JP5110414B2 - 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 - Google Patents
有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5110414B2 JP5110414B2 JP2004076558A JP2004076558A JP5110414B2 JP 5110414 B2 JP5110414 B2 JP 5110414B2 JP 2004076558 A JP2004076558 A JP 2004076558A JP 2004076558 A JP2004076558 A JP 2004076558A JP 5110414 B2 JP5110414 B2 JP 5110414B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- organic
- electrode
- thin film
- memory device
- organic bistable
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 15
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000000325 methylidene group Chemical group [H]C([H])=* 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- MLOXIXGLIZLPDP-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1h-imidazole-4,5-dicarbonitrile Chemical compound NC1=NC(C#N)=C(C#N)N1 MLOXIXGLIZLPDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- WQKLYSAGSGWIAV-UHFFFAOYSA-N 4-(benzylideneamino)aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1N=CC1=CC=CC=C1 WQKLYSAGSGWIAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N Butylhydroxytoluene Chemical compound CC1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 NLZUEZXRPGMBCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016553 CuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 229910016978 MnOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005855 NiOx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229930182556 Polyacetal Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920010524 Syndiotactic polystyrene Polymers 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000007529 inorganic bases Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000636 poly(norbornene) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 1
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N tetrachloro-1,4-benzoquinone Chemical compound ClC1=C(Cl)C(=O)C(Cl)=C(Cl)C1=O UGNWTBMOAKPKBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N tetracyanoquinodimethane Chemical compound N#CC(C#N)=C1C=CC(=C(C#N)C#N)C=C1 PCCVSPMFGIFTHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006259 thermoplastic polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Description
それ以外のR1、R2、またはR3が、それぞれ独立して、−CN、−NO2、−COR、−COOH、−COOR、および−SO3Hからなる群から選らばれる電子受容基である。
2 基板
3 第1電極
4 積層体
4a 有機薄膜A
4b 導電性薄膜
4c 有機薄膜B
5 第2電極
6 電気信号印加手段
7、11 有機双安定性メモリ装置
8 メモリセルアレイ
9 第1駆動回路
10 第2駆動回路
12 ドレイン電極
13 ソース電極
14 ゲート電極
15 ゲート絶縁膜
16 活性層
17 取出電極
18 層間絶縁膜
Claims (12)
- 第1電極と第2電極との間に積層体が設けられた積層構造を有してなる有機双安定性素子であって、前記積層体が、導電性薄膜を介して、いずれも誘電性であって互いに導電性の異なる第1及び第2の有機薄膜が積層されたものであり、
前記第1及び第2の有機薄膜が同一の材料からなり、
前記第1の有機薄膜が、10〜200nmの膜厚を有し、前記第2の有機薄膜が、前記第1の有機薄膜の膜厚の1.1〜10倍の膜厚を有する、有機双安定性素子。 - 前記有機薄膜が、下記式(I)で表される有機物質を含んでなる、請求項1に記載の有機双安定性素子。
それらのうちの一つまたは二つが、それぞれ独立して、−H、−NH2、−NHR、−NR2、−SR、−X、−CX3、−OH、−OCH3、−OR、および−Rからなる群から選ばれる電子供与基(ここでRは、炭素数が1〜24の直鎖あるいは分岐状のアルキル基を示し、このアルキル基中の一つまたは二つ以上のメチレンが、−O−、−S−、−CO−、−CHW−(ここで、Wは、−F、−Cl、−Br、−I、−CN、または−CF3を表す)、−CH=CH−、または−C≡C−の置換基によって置換されていてもよく(但し、これら置換基同士が隣接することはない)、Xは、−F、−Cl、−Br、もしくは−Iを表す)であり、
それ以外のR1、R2、またはR3が、それぞれ独立して、−CN、−NO2、−COR、−COOH、−COOR、および−SO3Hからなる群から選らばれる電子受容基である。] - 前記積層構造がさらに基板を含んでなり、前記第1電極または第2電極のいずれかが、前記基板上に接するよう積層されてなる、請求項1または2に記載の有機双安定性素子。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機双安定性素子を用いて構成されてなる、有機双安定性メモリ装置。
- 基板上にトランジスタが配列された形成領域を有してなる有機双安定性メモリ装置であって、前記トランジスタに、前記有機双安定性素子が接続されてなる、請求項4に記載の有機双安定性メモリ装置。
- 第1電極と第2電極とが直交するように交差して設けられてなり、前記第1電極と第2電極との交差領域である前記第1電極と第2電極との間に、積層体が設けられてなり、前記積層体が、導電性薄膜を介して、いずれも誘電性であって互いに導電性の異なる第1及び第2の有機薄膜が積層されたものであり、
前記第1及び第2の有機薄膜が同一の材料からなり、
前記第1の有機薄膜が、10〜200nmの膜厚を有し、前記第2の有機薄膜が、前記第1の有機薄膜の膜厚の1.1〜10倍の膜厚を有する、有機双安定性メモリ装置。 - 前記有機薄膜が、下記式(II)で表される有機物質を含んでなる、請求項6に記載の有機双安定性メモリ装置。
それらのうちの一つまたは二つが、それぞれ独立して、−H、−NH2、−NHR、−NR2、−SR、−X、−CX3、−OH、−OCH3、−OR、および−Rからなる群から選ばれる電子供与基(ここでRは、炭素数が1〜24の直鎖あるいは分岐状のアルキル基を示し、このアルキル基中の一つまたは二つ以上のメチレンが、−O−、−S−、−CO−、−CHW−(ここで、Wは、−F、−Cl、−Br、−I、−CN、または−CF3を表す)、−CH=CH−、または−C≡C−の置換基によって置換されていてもよく(但し、これら置換基同士が隣接することはない)、Xは、−F、−Cl、−Br、もしくは−Iを表す)であり、
それ以外のR1、R2、またはR3が、それぞれ独立して、−CN、−NO2、−COR、−COOH、−COOR、および−SO3Hからなる群から選らばれる電子受容基である。] - 前記積層構造がさらに基板を含んでなり、前記第1電極または第2電極のいずれかが、前記基板上に接するよう積層されてなる、請求項6または7に記載の有機双安定性メモリ装置。
- メモリ装置に情報を書込む際、正バイアス、または負バイアス側のいずれか一方に流れる電流を一定値に制限するリミッターを備えてなる、請求項4〜8のいずれか1項に記載の有機双安定性メモリ装置。
- 前記第1電極が前記基板の面方向に所定ピッチで配列しており、
前記第2電極が前記基板の厚み方向に、前記第一電極の配列方向と直交するように、所定ピッチで配列している、請求項6〜9のいずれか一項に記載の有機双安定性メモリ装置。 - 前記トランジスタが、ドレイン電極とソース電極とゲート電極とゲート絶縁層と活性層とから構成され、前記有機双安定性素子に接続されて有機双安定性メモリ装置の制御を行う、請求項4〜10のいずれか一項に記載の有機双安定性メモリ装置。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機双安定性素子を駆動させる方法であって、前記有機双安定性素子に情報を書込む際、正バイアス、または負バイアス側のいずれか一方に流れる電流が、所定値以上に流れないように制限する、有機双安定性素子の駆動方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004076558A JP5110414B2 (ja) | 2003-03-19 | 2004-03-17 | 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003074986 | 2003-03-19 | ||
JP2003074986 | 2003-03-19 | ||
JP2004076558A JP5110414B2 (ja) | 2003-03-19 | 2004-03-17 | 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004304180A JP2004304180A (ja) | 2004-10-28 |
JP5110414B2 true JP5110414B2 (ja) | 2012-12-26 |
Family
ID=33421839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004076558A Expired - Fee Related JP5110414B2 (ja) | 2003-03-19 | 2004-03-17 | 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5110414B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4585209B2 (ja) * | 2003-03-19 | 2010-11-24 | 大日本印刷株式会社 | 有機双安定性メモリ装置 |
US20050212022A1 (en) | 2004-03-24 | 2005-09-29 | Greer Edward C | Memory cell having an electric field programmable storage element, and method of operating same |
US7170779B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-01-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Non-volatile memory using organic bistable device |
US8193606B2 (en) * | 2005-02-28 | 2012-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device including a memory element |
JP2006253380A (ja) * | 2005-03-10 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | 有機強誘電体メモリ及びその製造方法 |
JP4974555B2 (ja) * | 2005-03-25 | 2012-07-11 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子 |
KR101322747B1 (ko) | 2005-03-25 | 2013-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 및 전자기기 |
TWI467702B (zh) | 2005-03-28 | 2015-01-01 | Semiconductor Energy Lab | 記憶裝置和其製造方法 |
JP5008323B2 (ja) * | 2005-03-28 | 2012-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | メモリ装置 |
US7358590B2 (en) | 2005-03-31 | 2008-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
JP4712592B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2011-06-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子、半導体装置およびその駆動方法 |
JP4758274B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-08-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 記憶素子および半導体装置 |
EP1886344B1 (en) | 2005-04-28 | 2014-09-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Memory element and semiconductor device |
JP5459894B2 (ja) * | 2005-12-27 | 2014-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
JP2007241997A (ja) * | 2006-02-10 | 2007-09-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
TWI411964B (zh) | 2006-02-10 | 2013-10-11 | Semiconductor Energy Lab | 半導體裝置 |
CN101401209B (zh) | 2006-03-10 | 2011-05-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 存储元件以及半导体器件 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0372670A (ja) * | 1989-08-11 | 1991-03-27 | Olympus Optical Co Ltd | 三次元メモリ素子およびその書込み,読出し方法 |
DE69825923T2 (de) * | 1997-12-04 | 2005-09-01 | Axon Technologies Corp., Scottsdale | Programmierbare aggregierende Unterflächenmetallisierungsstruktur |
JP2001189431A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Seiko Epson Corp | メモリのセル構造及びメモリデバイス |
JP2001345431A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Japan Science & Technology Corp | 有機強誘電体薄膜及び半導体デバイス |
WO2002037500A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-10 | The Regents Of The University Of California | Organic bistable device and organic memory cells |
US7112366B2 (en) * | 2001-01-05 | 2006-09-26 | The Ohio State University | Chemical monolayer and micro-electronic junctions and devices containing same |
-
2004
- 2004-03-17 JP JP2004076558A patent/JP5110414B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004304180A (ja) | 2004-10-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5110414B2 (ja) | 有機双安定性素子、これを用いた有機双安定性メモリ装置、およびそれらの駆動方法 | |
US7075105B2 (en) | Organic bistable element, organic bistable memory device using the same, and method for driving said organic bistable element and organic bistable memory device | |
US10211312B2 (en) | Ferroelectric memory device and fabrication method thereof | |
US7274587B2 (en) | Semiconductor memory element and semiconductor memory device | |
EP1987581B1 (en) | Current driven memory cells having enhanced current and enhanced current symmetry | |
US6627944B2 (en) | Floating gate memory device using composite molecular material | |
JP4610868B2 (ja) | 有機強誘電メモリーセル | |
US20080042128A1 (en) | Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof | |
WO2007013174A1 (ja) | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 | |
TW201205724A (en) | Semiconductor memory device and driving method thereof | |
TW454338B (en) | Ferroelectric non-volatile memory device | |
US8158973B2 (en) | Organic memory array with ferroelectric field-effect transistor pixels | |
US9159415B2 (en) | Non-volatile resistive memory devices and methods for biasing resistive memory structures thereof | |
TW200537489A (en) | Memory cell having an electric field programmable storage element, and method of operating same | |
WO2009115913A2 (pt) | Processo de utilização e criação de papel à base de fibras celulósicas naturais, fibras sintéticas ou mistas como suporte físico e meio armazenador de cargas eléctricas em transístores de efeito de campo com memória auto-sustentáveis usando óxidos semi-condutores activos | |
JP5241489B2 (ja) | 強誘電体メモリ装置の製造方法 | |
DE10212962B4 (de) | Halbleiterspeicherzelle mit Zugriffstransistor auf der Grundlage eines organischen Halbleitermaterials und Halbleiterspeichereinrichtung | |
JP2017168661A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2009302328A (ja) | 有機トランジスタ、およびこれが用いられた有機半導体素子 | |
JP4585209B2 (ja) | 有機双安定性メモリ装置 | |
US7354647B2 (en) | Organic bistable element, organic bistable memory device using the same, and method for driving said organic bistable element and organic bistable memory device | |
JP5046524B2 (ja) | 記憶素子、記憶装置、及び電子機器 | |
JPH02239664A (ja) | 電気的記憶装置 | |
JP3021614B2 (ja) | メモリ素子 | |
US7529116B2 (en) | Memory device having a threshold voltage switching device and a method for storing information in the memory device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110223 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120203 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120402 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120927 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151019 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |