JP5108991B1 - ガラス容器口リップ部傷の検査方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
回転するガラス容器口部の検査位置に上方から投光し、検査位置の正面上方に設けたラインセンサで口部の半径方向に走査してリップ部の傷を検査する検査方法であって、各ラインデータを口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、リップ部傾斜面の反射光によって生じるエッジ信号閾値(EL)に基づいて、検査を行う範囲である検査ゲートを設定し、各ラインのラインデータAと、そのラインよりも所定の差分間隔(FP)進んだラインのラインデータBを検査ゲート内において差分処理し、その差分データが所定の差分閾値(TH)より大きいデータの素子数を求め、この操作を前記ラインデータAから次々に所定の差分実施回数(VS)繰り返し、差分実施回数(VS)における前記素子数の合計である差分総素子数が所定の差分素子数閾値(PXL)より大きい場合に、リップ部傷有りと判定する。
【選択図】図4
Description
ガラス容器口部の最上部のAで示される範囲は、ガイドリングと呼ばれる型で成形され、その下のBで示される範囲は口型と呼ばれる型で成形される。これらの型が摩耗してくると、ガイドリングと口型の間にガラスが入り込み、AとBの境界11eの付近に突起状の傷11bが形成される。また、この傷11bが起点となって口部のガラスが欠け、図3に示すような天面欠損11dが生じることがある。
本発明は、回転するガラス容器口部の検査位置に上方から投光し、該検査位置の正面上方に設けたラインセンサで口部外側を半径方向に走査してリップ部の傷を検査する検査方法であって、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータを前記口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
そのデータがリップ部傾斜面の反射光によって生じるエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し、
(1)該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きい場合には、最初にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
(2)大きくない場合には、該領域の次にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
該検査ゲート開始位置アドレス(GES)に所定の検査ゲート幅値(WID)を加えて検査ゲートの終了位置アドレス(GEE)とし、
前記開始位置アドレス(GES)から終了位置アドレス(GEE)までを、検査を行う範囲である検査ゲートとし、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータAと、そのラインよりも所定の差分間隔(FP)進んだラインのラインデータBを検査ゲート内において差分処理し、その差分データが所定の差分閾値(TH)より大きいデータの素子数を求め、
この操作を前記ラインデータAから次々に所定の差分実施回数(VS)繰り返し、
差分実施回数(VS)における前記素子数の合計である差分総素子数が所定の差分素子数閾値(PXL)より大きい場合に、リップ部傷有りと判定し、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合、及び、該領域を有するが前記(1)(2)に該当しない場合は検査ゲート開始位置アドレス(GES)の設定ないしリップ部傷の判定を行わないことを特徴とするガラス容器口リップ部傷の検査方法である。
容器口部の検査位置に上方から投光すること、ラインセンサを検査位置の正面上方に設け、口部の半径方向に内側から外側に向かって走査することで、適切なリップ部の反射光を捉えることができる。
また本発明は、前記投光した光の正面視における収束角度θ1が44°〜52°、側面視における収束角度θ2が14°〜22°である請求項1に記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法である。
また本発明は、前記ラインセンサの軸線と水平面のなす角度が36°〜44°である請求項2に記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法である。
また本発明は、前記ラインセンサの各ラインのラインデータを前記口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
そのデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有しない場合、
及び、
そのデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きくない場合であって該領域の次アドレス以降にエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合のみ、
天面欠損検査を行う請求項1〜3のいずれかに記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法である。
また本発明は、ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有しない場合、
及び、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きくない場合であって該領域の次アドレス以降にエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合のみ、
そのラインを検出ラインとしてカウントし、
所定の回数(N回)ラインデータを取り込んだ後のカウントされた前記検出ラインの数の合計が所定の天面欠損閾値(TWL)よりも多い場合に天面欠損と判定する請求項4に記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法である。
また本発明は、上方から容器口部の検査位置に投光する投光器と、
該検査位置の正面上方に設けられ、容器口部からの反射光を受ける口部外側を半径方向に走査するラインセンサと、
容器口部が順次全周に亘って投光されるように容器を回転駆動する駆動装置と、
前記ラインセンサからの信号を受けて検査ゲートを検出する検査ゲート検出手段と、
前記検査ゲート検出手段で検出した検査ゲートにおいてリップ部傷を検出するリップ部傷検出手段を有し、
前記検査ゲート検出手段が、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータを前記口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
そのデータがリップ部傾斜面の反射光によって生じるエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し、
(1)該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きい場合には、最初にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
(2)大きくない場合には、該領域の次にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
該検査ゲート開始位置アドレス(GES)に所定の検査ゲート幅値(WID)を加えて検査ゲートの終了位置アドレス(GEE)とし、
前記開始位置アドレス(GES)から終了位置アドレス(GEE)までを、検査を行う範囲である検査ゲートとし、
前記リップ部傷検出手段が、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータAと、そのラインよりも所定の差分間隔(FP)進んだラインのラインデータBを検査ゲート内において差分処理し、その差分データのなかで所定の差分閾値(TH)より大きい素子数を求め、
この操作を前記ラインデータAから次々に所定の差分実施回数(VS)繰り返し、
差分実施回数(VS)における前記素子数の合計である差分総素子数が所定の差分素子数閾値(PXL)より大きい場合に、リップ部傷有りと判定し、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合、及び、該領域を有するが前記(1)(2)に該当しない場合は検査ゲート開始位置アドレス(GES)の設定ないしリップ部傷の判定を行わないことを特徴とするガラス容器口リップ部傷の検査装置である。
また本発明は、前記投光器の光の正面視における収束角度θ1が44°〜52°、側面視における収束角度θ2が14°〜22°である請求項6に記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置である。
また本発明は、前記ラインセンサの軸線と水平面のなす角度が36°〜44°である請求項7に記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置である。
また本発明は、前記検査ゲート検出手段からの信号を受けて、天面欠損を検出する天面欠損検出手段を有する請求項6〜8のいずれかに記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置である。
また本発明は、前記天面欠損検出手段が、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有しない場合、
及び、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きくない場合であって該領域の次アドレス以降にエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合のみ、
そのラインを検出ラインとしてカウントし、
所定の回数(N回)ラインデータを取り込んだ後のカウントされた前記検出ラインの数の合計が所定の天面欠損閾値(TWL)よりも多い場合に天面欠損と判定する請求項9に記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置である。
検査ゲート検出手段5は、さらにリップ部傾斜面検出手段5aと検査ゲート作成手段5bからなる。メモリ4、検査ゲート検出手段5、リップ部傷検出手段6、天面欠損検出手段7は処理装置9内に設定することができる。駆動装置81は、従来周知のこの種の検査装置と同じものを使用できる。
ステップ101……データ処理指令ONか?
という判定が先ず行われ、YESであると、
ステップ102……データ処理(不良を検出)する
へ進み、検査ゲート検出手段5で検査ゲートが作成されると共に、リップ部傷検出手段6、又は天面欠損検出手段7で検査が行われる。この後、
ステップ103……不良か?
という判定が行われ、YESであると
ステップ104……不良を記録する
へ進み、コンピュータのメモリに不良の情報が記録され、ステップ105へ進む。NOであると、そのままステップ105へ進む。
ステップ105……次のデータ処理指令
からはステップ101へ戻り、次のラインデータについて上記の処理(ステップ101〜105)が繰り返される。
次に、図9,10に基づいて、ラインセンサの各ラインデータにおける検査ゲートの検出について説明する。図9は検査ゲート作成のフローチャート、図10は検査ゲート作成例の説明図である。
図9において、
ステップ201……エッジ信号閾値EL、エッジ幅閾値EWを設定する
によってエッジ信号閾値EL、エッジ幅閾値EWが設定される。これらの値は、検査する容器の種類により、予め定めておく。
ステップ202……オフセット値OFSを設定する
によってオフセット値OFSが設定される。オフセット値OFSは、最初にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(検査ゲートエッジアドレスGE)に加えて検査ゲート開始位置アドレスGESを決定するための素子数で、検査する容器の種類により、予め定めておく。
ステップ203……検査ゲート幅値WIDを設定する
によって検査ゲート幅値WIDが設定される。ゲート幅値WIDは、検査する容器の種類により、予め定めておく。
ステップ204……データのアドレスを設定する
によってデータを格納するメモリのアドレスが設定され、
ステップ205……メモリのアドレスセーブエリアをクリアする
という処理が行われる。この後、メモリより読み出される各アドレスのラインデータについて以下の処理が行われる。
によってラインデータを口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
ステップ207……データがエッジ信号閾値ELを超えるものはあるか?
という判定が行われ、NOである場合は、そのラインデータについて天面欠損検出手段による天面欠損検査が行われ、YESの場合は、
ステップ208……データがエッジ幅閾値EWより大きいか?
という判定が行われる。NOの場合は
ステップ209……次アドレスをサーチしてエッジ信号閾値ELより大きいデータはあるか?
の判定が行われ、NOの場合は天面欠損検出手段による天面欠損検査が行われ、YESの場合は、
ステップ210……検査ゲートエッジアドレスGEが算出される
という処理が行われる。エッジ信号閾値ELより大きい領域が1つの場合は、最初にELに達したアドレスが検査ゲートエッジアドレスGEとなり、2つある場合は第2の領域において最初にELに達したアドレスがGEとなる。
以上、ステップ201〜210までがリップ部傾斜面検出手段5aで処理され、ステップ211以降が検査ゲート作成手段5bで処理される。
の処理で、検査ゲートエッジアドレスGEにオフセット値OFSを加えたアドレスが検査ゲート開始位置アドレスGESとして設定され、
ステップ212……検査ゲート幅値により検査ゲート終了位置アドレスGEEを算出され、検査ゲートが作成される
によって、検査ゲート開始位置アドレスGESに検査ゲート幅値WIDを加えたアドレスが終了位置アドレスGEEとして設定され、検査ゲート開始位置アドレスGESから検査ゲート終了位置アドレスGEEまでの検査ゲートが作成される。
ステップ213……取り込んだデータ毎に検査ゲートを作成する(取り込み数N回)
という処理で、N番目のラインデータまで、メモリからラインデータを取り込み、そのラインデータ毎にステップ207〜214の処理を行う。取り込み数Nは予め設定しておくが、容器口部全周のライン数nよりも若干多い数で、好ましくはn+10からnの1.3倍程度である。
ステップ214……取り込んだラインデータ順にデータをセーブする
によって検査ゲートが作成されたラインデータを順番にメモリにセーブし、各ラインデータについてリップ部傷検出手段による検査が行われる。
図11はリップ部傷検出のフローチャートである。同図において、
ステップ301……差分フィルタFを設定する
で差分フィルタFが設定される。差分フィルタFは2つのラインデータを検査ゲート内において差分するものである。
ステップ302……差分間隔FPを設定する
で差分間隔FPが設定される。これにより、各ラインデータはそのFP個先のラインデータと差分処理を行うことになる。FPは、例えば3〜10とすることができる。
ステップ303……リップ部傷差分閾値THを設定する
でリップ部傷差分閾値THが設定される。リップ部傷差分閾値THは検査する容器の種類により、予め定めておく。
ステップ304……リップ部傷差分素子数閾値PXLを設定する
で差分素子数閾値PXLを設定する。差分素子数閾値PXLは検査する容器の種類により、予め定めておく。
ステップ305……差分実施回数VSを設定する
で差分実施回数VSが設定される。これにより、VS個の差分データが1セットとして取り扱われることになる。VSは、例えば2〜10とすることができる。
ステップ307……取り込みデータAのラインデータからFP番目進んだラインデータをロードし、取り込みデータBとする
ステップ308……取り込みデータAと取り込みデータBを比較する
の処理の後、
ステップ309……Fを使用して取り込みデータAとFP進んだ取り込みデータBを差分する
によって、検査ゲート内における取り込みデータA、Bの電圧の差分データが作成される。
ステップ310……差分データがTHより大きいか?
という判定が行われ、YESの場合はステップ311に進み、NOの場合はステップ312に進む。YESの場合、
ステップ311……THより大きいデータの素子数を算出し、セーブする
という処理が行われた後、
ステップ312……次のラインデータをロードし、取り込みデータAとし、そのラインデータからFP進んだラインデータをロードし、取り込みデータBとする
の処理が行われる。ここでいう「次のラインデータ」とは、ステップ309における「取り込みデータA」の次のラインデータである。
ステップ313……取り込みデータAと取り込みデータBを比較する
の処理の後、
ステップ314……VS回比較したか?
の判定が行われる。これは、VS回の差分データからリップ部傷の判定を行うためのものである。NOの場合はステップ309〜314が繰り返され、YESの場合は、
ステップ315……VS回分のTHより大きいデータの素子数をロードし、全てを加算し、差分総素子数としてセーブする
の処理を行う。これは、VS回分の各差分データにおいて、電圧がリップ部傷差分閾値THより大きい素子数をカウントし、VS回分を合計し、メモリにセーブする処理である。その後、
ステップ316……次のラインデータをロードし、取り込みデータAとする
という処理が行われる。ここでいう「次のラインデータ」とは、ステップ313における「取り込みデータA」の次のラインデータである。その後、
ステップ317……所定のラインデータをロードし、取り込みデータAとしたか?
の判定が行われる。ここで、所定のラインデータとは、容器口部全周の全てのラインデータについてステップ315の処理が行われるように、任意に定めればよく、例えば{N−(VS+FP)+2}番目のラインデータとすることができる。ステップ317でNOの場合は、ステップ307〜ステップ317の処理が繰り返され、YESの場合は、
ステップ318……全ての差分総素子数をロードする
によって、ステップ315でセーブされた全ての差分総素子数をロードし、
ステップ319……全ての差分総素子数の中にPXLより大きいものがあるか?
の判定が行われる。全ての差分総素子数の中に差分素子数閾値PXLより大きいものが1つでもあれば、リップ部傷ありと判定され、1つもなければ良品(リップ部傷なし)と判定される。
図14は天面欠損検出のフローチャートである。同図において、
ステップ401……天面欠損閾値TWLを設定する
の処理の後、
ステップ402……ラインデータの左端アドレスからサーチする
によってラインデータを口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
ステップ403……データがエッジ信号閾値ELを超えるものはあるか?
という判定が行われ、YESの場合はステップ404に、NOの場合はステップ406に進む。
ステップ404……データがエッジ幅閾値EWより大きいか?
という判定が行われ、NOの場合はステップ405に進み、YESの場合は検査ゲート検出手段に戻る。
ステップ405……次アドレスをサーチしてエッジ信号閾値ELより大きいデータはあるか?
の判定が行われ、YESの場合は検査ゲート検出手段に戻り、NOの場合はステップ406に進む。
ステップ406……検出ライン数をカウントし、セーブする
の処理が行われる。検出ライン数としてカウントされるのは、
(1)ステップ403でNOと判定された場合、
(2)ステップ405でNOと判定された場合、
である。すなわち、
(1)ラインデータがエッジ信号閾値ELを越える領域を有しない場合、
(2)ラインデータがエッジ信号閾値ELを越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値EWより小さい場合
である。
ステップ407……N番目のラインデータを処理したか?
の判定により、NOであれば
ステップ408……次のラインデータを処理する
によって、402〜407の処理をN番目のラインデータが処理されるまで繰り返し、ステップ407がYESであれば、
ステップ409……N回目迄の検出ライン数のカウントをロードする
により、1番目のラインデータからN番目のラインデータ迄で、ステップ406で検出ラインとされたライン数の合計がロードされ、
ステップ410……N回目迄にカウントされた検出ライン数がTWLより多いか?
の判定により、ステップ409の検出ラインの合計が天面欠損閾値TWLより多い場合に天面欠損、少ない場合に良品(天面欠損なし)と判定される。
2 投光器
21 白色LED
22 フレネルレンズ
3 ラインセンサ
31 素子配列
4 メモリ
5 検査ゲート検出手段
6 リップ部傷検出手段
7 天面欠損検出手段
8 検査台
81 駆動装置
9 処理装置
91 モニタ
11 ガラス容器
12 検査ステーション
13 コンベア
14 搬入バイパス
15 フィードウォーム
16 スターホイール
17 搬出バイパス
Claims (10)
- 回転するガラス容器口部の検査位置に上方から投光し、該検査位置の正面上方に設けたラインセンサで口部外側を半径方向に走査してリップ部の傷を検査する検査方法であって、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータを前記口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
そのデータがリップ部傾斜面の反射光によって生じるエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し、
(1)該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きい場合には、最初にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
(2)大きくない場合には、該領域の次にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
該検査ゲート開始位置アドレス(GES)に所定の検査ゲート幅値(WID)を加えて検査ゲートの終了位置アドレス(GEE)とし、
前記開始位置アドレス(GES)から終了位置アドレス(GEE)までを、検査を行う範囲である検査ゲートとし、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータAと、そのラインよりも所定の差分間隔(FP)進んだラインのラインデータBを検査ゲート内において差分処理し、その差分データが所定の差分閾値(TH)より大きいデータの素子数を求め、
この操作を前記ラインデータAから次々に所定の差分実施回数(VS)繰り返し、
差分実施回数(VS)における前記素子数の合計である差分総素子数が所定の差分素子数閾値(PXL)より大きい場合に、リップ部傷有りと判定し、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合、及び、該領域を有するが前記(1)(2)に該当しない場合は検査ゲート開始位置アドレス(GES)の設定ないしリップ部傷の判定を行わないことを特徴とするガラス容器口リップ部傷の検査方法。 - 前記投光した光の正面視における収束角度θ1が44°〜52°、側面視における収束角度θ2が14°〜22°である請求項1に記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法。
- 前記ラインセンサの軸線と水平面のなす角度が36°〜44°である請求項2に記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法。
- 前記ラインセンサの各ラインのラインデータを前記口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
そのデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有しない場合、
及び、
そのデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きくない場合であって該領域の次アドレス以降にエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合のみ、
天面欠損検査を行う請求項1〜3のいずれかに記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法。 - ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有しない場合、
及び、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きくない場合であって該領域の次アドレス以降にエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合のみ、
そのラインを検出ラインとしてカウントし、
所定の回数(N回)ラインデータを取り込んだ後のカウントされた前記検出ラインの数の合計が所定の天面欠損閾値(TWL)よりも多い場合に天面欠損と判定する請求項4に記載のガラス容器口リップ部傷の検査方法。 - 上方から容器口部の検査位置に投光する投光器と、
該検査位置の正面上方に設けられ、容器口部からの反射光を受ける口部外側を半径方向に走査するラインセンサと、
容器口部が順次全周に亘って投光されるように容器を回転駆動する駆動装置と、
前記ラインセンサからの信号を受けて検査ゲートを検出する検査ゲート検出手段と、
前記検査ゲート検出手段で検出した検査ゲートにおいてリップ部傷を検出するリップ部傷検出手段を有し、
前記検査ゲート検出手段が、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータを前記口部の内側方向から外側方向に向かってサーチし、
そのデータがリップ部傾斜面の反射光によって生じるエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し、
(1)該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きい場合には、最初にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
(2)大きくない場合には、該領域の次にエッジ信号閾値(EL)に達したアドレス(GE)に所定のオフセット値(OFS)を加えたアドレスを検査ゲート開始位置アドレス(GES)とし、
該検査ゲート開始位置アドレス(GES)に所定の検査ゲート幅値(WID)を加えて検査ゲートの終了位置アドレス(GEE)とし、
前記開始位置アドレス(GES)から終了位置アドレス(GEE)までを、検査を行う範囲である検査ゲートとし、
前記リップ部傷検出手段が、
前記ラインセンサの各ラインのラインデータAと、そのラインよりも所定の差分間隔(FP)進んだラインのラインデータBを検査ゲート内において差分処理し、その差分データのなかで所定の差分閾値(TH)より大きい素子数を求め、
この操作を前記ラインデータAから次々に所定の差分実施回数(VS)繰り返し、
差分実施回数(VS)における前記素子数の合計である差分総素子数が所定の差分素子数閾値(PXL)より大きい場合に、リップ部傷有りと判定し、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合、及び、該領域を有するが前記(1)(2)に該当しない場合は検査ゲート開始位置アドレス(GES)の設定ないしリップ部傷の判定を行わないことを特徴とするガラス容器口リップ部傷の検査装置。 - 前記投光器の光の正面視における収束角度θ1が44°〜52°、側面視における収束角度θ2が14°〜22°である請求項6に記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置。
- 前記ラインセンサの軸線と水平面のなす角度が36°〜44°である請求項7に記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置。
- 前記検査ゲート検出手段からの信号を受けて、天面欠損を検出する天面欠損検出手段を有する請求項6〜8のいずれかに記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置。
- 前記天面欠損検出手段が、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有しない場合、
及び、
ラインデータがエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有し該領域の幅がエッジ幅閾値(EW)より大きいかどうかを判定し、大きくない場合であって該領域の次アドレス以降にエッジ信号閾値(EL)を越える領域を有さない場合のみ、
そのラインを検出ラインとしてカウントし、
所定の回数(N回)ラインデータを取り込んだ後のカウントされた前記検出ラインの数の合計が所定の天面欠損閾値(TWL)よりも多い場合に天面欠損と判定する請求項9に記載のガラス容器口リップ部傷の検査装置。
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- 2012-02-27 JP JP2012520393A patent/JP5108991B1/ja active Active
Patent Citations (5)
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