JP5119681B2 - Exposure apparatus and device manufacturing method - Google Patents

Exposure apparatus and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP5119681B2
JP5119681B2 JP2007042386A JP2007042386A JP5119681B2 JP 5119681 B2 JP5119681 B2 JP 5119681B2 JP 2007042386 A JP2007042386 A JP 2007042386A JP 2007042386 A JP2007042386 A JP 2007042386A JP 5119681 B2 JP5119681 B2 JP 5119681B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
mask
exposure apparatus
reflected
incident
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2007042386A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2008205377A (en
Inventor
雅之 白石
一 山本
秀基 小松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP2007042386A priority Critical patent/JP5119681B2/en
Publication of JP2008205377A publication Critical patent/JP2008205377A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP5119681B2 publication Critical patent/JP5119681B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

本発明は、基板を露光する露光装置及びデバイス製造方法に関する。   The present invention relates to an exposure apparatus and a device manufacturing method for exposing a substrate.

フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。露光装置には、露光光による照明領域を規定するブラインド部材が設けられる。下記特許文献には、ＥＵＶ露光装置のブラインド部材に関する技術の一例が開示されている。
特開２００４−３５６４１５号公報 In an exposure apparatus used in a photolithography process, an EUV exposure apparatus that uses extreme ultra-violet (EUV) light as exposure light has been devised. The exposure apparatus is provided with a blind member that defines an illumination area by exposure light. The following patent document discloses an example of a technique related to a blind member of an EUV exposure apparatus.
JP 2004-356415 A

ＥＵＶ露光装置の光源から射出される光が、極端紫外領域（軟Ｘ線領域）のスペクトルを有する光のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光を含む可能性がある。マスクの近傍にブラインド部材が配置される場合において、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光がブラインド部材に照射されると、その反射光が、光の照射が想定されていない部分に照射される可能性がある。その場合、その部分の温度が光の照射によって上昇し、投影光学系の光学性能が劣化し、露光装置の性能が劣化する可能性がある。また、ブラインド部材で反射した反射光が、基板に照射されると、露光不良が発生する可能性がある。   The light emitted from the light source of the EUV exposure apparatus may include not only light having a spectrum in the extreme ultraviolet region (soft X-ray region) but also light having a spectrum in the ultraviolet region, the visible region, and the infrared region. is there. When a blind member is placed in the vicinity of the mask, if the blind member is irradiated with light having a spectrum other than the extreme ultraviolet region, the reflected light may be applied to a portion that is not supposed to be irradiated with light. There is sex. In this case, the temperature of the portion increases due to light irradiation, the optical performance of the projection optical system may deteriorate, and the performance of the exposure apparatus may deteriorate. In addition, when the reflected light reflected by the blind member is irradiated onto the substrate, exposure failure may occur.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる露光装置、及びその露光装置を用いるデバイス製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide an exposure apparatus that can suppress deterioration of performance and that can satisfactorily expose a substrate, and a device manufacturing method using the exposure apparatus. .

上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。   In order to solve the above-described problems, the present invention employs the following configurations corresponding to the respective drawings shown in the embodiments. However, the reference numerals with parentheses attached to each element are merely examples of the element and do not limit each element.

本発明の第１の態様に従えば、マスク（Ｍ）の所定面（Ｍｓ）を照明光（Ｌ１）で照明し、マスク（Ｍ）で反射した照明光（Ｌ１）の反射光で基板（Ｐ）を露光する露光装置であって、マスク（Ｍ）の所定面（Ｍｓ）の少なくとも一部と対向する位置に配置され、所定面（Ｍｓ）での照明光（Ｌ１）の照明領域を規定する光学部材（３）と、マスク（Ｍ）に入射せずに光学部材（３）に入射し、光学部材（３）で反射した照明光（Ｌ２）の少なくとも一部が所定部材（ＰＬ、Ｐ）に入射することを抑制する抑制部（１０）と、を備えた露光装置（ＥＸ）が提供される。   According to the first aspect of the present invention, the predetermined surface (Ms) of the mask (M) is illuminated with the illumination light (L1), and the substrate (P) is reflected by the reflected light of the illumination light (L1) reflected by the mask (M). ) For exposing the illumination light (L1) on the predetermined surface (Ms), which is disposed at a position facing at least a part of the predetermined surface (Ms) of the mask (M). At least a part of the illumination light (L2) that is incident on the optical member (3) without being incident on the optical member (3) and reflected on the optical member (3) without entering the mask (M) is a predetermined member (PL, P). An exposure apparatus (EX) is provided that includes a suppression unit (10) that suppresses incident light on the surface.

本発明の第１の態様によれば、性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる。   According to the first aspect of the present invention, performance degradation can be suppressed, and the substrate can be exposed satisfactorily.

本発明の第２の態様に従えば、上記態様の露光装置（ＥＸ）を用いて基板（Ｐ）を露光することと、露光された基板（Ｐ）を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。   According to a second aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method comprising: exposing a substrate (P) using the exposure apparatus (EX) of the above aspect; and developing the exposed substrate (P). Is provided.

本発明の第２の態様によれば、性能の劣化が抑制され、基板を良好に露光できる露光装置を用いてデバイスを製造できる。   According to the second aspect of the present invention, it is possible to manufacture a device by using an exposure apparatus that can suppress the deterioration of the performance and can satisfactorily expose the substrate.

本発明によれば、露光装置の性能の劣化を抑制でき、基板を良好に露光できる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造できる。   According to the present invention, deterioration of the performance of the exposure apparatus can be suppressed, and the substrate can be exposed satisfactorily. Therefore, a device having a desired performance can be manufactured.

以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings, but the present invention is not limited thereto. In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is set, and the positional relationship of each member will be described with reference to this XYZ orthogonal coordinate system. The predetermined direction in the horizontal plane is the X-axis direction, the direction orthogonal to the X-axis direction in the horizontal plane is the Y-axis direction, and the direction orthogonal to each of the X-axis direction and the Y-axis direction (that is, the vertical direction) is the Z-axis direction. To do. Further, the rotation (inclination) directions around the X axis, Y axis, and Z axis are the θX, θY, and θZ directions, respectively.

＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸを示す概略構成図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持しながら移動可能なマスクステージ１と、露光光Ｌ１が照射される基板Ｐを保持しながら移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１に保持されているマスクＭを露光光Ｌ１で照明する照明光学系ＩＬと、露光光Ｌ１で照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬとを備えている。 <First Embodiment>
A first embodiment will be described. FIG. 1 is a schematic block diagram that shows an exposure apparatus EX according to the first embodiment. In FIG. 1, an exposure apparatus EX is held by a mask stage 1 that is movable while holding a mask M, a substrate stage 2 that is movable while holding a substrate P irradiated with exposure light L1, and a mask stage 1. An illumination optical system IL that illuminates the mask M with the exposure light L1, and a projection optical system PL that projects an image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light L1 onto the substrate P.

本実施形態の露光装置ＥＸは、極端紫外光で基板Ｐを露光するＥＵＶ露光装置である。極端紫外光は、例えば波長１１〜１４ｎｍ程度の軟Ｘ線領域の電磁波である。以下の説明において、極端紫外光を適宜、ＥＵＶ光、と称する。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is an EUV exposure apparatus that exposes the substrate P with extreme ultraviolet light. Extreme ultraviolet light is an electromagnetic wave in a soft X-ray region having a wavelength of about 11 to 14 nm, for example. In the following description, extreme ultraviolet light is appropriately referred to as EUV light.

基板Ｐは、半導体ウエハ等の基材上に感光材（レジスト）等の膜が形成されたものを含む。マスクＭは、基板Ｐ上に投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。本実施形態では、露光光Ｌ１としてＥＵＶ光が用いられ、マスクＭは、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する反射型マスクである。反射型マスクの多層膜は、例えばＭｏ／Ｓｉ多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜を含む。露光装置ＥＸは、多層膜が形成されたマスクＭの反射面（パターン形成面）Ｍｓを露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１で照明し、そのマスクＭで反射した露光光Ｌ１の反射光で基板Ｐを露光する。   The substrate P includes a substrate in which a film such as a photosensitive material (resist) is formed on a base material such as a semiconductor wafer. The mask M includes a reticle on which a device pattern to be projected onto the substrate P is formed. In the present embodiment, EUV light is used as the exposure light L1, and the mask M is a reflective mask having a multilayer film capable of reflecting EUV light. The multilayer film of the reflective mask includes, for example, a Mo / Si multilayer film and a Mo / Be multilayer film. The exposure apparatus EX illuminates the reflection surface (pattern formation surface) Ms of the mask M on which the multilayer film is formed with the exposure light (EUV light) L1, and the substrate P is reflected by the reflection light of the exposure light L1 reflected by the mask M. Exposure.

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、例えば特開２００４−３５６４１５号公報等に開示されているような、マスクＭの反射面Ｍｓの少なくとも一部と対向する位置に配置され、反射面Ｍｓでの露光光Ｌ１の照明領域を規定するブラインド部材３を備えている。   In addition, the exposure apparatus EX of the present embodiment is disposed at a position facing at least a part of the reflective surface Ms of the mask M as disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-356415, and the like. A blind member 3 that defines the illumination area of the exposure light L1 is provided.

また、本実施形態の露光装置ＥＸは、少なくとも露光光Ｌ１が通過する所定空間を形成し、その所定空間を真空状態（例えば、１．３×１０−３Ｐａ以下）にする真空システムを有するチャンバ装置ＶＣを備えている。 The exposure apparatus EX of the present embodiment forms a chamber having a vacuum system that forms at least a predetermined space through which the exposure light L1 passes and places the predetermined space in a vacuum state (eg, 1.3 × 10 −3 Pa or less). A device VC is provided.

照明光学系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を含み、光源４からの露光光Ｌ１で、マスクＭを照明する。本実施形態の光源４は、レーザ励起型プラズマ光源であって、ハウジング５と、レーザ光を射出するレーザ装置６と、キセノンガス等のターゲット材料をハウジング５内に供給する供給部材７とを含む。レーザ装置６から射出され、集光光学系８で集光されたレーザ光は、供給部材７の先端から射出されるターゲット材料に照射される。レーザ光が照射されたターゲット材料は、プラズマ化してＥＵＶ光を含む光Ｌ０を発生する。供給部材７の先端で発生した光Ｌ０は、コンデンサ８によって集光される。コンデンサ８を介した光Ｌ０は、ハウジング５の外側に配置されているコリメータミラー９に入射する。なお、光源４は、放電型プラズマ光源でもよい。 The illumination optical system IL includes a plurality of optical elements IR 1 to IR 4 and illuminates the mask M with the exposure light L 1 from the light source 4. The light source 4 of the present embodiment is a laser-excited plasma light source, and includes a housing 5, a laser device 6 that emits laser light, and a supply member 7 that supplies a target material such as xenon gas into the housing 5. . The laser light emitted from the laser device 6 and condensed by the condensing optical system 8 is applied to the target material emitted from the tip of the supply member 7. The target material irradiated with the laser light is turned into plasma and generates light L0 including EUV light. The light L 0 generated at the tip of the supply member 7 is collected by the capacitor 8. The light L0 that has passed through the capacitor 8 is incident on a collimator mirror 9 disposed outside the housing 5. The light source 4 may be a discharge plasma light source.

光源４は、極端紫外領域のスペクトルを有する光（ＥＵＶ光）のみならず、紫外領域、可視領域、及び赤外領域のスペクトルを有する光も発生する可能性がある。以下の説明において、紫外領域、可視領域、及び赤外領域等、極端紫外領域以外のスペクトルを有する光Ｌ２を適宜、非露光光Ｌ２、と称する。すなわち、本実施形態においては、波長１１〜１４ｎｍ程度の極端紫外領域（軟Ｘ線領域）の電磁波（光）であるＥＵＶ光Ｌ１を、露光光Ｌ１、と称し、光源４から放出される、ＥＵＶ光Ｌ１以外の光Ｌ２を適宜、非露光光Ｌ２、と称する。光源４から射出される光Ｌ０は、露光光Ｌ１と非露光光Ｌ２とを含む。   The light source 4 may generate not only light (EUV light) having a spectrum in the extreme ultraviolet region but also light having spectra in the ultraviolet region, the visible region, and the infrared region. In the following description, the light L2 having a spectrum other than the extreme ultraviolet region such as the ultraviolet region, the visible region, and the infrared region is appropriately referred to as non-exposure light L2. That is, in this embodiment, EUV light L1 that is an electromagnetic wave (light) in the extreme ultraviolet region (soft X-ray region) having a wavelength of about 11 to 14 nm is referred to as exposure light L1, and is emitted from the light source 4. The light L2 other than the light L1 is appropriately referred to as non-exposure light L2. The light L0 emitted from the light source 4 includes exposure light L1 and non-exposure light L2.

照明光学系ＩＬは、複数の光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を有し、マスクＭ上の照明領域を均一に照明する。照明光学系ＩＬにより照明され、マスクＭの反射面Ｍｓで反射した露光光Ｌ１は、投影光学系ＰＬに入射する。 The illumination optical system IL includes a plurality of optical elements IR 1 to IR 4 and uniformly illuminates an illumination area on the mask M. The exposure light L1 illuminated by the illumination optical system IL and reflected by the reflective surface Ms of the mask M enters the projection optical system PL.

投影光学系ＰＬは、複数の光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４を有する。露光光Ｌ１で照明されたマスクＭのパターンの像は、投影光学系ＰＬを介して、感光材（レジスト）の膜が形成された基板Ｐに投影される。 The projection optical system PL has a plurality of optical elements PR 1 to PR 4 . The image of the pattern of the mask M illuminated with the exposure light L1 is projected onto the substrate P on which a photosensitive material (resist) film is formed via the projection optical system PL.

図２は、ブラインド部材３の近傍を示す図である。ブラインド部材３は、露光光Ｌ１が通過可能な開口３Ｋを有し、マスクＭの反射面Ｍｓでの露光光Ｌ１の照明領域を規定する。ブラインド部材３は、投影光学系ＰＬの像面（基板Ｐの表面）、及び投影光学系ＰＬの物体面（マスクＭの反射面）に対してほぼ共役な位置に配置される。ＥＵＶ露光装置においては、上述の各光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４、ＰＲ１〜ＰＲ４は、ＥＵＶ光を反射可能な多層膜を有する多層膜反射鏡を含む。露光光Ｌ１の減衰を抑制するために、照明光学系ＩＬの光学素子の数は抑えられている。本実施形態においては、照明光学系ＩＬは、４つの光学素子ＩＲ１〜ＩＲ４を有する。本実施形態においては、ブラインド部材３は、マスクＭの反射面Ｍｓに近い位置に配置されている。すなわち、本実施形態のブラインド部材３は、いわゆるプロキシミティタイプ（近接タイプ）のブラインド部材である。 FIG. 2 is a view showing the vicinity of the blind member 3. The blind member 3 has an opening 3K through which the exposure light L1 can pass, and defines an illumination area of the exposure light L1 on the reflection surface Ms of the mask M. The blind member 3 is disposed at a position substantially conjugate with the image plane of the projection optical system PL (surface of the substrate P) and the object plane of the projection optical system PL (reflection surface of the mask M). In the EUV exposure apparatus, the optical elements IR 1 ~IR 4 described above, PR 1 to PR 4 includes a multilayer mirror having a multilayer film capable of reflecting the EUV light. In order to suppress the attenuation of the exposure light L1, the number of optical elements of the illumination optical system IL is suppressed. In the present embodiment, the illumination optical system IL has four optical elements IR 1 to IR 4 . In the present embodiment, the blind member 3 is disposed at a position close to the reflective surface Ms of the mask M. That is, the blind member 3 of this embodiment is a so-called proximity type (proximity type) blind member.

上述のように、光源４は、露光光Ｌ１と非露光光Ｌ２とを含む光Ｌ０を射出する。光源４から射出され、照明光学系ＩＬを介した露光光Ｌ１と非露光光Ｌ２とを含む光Ｌ０は、ブラインド部材３の開口３Ｋを通過して、マスクＭの反射面Ｍｓに入射する。また、照明光学系ＩＬからの光Ｌ０の一部は、ブラインド部材３にも入射する。   As described above, the light source 4 emits the light L0 including the exposure light L1 and the non-exposure light L2. Light L0 emitted from the light source 4 and including the exposure light L1 and the non-exposure light L2 via the illumination optical system IL passes through the opening 3K of the blind member 3 and enters the reflection surface Ms of the mask M. Further, part of the light L0 from the illumination optical system IL also enters the blind member 3.

露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１は、マスクＭの反射面Ｍｓで反射するが、例えば多層膜等が形成されていないブラインド部材３では反射しない。一方、非露光光Ｌ２は、マスクＭの反射面Ｍｓで反射するとともに、ブラインド部材３でも反射する。すなわち、ブラインド部材３に入射する照明光学系ＩＬからの光Ｌ０は、ブラインド部材３で反射せずにマスクＭの反射面Ｍｓで反射する露光光（ＥＵＶ光）Ｌ１を含む第１成分と、マスクＭ及びブラインド部材３の両方で反射する非露光光Ｌ２を含む第２成分とを含む。   The exposure light (EUV light) L1 is reflected by the reflective surface Ms of the mask M, but is not reflected by the blind member 3 on which, for example, a multilayer film or the like is not formed. On the other hand, the non-exposure light L <b> 2 is reflected by the reflection surface Ms of the mask M and also by the blind member 3. That is, the light L0 from the illumination optical system IL incident on the blind member 3 is not reflected by the blind member 3, but is reflected by the reflecting surface Ms of the mask M, and the first component includes the exposure light (EUV light) L1. And the second component including the non-exposure light L2 reflected by both the M and the blind member 3.

マスクＭの反射面Ｍｓで反射した露光光Ｌ１及び非露光光Ｌ２は、投影光学系ＰＬを介して、投影光学系ＰＬの像面側に配置された基板Ｐに照射される。非露光光Ｌ２のうち、特に可視領域、赤外領域の光は、多層膜反射鏡からなる各光学素子ＰＲ１〜ＰＲ４で反射して、基板Ｐに入射可能である。 The exposure light L1 and the non-exposure light L2 reflected by the reflection surface Ms of the mask M are applied to the substrate P disposed on the image plane side of the projection optical system PL via the projection optical system PL. Of the non-exposure light L2, light in the visible region and infrared region, in particular, can be reflected by the optical elements PR 1 to PR 4 made of a multilayer film reflecting mirror and incident on the substrate P.

ブラインド部材３は、マスクＭの近傍に配置されているものの、マスクＭの反射面Ｍｓと異なる位置に配置されている。ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２は、例えば投影光学系ＰＬ内のうち、光の照射が想定されていない非想定部分（例えば鏡筒の内面）に照射される可能性がある。その場合、その光の照射によって非想定部分の温度が上昇し、投影光学系ＰＬの光学性能が劣化し、露光装置ＥＸの性能が劣化する可能性がある。   Although the blind member 3 is disposed in the vicinity of the mask M, the blind member 3 is disposed at a position different from the reflective surface Ms of the mask M. There is a possibility that the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3 may be irradiated to a non-expected part (for example, the inner surface of the lens barrel) that is not supposed to be irradiated in the projection optical system PL, for example. In that case, there is a possibility that the temperature of the unexpected part increases due to the irradiation of the light, the optical performance of the projection optical system PL deteriorates, and the performance of the exposure apparatus EX deteriorates.

また、ブラインド部材３は、マスクＭの反射面Ｍｓと異なる位置に配置されており、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２の光路と、マスクＭで反射した露光光Ｌ１の光路とは異なる。その場合、非露光光Ｌ２は、光の照射が想定されていない領域に照射され、いわゆる、かぶりを発生させる可能性がある。また、デフォーカスした像（ぼけた像）が基板Ｐに投影される可能性もある。特に、非露光光Ｌ２に含まれる紫外領域の光が基板Ｐに照射されてしまうと、基板Ｐの感光材が不要に感光してしまう可能性がある。このように、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２の反射光が基板Ｐに照射されると、露光不良が発生する可能性がある。   The blind member 3 is disposed at a position different from the reflective surface Ms of the mask M, and the optical path of the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3 and the optical path of the exposure light L1 reflected by the mask M are different. In that case, the non-exposure light L2 may be irradiated to a region where light irradiation is not assumed, and so-called fogging may occur. In addition, a defocused image (blurred image) may be projected onto the substrate P. In particular, if the substrate P is irradiated with light in the ultraviolet region included in the non-exposure light L2, the photosensitive material of the substrate P may be unnecessarily exposed. As described above, when the substrate P is irradiated with the reflected light of the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3, exposure failure may occur.

本実施形態の露光装置ＥＸは、照明光学系ＩＬより射出され、マスクＭに入射せずにブラインド部材３に入射し、そのブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬに入射することを抑制する抑制部１０を備えている。これにより、露光装置ＥＸの性能の劣化、露光不良の発生等を抑制できる。   The exposure apparatus EX of the present embodiment is emitted from the illumination optical system IL, enters the blind member 3 without entering the mask M, and the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3 enters the projection optical system PL. The suppression part 10 which suppresses this is provided. Thereby, degradation of the performance of the exposure apparatus EX, occurrence of exposure failure, and the like can be suppressed.

図２に示すように、本実施形態の抑制部１０は、照明光学系ＩＬからの光Ｌ０が入射するブラインド部材３の入射面３ｓに配置された反射防止膜１１を含む。ブラインド部材３の入射面３ｓは、マスクＭの反射面Ｍｓと対向する対向面３ｔとは反対側の面であって、本実施形態においては、図中、−Ｚ側を向いている。   As shown in FIG. 2, the suppressing unit 10 of the present embodiment includes an antireflection film 11 disposed on the incident surface 3s of the blind member 3 on which the light L0 from the illumination optical system IL is incident. The incident surface 3s of the blind member 3 is a surface opposite to the facing surface 3t facing the reflecting surface Ms of the mask M, and in this embodiment, faces the -Z side in the drawing.

ブラインド部材３は、例えばインバー、あるいはステンレス鋼、チタン等の金属で形成されている。反射防止膜１１は、ブラインド部材３の入射面３ｓを覆うように配置されている。本実施形態の反射防止膜１１は、入射する非露光光Ｌ２のうち、特に紫外領域（例えば波長１００ｎｍ〜３００ｎｍの領域）の光の反射を抑制する機能を有する。   The blind member 3 is made of, for example, invar, or a metal such as stainless steel or titanium. The antireflection film 11 is disposed so as to cover the incident surface 3 s of the blind member 3. The antireflection film 11 of the present embodiment has a function of suppressing reflection of light in the ultraviolet region (for example, a region having a wavelength of 100 nm to 300 nm), among the incident non-exposure light L2.

反射防止膜１１は、例えばクロム、酸化クロム等で形成可能である。また、反射防止膜１１は、誘電体多層膜であってもよい。非露光光Ｌ２（特に紫外領域の光）の反射を十分に抑制するために、反射防止膜１１の膜厚、層構造が最適化されている。本実施形態においては、反射防止膜１１は、非露光光Ｌ２の反射率を５％以下に抑えるように設定されている。   The antireflection film 11 can be formed of, for example, chromium, chromium oxide, or the like. Further, the antireflection film 11 may be a dielectric multilayer film. In order to sufficiently suppress the reflection of the non-exposure light L2 (particularly, light in the ultraviolet region), the film thickness and the layer structure of the antireflection film 11 are optimized. In the present embodiment, the antireflection film 11 is set to suppress the reflectance of the non-exposure light L2 to 5% or less.

また、例えばスパッタリングの手法によって、カーボン、炭化ホウ素、及び酸化第二スズ等からなる反射防止膜１１をブラインド部材３の入射面３ｓに形成することができる。一例として、インバーからなるブラインド部材３に、スパッタリング法によって厚みが約２μｍのカーボンの膜を形成することによって、非露光光Ｌ２の反射率を５％以下に抑えることができる。   Further, the antireflection film 11 made of carbon, boron carbide, stannic oxide, or the like can be formed on the incident surface 3 s of the blind member 3 by, for example, a sputtering technique. As an example, the reflectance of the non-exposure light L2 can be suppressed to 5% or less by forming a carbon film having a thickness of about 2 μm on the blind member 3 made of Invar by sputtering.

以上説明したように、本実施形態によれば、反射防止膜１１等の抑制部１０によって、ブラインド部材３に入射した非露光光Ｌ２が反射することを抑制でき、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬに入射することを抑制できる。したがって、露光装置ＥＸの性能の劣化を抑制し、基板Ｐを良好に露光できる。   As described above, according to the present embodiment, it is possible to suppress the reflection of the non-exposure light L2 incident on the blind member 3 by the suppressing unit 10 such as the antireflection film 11 and the non-exposure reflected by the blind member 3. The light L2 can be prevented from entering the projection optical system PL. Therefore, deterioration of the performance of the exposure apparatus EX can be suppressed and the substrate P can be exposed satisfactorily.

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 Second Embodiment
Next, a second embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図３は、第２実施形態に係る抑制部１０Ｂを示す模式図である。図３の模式図に示すように、本実施形態の抑制部１０Ｂは、吸光性（減光性）を有するクロム等を含むプレート部材１２を含む。プレート部材１２は、ブラインド部材３の入射面３ｓに接続可能である。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光Ｌ０の光路上に配置されたプレート部材１２によって、ブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を抑制することができる。   FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a suppressing unit 10B according to the second embodiment. As shown in the schematic diagram of FIG. 3, the suppressing unit 10 </ b> B of the present embodiment includes a plate member 12 including chrome or the like having a light absorbency (a light reducing property). The plate member 12 can be connected to the incident surface 3 s of the blind member 3. Incidence of the light L0 (non-exposure light L2) to the blind member 3 can be suppressed by the plate member 12 disposed on the optical path of the light L0 directed from the illumination optical system IL toward the blind member 3.

また、プレート部材１２をブラインド部材３に接続せず、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光Ｌ０の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置にプレート部材１２を配置してもよい。こうすることによっても、プレート部材１２によってブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を抑制することができる。   Further, the plate member 12 may be arranged at a position away from the blind member 3 on the optical path of the light L0 from the illumination optical system IL toward the blind member 3 without connecting the plate member 12 to the blind member 3. . Also by doing so, the plate member 12 can suppress the incidence of the light L0 (non-exposure light L2) on the blind member 3.

以上説明したように、本実施形態によれば、プレート部材１２によって、ブラインド部材３に入射した非露光光Ｌ２が反射することを抑制でき、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬに入射することを抑制できる。したがって、露光装置ＥＸの性能の劣化を抑制し、基板Ｐを良好に露光できる。   As described above, according to the present embodiment, the plate member 12 can suppress the non-exposure light L2 incident on the blind member 3 from being reflected, and the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3 can be reflected by the projection optical system. It can suppress entering into PL. Therefore, deterioration of the performance of the exposure apparatus EX can be suppressed and the substrate P can be exposed satisfactorily.

＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 <Third Embodiment>
Next, a third embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図４は、第３実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。本実施形態の抑制部１０Ｃは、ブラインド部材３の入射面３ｓに配置された凹凸構造を含む。   FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a suppressing unit according to the third embodiment. The suppression unit 10 </ b> C of the present embodiment includes a concavo-convex structure disposed on the incident surface 3 s of the blind member 3.

本実施形態においては、凹凸構造は、モスアイ構造を含む。モスアイ構造は、入射した光の反射を抑制可能な反射防止構造である。モスアイ構造は、例えば図５に示すように、２次元的に規則的に配列される複数の凹部及び凸部を有する。凹部及び凸部は、例えば１μｍ以下である。モスアイ構造は、シリコン等の所定の材料の表面を加工することによって形成可能である。   In the present embodiment, the concavo-convex structure includes a moth-eye structure. The moth-eye structure is an antireflection structure capable of suppressing reflection of incident light. As shown in FIG. 5, for example, the moth-eye structure has a plurality of concave portions and convex portions that are regularly arranged two-dimensionally. A recessed part and a convex part are 1 micrometer or less, for example. The moth-eye structure can be formed by processing the surface of a predetermined material such as silicon.

本実施形態においては、インバーからなるブラインド部材３に、モスアイ構造を有するシリコン基板１３が接続されている。モスアイ構造の複数の凹部及び凸部は、ブラインド部材３の入射面３ｓとほぼ平行な面に沿って２次元的に規則的に配列される。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上に配置されたモスアイ構造を有するシリコン基板１３によって、ブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を遮り、非露光光Ｌ２の反射を抑制できる。   In the present embodiment, a silicon substrate 13 having a moth-eye structure is connected to a blind member 3 made of Invar. The plurality of concave portions and convex portions of the moth-eye structure are regularly arranged two-dimensionally along a plane substantially parallel to the incident surface 3 s of the blind member 3. The silicon substrate 13 having a moth-eye structure arranged on the optical path of the light from the illumination optical system IL toward the blind member 3 blocks the incidence of the light L0 (non-exposure light L2) on the blind member 3, and the non-exposure light L2 Reflection can be suppressed.

また、モスアイ構造を有するシリコン基板１３をブラインド部材３に接続せずに、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置にシリコン基板１３を配置してもよい。こうすることによっても、モスアイ構造を有するシリコン基板１２によってブラインド部材３への光Ｌ０（非露光光Ｌ２）の入射を抑制することができるとともに、非露光光Ｌ２の反射を抑制することができる。なお、ブラインド部材３をシリコンで形成し、そのブラインド部材３の入射面３ｓにモスアイ構造を形成してもよい。   Further, the silicon substrate 13 having the moth-eye structure is not connected to the blind member 3, and the silicon substrate 13 is disposed at a position away from the blind member 3 on the optical path of light from the illumination optical system IL toward the blind member 3. May be. Also by doing so, the silicon substrate 12 having the moth-eye structure can suppress the incidence of the light L0 (non-exposure light L2) to the blind member 3, and the reflection of the non-exposure light L2 can be suppressed. The blind member 3 may be formed of silicon, and a moth-eye structure may be formed on the incident surface 3s of the blind member 3.

なお、モスアイ構造として、例えば特開２００４−２０５９９０号公報に開示されている技術を用いることができる。   As the moth-eye structure, for example, a technique disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-205990 can be used.

＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 <Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図６は、第４実施形態に係る抑制部１０Ｄを説明するための模式図である。図６に示すように、本実施形態においては、ブラインド部材３Ｂの入射面３ｓは、入射された光Ｌ０（非露光光Ｌ２）を投影光学系ＰＬ以外の方向に反射する所定形状を有した反射面を形成する。本実施形態の抑制部１０Ｄは、そのブラインド部材３の入射面（反射面）３ｓを含む。本実施形態においては、ブラインド部材３の入射面３ｓは、入射された光Ｌ０（非露光光Ｌ２）を投影光学系ＰＬ以外の方向に反射するように所定角度傾斜している。   FIG. 6 is a schematic diagram for explaining a suppressing unit 10D according to the fourth embodiment. As shown in FIG. 6, in this embodiment, the incident surface 3s of the blind member 3B has a predetermined shape that reflects the incident light L0 (non-exposure light L2) in a direction other than the projection optical system PL. Form a surface. The suppressing unit 10 </ b> D of the present embodiment includes an incident surface (reflection surface) 3 s of the blind member 3. In the present embodiment, the incident surface 3s of the blind member 3 is inclined at a predetermined angle so as to reflect the incident light L0 (non-exposure light L2) in a direction other than the projection optical system PL.

また、本実施形態においては、露光装置ＥＸは、反射面３ｓで反射した非露光光Ｌ２を受ける受光面１４を有する受光部材１５と、受光部材１５を冷却する冷却機構１６とを備えている。これにより、反射面３ｓで反射した非露光光Ｌ２が、光の照射が想定されていない非想定部分に照射されることを抑制できる。また、反射面３ｓからの光に起因する温度上昇を抑制できる。   In the present embodiment, the exposure apparatus EX includes a light receiving member 15 having a light receiving surface 14 that receives the non-exposure light L2 reflected by the reflecting surface 3s, and a cooling mechanism 16 that cools the light receiving member 15. Thereby, it can suppress that the non-exposure light L2 reflected by 3 s of reflective surfaces is irradiated to the non-expected part where irradiation of light is not assumed. Moreover, the temperature rise resulting from the light from the reflective surface 3s can be suppressed.

なお、所定形状を有した反射面を有する反射部材を、ブラインド部材３の入射面３ｓに接続することができる。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上に配置された反射部材によって、ブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。また、反射部材をブラインド部材に接続せずに、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置に反射部材を配置してもよい。こうすることによっても、反射部材によってブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。   Note that a reflecting member having a reflecting surface having a predetermined shape can be connected to the incident surface 3 s of the blind member 3. Incidence of light to the blind member 3 can be suppressed by the reflecting member disposed on the optical path of the light from the illumination optical system IL toward the blind member 3. In addition, the reflecting member may be arranged at a position away from the blind member 3 on the optical path of light from the illumination optical system IL toward the blind member 3 without connecting the reflecting member to the blind member. Also by doing so, it is possible to suppress the incidence of light on the blind member 3 by the reflecting member.

＜第５実施形態＞
次に、第５実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 <Fifth Embodiment>
Next, a fifth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図７は、第５実施形態に係る抑制部１０Ｅを説明するための模式図である。本実施形態の抑制部１０Ｅは、ブラインド部材３Ｃの入射面３ｓに形成された凹凸構造を含む。本実施形態においては、ブラインド部材３Ｃの入射面３ｓは、入射された非露光光Ｌ２を投影光学系ＰＬ以外の方向に反射可能な所定角度傾斜した複数の反射面を形成しており、それら複数の反射面で凹凸構造が形成されている。すなわち、本実施形態のブラインド部材の断面形状は、鋸歯状である。こうすることにより、厚みが最も厚い部分のブラインド部材３Ｃの厚みを抑えることができる。   FIG. 7 is a schematic diagram for explaining a suppressing unit 10E according to the fifth embodiment. The suppressing unit 10E of the present embodiment includes an uneven structure formed on the incident surface 3s of the blind member 3C. In the present embodiment, the incident surface 3s of the blind member 3C forms a plurality of reflecting surfaces inclined at a predetermined angle that can reflect the incident non-exposure light L2 in a direction other than the projection optical system PL. An uneven structure is formed on the reflecting surface. That is, the cross-sectional shape of the blind member of this embodiment is a sawtooth shape. By carrying out like this, the thickness of the blind member 3C of the thickest part can be suppressed.

なお、本実施形態において、複数の反射面を有する反射部材を、ブラインド部材３の入射面３ｓに接続することができる。照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上に配置された反射部材によって、ブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。また、反射部材をブラインド部材３に接続せずに、照明光学系ＩＬからブラインド部材３に向かう光の光路上で、ブラインド部材３に対して離れた位置に反射部材を配置してもよい。こうすることによっても、反射部材によってブラインド部材３への光の入射を抑制することができる。   In the present embodiment, a reflecting member having a plurality of reflecting surfaces can be connected to the incident surface 3 s of the blind member 3. Incidence of light to the blind member 3 can be suppressed by the reflecting member disposed on the optical path of the light from the illumination optical system IL toward the blind member 3. In addition, the reflecting member may be disposed at a position away from the blind member 3 on the optical path of light from the illumination optical system IL toward the blind member 3 without connecting the reflecting member to the blind member 3. Also by doing so, it is possible to suppress the incidence of light on the blind member 3 by the reflecting member.

また、本実施形態においても、上述の第４実施形態と同様、反射面で反射した光を受ける受光面を有する受光部材と、受光部材を冷却する冷却機構とを設けることができる。   Also in this embodiment, a light receiving member having a light receiving surface that receives light reflected by the reflecting surface and a cooling mechanism that cools the light receiving member can be provided, as in the fourth embodiment.

＜第６実施形態＞
次に、第６実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。 <Sixth Embodiment>
Next, a sixth embodiment will be described. In the following description, the same or equivalent components as those of the above-described embodiment are denoted by the same reference numerals, and the description thereof is simplified or omitted.

図８は、第６実施形態に係る露光装置ＥＸを示す模式図である。本実施形態においては、抑制部１０Ｆは、ブラインド部材３で反射した非露光光Ｌ２が、投影光学系ＰＬの像面側に配置された部材に入射することを抑制する。投影光学系ＰＬの像面側に配置される部材は、基板ステージ２、及び基板ステージ２に保持された基板Ｐを含む。また、投影光学系ＰＬの像面側に配置される部材は、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているような、基板Ｐを保持する基板ステージとは別に設けられ、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージを含む。なお、基準部材等の計測部材、光電センサ等の計測器は、基板ステージに設けられていてもよい。   FIG. 8 is a schematic view showing an exposure apparatus EX according to the sixth embodiment. In the present embodiment, the suppressing unit 10F suppresses the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3 from entering a member disposed on the image plane side of the projection optical system PL. The member disposed on the image plane side of the projection optical system PL includes the substrate stage 2 and the substrate P held on the substrate stage 2. The member disposed on the image plane side of the projection optical system PL is provided separately from the substrate stage that holds the substrate P as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963, and the like. It includes a measurement stage on which a reference member on which marks are formed and / or various photoelectric sensors are mounted. A measuring member such as a reference member and a measuring instrument such as a photoelectric sensor may be provided on the substrate stage.

本実施形態の抑制部１０Ｆは、投影光学系ＰＬの内部に配置され、ブラインド部材３で反射され、投影光学系ＰＬの物体面側から投影光学系ＰＬに入射した非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬの像面側に到達することを抑制する遮光部材１７を含む。マスクＭの反射面Ｍｓとブラインド部材３の入射面（反射面）３ｓとは異なる位置に配置されており、マスクＭで反射する露光光Ｌ１の光路と、ブラインド部材３で反射する非露光光Ｌ２の光路とは異なる。したがって、露光光Ｌ１の通過を妨げないように、遮光部材１７を所定の位置に配置することによって、露光光Ｌ１を通過させ、非露光光Ｌ２を抑制することができる。例えばブラインド部材３で反射する投影光学系ＰＬ内における非露光光Ｌ２の光路は、実験又はシミュレーション等によって予め求めることができる。したがって、その求めた結果に基づいて、露光光Ｌ１を通過させ、非露光光Ｌ２を抑制することができる所定の位置に、遮光部材１７を配置することができる。   The suppressing unit 10F of the present embodiment is disposed inside the projection optical system PL, is reflected by the blind member 3, and non-exposure light L2 incident on the projection optical system PL from the object plane side of the projection optical system PL is the projection optical system. A light shielding member 17 that suppresses reaching the image plane side of the PL is included. The reflective surface Ms of the mask M and the incident surface (reflective surface) 3s of the blind member 3 are arranged at different positions. The optical path of the exposure light L1 reflected by the mask M and the non-exposure light L2 reflected by the blind member 3 are arranged. The optical path is different. Therefore, the exposure light L1 can be passed and the non-exposure light L2 can be suppressed by arranging the light shielding member 17 at a predetermined position so as not to prevent the passage of the exposure light L1. For example, the optical path of the non-exposure light L2 in the projection optical system PL reflected by the blind member 3 can be obtained in advance by experiment or simulation. Therefore, based on the obtained result, the light shielding member 17 can be disposed at a predetermined position where the exposure light L1 can pass and the non-exposure light L2 can be suppressed.

また、遮光部材１７は、複数配置可能である。その場合、光学設計上の光路の干渉の影響を考慮して、非露光光Ｌ２が投影光学系ＰＬの像面側に配置された部材に入射することを効果的に抑制できるように、複数の遮光部材１７のそれぞれを配置する位置が最適化される。   A plurality of light shielding members 17 can be arranged. In that case, in consideration of the influence of the interference of the optical path on the optical design, a plurality of non-exposure lights L2 can be effectively suppressed from entering the member arranged on the image plane side of the projection optical system PL. The position where each of the light shielding members 17 is arranged is optimized.

また、遮光部材１７は、投影光学系ＰＬの入射側（ブラインド部材３と投影光学系ＰＬの入射面との間）に配置されてもよいし、投影光学系ＰＬの射出側（投影光学系ＰＬの射出面と投影光学系ＰＬの像面側に配置された部材との間）に配置されてもよい。   Further, the light shielding member 17 may be disposed on the incident side of the projection optical system PL (between the blind member 3 and the incident surface of the projection optical system PL), or on the emission side of the projection optical system PL (projection optical system PL). Between the projection surface of the projection optical system PL and a member disposed on the image plane side of the projection optical system PL.

また、遮光部材１７に、上述の実施形態で説明したような、反射防止膜、あるいはモスアイ構造のような反射防止構造等を形成してもよい。   Further, the light shielding member 17 may be formed with an antireflection film or an antireflection structure such as a moth-eye structure as described in the above embodiment.

本実施形態においても、紫外光を含む非露光光Ｌ２が基板Ｐに照射されることを抑制でき、露光不良が発生することを抑制できる。また、計測器（計測部材）に非露光光Ｌ２が照射されることを抑制でき、計測器（計測部材）を用いて露光光Ｌ１を計測するときの計測精度の劣化を抑制できる。   Also in this embodiment, it can suppress that the non-exposure light L2 containing an ultraviolet light is irradiated to the board | substrate P, and can suppress that the exposure defect generate | occur | produces. Moreover, it can suppress that non-exposure light L2 is irradiated to a measuring device (measuring member), and can suppress degradation of the measurement accuracy when measuring exposure light L1 using a measuring device (measuring member).

なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。   As the substrate P in each of the above embodiments, not only a semiconductor wafer for manufacturing a semiconductor device, but also a glass substrate for a display device, a ceramic wafer for a thin film magnetic head, or an original mask or reticle used in an exposure apparatus. (Synthetic quartz, silicon wafer) or the like is applied.

露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。   As the exposure apparatus EX, in addition to the step-and-scan type scanning exposure apparatus (scanning stepper) that scans and exposes the pattern of the mask M by moving the mask M and the substrate P synchronously, the mask M and the substrate P Can be applied to a step-and-repeat type projection exposure apparatus (stepper) in which the pattern of the mask M is collectively exposed while the substrate P is stationary and the substrate P is sequentially moved stepwise.

さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。   Furthermore, in the step-and-repeat exposure, after the reduced image of the first pattern is transferred onto the substrate P using the projection optical system while the first pattern and the substrate P are substantially stationary, the second pattern With the projection optical system, the reduced image of the second pattern may be partially overlapped with the first pattern and collectively exposed on the substrate P (stitch type batch exposure apparatus). ). Further, the stitch type exposure apparatus can be applied to a step-and-stitch type exposure apparatus in which at least two patterns are partially transferred on the substrate P, and the substrate P is sequentially moved.

また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。   Further, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,611,316, two mask patterns are synthesized on a substrate through a projection optical system, and one scanning exposure is performed on one substrate. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that performs double exposure of shot areas almost simultaneously.

また、本発明は、米国特許６，３４１，００７号、米国特許６，４００，４４１号、米国特許６，５４９，２６９号、及び米国特許６，５９０,６３４号、米国特許６，２０８，４０７号、米国特許６，２６２，７９６号などに開示されているような複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。   The present invention also includes US Pat. No. 6,341,007, US Pat. No. 6,400,441, US Pat. No. 6,549,269, and US Pat. No. 6,590,634, US Pat. No. 6,208,407. No. 6, U.S. Pat. No. 6,262,796 and the like, and can also be applied to a twin-stage type exposure apparatus having a plurality of substrate stages.

また、上述の第６実施形態のみならず、第１〜第５実施形態においても、例えば米国特許第６，８９７，９６３号等に開示されているように、基板を保持する基板ステージと基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置を適用できる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。   Further, not only in the sixth embodiment described above, but also in the first to fifth embodiments, as disclosed in, for example, US Pat. No. 6,897,963, a substrate stage for holding a substrate and a reference mark An exposure apparatus provided with a reference member on which is formed and / or a measurement stage on which various photoelectric sensors are mounted can be applied. The present invention can also be applied to an exposure apparatus that includes a plurality of substrate stages and measurement stages.

露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。   The type of the exposure apparatus EX is not limited to an exposure apparatus for manufacturing a semiconductor element that exposes a semiconductor element pattern on the substrate P. An exposure apparatus for manufacturing a liquid crystal display element or a display, a thin film magnetic head, an image sensor (CCD) The present invention can be widely applied to an exposure apparatus for manufacturing a micromachine, MEMS, DNA chip, reticle, mask, or the like.

なお、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置等に関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。   As long as it is permitted by law, the disclosure of all published publications and US patents related to the exposure apparatus and the like cited in the above-described embodiments and modifications are incorporated herein by reference.

以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。   As described above, the exposure apparatus EX according to the embodiment of the present application maintains various mechanical subsystems including the respective constituent elements recited in the claims of the present application so as to maintain predetermined mechanical accuracy, electrical accuracy, and optical accuracy. Manufactured by assembling. In order to ensure these various accuracies, before and after assembly, various optical systems are adjusted to achieve optical accuracy, various mechanical systems are adjusted to achieve mechanical accuracy, and various electrical systems are Adjustments are made to achieve electrical accuracy. The assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus includes mechanical connection, electrical circuit wiring connection, pneumatic circuit piping connection and the like between the various subsystems. Needless to say, there is an assembly process for each subsystem before the assembly process from the various subsystems to the exposure apparatus. When the assembly process of the various subsystems to the exposure apparatus is completed, comprehensive adjustment is performed to ensure various accuracies as the entire exposure apparatus. The exposure apparatus is preferably manufactured in a clean room where the temperature, cleanliness, etc. are controlled.

半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態に従って、マスクのパターンの像で基板に露光し、露光した基板を現像する基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。   As shown in FIG. 9, a microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function / performance of the microdevice, a step 202 for producing a mask (reticle) based on the design step, and a substrate as a base material of the device. Manufacturing step 203, substrate processing step 204 including substrate processing (exposure processing) for exposing the substrate with an image of a mask pattern and developing the exposed substrate according to the above-described embodiment, device assembly step (dicing process, bonding) (Including processing processes such as process and package process) 205, inspection step 206 and the like.

第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。It is a schematic block diagram which shows an example of the exposure apparatus which concerns on 1st Embodiment. 第１実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the suppression part which concerns on 1st Embodiment. 第２実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the control part which concerns on 2nd Embodiment. 第３実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the control part which concerns on 3rd Embodiment. 第３実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the control part which concerns on 3rd Embodiment. 第４実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the control part which concerns on 4th Embodiment. 第５実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the control part which concerns on 5th Embodiment. 第６実施形態に係る抑制部を説明するための模式図である。It is a schematic diagram for demonstrating the control part which concerns on 6th Embodiment. マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート図である。It is a flowchart figure which shows an example of the manufacturing process of a microdevice.

符号の説明Explanation of symbols

３…ブラインド部材、３ｓ…入射面（反射面）、１０…抑制部、１１…反射防止膜、１４…受光面、１５…受光部材、１６…冷却機構、１７…遮光部材、ＥＸ…露光装置、Ｌ０…光、Ｌ１…露光光（ＥＵＶ光）、Ｌ２…非露光光、Ｍ…マスク、Ｍｓ…反射面、Ｐ…基板、ＰＬ…投影光学系   DESCRIPTION OF SYMBOLS 3 ... Blind member, 3s ... Incident surface (reflection surface), 10 ... Suppression part, 11 ... Antireflection film, 14 ... Light reception surface, 15 ... Light reception member, 16 ... Cooling mechanism, 17 ... Light shielding member, EX ... Exposure apparatus, L0 ... light, L1 ... exposure light (EUV light), L2 ... non-exposure light, M ... mask, Ms ... reflection surface, P ... substrate, PL ... projection optical system

Claims (9)

マスクの所定面を照明光で照明し、前記マスクで反射した前記照明光で基板を露光する露光装置であって、
前記マスクの所定面の少なくとも一部と対向する位置に配置され、前記所定面での前記照明光の照明領域を規定する光学部材と、
前記マスクで反射した前記照明光を前記基板に導く投影光学系と、
前記マスクに入射せずに前記光学部材に入射する前記照明光の少なくとも一部を、前記マスクに入射して前記マスクで反射する反射方向とは異なる方向に反射し、前記投影光学系への入射を抑制する抑制部と、を備えた露光装置。 Illuminating a predetermined surface of the mask with illumination light, an exposure apparatus that exposes a substrate with the illumination light reflected by the mask,
An optical member disposed at a position facing at least a part of the predetermined surface of the mask and defining an illumination area of the illumination light on the predetermined surface;
A projection optical system that guides the illumination light reflected by the mask to the substrate;
At least a part of the illumination light that is incident on the optical member without being incident on the mask is reflected in a direction different from a reflection direction that is incident on the mask and reflected by the mask, and is incident on the projection optical system. An exposure apparatus comprising: a suppressing unit that suppresses 前記マスクの所定面は、極端紫外光を反射可能な多層膜の表面を含み、
前記光学部材に入射する前記照明光は、前記光学部材で反射せずに前記マスクの所定面で反射する前記極端紫外光を含む第１成分と、前記マスク及び前記光学部材の両方で反射する第２成分とを含み、
前記抑制部は、前記光学部材で反射した前記照明光の前記第２成分の光が前記投影光学系に入射することを抑制する請求項１記載の露光装置。 The predetermined surface of the mask includes a surface of a multilayer film capable of reflecting extreme ultraviolet light,
The illumination light incident on the optical member is reflected by both the mask and the optical member, and the first component including the extreme ultraviolet light that is reflected by the predetermined surface of the mask without being reflected by the optical member. Two ingredients,
The exposure apparatus according to claim 1, wherein the suppression unit suppresses the second component light of the illumination light reflected by the optical member from entering the projection optical system . 前記抑制部は、前記光学部材の入射面に設けられる請求項１又は２記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, wherein the suppressing unit is provided on an incident surface of the optical member. 前記抑制部は、前記光学部材の入射面に形成された凹凸構造を含む請求項３記載の露光装置。   The exposure apparatus according to claim 3, wherein the suppressing unit includes a concavo-convex structure formed on an incident surface of the optical member. 前記凹凸構造は、モスアイ構造を含む請求項４記載の露光装置。 The exposure apparatus according to claim 4 , wherein the uneven structure includes a moth-eye structure. 前記光学部材の入射面は、入射した前記照明光を前記反射方向とは異なる方向に反射する所定形状を有した反射面を形成し、
前記抑制部は、前記反射面を含む請求項３記載の露光装置。 The incident surface of the optical member, to form a reflective surface having a predetermined shape that reflects a different direction from that of the reflection direction was incident the illumination light,
The exposure apparatus according to claim 3, wherein the suppressing unit includes the reflective surface. 前記反射面で反射した前記照明光を受ける受光面を有する受光部材と、
前記受光部材を冷却する冷却機構と、を備えた請求項６記載の露光装置。 A light receiving member having a light receiving surface that receives the illumination light reflected by the reflecting surface;
The exposure apparatus according to claim 6 , further comprising a cooling mechanism that cools the light receiving member. 前記マスクの所定面に前記照明光を照明する照明光学系を備え、An illumination optical system for illuminating the illumination light on a predetermined surface of the mask;
前記抑制部は、前記照明光学系から前記光学部材に向かう前記照明光の光路上で、前記光学部材に対して離れた位置に配置される請求項１又は２記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 1, wherein the suppressing unit is disposed at a position separated from the optical member on an optical path of the illumination light from the illumination optical system toward the optical member. 請求項１〜８のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
前記露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。 Exposing the substrate using the exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8 ,
Developing the exposed substrate. A device manufacturing method comprising:
JP2007042386A 2007-02-22 2007-02-22 Exposure apparatus and device manufacturing method Active JP5119681B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007042386A JP5119681B2 (en) 2007-02-22 2007-02-22 Exposure apparatus and device manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007042386A JP5119681B2 (en) 2007-02-22 2007-02-22 Exposure apparatus and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2008205377A JP2008205377A (en) 2008-09-04
JP5119681B2 true JP5119681B2 (en) 2013-01-16

Family

ID=39782517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007042386A Active JP5119681B2 (en) 2007-02-22 2007-02-22 Exposure apparatus and device manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5119681B2 (en)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4602430B2 (en) * 2008-03-03 2010-12-22 株式会社東芝 Reflective mask and manufacturing method thereof
NL2004655A (en) * 2009-06-09 2010-12-13 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and method.
JP5953833B2 (en) * 2012-03-08 2016-07-20 凸版印刷株式会社 Reflective photomask and method of manufacturing the same
DE102015210041A1 (en) * 2015-06-01 2016-12-01 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical system of a microlithographic projection exposure apparatus
JP6319368B2 (en) * 2016-06-16 2018-05-09 凸版印刷株式会社 Reflective photomask and method of manufacturing the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09199411A (en) * 1996-01-19 1997-07-31 Canon Inc Aligner
JP2004205990A (en) * 2002-12-26 2004-07-22 Dainippon Printing Co Ltd Manufacturing method of fine rugged pattern having antireflection performance and antireflection article
JP2004356415A (en) * 2003-05-29 2004-12-16 Nikon Corp Aligner and method for exposure
JP4218475B2 (en) * 2003-09-11 2009-02-04 株式会社ニコン Extreme ultraviolet optical system and exposure apparatus
JP4630567B2 (en) * 2004-04-23 2011-02-09 キヤノン株式会社 Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2006216917A (en) * 2005-02-07 2006-08-17 Canon Inc Illumination optical system, exposure device, and manufacturing method thereof
JP2006303270A (en) * 2005-04-22 2006-11-02 Nikon Corp Aligner

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008205377A (en) 2008-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3836767B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20080266651A1 (en) Optical apparatus, multilayer-film reflective mirror, exposure apparatus, and device
JP5387169B2 (en) Shielding unit, variable slit device, and exposure device
JP2008288299A (en) Multilayer-film reflecting mirror, illuminator, exposure apparatus, and manufacturing method for device
JP2004064076A (en) Deformable mirror structure,its control method and exposure device
JP5223921B2 (en) Illumination optical system, exposure apparatus, and exposure method
JP5119681B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP5045144B2 (en) MULTILAYER REFLECTOR, EXPOSURE APPARATUS, DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND MULTILAYER REFLECTOR MANUFACTURING METHOD
JP5497016B2 (en) Multilayer mirror and lithographic apparatus
JP2010087392A (en) Optical system, exposure apparatus, and method of manufacturing electronic device
JP2001052986A (en) X-ray projection aligner
JP2008304840A (en) Mask protecting device, mask, exposure method, method for manufacturing device, and conveyance method
JPWO2004066371A1 (en) Exposure equipment
JP4968335B2 (en) Measuring member, sensor, measuring method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101854055B1 (en) Multilayer film reflector, multilayer film reflector manufacturing method, projection optical system, exposure apparatus, device manufacturing method
JP2008192987A (en) Sensor, exposure equipment, manufacturing method of device, and manufacturing method of sensor
JP4867712B2 (en) Exposure apparatus, device manufacturing method, and exposure method
JP2008226887A (en) Holding apparatus, exposure apparatus, and method for manufacturing device
JP5272584B2 (en) Shielding unit, variable slit device, and exposure device
JP4819419B2 (en) Imaging optical system, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP2009105349A (en) Exposure device, and device manufacturing method
JP2009290149A (en) Measuring device, aligner, and method of manufacturing electronic device
JP2009021496A (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
JP2011124376A (en) Light-receiving apparatus, exposure apparatus, and method of manufacturing electronic device
JP2012064725A (en) Reflection optical device, luminaire, exposure device and method of manufacturing device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101130

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111006

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111018

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120925

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121008

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5119681

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250