JP5109801B2 - セラミック配線基板 - Google Patents
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Description
最表層のセラミックグリーンシート上に未焼成表面電極層を備えた未焼成セラミック基板を焼成することにより形成される、セラミック基板の表面に表面電極層を有するセラミック配線基板であって、
前記セラミック基板は、その表面に、連続的に標高が高くなり始める位置から、少なくとも1つの頂部を経て、連続的に標高が低くなる位置までの領域であるセラミック***部を備え、かつ、前記セラミック***部は、前記頂部を含む端部領域と、前記頂部より低く、ほぼ平坦な中央領域を有し、
前記表面電極層は、その端部が前記セラミック***部の前記端部領域に位置し、その中央部が前記セラミック***部の前記中央領域に位置しているとともに、
前記セラミック***部は、前記セラミック基板を構成するセラミックと同一のセラミックから形成されており、かつ、
前記セラミック***部が、前記セラミック基板を構成するセラミックグリーンシートが焼成されてなるセラミック層に形成されていること
を特徴としている。
すなわち、本発明によりセラミック基板の抗折強度を向上させることが可能になるメカニズムは必ずしも明らかではないが、セラミック基板の表面に、平坦ではなく残留応力が分散されやすい領域であるセラミック***部を設け、表面電極層の両端部を、セラミック***部上に位置させるようにしていること、表面電極層の両端部が配設されているセラミック***部は、セラミック基板の表面(***していない領域)とは標高(高さ)が異なることなどによるものと推測される。
また、端部領域は、「前記セラミック***部の端部であって、前記頂部を含む領域」より詳しくは、「連続的に標高が高くなり始める位置から、頂部を経て、連続的に標高が低くなり、その傾斜がほぼなくなる位置までの領域」と定義される。
また、中央領域は、「端部領域に隣接し、頂部より低く、ほぼ平坦な表面を持つ領域」と定義される。
図1,図3,図4ではセラミック***部20の平面形状が略方形である場合を示しているが、セラミック***部20の平面形状に特別の制約はなく、長方形、円形、楕円形、その他の種々の形状とすることが可能である。
また、図2(a),(b)は、図1のセラミック***部20上に、表面電極層5をその両端部5a,5bがセラミック***部20上の端部領域25に位置し、その中央部がセラミック***部20上の中央領域26に位置するように配設した状態を示している。
また、セラミック基板と表面電極層密着性が高まることにより、表面電極層(導体ペースト)に、両者の同時焼成工程におけるセラミックグリーンシート(セラミック基板)の収縮を阻止する機能をより十分に発揮させて、セラミック基板の、表面電極層の端部下側に位置する領域を盛り上がらせて、セラミック***部を効率よく形成することが可能になる。
また、上述のように表面実装型電子部品11が実装された状態のセラミック配線基板1は、その下面側の表面電極層5が、マザーボード30の表面に形成された表面導体31と導通するようにはんだ15を介して実装されている。
また、表面電極層5は、後述のように、セラミック基板1との親和性を向上させ、セラミック基板と同時焼成する工程で、セラミック***部20を効率よく形成することができるように、セラミック基板1を構成するセラミックと同一のセラミックを含んでいる。
(a)セラミックグリーンシートの作製
まず、焼成後にセラミック配線基板の主要部を構成することになるセラミックグリーンシートを以下の方法で作製する。
BaCO3、SiO2、Al2O3、CeO2、ZrO2の所定量を湿式混合し、乾燥後、840℃で2h仮焼し、仮焼粉末を得る。この仮焼粉末と、MnCO3所定量と、樹脂、可塑剤、有機溶剤とを混合してスラリーを調製する。
そして、このスラリーを、ドクターブレード法などによって、キャリアフィルム上にシート状に成形した後、乾燥させて、セラミックグリーンシートを作製する。
また、セラミックグリーンシートに添加されるバインダー樹脂、可塑剤、溶剤などについても上記の例に限定されるものではなく、例えば、帯電防止剤や粘着性付与剤を添加することも可能である。
上述のようにして作製したセラミックグリーンシートに、必要に応じてビアホール用の貫通孔を形成し、導体ペーストを充填する。また、所定のセラミックグリーンシートに、Cu粉末を導電成分とする導体ペーストを印刷して、配線や電極となる内部導体パターンを形成する。
最表層にあたるセラミックグリーンシートには、平均粒径1.2μmの純銅粉末に、平均粒径0.3μmのAl2O3粉末を添加し、エチルセルロース樹脂、テルピネオールと混練して得た導体ペーストを所定のパターンに印刷して、焼成後に表面電極層5となる表面電極パターンを形成する。
上述のように所定の内部導体パターンを形成したセラミックグリーンシートを複数枚積層し、最表層には、上述の導体ペーストを用いて所定の表面導体パターンを形成したセラミックグリーンシートを積層して、温度80℃、圧力200kg/cm2の条件で熱圧着し、積層体ブロック(未焼成セラミック基板)を形成する。
この焼成工程で、上述のように、導体ペーストと、セラミック基板を構成するセラミックグリーンシートの焼成収縮量の差により、セラミック基板の表面にセラミック***部が形成されるとともに、セラミック***部上に、表面電極層5が形成される。
その結果、焼成後に、図7(c)に示すように、セラミック***部20上に表面電極層5が形成されたセラミック基板10を得ることができる。
(a)セラミック基板を構成するセラミックグリーンシートに金型を押し当てて、積層後にセラミック***部に相当する形状部分を形成し、このセラミックグリーンシートを積層して積層体を形成する方法、
(b)セラミックグリーンシートを積層した後、研磨材を吹き付けてセラミック***部を形成する方法、
(c)セラミックグリーンシートを積層した積層体に金型を押し当てながら焼成する方法
などが例示される。
また、図9(b)に示すように、表面電極層5の端部5a,5bの形状がなだらかではなく、端面が略垂直であるような構成とすることも可能である。
さらに、図9(c)に示すように、表面電極層5の上面が平坦になるような態様とすることも可能である。
また、図9(d)に示すように、表面電極層5の両端部5a,5bがセラミック***部の頂部21a,21bの内側に位置してもよく、表面電極層5の表面がセラミック***部20の頂部21a,21bよりも低い位置にあってもよい。
また、セラミック基板と表面実装型電子部品との間のスペースが大きくなることからはんだフラックスを除去しやすくなるという効果が得られ、また、半導体素子のような表面実装型電子部品を実装する場合に、半導体素子の下面側へのアンダーフィル樹脂9(図5参照)の充填が容易になるという効果も期待される。
BaCO3、SiO2、Al2O3、CeO2、ZrO2の所定量を湿式混合し、乾燥後、840℃で2h仮焼し、仮焼粉末を得た。
この仮焼粉末とMnCO3と、樹脂、可塑剤、有機溶剤とを混合し、スラリーとする。このスラリーを脱泡後、ドクターブレードでシート成型し、セラミック基板用のセラミックグリーンシートを得る。
平均粒径1.2μmの純銅粉末に、セラミック基板用のセラミックグリーンシートの構成成分でもある、Al2O3粉末(この実施例では平均粒径0.3μm)を添加し、エチルセルロース樹脂、テルピネオールと混練して、表層電極用Cuペーストを得た。なお、この実施例では、上記Al2O3粉末の添加量を調整することにより、セラミック基板の収縮挙動を制御して、所望の高さのセラミック***部が形成されるようにした。なお、導体ペーストに添加されるAl2O3粉末は、上述のようにセラミック基板用のセラミックグリーンシートの構成成分の一つであり、セラミック基板(セラミックグリーンシート)と表面電極層(導体ペースト)の密着強度を向上させて、焼成工程でセラミック***部が形成されやすくするために添加された成分である。
上述のセラミックグリーンシートに表面電極層用の導体ペーストを、焼成後の平面寸法が2.0mm□、厚みが約10μmとなるよう印刷する。そして、この表面電極層用の導体ペーストを印刷したセラミックグリーンシートが最上面となり、下面側には無地のセラミックグリーンシートが位置するように、各セラミックグリーンシートを所定の順序で積層し、焼成後厚みが1.0mmの、焼成後にセラミック基板となる未焼成積層体を得た。そして、この未焼成積層体を、焼成後に平面寸法が、長さ35mm、幅4mmとなるような形状に切断した。
上述のようにして作製した未焼成の積層体を、N2−H2−H2O雰囲気下で、最高温度:980℃、キープ時間:30minで焼成することにより、図10、図11に示すように、一方側の主面に表面電極層5が配設された試料(試験用のセラミック基板)10yを得た。
この試料10yは、長さL=35mm、幅W=4mm、厚みT=1.0mmで、表面電極層5の寸法が2mm□、厚みが約10μmのものである。
試料10yの表面電極層5の表面に、無電解めっきにより、厚みが5μmのNiめっき膜を形成し、さらにNiめっき膜上に、無電解めっきにより、厚みが0.1μmのAuめっき膜を形成した。
M705(Pbフリーはんだ:Sn−Ag−Cu)のハンダ槽(保持温度:245℃)に、試料を3sec浸漬し、表面電極層5にはんだを塗布した。
図11に示すように、試料10yの下面側に25mmの間隔で一対の支点41を配置し、三点曲げ試験により、試料10yの抗折強度を測定した。なお、圧子は、表面電極層5の形成面とは逆の裏面から押し付けて試験を行った。すなわち、表面電極層5の形成面を「下」としたときに、下面側が凸面となるようなモードでの抗折強度を測定した。
抗折強度の測定は、表面電極層5の表面にはんだを塗布する前と塗布した後の試料について行った。
また、測定条件は、ヘッドスピード(圧子送りスピード):2mm/min、スパン:25mmとした。なお、表1の抗折強度は、N=20の平均値である。
抗折強度の測定結果を表1に示す。
なお、はんだ塗布後の抗折強度の低下率が低いということは、セラミック配線基板に電子部品をハンダ実装したりした場合にも、抗折強度が低下せず、高い信頼性が確保されることを意味する。
この実施例からは、セラミック***部の高さを3μm以上にすることが抗折強度の向上の見地からは特に好ましいということができる。
2 セラミック層
3 積層体
4a,4b 積層体(セラミック基板)の上下両側の表面
5 表面電極層(銅電極層)
5a,5b 表面電極層の端部
5x 未焼成表面電極層
6 ビアホール導体
7 内部電極層
9 アンダーフィル樹脂
10 セラミック基板
10x 未焼成セラミック基板
10y 抗折強度測定用の試料
11 表面実装型電子部品
11a 半導体素子
11b チップ型電子部品
15 はんだ
20 セラミック***部
20x 未焼成セラミック***部
21a,21b セラミック***部の頂部
22a セラミック***部の連続的に標高が高くなり始める位置
22b セラミック***部の連続的に標高が低くなりセラミック基板の表面と同じ高さとなる位置
23 セラミック***部の中央領域
25 セラミック***部上の端部領域
26 セラミック***部上の中央領域
30 マザーボード
31 マザーボードの表面に形成された表面導体
40 封止樹脂
41 支点
D セラミック***部の裾野部分の幅
H1 セラミック***部の頂部の標高
H2 セラミック***部の中央領域の標高
Claims (7)
- 最表層のセラミックグリーンシート上に未焼成表面電極層を備えた未焼成セラミック基板を焼成することにより形成される、セラミック基板の表面に表面電極層を有するセラミック配線基板であって、
前記セラミック基板は、その表面に、連続的に標高が高くなり始める位置から、少なくとも1つの頂部を経て、連続的に標高が低くなる位置までの領域であるセラミック***部を備え、かつ、前記セラミック***部は、前記頂部を含む端部領域と、前記頂部より低く、ほぼ平坦な中央領域を有し、
前記表面電極層は、その端部が前記セラミック***部の前記端部領域に位置し、その中央部が前記セラミック***部の前記中央領域に位置しているとともに、
前記セラミック***部は、前記セラミック基板を構成するセラミックと同一のセラミックから形成されており、かつ、
前記セラミック***部が、前記セラミック基板を構成するセラミックグリーンシートが焼成されてなるセラミック層に形成されていること
を特徴とするセラミック配線基板。 - 前記表面電極層は、その端部が前記セラミック***部の頂部の手前側から前記頂部を越えて、前記頂部を覆うように設けられていることを特徴とする、請求項1記載のセラミック配線基板。
- 任意の断面についてみた場合に、前記表面電極層の両端部は、前記セラミック***部の2つの端部領域にそれぞれ位置していることを特徴とする、請求項1または2記載のセラミック配線基板。
- 前記表面電極層の全周縁部が、前記セラミック***部の前記端部領域上に位置していることを特徴とする、請求項1〜3のいずれかに記載のセラミック配線基板。
- 前記セラミック***部は、未焼成の前記表面電極層が配設された未焼成の前記セラミック基板を同時焼成する工程で形成されたものであることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載のセラミック配線基板。
- 前記表面電極層は、表面実装型電子部品をはんだを介して前記セラミック基板に搭載するための端子電極、あるいは、前記セラミック基板をはんだを介してマザーボードに固定するための端子電極であることを特徴とする、請求項1〜5のいずれかに記載のセラミック配線基板。
- 前記表面電極層は、前記セラミック基板を構成するセラミックと同一のセラミックを含んでいることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載セラミック配線基板。
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