layer may have only an electron injection function, or may have both an electron injection function and an electron transport function.
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物等を用いることができる。
また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入層とすることもできる。上記電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体等を挙げることができ、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。
The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as it can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer, and the compounds exemplified for the light emitting material of the light emitting layer are used. be able to.
Alternatively, a metal doped layer in which an alkali metal or alkaline earth metal is doped on an electron transporting organic material may be formed and used as an electron injection layer. Examples of the electron-transporting organic material include bathocuproin, bathophenanthroline, and phenanthroline derivatives. Examples of the metal to be doped include Li, Cs, Ba, and Sr.
上記電子注入層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。 The thickness of the electron injection layer is not particularly limited as long as the electron injection function and the electron transport function are sufficiently exhibited.
（iv）電子輸送層
電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）の誘導体等を挙げることができる。
(Iv) Electron transport layer The material used for the electron transport layer is not particularly limited as long as it is a material capable of transporting electrons injected from the cathode into the light emitting layer. For example, bathocuproine, bathophenanthroline , A phenanthroline derivative, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, a tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ) derivative, and the like.
上記電子輸送層の厚みとしては、電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。 The thickness of the electron transport layer is not particularly limited as long as the electron transport function is sufficiently exerted.
（２）有機層の形成方法
本工程に用いられる有機層形成用塗工液は、上記有機層を構成する材料を溶媒に溶解もしくは分散させることにより調製される。溶媒としては、有機層を構成する材料に応じて適宜選択される。例えば、有機層として発光層を形成する場合、発光層形成用塗工液に用いられる溶媒としては、上述した発光材料を溶解もしくは分散させることができるものであれば特に限定されるものではなく、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン、テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、テトラリン、メシチレン等を挙げることができる。
(2) Formation method of organic layer The coating liquid for organic layer formation used for this process is prepared by dissolving or dispersing the material which comprises the said organic layer in a solvent. The solvent is appropriately selected according to the material constituting the organic layer. For example, when the light emitting layer is formed as the organic layer, the solvent used in the light emitting layer forming coating solution is not particularly limited as long as it can dissolve or disperse the light emitting material described above. Examples include chloroform, methylene chloride, dichloroethane, tetrahydrofuran, toluene, xylene, tetralin, and mesitylene.
本工程においては、上述したように、有機ＥＬ素子用基板上に有機層形成用塗工液を印刷法、吐出法または転写法により塗布する。これらの方法は、小隔壁間に有機層形成用塗工液を入り難くすることができる方法だからである。
印刷法としては、グラビア印刷法、活版印刷法、スクリーン印刷法などが挙げられる。吐出法としては、インクジェット法が挙げられる。インクジェット法の場合、有機層形成用塗工液を不連続的に吐出してもよく連続的に吐出してもよい。また、転写法としては、熱転写法が挙げられる。
In this step, as described above, the organic layer forming coating solution is applied onto the organic EL element substrate by a printing method, a discharge method, or a transfer method. This is because these methods can make it difficult for the organic layer forming coating liquid to enter between the small partition walls.
Examples of printing methods include gravure printing, letterpress printing, and screen printing. Examples of the discharge method include an ink jet method. In the case of the inkjet method, the organic layer forming coating liquid may be discharged discontinuously or continuously. An example of the transfer method is a thermal transfer method.
有機層形成用塗工液の塗布に際しては、図１(b)に例示するように有機ＥＬ素子用基板１の全面に有機層形成用塗工液を塗布してもよく、図６(b)、図８および図９に例示するように有機ＥＬ素子用基板１上にパターン状に有機層形成用塗工液を塗布してもよい。なお、図６(a)〜(c)は、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法の他の例を示す工程図である。
When applying the organic layer forming coating solution, as shown in FIG. 1B, the organic layer forming coating solution may be applied to the entire surface of the organic
また、有機層形成用塗工液の塗布に際して、図２および図３に例示するように、隔壁５を構成する小隔壁（５ａ，５ｂ，５ｃ）が直線状に形成されている場合、有機層形成用塗工液を、小隔壁の長手方向に対して垂直に塗布してもよく、小隔壁の長手方向に対して平行に塗布してもよい。例えば赤色の発光部８Ｒ、緑色の発光部８Ｇおよび青色の発光部８Ｂの３色の発光部を有するようにパターン状に発光層を形成する場合、図２に例示する有機ＥＬ素子用基板１を用いて、図８に例示するように小隔壁５ａ，５ｂの長手方向に対して各発光層形成用塗工液を垂直に塗布してもよく、図９に例示するように小隔壁５ａ，５ｂの長手方向に対して各発光層形成用塗工液を平行に塗布してもよい。
In addition, when the organic layer forming coating liquid is applied, when the small partition walls (5a, 5b, 5c) constituting the
有機層形成用塗工液の塗布後は、乾燥を行ってもよい。 You may dry after application | coating of the coating liquid for organic layer formation.
本工程においては、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での有機層の高さをｔ1、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での有機層の高さをｔ2としたとき、ｔ1＞ｔ2となるように有機層が形成される。 In this step, the height of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side among the plurality of small partitions constituting the partition is t 1 , and the small partition provided on the light emitting region side. The organic layer is formed so that t 1 > t 2 where t 2 is the height of the organic layer at the end of the partition opposite to the light emitting region side.
ｔ2としては、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部において、基板表面から有機層表面までの高さが、基板表面から小隔壁表面までの高さよりも低く、かつ、ｔ1よりも低ければよい。なお、図１(b)および図６(b)に示す例においてはｔ2＝０の場合が示されているが、ｔ1＞ｔ2であれば図７に例示するようにｔ2＞０でもよい。
具体的に、ｔ2は、小隔壁の厚みを１とすると、０．１以下であることが好ましく、より好ましくは０．０５以下、さらに好ましくは０．０２５以下である。上記の比率が上記範囲であれば、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを効果的に抑制することができるからである。
さらに具体的に、ｔ2は、０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは０ｎｍ〜２５０ｎｍの範囲内、さらに好ましくは０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内である。ｔ2が上記範囲であれば、上記の場合と同様に、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを効果的に抑制することができるからである。
As t 2 , the height from the substrate surface to the organic layer surface at the end of the small partition provided on the light emitting region side opposite to the light emitting region side is higher than the height from the substrate surface to the small partition surface. low and it may be lower than t 1. In the example shown in FIGS. 1B and 6B, the case of t 2 = 0 is shown. However, if t 1 > t 2 , t 2 > 0 as illustrated in FIG. But you can.
Specifically, t 2 is preferably 0.1 or less, more preferably 0.05 or less, and still more preferably 0.025 or less, where the thickness of the small partition wall is 1. This is because, if the ratio is within the above range, the second electrode layer can be reliably divided and a short circuit between the second electrode layers positioned with the partition wall interposed therebetween can be effectively suppressed.
More specifically, t 2 is preferably in the range of 0 nm to 500 nm, more preferably in the range of 0 nm to 250 nm, and still more preferably in the range of 0 nm to 100 nm. If t 2 is in the above range, the second electrode layer can be reliably divided and the short circuit between the second electrode layers located across the partition wall can be effectively suppressed as in the above case. It is.
ｔ1としては、ｔ2よりも高ければ特に限定されるものではない。 t 1 is not particularly limited as long as it is higher than t 2 .
３．有機ＥＬ層形成工程
本発明における有機ＥＬ層形成工程は、上記有機層形成工程を有するものであり、有機ＥＬ層を形成する工程である。
3. Organic EL layer formation process The organic EL layer formation process in this invention has the said organic layer formation process, and is a process of forming an organic EL layer.
有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものであり、その層構成については、上記有機層形成工程の項に記載した通りである。本発明においては、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層を、印刷法、吐出法または転写法により形成すればよく、有機ＥＬ層を構成する他の層を、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成することができる。例えば、有機ＥＬ素子用基板上に、正孔注入層および発光層を印刷法、吐出法または転写法により順に形成した後に、発光層上に電子輸送層や電子注入層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法、例えば真空蒸着法により形成することができる。また例えば、有機ＥＬ素子用基板上に、正孔注入層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法、例えばスピンコート法により形成した後に、正孔注入層上に発光層を印刷法、吐出法または転写法により形成することができる。 The organic EL layer has one or a plurality of organic layers including at least a light emitting layer, and the layer structure is as described in the section of the organic layer forming step. In the present invention, at least one of the organic layers constituting the organic EL layer may be formed by a printing method, a discharge method or a transfer method, and the other layers constituting the organic EL layer may be formed by a printing method. It can be formed by a method other than the discharge method and the transfer method. For example, after a hole injection layer and a light emitting layer are sequentially formed on a substrate for an organic EL element by a printing method, a discharge method or a transfer method, an electron transport layer or an electron injection layer is formed on the light emitting layer by a printing method, a discharge method, and It can be formed by a method other than the transfer method, for example, a vacuum deposition method. In addition, for example, after forming the hole injection layer on the organic EL element substrate by a printing method, a discharge method and a transfer method, for example, a spin coating method, a light emitting layer is printed on the hole injection layer, It can be formed by a discharge method or a transfer method.
有機ＥＬ層を構成する層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成する場合、小隔壁間にも有機ＥＬ層を構成する層が成膜されて、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部におけるこの層の厚みと、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部におけるこの層の厚みとが同程度になることもあり得る。しかしながら、本発明においては有機ＥＬ層を構成する１層以上の有機層を印刷法、吐出法または転写法で形成するので、有機ＥＬ層の厚みとしては、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部における有機ＥＬ層の厚みと、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部における有機ＥＬ層の厚みとが異なるものとなる。具体的には、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部における有機ＥＬ層の厚みが、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部における有機ＥＬ層の厚みよりも薄くなる。よって、有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層を印刷法、吐出法または転写法により形成し、有機ＥＬ層を構成する他の層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成したとしても、第２電極層が分断されるという効果を十分に得ることができる。 When the layers constituting the organic EL layer are formed by a method other than the printing method, the discharge method, and the transfer method, the layers constituting the organic EL layer are also formed between the small barrier ribs, and a plurality of small dots constituting the barrier ribs are formed. The thickness of this layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side of the partition on the light emitting region side and the thickness of this layer at the end opposite to the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side The thickness may be comparable. However, in the present invention, since one or more organic layers constituting the organic EL layer are formed by a printing method, a discharge method or a transfer method, the thickness of the organic EL layer is a small partition provided on the light emitting region side. The thickness of the organic EL layer at the end on the light emitting region side is different from the thickness of the organic EL layer on the end opposite to the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side. Specifically, the thickness of the organic EL layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side opposite to the light emitting region side is equal to the thickness at the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side. It becomes thinner than the thickness of the organic EL layer. Therefore, at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed by a printing method, a discharge method or a transfer method, and other layers constituting the organic EL layer are formed by a method other than the printing method, the discharge method and the transfer method. Even if formed, the effect that the second electrode layer is divided can be sufficiently obtained.
このように、有機ＥＬ層を構成する少なくとも１層の有機層を印刷法、吐出法または転写法により形成し、有機ＥＬ層を構成する他の層を印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成してもよいが、中でも、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち、湿式法で形成する有機層のすべてを印刷法、吐出法または転写法により形成することが好ましい。これにより、第２電極層をより確実に分断することができるからである。 As described above, at least one organic layer constituting the organic EL layer is formed by a printing method, a discharge method or a transfer method, and other layers constituting the organic EL layer are other than the printing method, the discharge method and the transfer method. However, among the organic layers constituting the organic EL layer, all of the organic layers formed by a wet method are preferably formed by a printing method, a discharge method, or a transfer method. Thereby, the second electrode layer can be more reliably divided.
以下、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成する他の層、および印刷法、吐出法および転写法、以外の方法に分けて説明する。 Hereinafter, description will be made separately on other layers formed by a method other than the printing method, the discharge method, and the transfer method, and methods other than the printing method, the discharge method, and the transfer method.
（１）印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成する他の層
本発明において、印刷法、吐出法および転写法、以外の方法で形成する他の層としては、発光層以外の層であることが好ましい。このような層としては、例えば、正孔注入層、電子注入層、電子輸送層等が挙げられる。以下、これらの層について説明する。
(1) Other layers formed by methods other than printing method, discharge method and transfer method In the present invention, other layers formed by methods other than printing method, discharge method and transfer method are other than the light emitting layer. A layer is preferred. Examples of such a layer include a hole injection layer, an electron injection layer, and an electron transport layer. Hereinafter, these layers will be described.
（ｉ）正孔注入層
正孔輸送層は、正孔注入層に正孔輸送の機能を付与することにより、正孔注入層と一体化される場合がある。すなわち、正孔注入層は、正孔注入機能のみを有していてもよく、正孔注入機能および正孔輸送機能の両機能を有していてもよい。
(I) Hole Injecting Layer The hole transporting layer may be integrated with the hole injecting layer by imparting a hole transporting function to the hole injecting layer. That is, the hole injection layer may have only a hole injection function, or may have both a hole injection function and a hole transport function.
正孔注入層に用いられる材料としては、発光層内への正孔の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム、酸化チタン等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリフェニレンビニレン誘導体等を用いることができる。具体的には、ビス（Ｎ−（１−ナフチル−Ｎ−フェニル）ベンジジン（α−ＮＰＤ）、４，４，４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）、ポリ３，４エチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルホン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。
The material used for the hole injection layer is not particularly limited as long as the material can stabilize the injection of holes into the light emitting layer. In addition, phenylamine, starburst amine, phthalocyanine, vanadium oxide, molybdenum oxide, ruthenium oxide, aluminum oxide, titanium oxide and other oxides, amorphous carbon, polyaniline, polythiophene, polyphenylene vinylene derivatives, etc. can be used. . Specifically, bis (N- (1-naphthyl-N-phenyl) benzidine (α-NPD), 4,4,4-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine (MTDATA),
また、正孔注入層の厚みとしては、正孔注入機能や正孔輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されないが、具体的には０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、中でも１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であることが好ましい。 Further, the thickness of the hole injection layer is not particularly limited as long as the hole injection function and the hole transport function are sufficiently exhibited. Specifically, the thickness is in the range of 0.5 nm to 1000 nm, particularly 10 nm. It is preferable to be within a range of ˜500 nm.
（iii）電子注入層
電子輸送層は、電子注入層に電子輸送の機能を付与することにより、電子注入層と一体化される場合がある。すなわち、電子注入層は、電子注入機能のみを有していてもよく、電子注入機能および電子輸送機能の両機能を有していてもよい。
(Iii) Electron injection layer The electron transport layer may be integrated with the electron injection layer by imparting an electron transport function to the electron injection layer. That is, the electron injection layer may have only an electron injection function, or may have both an electron injection function and an electron transport function.
電子注入層に用いられる材料としては、発光層内への電子の注入を安定化させることができる材料であれば特に限定されるものではなく、上記発光層の発光材料に例示した化合物の他、アルミリチウム合金、フッ化リチウム、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化カルシウム、フッ化バリウム、酸化アルミニウム、酸化ストロンチウム、カルシウム、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレンスルホン酸ナトリウム、リチウム、セシウム、フッ化セシウム等のようにアルカリ金属類、およびアルカリ金属類のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体等を用いることができる。 The material used for the electron injection layer is not particularly limited as long as the material can stabilize the injection of electrons into the light emitting layer. In addition to the compounds exemplified as the light emitting material of the light emitting layer, Aluminum lithium alloy, lithium fluoride, strontium, magnesium oxide, magnesium fluoride, strontium fluoride, calcium fluoride, barium fluoride, aluminum oxide, strontium oxide, calcium, polymethyl methacrylate, sodium polystyrene sulfonate, lithium, cesium, Alkali metals, alkali metal halides, alkali metal organic complexes, and the like, such as cesium fluoride, can be used.
また、電子輸送性の有機材料にアルカリ金属あるいはアルカリ土類金属をドープした金属ドープ層を形成し、これを電子注入層とすることもできる。上記電子輸送性の有機材料としては、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体等を挙げることができ、ドープする金属としては、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒ等が挙げられる。 Alternatively, a metal doped layer in which an alkali metal or alkaline earth metal is doped on an electron transporting organic material may be formed and used as an electron injection layer. Examples of the electron-transporting organic material include bathocuproin, bathophenanthroline, and phenanthroline derivatives. Examples of the metal to be doped include Li, Cs, Ba, and Sr.
上記電子注入層の厚みとしては、電子注入機能や電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。 The thickness of the electron injection layer is not particularly limited as long as the electron injection function and the electron transport function are sufficiently exhibited.
（iv）電子輸送層
電子輸送層に用いられる材料としては、陰極から注入された電子を発光層内へ輸送することが可能な材料であれば特に限定されるものではなく、例えばバソキュプロイン、バソフェナントロリン、フェナントロリン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、またはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等を挙げることができる。
(Iv) Electron transport layer The material used for the electron transport layer is not particularly limited as long as it is a material capable of transporting electrons injected from the cathode into the light emitting layer. For example, bathocuproine, bathophenanthroline , A phenanthroline derivative, a triazole derivative, an oxadiazole derivative, or a tris (8-quinolinolato) aluminum complex (Alq 3 ).
上記電子輸送層の厚みとしては、電子輸送機能が十分に発揮される厚みであれば特に限定されない。 The thickness of the electron transport layer is not particularly limited as long as the electron transport function is sufficiently exerted.
（２）印刷法、吐出法および転写法、以外の方法
印刷法、吐出法および転写法、以外の方法としては、湿式法であってもよく乾式法であってもよい。
(2) Method other than printing method, discharge method and transfer method As a method other than printing method, discharge method and transfer method, a wet method or a dry method may be used.
湿式法としては、塗工液を塗布する方法が挙げられる。塗布方法としては、例えば、ディップコート法、ロールコート法、ブレードコート法、スピンコート法、バーコート法、ワイヤーバーコート法、キャスト法、ＬＢ法等を挙げることができる。 Examples of the wet method include a method of applying a coating liquid. Examples of the coating method include a dip coating method, a roll coating method, a blade coating method, a spin coating method, a bar coating method, a wire bar coating method, a casting method, and an LB method.
乾式法としては、真空蒸着法等の一般的な蒸着方法を用いることができる。 As the dry method, a general vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method can be used.
４．第２電極層形成工程
本発明における第２電極層形成工程は、有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程である。
4). Second electrode layer forming step The second electrode layer forming step in the present invention is a step of forming the second electrode layer on the organic EL layer.
第２電極層は、陽極であっても陰極であってもよいが、通常は陰極として形成される。 The second electrode layer may be an anode or a cathode, but is usually formed as a cathode.
また、第２電極層は、透明性を有していても有していなくてもよく、光の取出し面等によって適宜選択される。例えば第２電極層側から光を取り出す場合は、第２電極層は透明または半透明である必要がある。 The second electrode layer may or may not have transparency, and is appropriately selected depending on the light extraction surface and the like. For example, when extracting light from the second electrode layer side, the second electrode layer needs to be transparent or translucent.
陰極としては、電子が注入しやすいように仕事関数の小さい導電性材料を用いることが好ましく、例えばＭｇＡｇ等のマグネシウム合金、ＡｌＬｉ、ＡｌＣａ、ＡｌＭｇ等のアルミニウム合金、Ｌｉ、Ｃａをはじめとするアルカリ金属類およびアルカリ土類金属類、または、アルカリ金属類およびアルカリ土類金属類の合金などが挙げられる。 As the cathode, it is preferable to use a conductive material having a small work function so that electrons can be easily injected. For example, magnesium alloys such as MgAg, aluminum alloys such as AlLi, AlCa, and AlMg, and alkali metals such as Li and Ca. And alkaline earth metals, or alloys of alkali metals and alkaline earth metals.
また、第２電極層は抵抗が小さいことが好ましく、一般には金属材料が用いられるが、有機化合物または無機化合物を用いてもよい。 The second electrode layer preferably has a low resistance, and generally a metal material is used, but an organic compound or an inorganic compound may be used.
本工程においては、上記有機ＥＬ層上に、金属材料を成膜して第２電極層を形成することが好ましい。第２電極層の材料としては抵抗が低いものであればよく、金属材料が最も適しているからである。 In this step, it is preferable to form a second electrode layer by forming a metal material on the organic EL layer. This is because the second electrode layer may be made of a material having a low resistance, and a metal material is most suitable.
金属材料の成膜方法としては、一般的な電極の形成方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の一般的な蒸着法や、金属ペーストを塗布する方法等が挙げられる。中でも、真空蒸着法、金属ペーストを塗布する方法が好ましい。真空蒸着法は、ドライプロセスで有機ＥＬ層へのダメージが少ない方法であり、積層に適している。また、金属ペーストを塗布する方法はウェットプロセスであり、ウェットプロセスはドライプロセスよりも大面積の対応に適している。ウェットプロセスであっても、有機ＥＬ層に影響を与えない溶媒が配合された金属ペーストは使用可能である。すなわち、有機ＥＬ層の耐溶剤性などによって有機ＥＬ層に影響を与えないように工夫することで、ウェットプロセスも適用可能となる。 As a method for forming a metal material, a general electrode forming method can be used. For example, a general vapor deposition method such as a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, an ion plating method, or a method for applying a metal paste. Etc. Among these, a vacuum deposition method and a method of applying a metal paste are preferable. The vacuum evaporation method is a method that causes little damage to the organic EL layer in a dry process and is suitable for stacking. Further, the method of applying the metal paste is a wet process, and the wet process is more suitable for dealing with a larger area than the dry process. Even in the wet process, a metal paste containing a solvent that does not affect the organic EL layer can be used. That is, a wet process can be applied by devising the organic EL layer so as not to be affected by the solvent resistance of the organic EL layer.
なお、第１電極層と隔壁との間に絶縁層が形成されていない場合、図４(a)に例示するような有機ＥＬ素子用基板１が用いられる。このような有機ＥＬ素子用基板１を用いて、図４(b)〜(c)に例示するように有機層６および第２電極層７を形成すると、図４(c)に例示するように小隔壁５ａ，５ｂ間において第１電極層３と第２電極層７とが接触する場合がある。本発明においては、小隔壁５ａ，５ｂ間に位置する第２電極層７は、発光領域１１に位置する第２電極層７とは分断されており、電圧の印加に関与しない。よって、絶縁層が形成されておらず、小隔壁間で第１電極層および第２電極層が接触している場合であっても、第１電極層および第２電極層間でショートすることはない。
In addition, when the insulating layer is not formed between the 1st electrode layer and the partition, the board |
Ｂ．有機ＥＬ素子
次に、本発明の有機ＥＬ素子について説明する。
本発明の有機ＥＬ素子は、基板と、上記基板上に形成された第１電極層と、上記第１電極層が形成された基板上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域を画定する複数の絶縁性の隔壁と、上記隔壁間の上記第１電極層上に形成され、発光層を含む有機ＥＬ層と、上記有機ＥＬ層上に形成され、上記隔壁により分断されている第２電極層とを有し、上記隔壁の各々が、所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されており、上記隔壁を構成する複数の上記小隔壁のうち発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側の端部での上記第２電極層の高さをｔ3、上記発光領域側に設けられた上記小隔壁の上記発光領域側とは反対側の端部での上記第２電極層の高さをｔ4としたとき、ｔ3＞ｔ4であり、上記隔壁を挟んで隣接する上記第２電極層が互いに電気的に絶縁されていることを特徴とするものである。
B. Organic EL Element Next, the organic EL element of the present invention will be described.
The organic EL device of the present invention includes a substrate, a first electrode layer formed on the substrate, a divided region formed on the substrate on which the first electrode layer is formed, and dividing the second electrode layer into a plurality of regions. Are formed on the first electrode layer between the partition walls, and are formed on the organic EL layer and separated by the partition walls. Each of the partition walls includes a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, and the light emitting region side of the plurality of small partition walls constituting the partition wall The height of the second electrode layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side is t 3 , and the height of the small partition provided on the light emitting region side is opposite to the light emitting region side. When the height of the second electrode layer at the end is t 4 , t 3 > t 4 , and the partition is sandwiched between them. The second electrode layers adjacent to each other are electrically insulated from each other.
本発明の有機ＥＬ素子について図面を参照しながら説明する。
図１０は本発明の有機ＥＬ素子の一例を示す概略断面図である。図１０に例示する有機ＥＬ素子２０は、基板２と、基板２上に形成された第１電極層３と、第１電極層３上に形成された絶縁層４と、絶縁層４上に形成され、第２電極層を複数に分断する分断領域１０を画定する複数の絶縁性の隔壁５と、隔壁５間の第１電極層３上に形成された発光層８と、発光層８上に形成され、隔壁５により分断されている第２電極層７とを有している。
隔壁５の各々は、所定間隔ｄをおいて平行に設けられた複数の小隔壁５ａ，５ｂから構成されている。図１０に示す例においては、図２に例示するように、第１電極層３のストライプパターンに、隔壁５（小隔壁５ａ，５ｂ）のストライプパターンが直交するように、隔壁５（小隔壁５ａ，５ｂ）が形成されている。この隔壁５を構成する複数の小隔壁５ａ，５ｂのうち発光領域１１側に設けられた小隔壁５ａ，５ｂ（図１０においては５ａとする。）の発光領域１１側の端部での第２電極層の高さをｔ3、発光領域１１側に設けられた小隔壁５ａ，５ｂ（図１０においては５ａとする。）の発光領域１１側とは反対側の端部での第２電極層の高さをｔ4としたとき、ｔ3＞ｔ4となっている。
また、隔壁５を挟んで隣接する第２電極層７は互いに電気的に絶縁されている。
The organic EL element of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 10 is a schematic cross-sectional view showing an example of the organic EL element of the present invention. The
Each of the
Further, the
このような有機ＥＬ素子を製造する場合、図１(b)に例示するように、発光層等の有機層を形成する際に小隔壁５ａ，５ｂの発光領域１１側の側面にも有機層形成用塗工液が付着して、隔壁５の周辺で発光層等の有機層６の厚みが厚くなることがある。しかしながら、小隔壁５ａ，５ｂ間の間隔ｄは比較的狭いため、小隔壁５ａ，５ｂ間に有機層形成用塗工液が入り込み難くなり、小隔壁５ａ，５ｂ間に位置する有機層６の厚みを薄くすることができる。そのため、図１０に例示する有機ＥＬ素子２０においては、小隔壁間に位置する第２電極層の高さが低くなるのである。すなわち、ｔ3＞ｔ4となるのである。
When manufacturing such an organic EL element, as illustrated in FIG. 1B, when an organic layer such as a light emitting layer is formed, an organic layer is also formed on the side surface of the
本発明によれば、隔壁の各々が所定間隔をおいて平行に設けられた複数の小隔壁から構成されており、ｔ3＞ｔ4であるので、塗工液が小隔壁の発光領域側の側面に付着して隔壁の周辺で発光層等の有機層の厚みが厚くなった場合であっても、小隔壁間に位置する発光層等の有機層の厚みを薄くすることができ、小隔壁間に位置する第２電極層の高さを低くすることができる。よって、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを防止することが可能である。 According to the present invention, each of the partition walls is composed of a plurality of small partition walls provided in parallel at a predetermined interval, and t 3 > t 4 , so that the coating liquid is on the light emitting region side of the small partition wall. Even when the thickness of the organic layer such as the light emitting layer is increased around the partition due to adhesion to the side surface, the thickness of the organic layer such as the light emitting layer located between the small partitions can be reduced. The height of the second electrode layer positioned therebetween can be reduced. Therefore, it is possible to reliably divide the second electrode layer and prevent a short circuit between the second electrode layers located with the partition wall interposed therebetween.
なお、分断領域、発光領域、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち発光領域側に設けられた小隔壁、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部、および、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部、の定義については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の製造方法」の項に記載したので、ここでの説明は省略する。 Of the plurality of small partitions constituting the partition region, the light emitting region, the partition, the small partition provided on the light emitting region side, the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side, and the light emitting region side Since the definition of the end of the small partition provided on the side opposite to the light emitting region side is described in the above section “A. Manufacturing method of organic EL element”, description thereof is omitted here.
「発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での第２電極層の高さｔ3」とは、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部における、小隔壁の下地層表面から第２電極層表面までの高さをいう。図１０〜図１２に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが絶縁層４の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は絶縁層４であり、上記第２電極層の高さｔ3は、小隔壁５ａの発光領域１１側の端部における絶縁層４表面から第２電極層７表面までの高さとなる。また、図１３に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが第１電極層３の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は第１電極層３であり、上記第２電極層の高さｔ3は、小隔壁５ａの発光領域１１側の端部における第１電極層３表面から第２電極層７表面までの高さとなる。
“Height t 3 of the second electrode layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side” is the end of the small partition provided on the light emitting region side on the light emitting region side. This refers to the height from the surface of the base layer of the small partition wall to the surface of the second electrode layer. As illustrated in FIGS. 10 to 12, when the
一方、「発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での第２電極層の高さｔ4」とは、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部における、小隔壁の下地層表面から第２電極層表面までの高さをいう。図１０〜図１２に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが絶縁層４の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は絶縁層４であり、上記第２電極層の高さｔ4は、小隔壁５ａの発光領域１１側とは反対側の端部における絶縁層４表面から第２電極層７表面までの高さとなる。また、図１３に例示するように、小隔壁５ａ、５ｂが第１電極層３の直上に形成されている場合には、小隔壁５ａ、５ｂの下地層は第１電極層３であり、上記第２電極層の高さｔ4は、小隔壁５ａの発光領域１１側とは反対側の端部における第１電極層３表面から第２電極層７表面までの高さとなる。
On the other hand, “the height t 4 of the second electrode layer at the end opposite to the light emitting region side of the small partition provided on the light emitting region side” refers to the light emitting region of the small partition provided on the light emitting region side. The height from the surface of the base layer of the small partition wall to the surface of the second electrode layer at the end opposite to the side. As illustrated in FIGS. 10 to 12, when the
なお、上記第２電極層の高さｔ3，ｔ4の測定方法については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の製造方法」の有機層の高さｔ1，ｔ2の測定方法と同様であるので、ここでの説明は省略する。 The method for measuring the heights t 3 and t 4 of the second electrode layer is the same as the method for measuring the heights t 1 and t 2 of the organic layer in “A. Manufacturing method of organic EL element”. Therefore, explanation here is omitted.
なお、基板、第１電極層、隔壁、分断領域、絶縁層については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の製造方法」の有機ＥＬ素子用基板調製工程の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。以下、本発明の有機ＥＬ素子における他の構成について説明する。 The substrate, the first electrode layer, the partition wall, the dividing region, and the insulating layer are described in detail in the section of the organic EL element substrate preparation step in “A. Manufacturing method of organic EL element” above. Is omitted. Hereinafter, the other structure in the organic EL element of this invention is demonstrated.
１．第２電極層
本発明においては、隔壁を構成する複数の小隔壁のうち発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側の端部での第２電極層の高さをｔ3、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での第２電極層の高さをｔ4としたとき、ｔ3＞ｔ4となる。
1. Second electrode layer In the present invention, the height of the second electrode layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side among the plurality of small partitions constituting the partition is t 3 , the light emitting region When the height of the second electrode layer at the end of the small partition provided on the side opposite to the light emitting region side is t 4 , t 3 > t 4 .
ｔ4としては、発光領域側に設けられた小隔壁の発光領域側とは反対側の端部において、基板表面から第２電極層表面までの高さが、基板表面から小隔壁表面までの高さよりも低く、かつ、ｔ3よりも低ければよい。具体的に、ｔ4は、小隔壁の厚みを１とすると、０．５以下であることが好ましく、より好ましくは０．２５以下、さらに好ましくは０．１以下である。上記の比率が上記範囲であれば、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを効果的に抑制することができるからである。
さらに具体的に、ｔ4は、５０ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲内であることが好ましく、より好ましくは５０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、さらに好ましくは５０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内である。ｔ4が上記範囲であれば、上記の場合と同様に、第２電極層を確実に分断し、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを効果的に抑制することができるからである。
As t 4 , the height from the substrate surface to the second electrode layer surface at the end of the small partition provided on the light emitting region side opposite to the light emitting region side is the height from the substrate surface to the surface of the small partition. And lower than t 3 . Specifically, t 4 is preferably 0.5 or less, more preferably 0.25 or less, and further preferably 0.1 or less, where the thickness of the small partition wall is 1. This is because, if the ratio is within the above range, the second electrode layer can be reliably divided and a short circuit between the second electrode layers positioned with the partition wall interposed therebetween can be effectively suppressed.
More specifically, t 4 is preferably in the range of 50 nm to 2000 nm, more preferably in the range of 50 nm to 1000 nm, and still more preferably in the range of 50 nm to 400 nm. If t 4 is in the above range, the second electrode layer can be reliably divided and the short circuit between the second electrode layers located across the partition wall can be effectively suppressed as in the above case. It is.
ｔ3としては、ｔ4よりも高ければ特に限定されるものではない。 t 3 is not particularly limited as long as it is higher than t 4 .
また、隔壁を挟んで隣接する第２電極層は互いに電気的に絶縁されている。なお、隔壁を挟んで隣接する第２電極層が互いに電気的に絶縁されていることは、テスターによる導通の有無や、電圧印加による発光の有無などにより確認することができる。 Further, the second electrode layers adjacent to each other with the partition wall interposed therebetween are electrically insulated from each other. In addition, it can confirm that the 2nd electrode layer adjacent on both sides of a partition is mutually insulated by the presence or absence of the conduction | electrical_connection by a tester, the presence or absence of the light emission by voltage application, etc.
なお、第２電極層のその他の点については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の製造方法」の第２電極層形成工程の項に記載したので、ここでの説明は省略する。 The other points of the second electrode layer are described in the section of the second electrode layer forming step in “A. Manufacturing method of organic EL element” above, and thus the description thereof is omitted here.
２．有機ＥＬ層
本発明に用いられる有機ＥＬ層は、少なくとも発光層を含む１層もしくは複数層の有機層を有するものである。
なお、有機ＥＬ層の層構成および有機ＥＬ層を構成する各層については、上記「Ａ．有機ＥＬ素子の製造方法」の有機層形成工程および有機ＥＬ層形成工程の項に詳しく記載したので、ここでの説明は省略する。
2. Organic EL Layer The organic EL layer used in the present invention has one or more organic layers including at least a light emitting layer.
The layer configuration of the organic EL layer and each layer constituting the organic EL layer are described in detail in the section of the organic layer forming step and the organic EL layer forming step in the above “A. Manufacturing method of organic EL element”. The description in is omitted.
有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層は、メニスカス状の断面形状を有していてもよい。例えば図１０〜図１３においては、隣り合う隔壁５の間に位置する発光層８がメニスカス状の断面形状を有している。有機ＥＬ層を構成する発光層等の有機層がメニスカス状の断面形状を有する場合には、有機ＥＬ層上に形成される第２電極層が発光領域と分断領域とでつながってしまうおそれがあるが、本発明においては隔壁が複数の小隔壁から構成されているので、第２電極層を確実に分断することができる。よって、有機ＥＬ層を構成する有機層のうち少なくとも１層の有機層が、メニスカス状の断面形状を有する場合には、本発明の構成とすることにより、隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートするのを効果的に抑制することができる。
At least one organic layer of the organic layers constituting the organic EL layer may have a meniscus cross-sectional shape. For example, in FIGS. 10-13, the
なお、有機ＥＬ層を構成する有機層がメニスカス状の断面形状を有することは、有機ＥＬ素子の断面の電子顕微鏡写真により確認することができる。 In addition, it can confirm with the electron micrograph of the cross section of an organic EL element that the organic layer which comprises an organic EL layer has a meniscus cross-sectional shape.
メニスカス状の断面形状を有する有機層の数としては、１層以上であればよく、例えば１層、２層、３層等とすることができる。
また、メニスカス状の断面形状を有する有機層としては、発光層であることが好ましい。この有機層は、正孔注入層および発光層であってもよい。
The number of organic layers having a meniscus cross-sectional shape may be one or more, for example, one layer, two layers, three layers, and the like.
The organic layer having a meniscus cross-sectional shape is preferably a light emitting layer. This organic layer may be a hole injection layer and a light emitting layer.
有機ＥＬ層の形成位置としては、有機ＥＬ層を構成する各層が少なくとも発光領域に形成されていればよい。例えば、発光層８は、図１０〜図１３に示すように隔壁５上に形成されていてもよく、図示しないが隔壁上に形成されていなくてもよい。また、発光層が隔壁上に形成されている場合には、図１０、図１１および図１３に例示するように発光層８が隔壁５上の全部に形成されていてもよく、図１２に例示するように発光層８が隔壁５上の一部に形成されていてもよい。
As a formation position of the organic EL layer, each layer constituting the organic EL layer may be formed at least in the light emitting region. For example, the
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention, and any device that exhibits the same function and effect is the present invention. It is included in the technical scope of the invention.
以下、本発明について実施例および比較例を用いて具体的に説明する。
［実施例１］
（透明電極層の形成）
まず、ガラス基板（厚み０．７ｍｍ）に対して、イオンプレーティング法により膜厚２００ｎｍの酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）電極膜を形成し、このＩＴＯ電極膜上に感光性レジストを塗布し、マスク露光、現像、ＩＴＯ電極膜のエッチングを行って、幅１．７ｍｍのストライプ状の透明電極層を２．３ｍｍピッチで３０本形成した。
Hereinafter, the present invention will be specifically described using examples and comparative examples.
[Example 1]
(Formation of transparent electrode layer)
First, an indium tin oxide (ITO) electrode film having a thickness of 200 nm is formed on a glass substrate (thickness 0.7 mm) by an ion plating method, a photosensitive resist is applied on the ITO electrode film, and mask exposure is performed. Then, development and etching of the ITO electrode film were performed to form 30 transparent transparent electrode layers having a width of 1.7 mm at a pitch of 2.3 mm.
（絶縁層の形成）
次に、上記のガラス基板（厚み０．７ｍｍ）に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ポリイミド前駆体を主成分とするポジ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、各透明電極層上に１．５ｍｍ×１．５ｍｍの発光エリア（開口部）が２．３ｍｍピッチで存在するように絶縁層（厚み１．５μｍ）を形成した。
(Formation of insulating layer)
Next, the glass substrate (thickness 0.7 mm) is subjected to cleaning treatment and ultraviolet plasma cleaning, and then a positive photosensitive resist mainly composed of a polyimide precursor is applied by a spin coating method, and a photolithography process is performed. Then, an insulating layer (thickness: 1.5 μm) was formed so that 1.5 mm × 1.5 mm light emitting areas (openings) exist at a pitch of 2.3 mm on each transparent electrode layer.
（隔壁の形成）
次に、上記の絶縁層が形成されたガラス基板に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなるネガ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、絶縁層上に透明電極層と直交するように、ストライプ状で断面形状が逆テーパー状の隔壁を並列に形成した。この際、隔壁を構成する小隔壁の数は２個（２ライン）とした。また、小隔壁の間隔を６０μｍ、３０μｍ、１５μｍと変化させて、隔壁を形成した。小隔壁は、幅が５０μｍ、厚みが４μｍ、逆テーパーの角度は５０°であった。
(Formation of partition walls)
Next, the glass substrate on which the insulating layer is formed is subjected to cleaning treatment and ultraviolet plasma cleaning, and then a negative photosensitive resist composed of a novolac resin, a phenol resin, and a melamine resin is applied by a spin coat method. Patterning was performed by a lithography process, and barrier ribs having a stripe shape and a reverse taper shape were formed in parallel on the insulating layer so as to be orthogonal to the transparent electrode layer. At this time, the number of small partition walls constituting the partition walls was set to two (2 lines). Further, the partition walls were formed by changing the interval between the small partition walls to 60 μm, 30 μm, and 15 μm. The small partition wall had a width of 50 μm, a thickness of 4 μm, and an inverse taper angle of 50 °.
（正孔注入層用のインキおよび赤色発光層用のインキの調製）
次に、下記組成の正孔注入層用のインキＡ１を調製した。このインキＡ１のせん断速度１００／秒における粘度（インキ温度２３℃）を、Ｐｈｙｓｉｃａ社製の粘弾性測定装置ＭＣＲ３０１型により定常流測定モードで測定した結果、１５ｃＰであった。また、２Ｈｚにおける動的表面張力（インキ温度２３℃）をＳＩＴＡ ｔ６０／２（ＳＩＴＡ Ｍｅｓｓｔｅｃｈｎｉｋ ＧｍｂＨ社製）を用いて測定した結果、３０ｄｙｎｅ／ｃｍであった。
＜正孔注入層用のインキＡ１の組成＞
・ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォネート）（混合比＝１／２０）（バイエル社製 Ｂａｙｔｒｏｎ ＰＣＨ８０００）
… ７０重量％
・混合溶媒（水：イソプロピルアルコール（沸点８２．４℃）＝７０：３０）
… ３０重量％
(Preparation of ink for hole injection layer and ink for red light emitting layer)
Next, an ink A1 for a hole injection layer having the following composition was prepared. The viscosity of the ink A1 at a shear rate of 100 / sec (ink temperature: 23 ° C.) was measured in a steady flow measurement mode using a viscoelasticity measuring apparatus MCR301 manufactured by Physica, and found to be 15 cP. The dynamic surface tension (ink temperature 23 ° C.) at 2 Hz was measured using SITA t60 / 2 (manufactured by SITA Messtechnik GmbH), and as a result, it was 30 dyne / cm.
<Composition of ink A1 for hole injection layer>
PEDOT (poly (3,4) ethylenedioxythiophene) / PSS (polystyrene sulfonate) (mixing ratio = 1/20) (Baytron PCH8000 manufactured by Bayer)
... 70% by weight
Mixed solvent (water: isopropyl alcohol (boiling point 82.4 ° C.) = 70:30)
... 30% by weight
次いで、下記組成の赤色発光層用のインキＢ１を調製した。このインキＢ１のせん断速度１００／秒における粘度（インキ温度２３℃）を、上記のインキＡ１と同様に測定した結果、８０ｃＰであった。また、溶媒として使用するメシチレンとテトラリンの表面張力を、協和界面科学（株）製の表面張力計ＣＢＶＰ−Ｚ型により、液温２０℃で測定した。
＜赤色発光層用のインキＢ１の組成＞
・ポリフルオレン誘導体系の赤色発光材料（分子量：３００，０００）… ２．５重量％
・溶媒（メシチレン：テトラリン＝５０：５０の混合溶媒） …９７．５重量％
（混合溶媒の表面張力＝３２ｄｙｎｅ／ｃｍ、沸点＝１８６℃）
（メシチレンの表面張力＝２８ｄｙｎｅ／ｃｍ、沸点＝１６５℃）
（テトラリンの表面張力＝３５．５ｄｙｎｅ／ｃｍ、沸点＝２０７℃）
Subsequently, ink B1 for red light emitting layers having the following composition was prepared. As a result of measuring the viscosity (ink temperature 23 ° C.) of the ink B1 at a shear rate of 100 / sec in the same manner as the ink A1, it was 80 cP. The surface tension of mesitylene and tetralin used as solvents was measured at a liquid temperature of 20 ° C. using a surface tension meter CBVP-Z type manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.
<Composition of ink B1 for red light emitting layer>
・ Polyfluorene derivative-based red light emitting material (molecular weight: 300,000): 2.5% by weight
-Solvent (mixed solvent of mesitylene: tetralin = 50: 50) ... 97.5% by weight
(Surface tension of mixed solvent = 32 dyne / cm, boiling point = 186 ° C.)
(Surface tension of mesitylene = 28 dyne / cm, boiling point = 165 ° C.)
(Surface tension of tetralin = 35.5 dyne / cm, boiling point = 207 ° C)
（正孔注入層および発光層の形成）
グラビア版として、セル間隔２５μｍとなるように格子形状に配列された正方形のセル（セルの一辺が１００μｍ、セルの深さ３５μｍ）を備えた板状のグラビア版（有効幅８０ｍｍ）を準備した。このグラビア版では、正方形のセルの対角線方向を、後述のブランケットの稼動方向と一致させた。
次に、樹脂フィルムとして、易接着ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ（株）製 Ｕ１０、厚み１００μｍ、表面張力６０ｄｙｎｅ／ｃｍ）を準備した。なお、このフィルムの表面張力は、２種以上の表面張力が判っている液体（標準物質）を使用して、自動接触角計（協和界面科学（株）製 DropMaster 700型）にて接触角θを測定し、γｓ（樹脂フィルムの表面張力）＝γＬ（液体の表面張力）ｃｏｓθ＋γＳＬ（樹脂フィルムと液体の表面張力）の式に基づいて求めた。
次いで、直径１２ｃｍ、胴幅３０ｃｍのブランケット胴（表面にクッション層（硬度７０°）を備える）の周面に、上記の樹脂フィルムを装着してブランケットを作製した。なお、クッション層の硬度はＪＩＳ（Ｋ６２５３）デュロメータ硬さ試験によるＴｙｐｅＡ硬度である。
(Formation of hole injection layer and light emitting layer)
As a gravure plate, a plate-like gravure plate (effective width 80 mm) provided with square cells (one side of the cell is 100 μm and the cell depth is 35 μm) arranged in a lattice shape so that the cell spacing is 25 μm was prepared. In this gravure version, the diagonal direction of the square cell was made to coincide with the operation direction of the blanket described later.
Next, an easily-adhesive polyethylene terephthalate (PET) film (U10 manufactured by Toray Industries, Inc., thickness 100 μm, surface tension 60 dyne / cm) was prepared as a resin film. The surface tension of this film is determined by using an automatic contact angle meter (DropMaster Model 700, manufactured by Kyowa Interface Science Co., Ltd.) using a liquid (standard material) of which two or more types of surface tensions are known. Was measured based on the equation: γs (surface tension of resin film) = γL (surface tension of liquid) cos θ + γSL (surface tension of resin film and liquid).
Next, a blanket was prepared by mounting the above resin film on the peripheral surface of a blanket cylinder (having a cushion layer (hardness 70 °) on the surface) having a diameter of 12 cm and a cylinder width of 30 cm. In addition, the hardness of a cushion layer is Type A hardness by a JIS (K6253) durometer hardness test.
次に、上記のグラビア版とブランケットを平台オフセット印刷機に装着し、グラビア版に上記の正孔注入層用のインキＡ１を供給し、ブレードを用いて不要なインキを除去して、セル内にインキを充填した。次いで、グラビア版からブランケットにインキを受理させ、その後、ブランケットから上記の隔壁等が形成されたガラス基板上にインキを転移させることによって、正孔注入層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、印刷速度は１０００ｍｍ／秒であり、乾燥は１２０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この正孔注入層は８０ｍｍ×８０ｍｍであり、上記の絶縁層の開口部を被覆するように形成した。 Next, the gravure plate and the blanket are mounted on a flat table offset printing machine, and the ink A1 for the hole injection layer is supplied to the gravure plate, and unnecessary ink is removed using a blade, and the ink is put into the cell. Filled with ink. Next, ink was received from the gravure plate into the blanket, and then the hole injection layer (thickness: about 70 nm) was formed by transferring the ink from the blanket onto the glass substrate on which the partition walls and the like were formed. The printing speed was 1000 mm / second, and drying was performed for 1 hour on a hot plate set at 120 ° C. The hole injection layer was 80 mm × 80 mm, and was formed so as to cover the opening of the insulating layer.
次いで、グラビア版に上記の赤色発光層用のインキＢ１を供給し、正孔注入層の形成と同様の作業によって、赤色発光層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、印刷速度は１０００ｍｍ／秒であり、乾燥は１８０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この赤色発光層は８０ｍｍ×８０ｍｍであり、上記の正孔注入層を被覆するように形成した。
このとき、小隔壁の発光領域側の端部での正孔注入層および発光層の高さ（正孔注入層および発光層の高さｔ1）、および、小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での正孔注入層および発光層の高さ（正孔注入層および発光層の高さｔ2）をZygo社製の走査型白色干渉法により測定した。
Subsequently, the ink B1 for the red light emitting layer was supplied to the gravure plate, and a red light emitting layer (thickness of about 70 nm) was formed by the same operation as the formation of the hole injection layer. The printing speed was 1000 mm / second, and drying was performed for 1 hour on a hot plate set at 180 ° C. This red light emitting layer was 80 mm × 80 mm and was formed so as to cover the hole injection layer.
At this time, the height of the hole injection layer and the light emitting layer at the end of the small partition wall on the light emitting region side (the height t 1 of the hole injection layer and the light emitting layer) is opposite to the light emitting region side of the small partition wall. The heights of the hole injection layer and the light emitting layer at the end portion on the side (height t 2 of the hole injection layer and the light emitting layer) were measured by a scanning white interference method manufactured by Zygo.
（電子注入層の形成）
赤色発光層を形成した面側に、９０ｍｍ×９０ｍｍの開口部を備えたメタルマスクを上記の絶縁層の発光エリア（開口部）上に位置するように配置した。次に、このマスクを介して真空蒸着法によりカルシウムを蒸着（蒸着速度＝０．１ｎｍ／秒）して電子注入層（厚み１０ｎｍ）を形成した。
(Formation of electron injection layer)
On the surface side on which the red light emitting layer was formed, a metal mask having an opening of 90 mm × 90 mm was disposed so as to be positioned on the light emitting area (opening) of the insulating layer. Next, calcium was vapor-deposited through this mask by a vacuum vapor deposition method (deposition rate = 0.1 nm / second) to form an electron injection layer (
（第２電極層の形成）
次に、電子注入層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着（蒸着速度＝０．４ｎｍ／秒）した。これにより、電子注入層上に、アルミニウムからなる９０ｍｍ×９０ｍｍの開口部の第２電極層（厚み４μｍ）を形成した。
最後に、第２電極層を形成した面側に、紫外線硬化型接着剤を介して封止板を貼り合わせることにより、有機ＥＬ素子を得た。
(Formation of second electrode layer)
Next, the metal mask used for forming the electron injection layer was used as it was, and aluminum was deposited by vapor deposition (deposition rate = 0.4 nm / second). Thereby, a second electrode layer (thickness: 4 μm) made of aluminum and having an opening of 90 mm × 90 mm was formed on the electron injection layer.
Finally, an organic EL element was obtained by bonding a sealing plate to the surface side on which the second electrode layer was formed via an ultraviolet curable adhesive.
［比較例１］
下記のようにして隔壁を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（隔壁の形成）
絶縁層が形成されたガラス基板に、洗浄処理と紫外線プラズマ洗浄を施し、その後、ノボラック樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂からなるネガ型感光性レジストをスピンコート法で塗布し、フォトリソグラフィープロセスでパターニングして、図１４(a)、(b)に例示するように、絶縁層１０４上に透明電極層１０３と直交するようにストライプ状の隔壁１０５を並列に形成した。この際、隔壁１０５は１ラインのみとした。隔壁は、幅が５０μｍ、厚みが４μｍであった。なお、図１４(a)は上面図、図１４(b)は図１４(a)のＢ−Ｂ線断面図である。
[Comparative Example 1]
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the partition walls were formed as described below.
(Formation of partition walls)
The glass substrate on which the insulating layer is formed is subjected to cleaning treatment and ultraviolet plasma cleaning, and then a negative photosensitive resist made of novolak resin, phenol resin, and melamine resin is applied by spin coating and patterned by a photolithography process. 14A and 14B, stripe-shaped
［比較例２］
下記のようにして正孔注入層および発光層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
[Comparative Example 2]
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the hole injection layer and the light emitting layer were formed as follows.
（正孔注入層用のインキおよび赤色発光層用のインキの調製）
下記組成の正孔注入層用のインキを調製した。
＜正孔注入層用のインキの組成＞
・ＰＥＤＯＴ（ポリ（３，４）エチレンジオキシチオフェン）／ＰＳＳ（ポリスチレンスルフォネート）（混合比＝１／２０）（バイエル社製 Ｂａｙｔｒｏｎ ＰＣＨ８０００）
(Preparation of ink for hole injection layer and ink for red light emitting layer)
An ink for a hole injection layer having the following composition was prepared.
<Composition of ink for hole injection layer>
PEDOT (poly (3,4) ethylenedioxythiophene) / PSS (polystyrene sulfonate) (mixing ratio = 1/20) (Baytron PCH8000 manufactured by Bayer)
また、下記組成の赤色発光層用のインキを調製した。
＜赤色発光層用のインキの組成＞
・ポリフルオレン誘導体系の赤色発光材料（分子量：３００，０００）… １．５重量％
・溶媒（キシレン） …９８．５重量％
Moreover, the ink for red light emitting layers of the following composition was prepared.
<Ink composition for red light emitting layer>
・ Polyfluorene derivative-based red light emitting material (molecular weight: 300,000): 1.5% by weight
・ Solvent (xylene): 98.5% by weight
（正孔注入層および発光層の形成）
スピンコーターを用いて、正孔注入層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、回転数3000ｒｐｍであり、乾燥は１２０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この際、絶縁層の開口部を被覆するように正孔注入層を形成した。
次に、スピンコーターを用いて、発光層（厚み約７０ｎｍ）の形成を行った。なお、回転数1500ｒｐｍであり、乾燥は１８０℃に設定したホットプレート上で１時間とした。この際、上記正孔注入層を被覆するように発光層を形成した。
(Formation of hole injection layer and light emitting layer)
A hole injection layer (thickness: about 70 nm) was formed using a spin coater. The rotation speed was 3000 rpm, and drying was performed for 1 hour on a hot plate set at 120 ° C. At this time, a hole injection layer was formed so as to cover the opening of the insulating layer.
Next, a light emitting layer (thickness: about 70 nm) was formed using a spin coater. The rotation speed was 1500 rpm, and drying was performed for 1 hour on a hot plate set at 180 ° C. At this time, a light emitting layer was formed so as to cover the hole injection layer.
［評価］
実施例１および比較例１、２について、次のようにして分離率を求めた。なお、分離率とは、第２電極層の分断状態を示すものである。隔壁を挟んで位置する第２電極層間でショートしていない確率を、分離率として表わしている。分離率の測定方法としては、第２電極層の１ライン毎に電圧を印加し、電圧印加によって、選択位置（選択ライン）と、この選択位置に隣接する非選択位置（選択ラインに隣接する非選択ライン）とが発光した場合、第２電極層間でショートしているとみなして、１欠陥とする。そして、全ての第２電極層間を検査し、分離率を算出する。
実施例１および比較例１、２の結果を下記表１に示す。
[Evaluation]
For Example 1 and Comparative Examples 1 and 2, the separation rate was determined as follows. The separation rate indicates the divided state of the second electrode layer. The probability that there is no short-circuit between the second electrode layers located across the partition wall is expressed as a separation rate. As a method for measuring the separation rate, a voltage is applied to each line of the second electrode layer, and by applying the voltage, a selected position (selected line) and a non-selected position adjacent to the selected position (non-selected position adjacent to the selected line). When the selected line) emits light, it is regarded as short-circuited between the second electrode layers and is regarded as one defect. Then, all the second electrode layers are inspected to calculate the separation rate.
The results of Example 1 and Comparative Examples 1 and 2 are shown in Table 1 below.
比較例１の小隔壁の形成数が１ラインの場合、第２電極層の分離率が大幅に低下している。これに対し、実施例１の小隔壁の形成数が２ラインの場合、比較例１の１ラインの場合よりも分離率が高く、また小隔壁の間隔が狭くなるにつれて分離率が高くなることを確認した。
また、比較例２のスピンコート法の場合、第２電極層の分離率が大幅に低下した。スピンコート法は、印刷法、吐出法および転写法のいずれにも該当しなく、本発明に適さないことがわかった。
When the number of small barrier ribs formed in Comparative Example 1 is one line, the separation rate of the second electrode layer is greatly reduced. In contrast, when the number of small partition walls formed in Example 1 is two lines, the separation rate is higher than in the case of one line in Comparative Example 1, and the separation rate increases as the interval between the small partition walls becomes narrower. confirmed.
Further, in the case of the spin coating method of Comparative Example 2, the separation rate of the second electrode layer was greatly reduced. The spin coating method does not correspond to any of the printing method, the discharge method, and the transfer method, and it was found that the spin coating method is not suitable for the present invention.
［実施例２］
小隔壁の間隔を３０μｍとして隔壁を形成し、下記のようにして第２電極層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
（第２電極層の形成）
電子注入層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着（蒸着速度＝０．４ｎｍ／秒）した。これにより、電子注入層上に、アルミニウムからなる９０ｍｍ×９０ｍｍの開口部の第２電極層（厚み３００ｎｍ）を形成した。
[Example 2]
An organic EL device was produced in the same manner as in Example 1 except that the partition walls were formed with the interval between the small partition walls of 30 μm, and the second electrode layer was formed as follows.
(Formation of second electrode layer)
The metal mask used for forming the electron injection layer was used as it was, and aluminum was deposited by a vacuum deposition method (deposition rate = 0.4 nm / second). Thereby, a second electrode layer (thickness 300 nm) made of aluminum and having an opening of 90 mm × 90 mm was formed on the electron injection layer.
このとき、小隔壁の発光領域側の端部での第２電極層の高さ（第２電極層の高さｔ3）、および、小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での第２電極層の高さ（第２電極層の高さｔ4）をキーエンス社製のレーザ顕微鏡により測定した。
第２電極層の高さｔ3は７００ｎｍ、第２電極層の高さｔ4は５８０ｎｍであった。
At this time, the height of the second electrode layer at the end of the small partition wall on the light emitting region side (the height t 3 of the second electrode layer) and the end of the small partition wall on the side opposite to the light emitting region side The height of the second electrode layer (the height t 4 of the second electrode layer) was measured with a laser microscope manufactured by Keyence Corporation.
The height t 3 of the second electrode layer was 700 nm, and the height t 4 of the second electrode layer was 580 nm.
［実施例３］
小隔壁の間隔を３０μｍとして隔壁を形成し、下記のようにして正孔注入層および発光層を形成し、第２電極層を形成した以外は、実施例１と同様にして有機ＥＬ素子を作製した。
なお、隔壁を形成する際には、後述の正孔注入層および発光層の形成時に基板上に着弾したインクが流出しないように、基板の外縁に、隔壁の短辺の端部と接合するように枠状の隔壁を形成した。この枠状の隔壁は電極分離領域よりも外側に設けた。
[Example 3]
An organic EL device was fabricated in the same manner as in Example 1 except that the partition walls were formed with a small partition spacing of 30 μm, the hole injection layer and the light emitting layer were formed as described below, and the second electrode layer was formed. did.
When forming the partition walls, the outer edges of the substrate should be joined to the ends of the short sides of the partition walls so that the ink that has landed on the substrate during the formation of the hole injection layer and the light emitting layer described later does not flow out. A frame-shaped partition wall was formed. This frame-shaped partition was provided outside the electrode separation region.
（正孔注入層および発光層の形成）
マイクロドロップ社のマイクロドロップシステム（ディスペンサーヘッド MD-K-140）を用いて、実施例１で用いた正孔注入層用のインキＡ１を隔壁間に吐出した。この際、着弾したインクは隔壁の高さで保持されるようにした。またこの際、インクをディスペンサーヘッドのヒーターで加熱して吐出し、塗布方向は隔壁の長手方向と平行方向とした。インクの吐出後は、自然乾燥させ、さらに１２０℃に設定したホットプレート上で１時間乾燥させた。これにより、正孔注入層（厚み約７０ｎｍ）を形成した。この正孔注入層は８０ｍｍ×８０ｍｍ領域でライン状に形成されており、絶縁層の開口部を被覆するように形成した。
(Formation of hole injection layer and light emitting layer)
The ink A1 for the hole injection layer used in Example 1 was discharged between the partition walls using a microdrop system (dispenser head MD-K-140) manufactured by Microdrop. At this time, the landed ink was held at the height of the partition wall. At this time, the ink was heated and discharged by the heater of the dispenser head, and the coating direction was parallel to the longitudinal direction of the partition walls. After ink discharge, the ink was naturally dried and further dried on a hot plate set at 120 ° C. for 1 hour. As a result, a hole injection layer (thickness: about 70 nm) was formed. The hole injection layer was formed in a line shape in an 80 mm × 80 mm region, and was formed so as to cover the opening of the insulating layer.
次いで、マイクロドロップ社のマイクロドロップシステム（ディスペンサーヘッド MD-K-140）を用いて、実施例１で用いた赤色発光層用のインキＢ１を隔壁間に吐出した。この際、着弾したインクは隔壁の高さで保持されるようにした。またこの際、インクをディスペンサーヘッドのヒーターで加熱して吐出し、塗布方向は隔壁の長手方向と平行方向とした。インクの吐出後は、自然乾燥させ、さらに１８０℃に設定したホットプレート上で１時間乾燥させた。これにより、赤色発光層（厚み約７０ｎｍ）を形成した。この赤色発光層は８０ｍｍ×８０ｍｍ領域でライン状に形成されており、上記の正孔注入層を被覆するように形成した。 Next, the ink B1 for the red light emitting layer used in Example 1 was discharged between the partition walls using a microdrop system (dispenser head MD-K-140) manufactured by Microdrop. At this time, the landed ink was held at the height of the partition wall. At this time, the ink was heated and discharged by the heater of the dispenser head, and the coating direction was parallel to the longitudinal direction of the partition walls. After discharging the ink, it was naturally dried and further dried for 1 hour on a hot plate set at 180 ° C. Thereby, a red light emitting layer (thickness: about 70 nm) was formed. This red light emitting layer was formed in a line shape in an 80 mm × 80 mm region, and was formed so as to cover the hole injection layer.
（第２電極層の形成）
次に、電子注入層の形成に用いたメタルマスクをそのまま使用して、真空蒸着法によりアルミニウムを蒸着（蒸着速度＝０．４ｎｍ／秒）した。これにより、電子注入層上に、アルミニウムからなる９０ｍｍ×９０ｍｍの開口部の第２電極層（厚み３００ｎｍ）を形成した。
このとき、小隔壁の発光領域側の端部での第２電極層の高さ（第２電極層の高さｔ3）、および、小隔壁の発光領域側とは反対側の端部での第２電極層の高さ（第２電極層の高さｔ4）をキーエンス社製のレーザ顕微鏡により測定した。
第２電極層の高さｔ3は７００ｎｍ、第２電極層の高さｔ4は３００ｎｍであった。
(Formation of second electrode layer)
Next, the metal mask used for forming the electron injection layer was used as it was, and aluminum was deposited by vapor deposition (deposition rate = 0.4 nm / second). Thereby, a second electrode layer (thickness 300 nm) made of aluminum and having an opening of 90 mm × 90 mm was formed on the electron injection layer.
At this time, the height of the second electrode layer at the end of the small partition wall on the light emitting region side (the height t 3 of the second electrode layer) and the end of the small partition wall on the side opposite to the light emitting region side The height of the second electrode layer (the height t 4 of the second electrode layer) was measured with a laser microscope manufactured by Keyence Corporation.
The height t 3 of the second electrode layer was 700 nm, and the height t 4 of the second electrode layer was 300 nm.
１ … 有機ＥＬ素子用基板
２ … 基板
３ … 第１電極層
４ … 絶縁層
５ … 隔壁
５ａ，５ｂ，５ｃ … 小隔壁
６ … 有機層
７ … 第２電極層
８ … 発光層
１０ … 分断領域
１１ … 発光領域
２０ … 有機ＥＬ素子
DESCRIPTION OF
Claims (4)
前記隔壁を構成する複数の前記小隔壁のうち発光領域側に設けられた前記小隔壁の前記発光領域側の端部での前記有機層の高さをｔ１、前記発光領域側に設けられた前記小隔壁の前記発光領域側とは反対側の端部での前記有機層の高さをｔ２としたとき、ｔ２＞０であり、またｔ１＞ｔ２となるように前記小隔壁の間隔が調整されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。 A substrate, a first electrode layer formed on the substrate, and a plurality of insulating layers that are formed on the substrate on which the first electrode layer is formed and that divide the second electrode layer into a plurality of dividing regions. An organic electroluminescent layer including a light emitting layer is formed on a substrate for an organic electroluminescent element, each of which includes a plurality of small barrier ribs provided in parallel at predetermined intervals. An organic layer forming step of forming at least one organic layer among the organic layers to be formed by a printing method, a discharge method or a transfer method, and after the organic layer forming step, the organic electroluminescence layer is configured as a single layer. A second electrode layer forming step for forming the second electrode layer,
The height of the organic layer at the end of the small partition provided on the light emitting region side among the plurality of small partitions constituting the partition is t 1 , provided on the light emitting region side. when the light emitting region side of the small partition wall in which the height of the organic layer at the end opposite the t 2, a t 2> 0, also t 1> t 2 become as the small septum The manufacturing method of the organic electroluminescent element characterized by the above-mentioned.
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