JP4821183B2 - 電気光学装置及びこれを備えた電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、例えば、アクティブマトリクス駆動される液晶装置等の電気光学装置及びそのような電気光学装置を具備した電子機器の技術分野に関する。

この種の電気光学装置では、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、これらＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向にそれぞれ平行に設けられた走査線及びデータ線等を備えるとともに、走査線に対しては走査線駆動回路による駆動が、データ線に対してはデータ線駆動回路による駆動が、それぞれ行われることによって、いわゆるアクティブマトリクス駆動が行われることが多い。

このような電気光学装置においては、上述したＴＦＴ及び画素電極等を備えたＴＦＴアレイ基板上に更に、ＴＦＴ及び画素電極に接続された保持容量が備えられる。この保持容量は誘電体膜を挟んだ一対の電極からなり、そのうちの一方の電極は、画素電極に電気的に接続される共にその電位と同一の電位となる画素電位側容量電極、他方の電極は、固定電位とされた固定電位側容量電極とされるのが一般的である。これにより、画素電極に印加された電位を一定期間保持することが可能となり、その電位保持特性を顕著に向上させることが可能となる。したがって、アクティブマトリクス駆動される液晶装置等の電気光学装置で画質を向上させるためには、保持容量を大きくとることによって電位保持特性を高めることが重要な技術の一つとなる。

また、この種の電気光学装置では、明るい画像表示を可能とするために画素領域における開口領域には光を遮る要素を設けないほうが好ましいため、通常保持容量は光を透過させない非開口領域に設けられるのが一般的である。

このような保持容量を大きくとること及び画素開口率の低下防止を鑑み、保持容量のレイアウトの観点から、保持容量面積を確保すると共に、画素間遮光領域を縮小させることによって高光透過率で可能とする技術（例えば、特許文献１参照。）や、積層された複数の導電膜の構造を工夫することによってＴＦＴアレイ基板の基板面に対して垂直な方向に沿って複数の保持容量を設ける技術（例えば、特許文献２参照。）が開示されている。また、保持容量を構成する容量電極等の構成要素の材料の観点から、保持容量を構成する容量電極として透明電極を用いる技術（例えば、特許文献３参照。）、データ線と画素電極との間に固定電位に維持された透明電極を設ける技術（特許文献４）、或いは保持容量を構成する一対の容量電極の両方を透明電極で構成する技術（特許文献５）が開示されてきる。

特開２００１−６６６３８号公報 特開２００１―１４７４４７号公報 特開２０００−３２３６９８号公報 特開２００３―２６２８８７号公報 特開平５−２５７１７１号公報

しかしながら、通常、保持容量は不透明な材料から構成されており、保持容量の容量を増やすために、保持容量を構成する電極及び誘電体の面積を大きくとった場合、画素開口率を低下させてしまう問題点がある。また、特許文献１、３、４及び５の夫々に開示された技術では、画素の非開口領域という限られた領域に保持容量を設けるのみであり、より大きな容量を得ることは原理的に困難である。また、特許文献２に開示された技術では、積層構造が複雑になり、製造プロセスの複雑化及びこれに伴う歩留まりの低下を招く新たな問題が生じさせる懸念がある。

よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、画素部における開口領域を透過する光の透過量を減少させることなく、即ち画素開口率を低下させることなく、例えば、アクティブマトリクス駆動される液晶装置等の電気光学装置が備える保持容量の容量を大きくとることができる電気光学装置及びこれを具備した電子機器を提供することを課題とする。

本発明の第１の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、走査線及びデータ線と、前記データ線と重なるように設けられたトランジスタと、前記トランジスタに対応して画素毎に設けられた画素電極と、前記画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する透明な第１保持容量と、前記第１保持容量の上層に設けられており、前記第１保持容量と電気的に並列に接続された透明な第２保持容量とを備え、前記第１保持容量は、前記走査線及び前記データ線と重なるように延在すると共に、前記画素の非開口領域を覆うように前記画素電極と重ねて設けられ、前記第２保持容量は、前記画素電極と、前記第１保持容量の一方の容量電極に電気的に接続された容量電極とを含んで構成される。

本発明に係る電気光学装置によれば、先ず、走査線を通じて薄膜トランジスタの動作を制御することが可能となるとともに、データ線を通じてトランジスタを介して画素電極に画像信号を書き込むことが可能となることで、所謂アクティブマトリクス駆動を行うことが可能である。第１保持容量は透明であるため、開口領域を透過する光の透過量を減少させることない。したがって、画素における輝度を低下させることなく、第１保持容量の容量を大きくとることができ、画像信号を一時的に保持する電位保持能力を高めることができる。

ここで、本発明の「開口領域」とは、実質的に光が透過する画素内の領域であり、例えば、画素電極が形成される領域であって、透過率の変更に応じて液晶を抜けてきた出射光の階調を変化させることが可能となる領域であり、言い換えれば画素に集光される光が配線、遮光膜、半導体素子等で遮られることがない領域を意味する。また、本発明の「非開口領域」とは、表示に寄与する光が透過しない領域を意味し、例えば画素内に非透明な配線等が配設されている領域を意味する。本発明に係る電気光学装置によれば、仮に、第１保持容量が開口領域の全部又は一部を覆うような形で形成されていたとしても、光の通過を大きく阻害するようなことがなく、画像表示に重大な悪影響を及ぼすことがない。

このように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素の輝度を低下させることなく、画像信号を一時的に保持する保持能力を高めることができるため、高画質を有する電気光学装置を提供できる。

本発明の第１の発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記第１保持容量は、前記トランジスタに電気的に接続された透明な画素電位側容量電極と、透明な第１固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記第１固定電位側容量電極に挟まれた透明な第１誘電体膜とを備えていてもよい。

この態様では、画素電位側容量電極、第１固定電位側容量電極、及び第１誘電体膜の夫々が透明であり、第１保持容量がこれら電極及び誘電体膜からなる三層構造を有している。したがって、第１保持容量は透明であり、第１保持容量の容量を大きくとるために画素電位側容量電極、第１固定電位側容量電極、及び第１誘電体膜が非開口領域から開口領域に渡って設けられていても、開口領域を透過する光の透過量を減少させることない。即ち、画素開口率を低下させることがない。画素電位側容量電極及び第１固定電位側電極は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等で形成された透明電極であり、第１誘電体膜は酸化シリコン（ＳｉＯ_２）或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）等の透明な誘電体である。ここで、ＳｉＮは、ＳｉＯ_２に比べて黄色を帯びているが、光透過性を有しているため、第１誘電体膜に適用可能である。

本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第２保持容量は、前記第１保持容量の上層側且つ前記画素電極の下層側に形成された透明な第２固定電位側容量電極と、前記第２固定電位側容量電極及び前記画素電極間に形成された透明な第２誘電体膜とを含んでおり、前記画素電極は透明電極であり、前記画素電極のうち平面的に見て前記第２固定電位側電極と重なる部分が、前記第２固定電位側容量電極と一対とされる容量電極として兼用されていてもよい。

この態様によれば、第２保持容量を設けた分、第１保持容量のみで画像信号を一時的に保持する場合に比べて、画像信号の電位保持特性を高めることができる。より具体的には、第２保持容量が第１保持容量と電気的に並列に接続されているため、第１保持容量及び第２保持容量の全体で画像信号に対する電位保持特性を高めることが可能である。即ち、この態様によれば、既存の設計に組み込まれた画素電極を利用して、第１保持容量とは別に第２保持容量を設けることができ、第１保持容量を開口領域に延在させるだけでは得られる電位保持特性の向上を実現できる。

加えて、第２保持容量に含まれる第２固定電位側容量電極、第２誘電体膜及び前記画素電極のうち平面的に見て前記第２固定電位側電極と重なる部分の夫々が透明であるため、第２保持容量も透明である。したがって、前記非開口領域から前記開口領域に延在するように設けられた第２保持容量によって開口領域における光の透過量が減少することはない。

本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１保持容量は、前記トランジスタに電気的に接続された透明な画素電位側容量電極と、透明な第１固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記第１固定電位側容量電極に挟まれた透明な第１誘電体膜とを備え、前記第２保持容量は、前記第１保持容量の上層側且つ前記画素電極の下層側に形成された透明な第２固定電位側容量電極と、前記第２固定電位側容量電極及び前記画素電極間に形成された透明な第２誘電体膜とを含んでおり、前記画素電極は透明電極であり、
前記画素電極のうち平面的に見て前記第２固定電位側容量電極と重なる部分が、前記第２固定電位側容量電極と一対とされる容量電極として兼用されており、前記第１保持容量及び前記第２保持容量は、前記第１固定電位側容量電極及び前記第２固定電位側容量電極間に形成された導電部を介して電気的に並列に接続されていてもよい。

この態様において、「導電部」とは、例えば第１保持容量及び第２保持容量間に介在する層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールである。このようなコンタクトホールは、第１保持容量、第２保持容量及び電気光学装置の他の構成要素のレイアウトに応じて設けられる。

本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記データ線は、前記第１保持容量の上層側、且つ前記第２保持容量の下層側に設けられており、前記トランジスタに照射される光を遮るように前記非開口領域に延在されている。

この態様によれば、第２保持容量の上層側から入射する光をデータ線で遮光することができる。より具体的には、トランジスタが備える半導体層に流れる光リーク電流を低減できる。これにより、光リーク電流に応じて発生する表示画像の乱れを低減でき、画質の低下を抑制することが可能である。

本発明の第１の発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記第１保持容量の上層側且つ前記第２保持容量の下層側に形成された容量配線を更に備え、前記導電部は前記容量配線を介して前記第１保持容量及び前記第２保持容量を電気的に接続していてもよい。

この態様によれば、第１保持容量及び第２保持容量を直接電気的に接続する場合に比べて、例えば浅いコンタクトホールで電気的に接続でき、コンタクトエッチングが容易になる。

本発明の第２の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、データ線と、前記データ線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して画素毎に設けられた画素電極と、前記画素の非開口領域に設けられており、前記画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する第１保持容量と、前記非開口領域から開口領域に延在するように前記第１保持容量の上層に設けられており、前記第１保持容量と電気的に並列に接続された透明な第２保持容量とを備えている。

本発明の第２の発明に係る電気光学装置によれば、本発明の第１の発明に係る電気光学装置と同様に、第２保持容量を設けることによって画像信号を一時的に保持する電位保持能力を高めることができると共に、画素における輝度を低下させることがない。より具体的には、第２保持容量は透明であるため、非開口領域から開口領域に渡って第２保持容量を設けても開口領域における光透過量を減少させることがない。

本発明の第３の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、データ線と、前記データ線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して画素毎に設けられた画素電極と、前記画素の非開口領域から開口領域に渡って設けられており、前記画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する透明な第１保持容量と、前記非開口領域から前記開口領域に延在するように前記第１保持容量の上層に設けられており、前記第１保持容量と電気的に並列に接続された透明な第２保持容量とを備え、前記第１保持容量及び前記第２保持容量の夫々の固定電位側容量電極は、前記第１保持容量及び前記第２保持容量間に形成された導電層によって共用されている。

本発明の第３の発明に係る電気光学装置によれば、第１保持容量及び第２保持容量の夫々に個別に固定電位側電極を設ける場合に比べて、基板上に形成される導電層及び絶縁層を減らすことができる。これにより、簡単な層構造によって高画質を実現できる。

本発明の第４の発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、データ線と、前記データ線と電気的に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに対応して画素毎に設けられた画素電極と、前記画素の非開口領域から開口領域に渡って設けられており、前記画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する透明な第１保持容量と、前記非開口領域から前記開口領域に延在するように前記第１保持容量の上層に設けられており、前記第１保持容量と電気的に並列に接続された透明な第２保持容量とを備え、前記第２保持容量の固定電位側電極は、該第２保持容量の画素電位側電極と前記第１保持容量の画素電位側電極とを電気的に接続するように形成された導電層と同一層に設けられた容量配線によって兼用されており、該容量配線は、前記同一層内で前記導電層を避けるように形成された透明配線である。

本発明の第４の発明に係る電気光学装置によれば、第２保持容量の固定電位側電極として兼用される容量配線を平面的に広げることができ、容量配線の電気抵抗を抑制しつつ、固定電位に維持された他の導電部に容量配線を容易に接続できる。

本発明に係る電子機器は上記課題を解決するために、上述の本発明の電気光学装置を具備してなる。

本発明に係る電子機器によれば、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、ＤＬＰ（Digital Light Processing）等を実現することも可能である。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。

以下図面を参照しながら本実施形態の電気光学装置、及び電子機器を詳細に説明する。本実施形態では、本発明の第１及び第２の発明に係る電気光学装置の一例としてアクティブマトリクス駆動方式によって駆動される液晶装置を挙げる。

＜第１実施形態＞
（電気光学装置の全体構成）
先ず、本実施形態の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。

図１及び図２において、液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板１０及びＴＦＴアレイ基板１０に対向配置された対向基板２０を備えている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。尚、本実施形態においては、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域が存在する。言い換えれば、本実施形態においては特に、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３より以遠が周辺領域として規定されている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐために複数の配線１０５が設けられている。対向基板２０の４つのコーナー部に配置された上下導通材１０６は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとる。

図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。

（電気光学装置の電気的な構成）
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の電気的な構成を説明する。図３は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。

図３において、画素電極９ａ及び画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０が、液晶装置１の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素部の夫々に形成されている。画像信号が供給されるデータ線６ａがＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に線順次に供給される。尚、画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給されてもよい。

液晶装置１が備える画素部は、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。本発明の「第１保持容量」の一例である保持容量７０は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａ及び対向電極間に形成される液晶容量と電気的に並列に接続されており、画素電極９ａに供給された画像信号を一時的に保持する。後述するように、本実施形態の液晶装置１は、保持容量７０の電位保持特性が高められていることによって高画質で画像を表示できる。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

（電気光学装置における画素部の具体的な構成）
次に、図４乃至図６を参照しながら本実施形態の液晶装置１における画素部の具体的な構成を説明する。図４及び図５は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。尚、図４及び図５は、それぞれ、後述する積層構造のうち下層部分（図４）と上層部分（図５）とを分けて図示している。図６は、図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。尚、図６においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図６に示すように、液晶装置１が備えるＴＦＴアレイ基板１０は、画素電極９ａ及び配向膜１６の他、これらを含む各種の構成が積層構造をなして備えられている。より具体的には、ＴＦＴアレイ基板１０は、下から順に、走査線１１ａを含む第１層、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０等を含む第２層、保持容量７０を含む第３層、データ線６ａ等を含む第４層、容量配線４００等を含む第５層、画素電極９ａ及び配向膜１６等を含む第６層（最上層）からなる。第１層及び第２層間には下地絶縁膜１２が、第２層及び第３層間には第１層間絶縁膜４１が、第３層及び第４層間には第２層間絶縁膜４２が、第４層及び第５層間には第３層間絶縁膜４３が、第５層及び第６層間には第４層間絶縁膜４４が、それぞれ設けられており、前述の各要素間が短絡することを防止している。これら各種の絶縁膜１２、４１、４２、４３及び４４には、例えば、ＴＦＴ３０の半導体層１ａ中の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール等も設けられている。以下では、これらの各要素について、下から順に説明を行う。なお、第１層から第３層までが下層部分として図４に図示されており、第４層から第６層までが上層部分として図５に図示されている。

（積層構造・第１層の構成−走査線等−）
先ず、第１層には、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの、或いは導電性ポリシリコン等からなる走査線１１ａが設けられている。走査線１１ａは、平面的にみて、図４のＸ方向に沿うように、ストライプ状にパターニングされている。より詳しく見ると、ストライプ状の走査線１１ａは、図４のＸ方向に沿うように延びる本線部と、データ線６ａ或いは容量配線４００が延在する図４のＹ方向に延びる突出部とを備えている。尚、隣接する走査線１１ａから延びる突出部は相互に接続されることはない。したがって、走査線１１ａは１本１本分断された形となっている。

ここで、図５にも、図４に示す走査線１１ａの構成を示してある。本実施形態では、走査線１１ａは、図５に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０の基板面上で平面的に見て、容量配線４００に重畳的に形成されている。

（積層構造・第２層の構成−ＴＦＴ等−）
次に、第２層として、ゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、図６に示すように、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、その構成要素としては、上述したゲート電極３ａ、例えばポリシリコン膜からなりゲート電極３ａからの電界によりチャネルが形成される半導体層１ａのチャネル領域１ａ´、ゲート電極３ａと半導体層１ａとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜２、半導体層１ａにおける低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃ並びに高濃度ソース領域１ｄ及び高濃度ドレイン領域１ｅを備えている。

本実施形態では、第２層に、ゲート電極３ａと同一膜として中継電極７１９が形成されている。中継電極７１９は、平面的に見て、図４に示すように、各画素電極９ａのＸ方向に延びる一辺の略中央に位置するように、島状に形成されている。中継電極７１９とゲート電極３ａとは同一膜として形成されているから、後者が例えば導電性ポリシリコン膜等からなる場合においては、前者もまた、導電性ポリシリコン膜等からなる。

尚、ＴＦＴ３０は、好ましくは図６に示したようにＬＤＤ構造をもつが、低濃度ソース領域１ｂ及び低濃度ドレイン領域１ｃに不純物の打ち込みを行わないオフセット構造をもってよいし、ゲート電極３ａをマスクとして高濃度で不純物を打ち込み、自己整合的に高濃度ソース領域及び高濃度ドレイン領域を形成するセルフアライン型のＴＦＴであってもよい。

（積層構造・第１層及び第２層間の構成−下地絶縁膜−）
以上説明した走査線１１ａの上、且つＴＦＴ３０の下には、例えばシリコン酸化膜等からなる下地絶縁膜１２が設けられている。下地絶縁膜１２は、走査線１１ａからＴＦＴ３０を層間絶縁する機能のほか、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性変化を防止する機能を有する。

下地絶縁膜１２には、平面的にみて半導体層１ａの両脇に、後述するデータ線６ａに沿って延びる半導体層１ａのチャネル長の方向に沿った溝状のコンタクトホール１２ｃｖが掘られており、コンタクトホール１２ｃｖに対応して、その上方に積層されるゲート電極３ａは下側に凹状に形成された部分を含んでいる。コンタクトホール１２ｃｖ全体を埋めるようにして、ゲート電極３ａが形成されていることにより、ゲート電極３ａには、これと一体的に形成された側壁部３ｂが延設されるようになっている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａは、図４に示されているように、平面的にみて側方から覆われるようになっており、少なくともこの部分からの光の入射が抑制されるようになっている。

側壁部３ｂは、コンタクトホール１２ｃｖを埋めるように形成されているとともに、その下端が走査線１１ａと接するようにされている。走査線１１ａは、上述のようにストライプ状に形成されていることから、ある行に存在するゲート電極３ａ及び走査線１１ａは、当該行に着目する限り、常に同電位となる。

（積層構造・第３層の構成−保持容量等−）
次に、図４及び図６を参照しながら保持容量７０のレイアウト及び構成を詳細に説明する。図４及び図６に示すように、保持容量７０は、第３層の非開口領域から開口領域に渡って設けられており、平面的に見て画素電極９ａと重なるように開口領域に延在されている。

図６において、保持容量７０は、本発明の「画素電位側容量電極」の一例である下部容量電極７１、本発明の「第１誘電体膜」の一例である誘電体膜７５、及び本発明の「第１固定電位側容量電極」の一例である上部容量電極３００を備えている。下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００の夫々は透明な材料で形成されていると共に、図中下側からこの順で積層されている。

下部容量電極７１及び上部容量電極３００は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）或いはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等で形成された透明電極である。誘電体膜７５は、図６に示すように、例えば膜厚５〜２００ｎｍ程度の比較的薄いＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン膜、或いは窒化シリコン膜等から構成される。図６に示すように、誘電体膜７５は下層に酸化シリコン膜７５ａ、上層に窒化シリコン膜７５ｂというように二層構造を有するものとなっている。図４では、説明の便宜上上層の窒化シリコン膜７５ｂ及び酸化シリコン膜７５ａの平面形状を図示していないが、これら誘電体膜は、非開口領域から開口領域、即ち平面的にみて画素電極９ａに重なるように形成されている。ここで、窒化シリコン膜７５ｂは酸化シリコン膜７５ａに比べて黄色を帯びているが光透過性を有しているため、保持容量７０の光透過性を低下させることはない。

尚、本実施形態では、誘電体膜７５は二層構造を有するものとなっているが、例えば酸化シリコン膜、窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜等というような三層構造や、あるいはそれ以上の積層構造を有するように構成してもよい。むろん単層構造としてもよい。但し、誘電体膜７５は透明材料で形成される。

ここで、図４を参照しながら保持容量７０の平面形状を詳細に説明する。尚、誘電体膜７５は、下部容量電極７１及び上部容量電極３００に挟まれるようにこれら電極の平面形状に合わせて形成されている。

図４において、下部容量電極７１及び上部容量電極３００は、データ線６ａ及び走査線１１ａが互いに交差する領域から画素電極９ａに重なるように延在されており、画素電極９ａを含む画素毎に設けられている。本実施形態では、開口領域の略全体に下部容量電極７１及び上部容量電極３００が延在されているが、開口領域に部分的に重なるように延在されていても構わない。つまり、画像信号に応じて液晶配向を維持できる電位差を維持することができれば、保持容量７０の面積、即ち下部容量電極７１、誘電体膜７５及び上部容量電極３００の形状及び面積は設計に応じて便宜変更可能である。

ここで、非開口領域は、画像表示に寄与する光が透過しない非透明なデータ線６ａ等が配設された領域である。より具体的には、本実施形態では、非開口領域は平面的にみて画素電極９ａを囲む額縁状の領域である。開口領域は、実質的に光が透過する画素内の領域である。より具体的には、開口領域とは、画素に集光される光がデータ線及び走査線１１ａ等の配線、ＴＦＴ３０等の半導体素子、遮光膜で遮られることがない領域である。

下部電極７１は、画素電位側容量電極としての機能のほか、画素電極９ａとＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅとを中継接続する機能を有する。因みに、ここにいう中継接続は、中継電極７１９を介して行われる。

上部容量電極３００の電位は、固定電位とされた容量配線４００（後述する。）と上部容量電極３００とが電気的に接続されているため固定電位に維持される。

尚、本実施形態のＴＦＴアレイ基板１０における各部のレイアウトに若干の変更を加えることにより、上部容量電極３００を画素電位側容量電極とし、下部容量電極７１を固定電位側容量電極とすることも可能である。

このように、保持容量７０は、平面的にみて透明な画素電極９ａと重なるように開口領域に延在されていても、開口領域を透過する光の透過率を低下させることがない。加えて、非開口領域にのみ保持容量７０を設ける場合に比べて、容量を大きくするように領域を大きくとることができる。したがって、液晶装置１によれば、走査線１１ａを通じてＴＦＴ３０の動作を制御しつつ、データ線６ａを通じてＴＦＴ３０を介して画素電極９ａに画像信号を書き込むことが可能であり、画像信号を一時的に保持する電位保持能力が高められた状態で所謂アクティブマトリクス駆動を行うことが可能である。保持容量７０は透明であるため、液晶装置１全体の画素開口率は比較的大きく維持され、これにより、より明るい画像を表示することが可能となる。したがって、液晶装置１によれば、従来困難であった保持容量の容量値の増大及び明るい画像表示を両立することが可能である。

（積層構造、第２層及び第３層間の構成−第１層間絶縁膜−）
次に、図４及び図６を参照しながら第１層間絶縁膜４１を詳細に説明する。第１層間絶縁膜４１は、ＴＦＴ３０ないしゲート電極３ａ及び中継電極７１９の上、且つ保持容量７０の下に形成された、例えば、ＮＳＧ（ノンシリケートガラス）、ＰＳＧ（リンシリケートガラス）、ＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンシリケートガラス）等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧを有している。

第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄと後述するデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が、後述する第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。第１層間絶縁膜４１には、ＴＦＴ３０の高濃度ドレイン領域１ｅと保持容量７０を構成する下部容量電極７１とを電気的に接続するコンタクトホール８３が開孔されている。第１層間絶縁膜４１には、保持容量７０を構成する画素電位側容量電極としての下部容量電極７１と中継電極７１９とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８１が開孔されている。加えて、第１層間絶縁膜４１には、中継電極７１９と後述する第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８８２が、第２層間絶縁膜４２を貫通しつつ開孔されている。

（積層構造・第４層の構成−データ線等−）
第３層に続けて第４層には、データ線６ａが設けられている。データ線６ａは、図６に示すように、下層より順に、アルミニウムからなる層（図６における符号４１Ａ参照）、窒化チタンからなる層（図６における符号４１ＴＮ参照）、窒化シリコン膜からなる層(図６における符号４０１参照)の三層構造を有する膜として形成されている。窒化シリコン膜は、その下層のアルミニウム層及び窒化チタン層を覆うように少し大きなサイズにパターニングされている。

第４層には、データ線６ａと同一膜として、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２が形成されている。これらは、図５に示すように、平面的に見ると、データ線６ａと連続した平面形状を有するように形成されているのではなく、パターニング上分断されるように形成されている。

因みに、容量配線用中継層６ａ１及び第２中継電極６ａ２は、データ線６ａと同一膜として形成されていることから、下層より順に、アルミニウムからなる層、窒化チタンからなる層、プラズマ窒化膜からなる層の三層構造を有する。

（積層構造・第３層及び第４層間の構成−第２層間絶縁膜−）
図６において、保持容量７０の上、且つ、データ線６ａの下には、例えばＮＳＧ、ＰＳＧ，ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第２層間絶縁膜４２が形成されている。第２層間絶縁膜４２には、ＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１が開孔されているとともに、容量配線用中継層６ａ１と保持容量７０の上部電極たる容量電極３００とを電気的に接続するコンタクトホール８０１が開孔されている。さらに、第２層間絶縁膜４２には、第２中継電極６ａ２と中継電極７１９とを電気的に接続するための、コンタクトホール８８２が形成されている。

（積層構造・第５層の構成−容量配線等−）
第４層に続けて第５層には、容量配線４００が形成されている。容量配線４００は、平面的にみると、図５に示すように、図中Ｘ方向及びＹ方向それぞれに延在するように、格子状に形成されている。このような容量配線４００によって、画素毎に開口領域が規定される。

容量配線４００のうち図５中Ｙ方向に延在する部分については特に、データ線６ａを覆うように、且つ、該データ線６ａよりも幅広に形成されている。図５中Ｘ方向に延在する部分については、第３中継電極４０２を形成する領域を確保するために、各画素電極９ａの一辺の中央付近に、開口領域とは分離されて形成された開口部である窓４００ａが設けられている。

図５中、ＸＹ方向それぞれに延在する容量配線４００の交差部分の隅部においては、この隅部を埋めるようにして、略三角形状の部分が設けられている。容量配線４００に、この略三角形状の部分が設けられていることにより、ＴＦＴ３０の半導体層１ａに対する光の遮蔽を効果的に行うことができる。即ち、半導体層１ａに対して、斜め上から進入しようとする光は、この三角形状の部分で反射又は吸収されることになり半導体層１ａには至らないことになる。したがって、光リーク電流の発生を抑制し、フリッカ等のない高品質な画像を表示することが可能となる。容量配線４００は、画素電極９ａが配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。

第５層には、容量配線４００と同一膜として形成された第３中継電極４０２が、容量配線４００の窓４００ａ内に島状に形成されている。より具体的には、容量配線４００及び第３中継電極４０２間は、平面形状的に連続して形成されているのではなく、両者間はパターニング上分断されるように形成されている。これにより、第３中継電極４０２は、容量配線４００と電気的に分離される。第３中継電極４０２は、コンタクトホール８０４及び８９を介して、第２中継電極６ａ２及び画素電極９ａ間の電気的接続を中継する。容量配線４００及び第３中継電極４０２は、下層にアルミニウムからなる層、上層に窒化チタンからなる層の二層構造を有している。

（積層構造・第４層及び第５層間の構成−第３層間絶縁膜−）
図６において、データ線６ａの上、且つ容量配線４００の下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＴＥＯＳガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって形成された第３層間絶縁膜４３が形成されている。第３層間絶縁膜４３には、容量配線４００と容量配線用中継層６ａ１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０３、及び、第３中継電極４０２と第２中継電極６ａ２とを電気的に接続するためのコンタクトホール８０４がそれぞれ開孔されている。

（積層構造・第６層並びに第５層及び第６層間の構成−画素電極等−）
図６において、第６層には画素電極９ａがマトリクス状に形成され、画素電極９ａ上に配向膜１６が形成されている。画素電極９ａ下には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等、あるいは好ましくはＮＳＧからなる第４層間絶縁膜４４が形成されている。第４層間絶縁膜４４には、画素電極９ａ及び第３中継電極４０２間を電気的に接続するためのコンタクトホール８９が開孔されている。画素電極９ａとＴＦＴ３０との間は、このコンタクトホール８９及び第３中継層４０２並びにコンタクトホール８０４、第２中継層６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９、コンタクトホール８８１、下部電極７１及びコンタクトホール８３を介して、電気的に接続されることとなる。

以上説明したような構成を有するＴＦＴアレイ基板１０、対向基板２０及びこれら基板間に挟持される液晶層により本実施形態の液晶装置１が構成される。本実施形態の液晶装置１によれば、明るい画像表示を損なうことなく、保持容量７０の電位保持特性を高めることができ、アクティブマトリクス駆動される液晶装置の表示性能を向上させることが可能である。また、保持容量７０を透明材料で形成した場合でも、対向基板２０側に設けられた遮光膜２３、容量配線４００及び第３中継電極４０２、並びに走査線１１ａによって、対向基板２０側から入射される光、及び素子基板１０側から入射される光を確実に遮光できる。従って、本実施形態の液晶装置１によれば、保持容量７０の電位保持特性を向上させるだけでなく、ＴＦＴ３０の光リーク電流も抑制できる。加えて表示画像のコントラストを向上させると共に、高精細化させることも可能である。

（変形例）
次に、図７を参照しながら本実施形態に係る液晶装置１の変形例を説明する。図７は、本例の液晶装置１における画素部の具体的な構成を示す要部断面図であり、図６に対応している。本例の液晶装置１００は、互いに電気的に並列に接続された透明な保持容量を２つ備えている点で上述した液晶装置１と構成が相違する。尚、以下では、図１乃至図６と共通する部分については共通の参照符号を付して説明する。また、説明を簡便にするために、共通する部分については便宜説明を省略する。

図７において、液晶装置１００は、保持容量７０の上層に形成された、本発明の「第２保持容量」の一例である保持容量１７０を備えている。保持容量１７０は、非開口領域から開口領域に延在するように形成されており、本発明の「導電部」の一例を構成するコンタクトホール１８０ａ、１８０ｂ及び１８０ｃを介して保持容量７０と電気的に並列に接続されている。

保持容量１７０は、保持容量７０の上層側且つ画素電極９ａの下層側に形成されており、非開口領域から開口領域に渡って延在された透明な容量電極１７１、及び誘電体膜１７５を備えている。容量電極１７１が本発明の「第２固定電位側容量電極」の一例に相当し、誘電体膜１７５が本発明の「第２誘電体膜」の一例に相当する。加えて、透明な画素電極９ａのうち平面的にみて容量電極１７１に重なる重畳部９ａａが容量電極１７１と一対とされる容量電極として兼用されている。したがって、保持容量１７０は、容量電極１７１、誘電体膜７５及び重畳部９ａａがこの順で積層されてなる３層構造を有している。

容量電極１７１は、コンタクトホール１８０ａ、１８０ｂ及び１８０ｃを形成した後にコンタクトホール１８０ａに電気的に接続されるように第４層間絶縁膜４４にＩＴＯ或いはＩＺＯ等の透明材料を蒸着させることによって形成されている。誘電体膜１７５は、容量電極１７１上に形成された酸化シリコン膜、又は窒化シリコン膜、或いは複数の透明な誘電体膜を含む多層構造を有している。したがって、保持容量１７０は、開口領域を透過する光を遮ることがない。尚、図７中において、コンタクトホール１８０ａ、１８０ｂ及び１８０ｃは、説明の便宜上、容量配線４００、データ線６ａに接するように図示されているが、平面的にみて容量配線４００及びデータ線６ａを避けるように第２層間絶縁４２膜、第３層間絶縁膜４３、及び第４層間絶縁膜４４を貫通するように形成されている。即ち、コンタクトホール１８０ａ、１８０ｂ及び１８０ｃは、保持容量７０及び１７０、並びに液晶装置１の他の構成要素の配置に応じて便宜レイアウトされる。

保持容量７０及び１７０の夫々は、固定電位側電極とされる容量電極１７１及び上部容量電極３００が電気的に接続されているため、電気的に並列に接続されている。したがって、保持容量７０を開口領域に延在されることによって一つの保持容量によって得られる以上の容量を確保できる。加えて、透明な保持容量１７０は開口領域を透過する光を遮光しないため、非開口領域にのみ保持容量１７０を設ける場合に比べてより大きな容量を有する保持容量を確保できる。このように、本例の液晶装置１００によれば、保持容量７０及び１７０の平面形状のみならず、ＴＦＴアレイ基板１０の厚み方向に沿って複数の保持容量を形成することによって、画素開口率を低下させることなく、且つ極めて限られた空間に大きな保持容量を作り込むことが可能であり、保持容量１７０を設けた分、保持容量７０のみで画像信号を一時的に保持する場合に比べて、画像信号の電位保持特性を高めることができる。

また、本例の液晶装置１００では、データ線６ａは、保持容量７０の上層側、且つ保持容量１７０の下層側に設けられているため、ＴＦＴ３０に照射される光を遮光できる。より具体的には、データ線６ａ及びＴＦＴ３０は、開口領域を囲む非開口領域に設けられてきるため、ＴＦＴアレイ基板１０の上側からＴＦＴ３０に照射される光がデータ線６ａによって遮光される。したがって、データ線６ａによれば、保持容量１７０のうち非開口領域に延びる部分を透過する光を遮光でき、ＴＦＴ３０に生じる光リーク電流を低減することが可能である。これにより、ＴＦＴ３０の光リーク電流に応じて発生するフリッカ等の表示画像の乱れを抑制できる。尚、本例ではデータ線６ａがＴＦＴ３０に照射される光を遮光する例を挙げたが、ＴＦＴ３０の上層側における非開口領域に設けられた遮光手段であればデータ線６ａに限定されるものではなく、例えば遮光性を有する容量配線４００或いはその他の遮光性能を有する構成要素でＴＦＴ３０の光リーク電流を低減することも可能である。

＜第２実施形態＞
次に、図８乃至図１１を参照しながら本実施形態の液晶装置１を説明する。図８及び図９の夫々は、保持容量１７０に含まれる容量電極１７１及び透明な画素電極の平面形状を示した図であり、容量電極１７１及び画素電極９ａをこれらの下層側に設けられた各部と共に図示している。図１０は、容量電極１７１の変形例を示す平面図である。図１１は、図８及び図９の下層側における画素部の平面構造を示した平面図である。図１２は、図１１、図８及び図９をこの順で積層してなるＴＦＴアレイ基板１０の画素部におけるＢ−Ｂ´断面図である。図１２では、図６と同様に、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層・各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

図１２において、本実施形態の液晶装置２００は、非開口領域に設けられた保持容量７０ａと、保持容量７０ａの上層側に設けられた透明な保持容１７０とを備えている。保持容量１７０が本発明の第２の発明における「第２保持容量」の一例である。本実施形態の液晶装置２００では、非開口領域に不透明な保持容量７０ａを設けると共に、保持容量７０ａと電気的に並列に接続された透明な保持容量１７０を非開口領域から開口領域に渡って設けることにより、保持容量１７０を設けた分、電位保持特性が高められている。

保持容量７０ａ及び１７０は、第１実施形態と同様に固定電位側電極とされる容量電極１７１及び上部容量電極３００ａが電気的に接続されているため、電気的に並列に接続されている。したがって、保持容量７０ａを開口領域に延在されることによって得られる容量以上の容量が確保される。加えて、透明な保持容量１７０は開口領域を透過する光を遮光しないため、非開口領域にのみ保持容量１７０を設ける場合に比べてより大きな容量を有する保持容量を確保できる。本実施形態では、ＴＦＴ３０の上層側且つ保持容量１７０の下層側に設けられた保持容量７０ａが不透明な材料で形成されているため、ＴＦＴ３０に上側から照射される光を保持容量７０ａで遮光できる。

次に、図８、図９、図１１及び図１２を参照しながら保持容量１７０に含まれる画素電極９ａ及び容量電極１７１の平面形状及びこれら電極の電気的な接続構造を説明する。

図８において、容量電極１７１は、非開口領域から開口領域に渡って延在されており、非開口領域に設けられたコンタクトホール１８０ａに電気的に接続されている。図９において、透明な画素電極９ａは非開口領域から開口領域に延在されており、非開口領域に設けられたコンタクトホール８９に電気的に接続されている。容量電極１７１及び重畳部９ａａは、開口領域のほぼ全体と重なるように開口領域に延在されている。図１１に示すように重畳部９ａａは、コンタクトホール８９、第３中継電極４０２、コンタクトホール８０４、第２中継電極６ａ２、コンタクトホール８８２、中継電極７１９及びコンタクトホール８８１を介して下部容量電極７１に電気的に接続されており、画素電位になるように電位が維持されている。容量電極１７１及び上部容量電極３００はコンタクトホール１８０ａ、１８０ｂ、及び１８０ｃを介して互いに電気的に接続されているため、固定電位に維持されている。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０上の異なる層に保持容量７０ａ及び１７０の夫々が形成されていてもこれら保持容量を電気的に並列に接続でき、各保持容量だけでは確保できない大きな容量を有する保持容量をＴＦＴアレイ基板１０に形成できる。

このように、本実施形態の液晶装置２００によれば、第１実施形態の液晶装置１と同様に画像信号を一時的に保持する電位保持能力を高めることができると共に、画素における輝度を低下させることがない。よって、フリッカ等の表示画像の乱れの抑制及び明るい画像表示が可能である。

尚、図１２では、容量電極１７１が、コンタクトホール１８０ｂ及び１８０ｃを介して上部容量電極３００ａに電気的に接続されているのではなく、不図示のコンタクトホールを介して上部容量電極３００ａと電気的に接続された容量配線４００とコンタクトホール１８０ａを介してのみ電気的に接続されていてもよい。コンタクトホール１８０ａのみを介して容量電極１７１及び容量配線４００を電気的に接続することによって、第４層間絶縁膜４４にのみコンタクトホール１８０ａを形成すればよいため、浅いコンタクト形成で済み、コンタクトエッチングが簡単になる。

次に、図１０を参照しながら、容量電極１７１の変形例を説明する。図１０において、ＩＴＯ等の透明な材質からなる容量電極１７１は、平面的に見て図中縦方向、即ちデータ線が延びる方向に沿って複数の画素領域に渡って延在されている。したがって、各画素領域に容量電極１７１を形成する場合に比べて、容量電極１７１の面積を大きくとることが可能であり、保持容量を大きくとることができる。また、容量電極１７１は図中横方向、即ち走査線に沿って各画素領域に延在されることによって面積が大きくとられていてもよいし、格子状に形成されていてもよい。つまり、コンタクトホールを避けるように形成されていれば、画像表示領域の全面に形成することも可能である。

＜第３実施形態＞
次に、図１３を参照しながら本実施形態の液晶装置の構成を説明する。図１３は、図１２に対応する断面図である。

図１３において、第２保持容量は、画素電極９ａの一部９ａａ、誘電体膜１７５及び容量配線４００から構成されている。容量配線４００は、第３中継電極４０２と同一層に形成されており、ＩＴＯ等の透明材料で形成されている。

したがって、保持容量１７０の固定電位側電極として兼用される容量配線４００を平面的に広げることができ、容量配線４００の電気抵抗を抑制しつつ、固定電位に維持された他の導電部に容量配線４００を容易に接続できる。

＜電子機器＞
次に、上述した液晶装置が適用された各種電子機器を説明する。

先ず、上述の液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。図１４は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。図１４に示すように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。ランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６および２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇに入射される。

液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等の構成を有しており、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動される。これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。ダイクロイックプリズム１１１２においては、ＲおよびＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。したがって、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写される。

但し、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要である。

尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂおよび１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。

次に、上述の液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータを説明する。図１５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図１５において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、先に述べた液晶装置１００５の背面にバックライトを付加することにより構成されている。

さらに、上述の液晶装置が適用された携帯電話を説明する。図１６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図１６において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の液晶装置１００５を備えるものである。この反射型の液晶装置１００５にあっては、必要に応じてその前面にフロントライトが設けられる。

尚、図１４から図１６を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、本実施形態の液晶装置は、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。

尚、本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。より具体的には、本発明の電気光学装置、又は電子機器を、例えばＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）、ＤＭＤ（Digital Micro mirror Device）、有機ＥＬ装置など、各種の透過型、反射型、自発光型のデバイスに適用可能である。

本発明の第１実施形態における電気光学装置の全体構成を表す平面図である。 図１のＨ−Ｈ´断面図である。 第１実施形態における複数の画素部に含まれる各種素子、配線等の等価回路図である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図６における符号７０（保持容量）までの下層の部分）に係る構成のみを示すものである。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図６における符号７０（保持容量）を超えて上層の部分）に係る構成のみを示すものである。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図である。 図４及び図５を重ね合わせた場合のＡ−Ａ´断面図に対応する変形例の断面図である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、中層部分（図１１における符号１７１（容量電極）から符号７０（保持容量）間での中層の部分）に係る構成を示すものである。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、上層部分（図１１における符号９ａ（画素電極）までの上層の部分）に係る構成を示すものである。 図８に示した容量電極１７１のレイアウトの変形例を示す平面図である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図であって、下層部分（図１１における符号１１ａ（走査線）までの下層の部分）に係る構成を示すものである。 図８、図９、及び図１１を重ね合わせた場合のＢ−Ｂ´断面図である。 本発明の第３実施形態における電気光学装置の断面図である。 本発明の第１又は第２の発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。 本発明の第１又は第２の発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の第１又は第２の発明に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。

符号の説明

１、１００、２００・・・液晶装置、９ａａ・・・重畳部、７０、７０ａ、１７０・・・保持容量、７１・・・下部容量電極、７５、１７５・・・誘電体膜、１７１・・・容量電極、３００・・・上部容量電極

Claims (7)

1. 走査線及びデータ線と、
   前記データ線と重なるように設けられたトランジスタと、
   前記トランジスタに対応して画素毎に設けられた画素電極と、
   前記画素電極に供給された画像信号を一時的に保持する透明な第１保持容量と、
   前記第１保持容量の上層に設けられており、前記第１保持容量と電気的に並列に接続された透明な第２保持容量とを備え、
   前記第１保持容量は、前記走査線及び前記データ線と重なるように延在すると共に、前記画素の非開口領域を覆うように前記画素電極と重ねて設けられ、
   前記第２保持容量は、前記画素電極と、前記第１保持容量の一方の容量電極に電気的に接続された容量電極とを含んで構成されること
   を特徴とする電気光学装置。
2. 前記第１保持容量は、前記トランジスタに電気的に接続された透明な画素電位側容量電極と、透明な第１固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記第１固定電位側容量電極に挟まれた透明な第１誘電体膜とを備えたこと
   を特徴とする請求項１に記載に電気光学装置。
3. 前記第２保持容量は、前記第１保持容量の上層側且つ前記画素電極の下層側に形成された透明な第２固定電位側容量電極と、前記第２固定電位側容量電極及び前記画素電極間に形成された透明な第２誘電体膜とを含んでおり、
   前記画素電極は透明電極であり、
   前記画素電極のうち平面的に見て前記第２固定電位側容量電極と重なる部分が、前記第２固定電位側容量電極と一対とされる容量電極として兼用されていること
   を特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
4. 前記第１保持容量は、前記トランジスタに電気的に接続された透明な画素電位側容量電極と、透明な第１固定電位側容量電極と、前記画素電位側容量電極及び前記第１固定電位側容量電極に挟まれた透明な第１誘電体膜とを備え、
   前記第２保持容量は、前記第１保持容量の上層側且つ前記画素電極の下層側に形成された透明な第２固定電位側容量電極と、前記第２固定電位側容量電極及び前記画素電極間に形成された透明な第２誘電体膜とを含んでおり、
   前記画素電極は透明電極であり、
   前記画素電極のうち平面的に見て前記第２固定電位側容量電極と重なる部分が、前記第２固定電位側容量電極と一対とされる容量電極として兼用されており、
   前記第１保持容量及び前記第２保持容量は、前記第１固定電位側容量電極及び前記第２固定電位側容量電極間に形成された導電部を介して電気的に並列に接続されていること
   を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記データ線は、前記第１保持容量の上層側、且つ前記第２保持容量の下層側に設けられており、前記トランジスタに照射される光を遮るように前記非開口領域に延在されていること
   を特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載に電気光学装置。
6. 前記第１保持容量の上層側且つ前記第２保持容量の下層側に形成された容量配線を更に備え、
   前記導電部は前記容量配線を介して前記第１保持容量及び前記第２保持容量を電気的に接続していること
   を特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
7. 請求項１から６の何れか一項に記載の電気光学装置を具備してなること
   を特徴とする電子機器。

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