JP3858637B2 - Organic electroluminescence display panel and manufacturing method thereof - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス(以下、単に有機ELという)を利用し、有機EL材料の薄膜からなる発光層を備えた有機EL素子をマトリックス状に配置した有機ELディスプレイパネル及びその製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
この種の有機ELディスプレイパネルは、第1電極(陽極)と第2電極(陰極)との間に有機EL層が形成されている。有機EL層をマトリックス状に配置した構成とするためには、有機EL層を形成した後に、第2電極を第1電極と交差(一般には直交)する平行なストライプ状に形成する必要がある。しかし、有機EL材料は水分に弱いため、ウエットプロセスであるフォトリソグラフ法により第2電極を形成することはできず、一般に蒸着法により形成されている。このとき、第2電極と第1電極との絶縁性及び隣接する第2電極同士の絶縁性を確保するため、第2電極と平行に延びる隔壁を設けることが行われている。
【0003】
例えば、特開平8−315981号公報には、図7に示すように、基板41上に平行に形成された陽極42と直交する方向(図7の紙面と垂直方向)に形成された絶縁層43と、その上に形成された逆テーパ状の隔壁44とを設けて、有機EL層45の上に形成された陰極46同士や陰極46と陽極42との絶縁性を確保することが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、特開平8−315981号公報に開示されたような逆テーパ状の隔壁44を形成する場合は、隔壁44を形成するのに適した専用のレジストを使用して、現像時におけるネガレジストの上部と下部の溶解速度の差を利用する。そのため、隔壁44が形成される部分の基板側の構成の違いにより、所定の逆テーパ形状が得られずに、隔壁44を挟んで両側に位置する陰極46同士が完全に分離されない事態が発生する場合がある。ここで、基板側の構成の違いとは、例えば、隔壁と対応する位置にあるカラーフィルタの色の違いや、隔壁が形成される絶縁層の光透過性や反射性の違い等である。
【0005】
また、有機EL材料は水分に弱いため、有機EL素子を封止する必要がある。金属製又はガラス製の封止カバーを有機ELディスプレイパネルの表面に接着させて封止すると、有機ELディスプレイパネルの厚みが非常に増大して薄型化に支障を来す。そのため、SiN等の防湿性に優れた物質を使用して、プラズマCVD等の方法で数千〜数万nmの厚みの防湿膜(保護膜)を形成し、有機EL素子を封止する方法がある。しかし、隔壁が逆テーパ状あるいは垂直に形成された場合は、隔壁の上に形成された有機EL層の端面の封止が不十分となる可能性が高いという問題がある。
【0006】
本発明は前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その第1の目的は有機EL層の上に形成される第2電極間あるいは第2電極と第1電極との間の絶縁性を確保するための逆テーパ状の隔壁を、基板側の構成に拘わらず確実に形成することを可能にする有機ELディスプレイパネルを提供することにある。また、第2の目的は有機EL素子の封止を薄膜で行う場合にも、発光に寄与する有機EL層の封止を確実に行うことが可能になる有機ELディスプレイパネルを提供することにある。第3の目的はその製造方法を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
前記第1の目的を達成するため、請求項1に記載の発明では、有機EL材料の薄膜からなる発光層を備えた有機EL素子をマトリックス状に配置した有機ELディスプレイパネルであって、第1電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、前記第1電極上の所定位置に複数の前記有機EL素子を形成するための領域を残して、前記第1電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、前記領域上に形成された有機EL層と、少なくとも前記有機EL層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第2電極とを備え、前記絶縁性の隔壁は前記第1電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をネガ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている。
また、請求項2に記載の発明では、有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、第1電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、前記第1電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための領域を残して、前記第1電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第2電極とを備え、前記絶縁性の隔壁は前記第1電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をポジ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている。
【0008】
この発明では、逆テーパ状の隔壁を形成すべき箇所と対応する箇所に設けられた反射部の存在により、フォトリソグラフ加工により逆テーパ状の隔壁を形成する際に、隔壁と他の部分との溶解性に、より差を持たせることが容易になり、所定の逆テーパ形状の凸条を確実に形成できる。
【0009】
請求項に記載の発明では、請求項1又は請求項2に記載の発明において、前記反射部は前記基板に対して前記第1電極を形成する前に設けられるとともに、透明なオーバーコート層で被覆されている。従って、この発明では、反射部での反射光が所望の位置に反射し易くなる。
【0010】
請求項に記載の発明では、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発明において、前記凸条は前記隔壁毎に1本設けられている。従って、隔壁の構成が簡単になるとともに、従来の逆テーパ状の隔壁を使用した有機ELディスプレイパネルに簡単に適用できる。
【0011】
第2の目的を達成するため、請求項に記載の発明では、請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の発明において、前記凸条は前記隔壁毎に2本設けられ、両凸条の外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状に形成された絶縁層が設けられている。従って、この発明では、隔壁の両外側に順テーパ状の絶縁層が存在するため、有機EL素子の封止にSiN等の薄膜を使用することが可能になる。
【0012】
第3の目的を達成するため、請求項に記載の発明では、有機EL材料の薄膜からなる発光層を備えた有機EL素子をマトリックス状に配置した有機ELディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に前記発光層に対応する複数の第1電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、前記パターニング工程後に行われ、前記第1電極上の所定位置に前記有機EL素子を形成するための領域を残すようにして、前記第1電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をネガ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機EL層を形成する発光層形成工程と、前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機EL層を覆うとともに、前記第1電極と交差する平行なストライプ状の第2電極を形成する工程とを有し、かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする。
また、請求項7に記載の発明では、有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、基板上に前記発光層に対応する複数の第1電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、前記パターニング工程後に行われ、前記第1電極上の所定位置に前記有機EL素子を形成するための領域を残すようにして、前記第1電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をポジ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第1電極と交差する平行なストライプ状の第2電極を形成する工程とを有し、かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする。
【0013】
従って、この発明では、反射部が平行なストライプ状に形成された基板上に、パターニング工程により複数の第1電極が反射部と交差するようにストライプ状に形成される。その後、隔壁形成工程により第1電極上の所定位置に有機EL素子を形成するための領域を残すようにして、第1電極と直交するように逆テーパ状の隔壁が形成される。次に前記領域上に発光層形成工程により有機EL層が形成され、その後、平行なストライプ状の第2電極が第1電極と直交するように形成される。逆テーパ状の隔壁を形成する際、フォトレジストの隔壁を構成すべき部分と他の部分との溶解性に、より差が生じるように反射部からの光が作用する。その結果、現像時に所定の逆テーパ状の隔壁が確実に形成される
【0014】
【発明の実施の形態】
(第1の実施形態)
以下、本発明を具体化した第1の実施の形態を図1〜図3に従って説明する。
【0015】
図1(a)に示すように、有機ELディスプレイパネル1は、基板としてのカラーフィルタ2の表面に透明な樹脂製のオーバーコート層3が形成され、その上に第1電極(陽極)4が複数、平行なストライプ状に形成されている。第1電極4はITO(インジウム錫酸化物)等からなる。また、オーバーコート層3上には絶縁性の隔壁5が、第1電極4上の所定位置に複数の有機EL素子6を形成するための領域を残して、第1電極4と直交する平行なストライプ状に形成されている。オーバーコート層3上には隔壁5に隣接して有機EL層7が形成され、有機EL層7の上に第2電極8(陰極)が形成されている。
【0016】
有機EL層7は第1電極4側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の4層で構成されている。そして、有機EL層7、有機EL層7を挟んで両側に形成された第1電極4及び第2電極8により1個の有機EL素子6が構成されている。
【0017】
第1電極4及び第2電極8はそれぞれ複数の平行なストライプ状に形成されるとともに、互いに交差(この実施の形態では直交)する状態に配設されているため、有機EL素子6は両電極4,8の交差部分においてカラーフィルタ2上にマトリックス状に配置されることになる。
【0018】
有機EL層7の厚みは通常0.1〜0.2μm程度で、第2電極8の厚みは有機EL層7より薄く、有機EL層7及び第2電極8の厚みの合計値は最大でも1μm以下である。一方、凸条5aの厚みは3〜20μm程度である。有機EL層7及び第2電極8は一般に真空蒸着法により形成されるため、それらが不要な隔壁5上にも有機EL層7及び第2電極8と同じ金属層が形成されている。
【0019】
図1(a),(b)に示すように、隔壁5は第2電極8と平行に延び、第1電極4と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状の凸条5aと、該凸条5aの下側に形成されるとともに凸条5aより幅広で、凸条5aに沿って延びる絶縁層5bとで構成されている。凸条5a及び絶縁層5bはネガ型のフォトレジストにより形成されている。
【0020】
図1(a),(b)に示すように、カラーフィルタ2上には逆テーパ状に形成された凸条5aと対応する箇所に、該凸条5aと平行に延びる反射部9が形成されている。反射部9は幅が凸条5aの底部の幅より少し狭く形成されている。即ち、反射部9は図2に示すように、第1電極4と直交するように、所定間隔で平行に形成されている。なお、図2は反射部9と第1電極4との関係を示す模式平面図である。オーバーコート層3は反射部9を被覆するように形成されている。反射部9は周囲の部分(この実施の形態ではカラーフィルタ2の表面)より反射率が高い材質で形成された膜で構成されている。この実施の形態では反射部9は金属膜(例えばAl膜)で形成されている。
【0021】
次に前記のように構成された有機ELディスプレイパネル1の製造方法を説明する。
先ずカラーフィルタ2の上の所定位置に反射部9としての金属膜が蒸着により形成された後、オーバーコート層3が反射部9を被覆する状態でカラーフィルタ2の上面全体に形成される。オーバーコート層3は例えば、着色されていない透明なネガ型のフォトレジスト溶液を塗布、硬化させることで形成される。
【0022】
次にパターニング工程において、オーバーコート層3の上に、図2に示すように、各反射部9と直交する状態で有機EL層7を形成すべき位置と対応する箇所に、複数の第1電極4がストライプ状に形成される。第1電極4は蒸着により形成される。
【0023】
次に隔壁形成工程により第1電極4上の所定位置に有機EL素子6を形成するための領域を残すようにして隔壁5が第1電極4と直交するストライプ状に形成される。隔壁5は通常のネガ型のフォトレジストを使用したフォトリソグラフ法により、絶縁層5bと凸条5aとが2回に分けて形成される。先ず図3(a)に示すように、所定の厚みの絶縁層5bが形成された後、絶縁層5bの上に逆テーパ状の凸条5aが形成されて、図3(b)に示すように隔壁5が完成する。絶縁層5b及び凸条5aを形成するフォトレジストの材料(材質)は同じであるが、絶縁層5bを形成する際は薄い膜厚に適した濃度のレジスト溶液を使用し、凸条5aを形成する際は厚い膜厚に適した濃度のレジスト溶液を使用する。
【0024】
凸条5aを形成するために、ネガ型のフォトレジスト層の凸条5aと成るべき箇所に光(紫外線)が照射されるが、その際、反射部9が存在することにより、当該箇所に反射部9の反射光も照射される。その結果、光が照射された部分と、照射されない部分との溶解性の差が、反射部が存在しない場合に比較して、より大きくなり、所定の逆テーパ形状の凸条5aを確実に形成できる。
【0025】
次に隔壁5が良く乾燥された後、発光層形成工程(有機EL層形成工程)により有機EL層7が形成される。有機EL層7は有機EL層7を構成する各層が蒸着により順次形成されることで形成される。有機EL層7を形成する際はマスキングなしで蒸着が行われるため、有機EL層7を形成する必要のない隔壁5上にも有機EL層が形成される。
【0026】
次に第2電極形成工程により、有機EL層7を覆うとともに、第1電極4と直交する平行なストライプ状の第2電極8が形成される。第2電極8はAl(アルミニウム)を蒸着することにより形成される。Alを蒸着する際もマスキングなしで行われるため、第2電極8を形成する必要のない隔壁5上にもAl被膜が形成され、図1(a),(b)に示す状態となる。有機EL層7及び第2電極8は凸条5aの上にも形成されるが、有機EL層7のうち表示部として機能する部分は隣接する隔壁5間に位置する平面部分10であり、隔壁5と対応する部分は表示機能は必要としない。
【0027】
この実施の形態では以下の効果を有する。
(1) 絶縁性の隔壁5は第1電極4と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条5aを備え、該凸条5aをフォトレジストで形成するとともに、凸条5aと対応する箇所に凸条5aと平行に延びる反射部9が形成されている。従って、フォトリソグラフ加工により逆テーパ状の凸条5aを形成する際に、凸条5aと他の部分との溶解性に、より差を持たせることが容易になり、所定の逆テーパ形状の凸条5aを確実に形成できる。その結果、第2電極8が蒸着法により形成された際、隣接する第2電極8同士が凸条5aに蒸着された金属層を介して短絡するのが防止される。
【0028】
(2) 反射部9はカラーフィルタ2に対して第1電極4を形成する前に設けられるとともに、透明なオーバーコート層3で被覆されている。従って、反射部9での反射光が所望の位置に反射し易くなり、オーバーコート層3がない場合に比較して凸条5aをより所望の形状に形成し易くなる。
【0029】
(3) 凸条5aは隔壁5毎に1本設けられている。従って、隔壁5の構成が簡単になるとともに、従来の逆テーパ状の隔壁を使用した有機ELディスプレイパネルに簡単に適用できる。
【0030】
(4) 従来のものと異なり、逆テーパ状の隔壁を形成するためのフォトレジストとして、有機ELディスプレイパネルの隔壁専用レジストを使用せずに、通常のネガ型のフォトレジストを使用することができ、製造コストを低減できる。
【0031】
(5) 隔壁5を形成するフォトレジストとしてネガ型のフォトレジストを使用しているため、露光時のフォトマスクとして、ポジ型のフォトレジストを使用した場合に比較して開口率の小さなものを使用でき、ゴミ等が侵入し難い。また、フォトレジストをポジ型のものより安価で入手し易い。
【0032】
(6) 隔壁5は絶縁層5bの上に凸条5aが形成された構成のため、第2電極8を蒸着法で形成するまでに、第1電極4の表面は隔壁5又は有機EL層7で被覆された状態となっている。従って、第2電極8を蒸着法により形成する際、第2電極8と第1電極4とが短絡する虞がない。
【0033】
(第2の実施の形態)
次に第2の実施の形態を図4に従って説明する。この実施の形態では凸条5aを形成するフォトレジストとしてポジ型のフォトレジストが使用されている点と、反射部9の配設位置とが前記実施の形態と異なり、その他の構成は同じである。前記実施の形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【0034】
ネガ型のフォトレジストの場合は、露光部が硬化して現像時に露光部以外が溶解除去される。一方、ポジ型のフォトレジストの場合は、露光部が可溶性となり、未露光部が残ることで凸条5aが形成される。従って、反射部9は凸条5aの底面を挟んで外側と対向する位置に設けられている。
【0035】
隔壁5を構成する凸条5aを形成する場合、絶縁層5bを形成した後、ポジ型のフォトレジスト溶液をコートし、凸条5aと対応する部分を除いた箇所に開口を有するフォトマスクを使用して露光が行われる。その際、凸条5aの底面の外側近傍と対向する位置に反射部9が存在するため、フォトレジスト層のうち凸条5aとして残るべき部分と、現像時に溶解除去されるべき部分との溶解性の差が大きくなる。その結果、所定の逆テーパ状の凸条5aが確実に形成される。
【0036】
従って、この実施の形態では前記実施の形態の(1)、(2)及び(6)と同じ効果を有する他に次の効果を有する。
(7) 凸条5aの底面の外側近傍と対向する位置に反射部が設けられているため、一般的なポジ型のフォトレジストを使用して逆テーパ状の凸条5aを確実に形成でき、隔壁用の特殊なネガ型のフォトレジストを使用しなくてもよい。
【0037】
(第3の実施の形態)
次に第3の実施の形態を図5(a),(b)に従って説明する。この実施の形態では隔壁5の構成が前記両実施の形態と大きく異なっている。前記実施の形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【0038】
図5(a)に示すように、隔壁5は逆テーパ状の2本の凸条5aと、両凸条5aの外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状に形成された絶縁層5cとで構成され、前記両実施の形態の構成において凸条5aの下に存在した絶縁層5bは存在しない。即ち、凸条5aは第1電極4の上に直接形成されている。凸条5a及び絶縁層5cはポジ型のフォトレジストで形成されている。反射部9は両凸条5aの底面間と対向する位置に形成されている。従って、フォトレジスト層の除去すべき部分を露光する際、現像時に除去すべき部分と残すべき部分との溶解性の差が大きくなるような露光状態となり、逆テーパ状の凸条5aが簡単かつ確実に形成される。各凸条5aの両側壁のうち、対向する側と反対側の側壁の外側には絶縁層5cが形成されるため、逆テーパの形状が多少乱れてフォトレジスト樹脂が余分に残っても問題がないので、各凸条5aの外側部分と対向する位置には、反射部9を設けなくても支障がない。
【0039】
隔壁5は一対の凸条5aの外側に沿って形成された順テーパ状の絶縁層5cを備えており、有機EL層7及び第2電極8を構成するAl層は、絶縁層5cと対応する部分においては隔壁5に沿って斜状に形成されている。従って、図5(a)に鎖線で示すように、平面部分10から隔壁5に連なる有機EL層7及びその上に積層形成された第2電極8を覆うように保護膜11を形成する際、保護膜11が薄くても確実に有機EL素子6を封止することができる。また、保護膜11をプラズマCVD法で形成した場合は、真空蒸着法で形成した場合と異なり、保護膜11が有機EL層7や第2電極8の端部において回り込むように付着されるため、有機EL層7の端面も保護膜11で被覆される。
【0040】
この実施の形態の有機ELディスプレイパネル1の製造方法は、隔壁形成工程を除いて第1の実施の形態と同じである。隔壁形成工程では、先ずポジ型のフォトレジストを使用して、図5(b)に示すように、逆テーパ状の凸条5aが形成される。次に図5(b)に鎖線で示すように、ポジ型のフォトレジスト溶液の塗布によりフォトレジスト層12が形成される。フォトレジスト液を塗布する際に、表面張力の作用により凸条5aの近辺には、フォトレジスト層12が厚く塗布された状態となる。その結果、通常の露光、現像を行うことで、図5(a)に示すような順テーパ状の絶縁層5cが形成される。
【0041】
この実施の形態では第1の実施の形態の(1)(2)及び(6)と、第2の実施の形態の(7)と同じ効果を有する他に次の効果を有する。
(8) 第1電極4上に形成された有機EL層7の上に第1電極4と直交するように形成されたストライプ状の第2電極8同士を絶縁するための隔壁5が、逆テーパ状に形成された2本の凸条5aを備えている。従って、第2電極8が真空蒸着法により形成される際、隣接する凸条5a間に蒸着層が跨がることが防止され、第2電極8同士の短絡が防止される。
【0042】
(9) 隔壁5は両凸条5aの外側に沿っ形成された順テーパ状の絶縁層5cを備えている。従って、平面部分10から隔壁5に連なる有機EL層7及びその上に積層形成された第2電極8を覆うように保護膜11を形成する際に、保護膜11が薄くても確実に有機EL素子6を封止することができる。従って、有機EL素子6の封止にSiN等の薄膜を使用した場合、表示部として機能する平面部分10(発光に寄与する部分)の有機EL層7を前記薄膜で確実に覆うことができ、水分等による劣化に対する信頼性が向上する。
【0043】
(10) 絶縁層5cはポジ型のフォトレジストで形成されている。ネガ型のフォトレジストを使用した場合は、現像前のフォトレジスト層12に対して絶縁層5cを形成すべき部分を確実に露光する必要がある。従って、逆テーパ状の凸条5aの陰になる部分の露光を助けるために、反射部9を余分に設ける必要がある。しかし、ポジ型のフォトレジストを使用した場合は、逆テーパ状の凸条5aの陰になる部分に光を照射する必要がなく、反射部9を余分に設ける必要がない。
【0044】
実施の形態は前記に限らず、例えば次のように構成してもよい。
○ 第3の実施の形態において、凸条5a及び絶縁層5cをネガ型のフォトレジストで形成してもよい。この場合、図6に示すように、反射部9は凸条5aと対向する位置に形成されている。この実施の形態では第1の実施の形態の(1)、(2)及び(6)と、第2の実施の形態の(7)と、第3の実施の形態の(8)及び(9)と同じ効果を有する。
【0045】
〇 隔壁5を凸条5a及び絶縁層5cで構成する場合、両者を同じタイプのフォトレジストで形成する必要はない。例えば、凸条5aをネガ型のフォトレジストで形成し、絶縁層5cをポジ型のフォトレジストで形成したり、凸条5aをポジ型のフォトレジストで形成し、絶縁層5cをネガ型のフォトレジストで形成してもよい。
【0046】
○ 反射部9を構成する金属膜の材料としてはAlに限らず、クロム、チタン、ニッケル等の他の金属を使用してもよい。しかし、取り扱い易さ等の点からAlが好ましい。また、反射部9の材質は金属に限らず、膜が形成された状態において周囲の部分より反射率が高い材質であればよく、金属酸化物や樹脂等であってもよい。
【0047】
○ 隔壁5を2本の凸条5aと、その外側に形成された絶縁層5cとから構成する場合は、各凸条5aはその両側壁が所定の逆テーパ状に形成される必要はなく、絶縁層5cと連続する側の側壁(外側の側壁)は場合によっては垂直、あるいは反対側に傾斜していてもよい。
【0048】
○ 反射部9の材質が絶縁性の材質の場合は、オーバーコート層3を設けずに、反射部9の上に第1電極4を形成してもよい。
〇 レジストとしてフォトレジストに限らず、電子線レジストを使用してもよい。
【0049】
〇 第2電極8は第1電極4と直交する構成に限らず、交差する構成であればよい。
○ 有機EL層7は必ずしも4層構成に限らない。
【0050】
○ 保護膜11を形成して有機EL素子6を封止する代わりに、金属製又はガラス製の封止カバー等で封止する構成としてもよい。
前記実施の形態から把握できる技術的思想(発明)について以下に記載する。
【0051】
(1) 請求項に記載の発明において、前記有機EL素子を封止するための保護膜が設けられている。
【0052】
) ()に記載の発明において、前記保護膜はプラズマCVD法により形成されている。
【0053】
【発明の効果】
以上詳述したように請求項1〜請求項に記載の発明では、有機EL層の上に形成される第2電極間あるいは第2電極と第1電極との間の絶縁性を確保するための逆テーパ状の隔壁を、基板側の構成に拘わらず確実に形成することができる。また、請求項に記載の発明では、有機EL素子の封止を薄膜で行う場合にも、発光に寄与する有機EL層の封止を確実に行うことが可能になる。請求項6及び請求項7に記載の発明では、請求項1〜請求項に記載の発明のELディスプレイパネルの製造に適している。
【図面の簡単な説明】
【図1】 (a)は第1の実施の形態の有機ELディスプレイパネルの概略部分斜視図、(b)は部分模式断面図。
【図2】 反射部と第1電極の関係を示す模式平面図。
【図3】 (a),(b)は有機ELディスプレイパネルの製造工程における部分模式断面図。
【図4】 第2の実施の形態の部分模式断面図。
【図5】 (a)は第3の実施の形態の部分模式断面図、(b)は隔壁形成工程を示す部分模式断面図。
【図6】 別の実施の形態の模式断面図。
【図7】 従来技術の有機ELディスプレイパネルの部分模式断面図。
【符号の説明】
1…有機ELディスプレイパネル、2…基板としてのカラーフィルタ、3…オーバーコート層、4…第1電極、5…隔壁、5a…凸条、5c…絶縁層、6…有機EL素子、7…有機EL層、8…第2電極、9…反射部。
[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an organic EL display panel using organic electroluminescence (hereinafter simply referred to as organic EL), in which organic EL elements having a light emitting layer made of a thin film of an organic EL material are arranged in a matrix, and a method for manufacturing the same. It is.
[0002]
[Prior art]
In this type of organic EL display panel, an organic EL layer is formed between a first electrode (anode) and a second electrode (cathode). In order to obtain a configuration in which the organic EL layer is arranged in a matrix, it is necessary to form the second electrode in parallel stripes intersecting (generally orthogonal) with the first electrode after the organic EL layer is formed. However, since the organic EL material is vulnerable to moisture, the second electrode cannot be formed by a photolithographic method, which is a wet process, and is generally formed by a vapor deposition method. At this time, in order to ensure the insulation between the second electrode and the first electrode and the insulation between the adjacent second electrodes, a partition extending in parallel with the second electrode is provided.
[0003]
For example, in JP-A-8-315981, as shown in FIG. 7, an insulating layer 43 formed in a direction perpendicular to the anode 42 formed in parallel on the substrate 41 (perpendicular to the plane of FIG. 7). And a reverse-tapered partition wall 44 formed thereon to ensure insulation between the cathodes 46 formed on the organic EL layer 45 and between the cathode 46 and the anode 42. Yes.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
However, when forming the inversely tapered partition 44 as disclosed in JP-A-8-315981, a special resist suitable for forming the partition 44 is used, and the negative resist at the time of development is used. Use the difference in dissolution rate between the top and bottom. For this reason, due to the difference in the structure on the substrate side of the portion where the partition 44 is formed, a predetermined reverse taper shape cannot be obtained, and a situation occurs in which the cathodes 46 located on both sides of the partition 44 are not completely separated from each other. There is a case. Here, the difference in the configuration on the substrate side is, for example, a difference in color of the color filter at a position corresponding to the partition, a difference in light transmittance or reflectivity of the insulating layer on which the partition is formed, and the like.
[0005]
Further, since the organic EL material is vulnerable to moisture, it is necessary to seal the organic EL element. When a sealing cover made of metal or glass is adhered to the surface of the organic EL display panel and sealed, the thickness of the organic EL display panel is greatly increased, which hinders thinning. Therefore, there is a method in which a moisture-proof film (protective film) having a thickness of several thousand to several tens of thousands nm is formed by a method such as plasma CVD using a substance having excellent moisture resistance such as SiN, and the organic EL element is sealed. is there. However, when the partition wall is formed in an inversely tapered shape or vertically, there is a problem that the end face of the organic EL layer formed on the partition wall is likely to be insufficiently sealed.
[0006]
The present invention has been made in view of the above-described conventional problems, and the first object thereof is insulation between the second electrodes formed on the organic EL layer or between the second electrode and the first electrode. It is an object of the present invention to provide an organic EL display panel that can reliably form a reverse-tapered partition wall for ensuring the same regardless of the structure on the substrate side. A second object is to provide an organic EL display panel that can reliably seal an organic EL layer that contributes to light emission even when the organic EL element is sealed with a thin film. . A third object is to provide a manufacturing method thereof.
[0007]
[Means for Solving the Problems]
  In order to achieve the first object, according to the first aspect of the present invention, there is provided an organic EL display panel in which organic EL elements each having a light emitting layer made of a thin film of an organic EL material are arranged in a matrix. Provided in a state of crossing the first electrode, leaving a substrate on which electrodes are formed in stripes parallel to the surface and a region for forming a plurality of the organic EL elements at predetermined positions on the first electrode An insulating partition formed on the region, an organic EL layer formed on the region, and a second electrode that covers at least the organic EL layer and is formed in parallel stripes. A convex strip formed in an inversely tapered shape whose width becomes narrower toward the side facing the first electrode;NegativeWhile forming with photoresist,On the opposite side of the ridge across the first electrode,Pair with ridgesForTo doIn placeA reflective portion extending in parallel with the ridges is formed.
According to a second aspect of the present invention, there is provided an organic electroluminescence display panel in which organic electroluminescence elements each having a light emitting layer made of a thin film of an organic electroluminescence material are arranged in a matrix, wherein the first electrode is parallel to the surface. Insulating substrate provided in a state of crossing the first electrode, leaving a region for forming a plurality of the organic electroluminescence elements at predetermined positions on the first electrode, and a substrate formed in a stripe shape A partition wall, an organic electroluminescence layer formed on the region, and a second electrode that covers at least the organic electroluminescence layer and is formed in parallel stripes. Provided with a ridge formed in an inversely tapered shape with a width narrower toward the side facing one electrode The ridge is formed of a positive type photoresist, and a reflection portion extending in parallel with the ridge is formed in the vicinity of the portion facing the ridge on the opposite side of the ridge across the first electrode. Has been.
[0008]
In the present invention, when the reverse tapered partition is formed by photolithography, the presence of the reflective portion provided at the location corresponding to the location where the reverse tapered partition is to be formed, the partition and the other portion It becomes easier to have a difference in solubility, and a predetermined reverse tapered ridge can be reliably formed.
[0009]
  Claim3In the invention described in claim 1,Or claim 2In the invention described in (1), the reflecting portion is provided before the first electrode is formed on the substrate and is covered with a transparent overcoat layer. Therefore, in the present invention, the reflected light from the reflecting portion is easily reflected at a desired position.
[0010]
  Claim4In the invention described in claim 1,FromClaimAny one of 3In the invention described in (1), one ridge is provided for each of the partition walls. Therefore, the structure of the partition is simplified, and it can be easily applied to an organic EL display panel using a conventional reverse tapered partition.
[0011]
  In order to achieve the second object, the claim5In the invention described in claim 1,FromClaimAny one of 3In the invention described in (2), two ridges are provided for each of the partition walls, and an insulating layer formed in a tapered shape having a wide bottom surface along the outside of both ridges is provided. Therefore, in this invention, since the forward tapered insulating layer exists on both outer sides of the partition wall, it becomes possible to use a thin film such as SiN for sealing the organic EL element.
[0012]
  To achieve the third object, the claim6In the invention described in the above, a method for manufacturing an organic EL display panel in which organic EL elements each including a light emitting layer made of a thin film of an organic EL material are arranged in a matrix, and a plurality of first EL elements corresponding to the light emitting layer on a substrate. A patterning step for forming one electrode in a stripe shape, and a cross-section with the first electrode so as to leave a region for forming the organic EL element at a predetermined position on the first electrode after the patterning step. Insulating partition walls with reverse tapered ridgesNegativeA barrier rib forming step using a photoresist, a light emitting layer forming step for forming an organic EL layer on the region, and a light emitting layer forming step after the light emitting layer forming step. Forming a second stripe-shaped second electrode that covers the layer and intersects the first electrode, and is possible when forming the reverse tapered ridge in the partition forming step. To clarify the boundary between the melted part and the insoluble part, On the opposite side of the ridge across the first electrode, extending in parallel with the ridge at a location facing the ridgeA reflection portion is provided, and the difference in exposure amount between the exposed portion and the non-exposed portion of the photoresist is increased by the reflected light of the reflection portion.
The invention according to claim 7 is a method of manufacturing an organic electroluminescence display panel in which organic electroluminescence elements each having a light emitting layer made of a thin film of an organic electroluminescence material are arranged in a matrix, and the method is provided on a substrate. A patterning step of forming a plurality of first electrodes corresponding to the light emitting layer in a stripe shape, and a region for forming the organic EL element at a predetermined position on the first electrode are left after the patterning step. A partition forming step of forming an insulating partition that intersects with the first electrode and has an inversely tapered ridge using a positive photoresist, and is performed after the partition forming step; A light emitting layer forming step of forming an organic electroluminescence layer thereon, and after the light emitting layer forming step, At least covering the organic electroluminescence layer and forming a parallel striped second electrode intersecting the first electrode, and forming the inversely tapered ridge in the partition forming step. When forming, in order to clarify the boundary between the soluble part and the insoluble part, the protruding line and the protruding line are located in the vicinity of the protruding line on the opposite side of the protruding line across the first electrode. A reflecting portion extending in parallel is provided, and the difference in exposure amount between the exposed portion and the non-exposed portion of the photoresist is increased by the reflected light of the reflecting portion.
[0013]
  Therefore, in the present invention, the plurality of first electrodes are formed in a stripe shape so as to intersect the reflection portion by the patterning process on the substrate in which the reflection portion is formed in a parallel stripe shape. Thereafter, the partition wall forming step leaves a region for forming the organic EL element at a predetermined position on the first electrode, and a reverse-tapered partition wall is formed so as to be orthogonal to the first electrode. Next, an organic EL layer is formed on the region by a light emitting layer forming step, and then a parallel striped second electrode is formed so as to be orthogonal to the first electrode. When forming a reverse-tapered barrier rib, light from the reflective portion acts so that a difference in solubility occurs between the portion of the photoresist that should form the barrier rib and other portions. As a result, a predetermined reverse-tapered partition is reliably formed during development..
[0014]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
(First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS.
[0015]
As shown in FIG. 1 (a), an organic EL display panel 1 has a transparent resin overcoat layer 3 formed on the surface of a color filter 2 as a substrate, and a first electrode (anode) 4 formed thereon. A plurality of parallel stripes are formed. The first electrode 4 is made of ITO (indium tin oxide) or the like. In addition, an insulating partition wall 5 is formed on the overcoat layer 3 so as to be parallel to the first electrode 4 while leaving a region for forming a plurality of organic EL elements 6 at predetermined positions on the first electrode 4. It is formed in a stripe shape. On the overcoat layer 3, an organic EL layer 7 is formed adjacent to the partition wall 5, and a second electrode 8 (cathode) is formed on the organic EL layer 7.
[0016]
The organic EL layer 7 is composed of four layers of a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer in order from the first electrode 4 side. The organic EL layer 7 and the first electrode 4 and the second electrode 8 formed on both sides of the organic EL layer 7 constitute one organic EL element 6.
[0017]
Since the first electrode 4 and the second electrode 8 are each formed in a plurality of parallel stripes and are arranged so as to cross each other (orthogonal in this embodiment), the organic EL element 6 includes both electrodes. 4, 4 and 8 are arranged in a matrix on the color filter 2.
[0018]
The thickness of the organic EL layer 7 is usually about 0.1 to 0.2 μm, the thickness of the second electrode 8 is thinner than the organic EL layer 7, and the total thickness of the organic EL layer 7 and the second electrode 8 is 1 μm at the maximum. It is as follows. On the other hand, the thickness of the protrusion 5a is about 3 to 20 μm. Since the organic EL layer 7 and the second electrode 8 are generally formed by a vacuum deposition method, the same metal layer as the organic EL layer 7 and the second electrode 8 is also formed on the partition wall 5 where they are unnecessary.
[0019]
As shown in FIGS. 1A and 1B, the partition wall 5 extends in parallel with the second electrode 8, and has an inversely tapered ridge 5 a that becomes narrower toward the side facing the first electrode 4. The insulating layer 5b is formed below the ridge 5a and is wider than the ridge 5a and extends along the ridge 5a. The ridges 5a and the insulating layer 5b are formed of a negative photoresist.
[0020]
As shown in FIGS. 1 (a) and 1 (b), on the color filter 2, a reflecting portion 9 extending in parallel with the ridge 5a is formed at a location corresponding to the ridge 5a formed in an inversely tapered shape. ing. The reflection part 9 is formed so that the width is slightly narrower than the width of the bottom part of the ridge 5a. That is, as shown in FIG. 2, the reflecting portion 9 is formed in parallel at a predetermined interval so as to be orthogonal to the first electrode 4. FIG. 2 is a schematic plan view showing the relationship between the reflecting portion 9 and the first electrode 4. The overcoat layer 3 is formed so as to cover the reflecting portion 9. The reflecting portion 9 is composed of a film formed of a material having a higher reflectance than the surrounding portion (in this embodiment, the surface of the color filter 2). In this embodiment, the reflecting portion 9 is formed of a metal film (for example, an Al film).
[0021]
Next, a manufacturing method of the organic EL display panel 1 configured as described above will be described.
First, after a metal film as the reflective portion 9 is formed by vapor deposition at a predetermined position on the color filter 2, the overcoat layer 3 is formed on the entire upper surface of the color filter 2 so as to cover the reflective portion 9. The overcoat layer 3 is formed, for example, by applying and curing a transparent negative photoresist solution that is not colored.
[0022]
Next, in the patterning step, a plurality of first electrodes are formed on the overcoat layer 3 at positions corresponding to positions where the organic EL layer 7 is to be formed in a state orthogonal to the reflecting portions 9 as shown in FIG. 4 is formed in stripes. The first electrode 4 is formed by vapor deposition.
[0023]
Next, the partition wall 5 is formed in a stripe shape orthogonal to the first electrode 4 so as to leave a region for forming the organic EL element 6 at a predetermined position on the first electrode 4 by the partition wall forming step. The partition wall 5 is formed by dividing the insulating layer 5b and the ridges 5a into two portions by a photolithographic method using a normal negative photoresist. First, as shown in FIG. 3A, an insulating layer 5b having a predetermined thickness is formed, and then an inversely tapered ridge 5a is formed on the insulating layer 5b, as shown in FIG. 3B. Thus, the partition wall 5 is completed. The photoresist material (material) for forming the insulating layer 5b and the protrusion 5a is the same, but when forming the insulating layer 5b, a resist solution having a concentration suitable for a thin film thickness is used to form the protrusion 5a. In this case, a resist solution having a concentration suitable for a thick film thickness is used.
[0024]
In order to form the ridges 5a, light (ultraviolet rays) is irradiated on the portions of the negative photoresist layer that should form the ridges 5a. The reflected light of the part 9 is also irradiated. As a result, the difference in solubility between the portion irradiated with light and the portion not irradiated with light is greater than when no reflecting portion is present, and the predetermined reverse tapered tape-shaped protrusion 5a is reliably formed. it can.
[0025]
Next, after the partition walls 5 are well dried, the organic EL layer 7 is formed by a light emitting layer forming step (organic EL layer forming step). The organic EL layer 7 is formed by sequentially forming each layer constituting the organic EL layer 7 by vapor deposition. Since vapor deposition is performed without masking when forming the organic EL layer 7, the organic EL layer is also formed on the partition wall 5 on which the organic EL layer 7 does not need to be formed.
[0026]
Next, in the second electrode forming step, the second electrode 8 in the form of parallel stripes that covers the organic EL layer 7 and is orthogonal to the first electrode 4 is formed. The second electrode 8 is formed by evaporating Al (aluminum). Since Al is deposited without masking, an Al film is also formed on the partition wall 5 on which the second electrode 8 need not be formed, resulting in the state shown in FIGS. Although the organic EL layer 7 and the second electrode 8 are also formed on the ridges 5a, the portion of the organic EL layer 7 that functions as a display unit is a planar portion 10 located between adjacent partition walls 5, and the partition walls The portion corresponding to 5 does not require a display function.
[0027]
This embodiment has the following effects.
(1) The insulating partition wall 5 includes a ridge 5a formed in a reverse taper shape whose width becomes narrower toward the side facing the first electrode 4, the ridge 5a is formed of a photoresist, and the ridge 5a. Are formed in the portion corresponding to the projection 5a in parallel with the ridges 5a. Therefore, when forming the reverse tapered ridge 5a by photolithography, it becomes easier to give a difference in the solubility between the ridge 5a and other portions, and the predetermined reverse tapered convex The strip 5a can be formed reliably. As a result, when the second electrode 8 is formed by the vapor deposition method, the adjacent second electrodes 8 are prevented from being short-circuited via the metal layer deposited on the ridge 5a.
[0028]
(2) The reflective portion 9 is provided before the first electrode 4 is formed on the color filter 2 and is covered with the transparent overcoat layer 3. Therefore, the reflected light from the reflecting portion 9 is easily reflected at a desired position, and the ridges 5a are more easily formed in a desired shape as compared with the case where the overcoat layer 3 is not provided.
[0029]
(3) One ridge 5 a is provided for each partition wall 5. Therefore, the structure of the partition wall 5 is simplified, and the partition wall 5 can be easily applied to an organic EL display panel using a conventional reverse tapered partition wall.
[0030]
(4) Unlike conventional ones, a normal negative photoresist can be used as a photoresist for forming a reverse-tapered barrier rib without using the barrier rib dedicated resist for organic EL display panels. Manufacturing cost can be reduced.
[0031]
(5) Since a negative photoresist is used as the photoresist for forming the partition walls 5, a photoresist having a smaller aperture ratio is used as a photomask during exposure than when a positive photoresist is used. It is hard to invade trash. Also, the photoresist is cheaper and easier to obtain than the positive type.
[0032]
(6) Since the barrier rib 5 has a structure in which the ridge 5a is formed on the insulating layer 5b, the surface of the first electrode 4 is the barrier rib 5 or the organic EL layer 7 before the second electrode 8 is formed by vapor deposition. It is in the state covered with. Therefore, when forming the 2nd electrode 8 by a vapor deposition method, there is no possibility that the 2nd electrode 8 and the 1st electrode 4 short-circuit.
[0033]
(Second Embodiment)
Next, a second embodiment will be described with reference to FIG. In this embodiment, a positive photoresist is used as the photoresist for forming the ridges 5a, and the arrangement position of the reflecting portion 9 is different from that of the above embodiment, and other configurations are the same. . The same parts as those in the above embodiment are given the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0034]
In the case of a negative photoresist, the exposed portion is cured, and the portions other than the exposed portion are dissolved and removed during development. On the other hand, in the case of a positive type photoresist, the exposed portion becomes soluble and the unexposed portion remains, whereby the ridge 5a is formed. Therefore, the reflection part 9 is provided in the position which opposes an outer side on both sides of the bottom face of the protruding item | line 5a.
[0035]
When the ridges 5a constituting the partition walls 5 are formed, after forming the insulating layer 5b, a positive photoresist solution is coated, and a photomask having openings at portions other than the portions corresponding to the ridges 5a is used. Then, exposure is performed. At this time, since the reflecting portion 9 is present at a position facing the vicinity of the outside of the bottom surface of the ridge 5a, the solubility of the portion of the photoresist layer that should remain as the ridge 5a and the portion that should be dissolved and removed during development. The difference becomes larger. As a result, a predetermined reverse tapered ridge 5a is reliably formed.
[0036]
Therefore, this embodiment has the following effects in addition to the same effects as (1), (2) and (6) of the above embodiment.
(7) Since the reflecting portion is provided at a position facing the outside near the bottom of the bottom surface of the ridge 5a, the reverse tapered ridge 5a can be reliably formed using a general positive type photoresist. It is not necessary to use a special negative photoresist for the partition wall.
[0037]
(Third embodiment)
Next, a third embodiment will be described with reference to FIGS. In this embodiment, the configuration of the partition wall 5 is greatly different from those of the both embodiments. The same parts as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
[0038]
As shown in FIG. 5 (a), the partition wall 5 is composed of two reverse tapered ridges 5a and an insulating layer 5c formed in a tapered shape having a wide bottom surface along the outside of both ridges 5a. There is no insulating layer 5b that is configured and present under the ridges 5a in the configurations of the two embodiments. That is, the ridge 5 a is formed directly on the first electrode 4. The protrusion 5a and the insulating layer 5c are formed of a positive type photoresist. The reflection part 9 is formed in the position facing between the bottom face of both the protruding item | lines 5a. Therefore, when exposing the portion to be removed of the photoresist layer, the exposure state is such that the difference in solubility between the portion to be removed and the portion to be left at the development is large, and the reverse tapered ridge 5a is simple and easy. It is surely formed. Since the insulating layer 5c is formed on the outer side of the opposite side wall of the both side walls of each ridge 5a, there is a problem even if the shape of the reverse taper is somewhat disturbed and an extra photoresist resin remains. Therefore, there is no problem even if the reflecting portion 9 is not provided at the position facing the outer portion of each ridge 5a.
[0039]
The partition wall 5 includes a forward tapered insulating layer 5c formed along the outside of the pair of ridges 5a, and the Al layer constituting the organic EL layer 7 and the second electrode 8 corresponds to the insulating layer 5c. The portion is formed in an oblique shape along the partition wall 5. Accordingly, as shown by a chain line in FIG. 5A, when the protective film 11 is formed so as to cover the organic EL layer 7 continuous from the planar portion 10 to the partition wall 5 and the second electrode 8 formed thereon. Even if the protective film 11 is thin, the organic EL element 6 can be reliably sealed. Further, when the protective film 11 is formed by the plasma CVD method, the protective film 11 is attached so as to wrap around at the end portion of the organic EL layer 7 or the second electrode 8 unlike the case of the vacuum deposition method. The end surface of the organic EL layer 7 is also covered with the protective film 11.
[0040]
The manufacturing method of the organic EL display panel 1 of this embodiment is the same as that of the first embodiment except for the partition formation step. In the partition wall forming step, first, a positive photoresist is used to form the reverse tapered ridge 5a as shown in FIG. 5B. Next, as shown by a chain line in FIG. 5B, a photoresist layer 12 is formed by applying a positive photoresist solution. When the photoresist liquid is applied, the photoresist layer 12 is thickly applied in the vicinity of the ridges 5a due to the action of surface tension. As a result, by performing normal exposure and development, a forward tapered insulating layer 5c as shown in FIG. 5A is formed.
[0041]
This embodiment has the following effects in addition to (1) (2) and (6) of the first embodiment and (7) of the second embodiment.
(8) The partition wall 5 for insulating the striped second electrodes 8 formed so as to be orthogonal to the first electrode 4 on the organic EL layer 7 formed on the first electrode 4 is reversely tapered. Two ridges 5a formed in a shape are provided. Therefore, when the 2nd electrode 8 is formed by the vacuum evaporation method, it is prevented that a vapor deposition layer straddles between the adjacent protruding item | lines 5a, and the short circuit of 2nd electrodes 8 is prevented.
[0042]
(9) The partition wall 5 includes a forward-tapered insulating layer 5c formed along the outer sides of the two ridges 5a. Therefore, when the protective film 11 is formed so as to cover the organic EL layer 7 connected to the partition wall 5 from the planar portion 10 and the second electrode 8 formed thereon, the organic EL is surely formed even if the protective film 11 is thin. The element 6 can be sealed. Therefore, when a thin film such as SiN is used for sealing the organic EL element 6, the organic EL layer 7 of the plane portion 10 (part contributing to light emission) functioning as a display unit can be reliably covered with the thin film, Reliability against deterioration due to moisture and the like is improved.
[0043]
(10) The insulating layer 5c is formed of a positive photoresist. When a negative type photoresist is used, it is necessary to reliably expose the portion where the insulating layer 5c is to be formed on the photoresist layer 12 before development. Accordingly, it is necessary to provide an extra reflecting portion 9 in order to assist the exposure of the portion behind the reverse tapered ridge 5a. However, when a positive type photoresist is used, it is not necessary to irradiate light on the portion behind the reverse tapered ridge 5a, and there is no need to provide an extra reflecting portion 9.
[0044]
The embodiment is not limited to the above, and may be configured as follows, for example.
In the third embodiment, the ridge 5a and the insulating layer 5c may be formed of a negative photoresist. In this case, as shown in FIG. 6, the reflection part 9 is formed in the position facing the protruding item | line 5a. In this embodiment, (1), (2) and (6) of the first embodiment, (7) of the second embodiment, and (8) and (9) of the third embodiment. ) Has the same effect.
[0045]
O When the partition 5 is comprised by the protruding item | line 5a and the insulating layer 5c, it is not necessary to form both by the same type photoresist. For example, the ridge 5a is formed of a negative type photoresist, the insulating layer 5c is formed of a positive type photoresist, or the ridge 5a is formed of a positive type photoresist, and the insulating layer 5c is formed of a negative type photo resist. You may form with a resist.
[0046]
The material of the metal film that constitutes the reflecting portion 9 is not limited to Al, and other metals such as chromium, titanium, and nickel may be used. However, Al is preferable from the viewpoint of easy handling. In addition, the material of the reflecting portion 9 is not limited to a metal, and may be a material having a higher reflectance than the surrounding portion in a state where a film is formed, and may be a metal oxide or a resin.
[0047]
○ When the partition wall 5 is composed of two ridges 5a and an insulating layer 5c formed on the outer side thereof, each ridge 5a does not need to have both side walls formed in a predetermined reverse taper shape. The side wall (outer side wall) on the side continuous with the insulating layer 5c may be vertically or inclined to the opposite side depending on the case.
[0048]
In the case where the material of the reflection part 9 is an insulating material, the first electrode 4 may be formed on the reflection part 9 without providing the overcoat layer 3.
〇 The resist is not limited to a photoresist, and an electron beam resist may be used.
[0049]
The second electrode 8 is not limited to the configuration orthogonal to the first electrode 4 and may be any configuration that intersects.
O The organic EL layer 7 is not necessarily limited to a four-layer structure.
[0050]
O Instead of forming the protective film 11 and sealing the organic EL element 6, it may be configured to be sealed with a metal or glass sealing cover or the like.
The technical idea (invention) that can be grasped from the embodiment will be described below.
[0051]
  (1Claim5The protective film for sealing the said organic EL element in the invention described in 1 is provided.
[0052]
  (2()1The protective film is formed by a plasma CVD method.
[0053]
【The invention's effect】
  As detailed above, claims 1 to claim5In the invention described in the above, the reverse-tapered partition wall for ensuring the insulation between the second electrodes or between the second electrode and the first electrode formed on the organic EL layer is provided on the substrate side. Nevertheless, it can be reliably formed. Claims5In the invention described in, even when the organic EL element is sealed with a thin film, the organic EL layer contributing to light emission can be reliably sealed. Claim6 and claim 7In the invention described in claim 1, claims 1 to5It is suitable for manufacturing an EL display panel according to the invention described in 1. above.
[Brief description of the drawings]
1A is a schematic partial perspective view of an organic EL display panel according to a first embodiment, and FIG. 1B is a partial schematic cross-sectional view.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a relationship between a reflecting portion and a first electrode.
3A and 3B are partial schematic cross-sectional views in the manufacturing process of an organic EL display panel.
FIG. 4 is a partial schematic cross-sectional view of a second embodiment.
5A is a partial schematic cross-sectional view of a third embodiment, and FIG. 5B is a partial schematic cross-sectional view showing a partition wall forming step.
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view of another embodiment.
FIG. 7 is a partial schematic cross-sectional view of a conventional organic EL display panel.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Organic EL display panel, 2 ... Color filter as a substrate, 3 ... Overcoat layer, 4 ... 1st electrode, 5 ... Partition, 5a ... Projection, 5c ... Insulating layer, 6 ... Organic EL element, 7 ... Organic EL layer, 8 ... second electrode, 9 ... reflecting portion.

Claims (7)

有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、
第1電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、
前記第1電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための領域を残して、前記第1電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、
前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第2電極とを備え、
前記絶縁性の隔壁は前記第1電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をネガ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
An organic electroluminescence display panel in which organic electroluminescence elements having a light emitting layer made of a thin film of an organic electroluminescence material are arranged in a matrix,
A substrate on which a first electrode is formed in a stripe shape parallel to the surface;
An insulating partition provided in a state intersecting with the first electrode, leaving a region for forming the plurality of organic electroluminescence elements at a predetermined position on the first electrode;
An organic electroluminescence layer formed on the region;
And at least covering the organic electroluminescence layer, and comprising a second electrode formed in parallel stripes,
The insulative partition wall includes a ridge formed in a reverse taper shape whose width becomes narrower toward the side facing the first electrode, the ridge is formed of a negative photoresist, and the first electrode is sandwiched therebetween on the opposite side of the ridge, the protrusion strip and to organic electroluminescent display panel reflecting portion is formed in countercurrent to箇plant extends parallel to the ridge.
有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルであって、
第1電極が表面に平行なストライプ状に形成された基板と、
前記第1電極上の所定位置に複数の前記有機エレクトロルミネッセンス素子を形成するための領域を残して、前記第1電極と交差する状態で設けられた絶縁性の隔壁と、
前記領域上に形成された有機エレクトロルミネッセンス層と、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、平行なストライプ状に形成された第2電極とを備え、
前記絶縁性の隔壁は前記第1電極と対向する側ほど幅が狭くなる逆テーパ状に形成された凸条を備え、該凸条をポジ型のフォトレジストで形成するとともに、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部が形成されている有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。
An organic electroluminescence display panel in which organic electroluminescence elements having a light emitting layer made of a thin film of an organic electroluminescence material are arranged in a matrix,
A substrate on which a first electrode is formed in a stripe shape parallel to the surface;
An insulating partition provided in a state intersecting with the first electrode, leaving a region for forming the plurality of organic electroluminescence elements at a predetermined position on the first electrode;
An organic electroluminescence layer formed on the region;
And at least covering the organic electroluminescence layer, and comprising a second electrode formed in parallel stripes,
The insulative partition wall includes a ridge formed in a reverse taper shape whose width becomes narrower toward the side facing the first electrode, the ridge is formed of a positive photoresist, and the first electrode is An organic electroluminescence display panel in which a reflective portion extending in parallel with the ridge is formed in the vicinity of a portion facing the ridge on the opposite side to the ridge .
前記反射部は前記基板に対して前記第1電極を形成する前に設けられるとともに、透明なオーバーコート層で被覆されている請求項1又は請求項2に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。The organic electroluminescence display panel according to claim 1, wherein the reflection portion is provided before the first electrode is formed on the substrate and is covered with a transparent overcoat layer . 前記凸条は前記隔壁毎に1本設けられている請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル。 The ridges organic electroluminescent display panel as claimed in any one of claims 1 to 3, provided one in each of the partition wall. 前記凸条は前記隔壁毎に2本設けられ、両凸条の外側に沿って底面側が幅広となるテーパ状に形成された絶縁層が設けられている請求項1から請求項3のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル The said protruding item | line is provided in two for every said partition, The insulating layer formed in the taper shape which the bottom face side becomes wide along the outer side of both protruding item | lines is provided. The organic electroluminescence display panel according to Item . 有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、A method for producing an organic electroluminescence display panel in which organic electroluminescence elements having a light emitting layer made of a thin film of an organic electroluminescence material are arranged in a matrix,
基板上に前記発光層に対応する複数の第1電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、  A patterning step of forming a plurality of first electrodes corresponding to the light emitting layer in a stripe shape on a substrate;
前記パターニング工程後に行われ、前記第1電極上の所定位置に前記有機EL素子を形成するための領域を残すようにして、前記第1電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をネガ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、  Insulation that is performed after the patterning step and that intersects with the first electrode and has a reverse taper-shaped ridge so as to leave a region for forming the organic EL element at a predetermined position on the first electrode Partition forming step of forming a conductive barrier using a negative photoresist,
前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、  A light emitting layer forming step, which is performed after the partition forming step, and forms an organic electroluminescence layer on the region;
前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第1電極と交差する平行なストライプ状の第2電極を形成する工程と  A step of forming a second stripe-shaped electrode parallel to the first electrode, which is performed after the light emitting layer forming step and covers at least the organic electroluminescent layer;
を有し、Have
かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と  And when forming the reverse taper-shaped convex strip in the partition forming step, in order to clarify the boundary between the soluble portion and the insoluble portion, on the opposite side of the convex strip across the first electrode , With the ridges 対向する箇所に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。A method of manufacturing an organic electroluminescence display panel in which a reflective portion extending in parallel with the ridge is provided at an opposing location, and a difference in exposure amount between the exposed portion and the non-exposed portion of the photoresist is increased by reflected light of the reflective portion .
有機エレクトロルミネッセンス材料の薄膜からなる発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子をマトリックス状に配置した有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法であって、  A method for producing an organic electroluminescence display panel in which organic electroluminescence elements having a light emitting layer made of a thin film of an organic electroluminescence material are arranged in a matrix,
基板上に前記発光層に対応する複数の第1電極をストライプ状に形成するパターニング工程と、  A patterning step of forming a plurality of first electrodes corresponding to the light emitting layer in a stripe shape on a substrate;
前記パターニング工程後に行われ、前記第1電極上の所定位置に前記有機EL素子を形成するための領域を残すようにして、前記第1電極と交差するとともに逆テーパ状の凸条を備えた絶縁性の隔壁をポジ型のフォトレジストを使用して形成する隔壁形成工程と、  Insulation that is performed after the patterning step and that intersects with the first electrode and has a reverse taper-shaped ridge so as to leave a region for forming the organic EL element at a predetermined position on the first electrode A barrier rib forming step of forming a positive barrier rib using a positive photoresist,
前記隔壁形成工程後に行われ、前記領域上に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する発光層形成工程と、  A light emitting layer forming step, which is performed after the partition forming step, and forms an organic electroluminescence layer on the region;
前記発光層形成工程後に行われ、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス層を覆うとともに、前記第1電極と交差する平行なストライプ状の第2電極を形成する工程と  A step of forming a second stripe-shaped electrode parallel to the first electrode, which is performed after the light emitting layer forming step and covers at least the organic electroluminescent layer;
を有し、Have
かつ、前記隔壁形成工程において前記逆テーパ状の凸条を形成する際に、可溶部と不溶部との境界を明確にするために、前記第1電極を挟んで前記凸条と反対側に、前記凸条と対向する箇所の近傍に前記凸条と平行に延びる反射部を設け、該反射部の反射光により前記フォトレジストの露光部と非露光部との露光量の差を大きくする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法。  And when forming the reverse taper-shaped convex strip in the partition forming step, in order to clarify the boundary between the soluble portion and the insoluble portion, on the opposite side of the convex strip across the first electrode An organic layer is provided that has a reflective portion extending in parallel with the ridge in the vicinity of the portion facing the ridge, and increases the difference in exposure amount between the exposed portion and the non-exposed portion of the photoresist by the reflected light of the reflective portion. A method for manufacturing an electroluminescent display panel.
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