JP5090117B2 - 電子部品 - Google Patents
電子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5090117B2 JP5090117B2 JP2007254661A JP2007254661A JP5090117B2 JP 5090117 B2 JP5090117 B2 JP 5090117B2 JP 2007254661 A JP2007254661 A JP 2007254661A JP 2007254661 A JP2007254661 A JP 2007254661A JP 5090117 B2 JP5090117 B2 JP 5090117B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- coil
- conductive pattern
- inductor
- substrate
- lower electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 claims description 17
- 239000003550 marker Substances 0.000 claims description 17
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 39
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 plated bumps Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0266—Marks, test patterns or identification means
- H05K1/0269—Marks, test patterns or identification means for visual or optical inspection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F17/00—Fixed inductances of the signal type
- H01F17/0006—Printed inductances
- H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
- H01L23/645—Inductive arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/01—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate comprising only passive thin-film or thick-film elements formed on a common insulating substrate
- H01L27/016—Thin-film circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/10—Inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/06—Frequency selective two-port networks including resistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54426—Marks applied to semiconductor devices or parts for alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
- H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
- H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/16—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor
- H05K1/165—Printed circuits incorporating printed electric components, e.g. printed resistor, capacitor, inductor incorporating printed inductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/03—Conductive materials
- H05K2201/0332—Structure of the conductor
- H05K2201/0388—Other aspects of conductors
- H05K2201/0391—Using different types of conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09663—Divided layout, i.e. conductors divided in two or more parts
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
- H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
本発明は電子部品に関し、導電性パターンを有する電子部品に関する。
位相整合等を行う場合、インダクタやキャパシタが用いられる。例えば、携帯電話やワイヤレスＬＡＮ（Local Area Network)等のＲＦ（Radio frequency)システムにおいては、小型化、低コスト化、高性能化の要求がある。この要求を満たすため、基板上にインダクタやキャパシタ等の受動素子を集積化した集積型受動素子等の電子部品が用いられる。
集積型受動素子をパッケージまたはモジュール基板に実装する場合、高性能化のためフェースダウン実装を行うことが有効である。集積化受動素子をフェースダウン実装するためには、まず、集積化受動素子の外部に接続するためのパッド上に、金等のスタッドバンプ、めっきバンプ、または、半田ボールを形成する。スタットバンプはワイヤボンダを用い形成され、半田ボールはボールマウンタを用い形成される。次に、フリップチップボンダを用い、集積化受動素子をパッケージまたはモジュール基板に実装する。
特許文献１には、基板上にスパイラル状のコイルをインダクタとして用いた集積電子部品が開示されている。特許文献２および特許文献３には、スパイラル状の複数のコイルが縦方向に離間して設けられたインダクタが開示されている。
特開２００６−１５７７３８号公報
特開２００７−６７２３６号公報
米国特許第６５１８１６５号明細書
ワイヤボンダ、ボールマウンタまたはフリップチップボンダ等のボンダを使用する際は、位置確認用マーカを、予め集積化受動素子内に形成する。ボンディングの際は、位置確認用マーカを基準に、スタッドバンプや半田ボールの形成またはフリップチップ実装を行う。ボンダにおいて、位置確認用マーカの認識は画像認識によって行われる。このため、位置確認用マーカの大きさやコントラストはボンダが画像認識できる程度であることが求められる。したがって、位置確認用マーカは一定以上の大きさで、かつ光の反射率の大きな導電性パターンとすることが求められる。一方、導電性である位置確認用マーカが大きくなると、コイルからの誘導電流が位置確認用マーカに生じて渦電流損が発生しインダクタ特性に影響を及ぼしてしまう。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、導電性パターンを有する電子部品において、導電性パターンの画像認識が可能で、導電性パターンのインダクタ特性への影響を抑制することを可能とすることを目的とする。
本発明は、基板と、前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、前記コイルの内側に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された導電性パターンと、前記基板上に下部電極と前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極とを含み、前記コイルと電気的に接続されたキャパシタと、を具備し、前記導電性パターンは、前記下部電極と同じ材料から形成され、前記コイルはめっき層から形成されることを特徴とする電子部品である。本発明によれば、導電性パターンの光の反射率が高いため導電性パターンの画像認識が可能であり、かつ導電性パターンが複数に分割されているため導電性パターンのインダクタ特性への影響を抑制することができる。
上記構成において、前記コイルは、縦方向に離間して設けられ互いに電気的に接続された複数のコイルである構成とすることがでできる。
上記構成において、前記複数に分割された導電性パターンは、位置確認用マーカである構成とすることができる。また、上記構成において、前記複数に分割された導電性パターンは、画像認識用パターンである構成とすることができる。さらに、上記構成において、前記複数の分割された導電性パターンそれぞれの形状は、円形、方形、三角形、菱形および楕円形のいずれかである構成とすることができる。
本発明は、基板と、前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、前記コイルの外周から前記コイルの半径の距離以内に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された位置確認用マーカである導電性パターンと、前記基板上に下部電極と前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極とを含み、前記コイルと電気的に接続されたキャパシタと、を具備し、前記導電性パターンは画像認識用パターンであり、前記導電性パターンは、前記下部電極と同じ材料から形成され、前記コイルはめっき層から形成されることを特徴とする電子部品である。
本発明によれば、導電性パターンの光の反射率が高いため導電性パターンの画像認識が可能であり、かつ導電性パターンが複数に分割されているため導電性パターンのインダクタ特性への影響を抑制することができる。
以下、図面を参照に、本発明の実施例について説明する。
大きな位置確認用マーカは、集積化受動素子のチップ面積削減の障害となる。そこで、インダクタのコイル内に位置確認用マーカを配置することが考えられる。しかしながら、インダクタコイル内に位置確認用マーカを配置するとインダクタのインダクタンスおよびＱ値（先鋭度）が低下することがわかった。以下に、この課題を解決するために行った実験および実施例１について説明する。
図１から図４は試作したインダクタ素子の平面図である。図１は比較例１に係るインダクタ素子、図２は実施例１に係るインダクタ素子、図３は実施例１の変形例に係るインダクタ素子、図４は比較例２に係るインダクタ素子を示している。図１から図４において、インダクタ素子は全て同じ構成である。図１を参照に、作製したインダクタ素子の構成を説明する。インダクタ素子はガラス基板２５上に設けられたインダクタ３０とパッド４０および４２を有している。インダクタ３０は円形スパイラル状の第１コイル１０と第２コイルとを有している。基板２５上にスパイラル状の第１コイル１０、第１コイル１０上にスパイラル状の第２コイル２０が離間して設けられ、第１コイル１０と第２コイル２０との間は空隙となっている。すなわち大気が充満している。第１コイル１０および第２コイル２０はほぼ重なるように設けられている。第１コイル１０は、最外周においてパッド４０に接続され１周のスパイラルである。第２コイル２０は、最外周においてパッド４２に接続され１．５周のスパイラルである。第１コイル１０と第２コイル２０とは、最内周において接続部１５で接続されている。インダクタ３０の外径Ｄは４８０μｍ、内径ｄは３００μｍ、線幅Ｌは４０μｍ、線間隔Ｓは１０μｍである。
図２を参照に、実施例１に係るインダクタ素子においては、インダクタ３０の内径内に位置確認用マーカとして導電性パターン５０ａが設けられている。導電性パターン５０ａは、一辺Ｌ１が１５μｍの正方形パターンが３６個と、辺Ｌ１および辺Ｌ２がそれぞれ１５μｍおよび３０μｍの長方形パターンが８個と、最小幅Ｌ１および最大幅Ｌ３がそれぞれ１５μｍおよび７０μｍで中央に設けられた十字パターンとを有している。正方形パターンと長方形パターンとの間隔は５μｍであり、導電性パターン５０ａの外辺Ｌ４は１５０μｍである。
図３を参照に、実施例１の変形例に係るインダクタ素子においては、インダクタ３０の内径内に位置確認用マーカとして導電性パターン５０ｂが設けられている。導電性パターン５０ｂは、一辺Ｌ５が６５μｍの正方形パターンが４個と、最小幅Ｌ７および最大幅Ｌ６がそれぞれ２５μｍおよび７５μｍで中央に設けられた十字パターンとを有している。正方形パターン同士の間隔は５０μｍであり、導電性パターン５０ｂの外辺Ｌ８は１８０μｍである。
図４を参照に、実施例１に係るインダクタ素子においては、インダクタ３０の内径内に位置確認用マーカとして導電性パターン５０ｃが設けられている。導電性パターン５０ｃは、一辺Ｌ８が１８０μｍの正方形パターンである。第１コイル１０および第２コイル２０は、めっき法を用い形成された膜厚が約１０μｍの銅からなる。一方、導電性パターン５０ａから５０ｃは、スパッタ法を用い形成された下から順にチタン（２０ｎｍ）／金（１０００ｎｍ）からなる。第１コイル１０および第２コイル２０はめっき法を用い形成されているため、表面に形成される凹凸が大きく、光の反射率は小さい。一方、導電性パターン５０ａから５０ｃはスパッタ法を用い形成され、かつ表面が金のため、表面の光の反射率が大きい。
図５は作製した各種類（比較例１、実施例１、実施例１の変形例および比較例２）のインダクタ素子のＱ値を測定した結果を示す図であり、図６は作製した各種類のインダクタ素子のインダクタンス値を測定した結果を示す図である。図５および図６において、各種類のインダクタ素子について図示された複数のドットは、１つの種類につき測定した複数のインダクタ素子の結果である。
図５を参照に、Ｑ値は、比較例１が最も大きく、比較例２が最も小さい。実施例１およびその変形例は、比較例１および比較例２の間の値となる。図６を参照に、インダクタンス値は、比較例１が最も大きく、比較例２が最も小さい。実施例１およびその変形例は比較例１とほとんど同じインダクタンス値である。
比較例１に係るインダクタ素子は、インダクタ３０内に導電性パターンが設けられておらず、本来のＱ値およびインダクタンス値を有している。これに対し比較例２に係るインダクタンス素子は、インダクタ３０内に導電性パターンを設けることにより、Ｑ値およびインダクタンス値が小さくなっている。これは、インダクタ３０内に導電性パターン５０ｃを配置したことに起因し、渦電流損が生じたためである。実施例１およびその変形例においては、導電性パターン５０ａおよび５０ｂが分割されている。このため、導電性パターン５０ａおよび５０ｂに生じる渦電流が抑制され、インダクタ３０のＱ値およびインダクタンス値が比較例２に対し向上する。
実施例１によれば、導電性パターン５０ａまたは５０ｂが第１コイル１０および第２コイル２０の内側に設けられていることにより、導電性パターン５０ａまたは５０ｂを配置するチップ面積を削減することができる。また、導電性パターン５０ａまたは５０ｂが複数に分割されていることにより、図５および図６に示したように導電性パターン５０ａまたは５０ｂのインダクタ特性への影響を抑制することができる。さらに、導電性パターン５０ａまたは５０ｂの光の反射率が、第１コイル１０および第２コイル２０の光の反射率より高いことにより、導電性パターン５０ａまたは５０ｂを一体として位置確認用マーカとして使用することができる。ワイヤボンダ、ボールマウンタまたはフリップチップボンダ等のボンダを使用する際の位置の認識は、光学顕微鏡を用い行われる。このため、パターンの光の反射率が高いと分割されたパターンは一体として認識される。よって、導電性パターン５０ａおよび５０ｂを一体として画像認識用パターンとして用いることができる。
実施例２は、インダクタとキャパシタとを用いた集積化受動素子の例である。図７は実施例２に係る集積化受動素子の上面図である。図７を参照に、基板１０２上に、第１コイル１１１および第２コイル１１２からなるインダクタ１１０並びに第１コイル１２１および第２コイル１２２からなるインダクタ１２０が形成されている。インダクタ１１０の第１コイル１１１および第２コイル１１２の内端は接続部１６５により互いに接続され、第１コイル１１１は外端で配線１５１に接続され、第２コイル１１２は外端で接続部１６０を介し配線１５２に接続されている。インダクタ１２０の第１コイル１２１および第２コイル１２２の内端は接続部１７５により互いに接続され、第１コイル１２１は外端で配線１５３に接続され、第２コイル１２２は外端で接続部１７０を介し配線１５４に接続されている。配線１５１から１５４は基板１０２上に形成され、それぞれパッド１３１から１３４に接続されている。パッド１３２と１３３とは配線１５７で接続されている。パッド１３１と１３４の間には、下部電極１４１、誘電体層１４２および上部電極１４３からなるキャパシタ１４０が接続されている。上部電極１４３と配線１５１とは上部の配線１５６で接続されている。パッド１３１を入力、パッド１３４を出力、パッド１３２および１３３を接地することにより、集積化受動素子は、パッド１３１と１３４間にπ型Ｌ−Ｃ−Ｌ回路を構成する。インダクタ１１０の外径Ｄ１は３５０μｍ、内径ｄ１は２００μｍ、インダクタ１２０の外径Ｄ２は４００μｍ、内径ｄ２は１９０μｍである。第１コイル１１１および１２１並びに第２コイル１１２および１２２の線幅は１５μｍ、線間隔は１５μｍである。
図７を参照に、第２コイル１１２および１２２の内側にそれぞれ導電性パターン５０が配置されている。導電性パターン５０は、一辺Ｌ９が１０μｍの正方形パターンが２１個からなり、外径は１１５μｍである。正方形パターンの間隔Ｓ９は１０μｍである。
実施例２に係る集積化受動素子を複数作製したところ、インダクタ１１０および１２０のインダクタンス値はそれぞれ設計値と±５％以内の精度で一致し、かつ高いＱ値を得ることができた。また、導電性パターン５０を用いスタッドバンプの形成およびフェースダウン実装を問題なく行うことができた。これにより、導電性パターン５０は画像認識用パターンとして用いることができることを確認した。
実施例３は導電性パターンの例である。図８（ａ）のように、導電性パターン５０ｄは、複数の正方形パターンが配列したパターンでもよい。また、図８（ｂ）のように、導電性パターン５０ｅは、複数の菱形パターンが配列したパターンでもよい。図８（ｃ）のように、導電性パターン５０ｆは楕円形パターンが配列したパターンでもよい。図９（ａ）のように、導電性パターン５０ｇは複数の三角形パターンが配列したパターンでもよい。図９（ｂ）のように、導電性パターン５０ｈは分割されたパターンが２重に配列された形状でもよい。図９（ｃ）のように、導電性パターン５０ｉは、分割されたパターンが２列に配列されたパターンでもよい。図９（ｄ）のように、導電性パターン５０ｊは、分割されたパターンが十字状に配置されたパターンでもよい。以上のように、導電性パターンは、ボンダ等に画像認識可能なパターンであれば、いずれのパターンでもよい。画像認識に用いる光は一般的には可視光であるが、赤外光等の可視光以外の光でもよい。
実施例４は、基板上にインダクタおよびキャパシタを形成する製造方法の例である。図１０（ａ）を参照に、基板１０２上に、ＭＩＭ（Metal Insulator Metal)キャパシタの下部電極１４１、導電性パターン５０およびパッドの下部層として金属層１８０をスパッタ法または蒸着法を用い形成する。基板１０２は、石英（合成石英を含む）、ガラス（パイレックス（登録商標）、テンパックス、アルミノシリケート、ホウケイ酸ガラスなど）、セラミック基板等の絶縁基板または高抵抗シリコン基板、ＬｉＮｂＯ３基板、ＬｉＴａＯ３基板等を用いることができる。金属層１８０は比較的抵抗が低いＡｌ、Ａｕ又はＣｕを主材料として用いることが好ましい。金属層１８０は多層構成でもよい。例えば、基板１０２側から順にＴｉ／Ａｕ／Ｎｉ／Ａｕ（２０ｎｍ／５００ｎｍ／２０ｎｍ／５００ｎｍ）の４層構成、またはＴｉ／Ａｕ／Ｔｉ（２０ｎｍ／１０００ｎｍ／２０ｎｍ）若しくはＴｉ／Ｃｕ／Ｔｉ（２０ｎｍ／１０００ｎｍ／２０ｎｍ）の３層構成とすることができる。
図１０（ｂ）を参照に、下部電極１４１上に誘電体層１４２をスパッタ法やＰＥＣＶＤ（Plasma enhanced chemical vapor deposition）法を用い形成する。誘電体層１４２としては、ＳｉＯ2、Ｓｉ3Ｎ4、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等を用いることができる。例えば、誘電体層１４２は、厚さが１９５ｎｍのＰＥＣＶＤ法を用い形成したＳｉＯ2膜である。図１０（ｃ）を参照に、電気メッキ用の種層１８２を形成する。種層１８２の材料として、後に電気めっきを行う材料と同じものが望ましく、例えばＴｉ／Ｃｕ（２０ｎｍ／５００ｎｍ）をスパッタ法を用い形成する。
図１０（ｄ）を参照に、種層１８２上にめっきを行う開口部を有するフォトレジス２００を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８４を形成する。
図１１（ａ）を参照に、フォトレジスト２００を除去する。めっき層１８４をマスクに種層１８２を除去する。めっき層１８４および種層１８２により、インダクタ１１０、キャパシタの上部電極１４３、パッド部等が形成される。下部電極１４１、誘電体層１４２および上部電極１４３によりキャパシタ１４０が形成される。めっき層１８４を覆うように上面が平坦な厚膜誘電体層１９０を形成する。厚膜誘電体層１９０としては、ポリイミド、ＢＣＢ（Benzocyclobutene）等を用いることができる。厚膜誘電体層１９０のパッドとなるべき領域等の所定領域を除去する。
図１１（ｂ）を参照に、厚膜誘電体層１９０上に種層１８２と同じ膜厚の種層１８６を形成する。種層１８６上に開口部を有するフォトレジスト２０２を形成する。開口部内に電解めっきを行い、例えば膜厚が１０μｍのＣｕからなるめっき層１８８を形成する。めっき層１８８上にＮｉ／Ａｕからなる表面層１８９を形成する。
図１１（ｃ）を参照に、フォトレジスト２０２を除去する。表面層１８９をマスクに種層１８６を除去する。種層１８６、めっき層１８８および表面層１８９により、パッド１３１および１３３並びに上部配線１９２が形成される。以上により、実施例４に係る集積化受動素子が完成する。実施例４に係る集積化受動素子において、インダクタ１１０は、特許文献１と同様にスパイラル状のコイルが１層で形成されている。このように、インダクタ１１０はスパイラル状のコイルが１層でもよい。また、実施例１および実施例２のように、インダクタは、縦方向に離間して設けられ互いに電気的に接続された複数のコイルでもよい。
実施例４によれば、図１０（ａ）のように、導電性パターン５０は、基板１０２上に形成されたキャパシタ１４０の下部電極１４１と同時に形成されている。つまり、導電性パターン５０は、下部電極１４１と同じ材料からなる。これにより、製造工程を簡略化することができる。また、導電性パターン５０の光の反射率を高くするためは、導電性パターン５０の上面が平坦であることが好ましい。よって、導電性パターン５０をスパッタ法または蒸着法を用い形成することが好ましい。
実施例１および実施例２に係るインダクタ素子の製造は、特許文献１に記載された方法で製造することができる。この場合も実施例４のように、キャパシタの下部電極と同時に導電性パターンを形成することができる。
実施例５は導電性パターンがコイルの外にある例である。図１２は実施例５に係るインダクタ素子の平面図である。図１２を参照に、実施例１の図２と比較して、導電性パターン５０ａがインダクタ３０の外側に設けられている。導電性パターン５０ａは、インダクタ３０の外周からインダクタ３０の半径Ｄ／２外側の円１１(径が２Ｄの円）の内側に形成されている。インダクタ３０の磁場はインダクタ３０の外側にも発生している。インダクタ３０の外側の磁場はインダクタ３０の半径程度の距離まで及ぶ。よって、導電性パターン５０ａがインダクタ３０（つまり第１コイル１０および第２コイル２０）の外周からインダクタ３０の半分の距離以内に設けられる場合にも、導電性パターンを分割することが有効である。これにより、インダクタ３０のＱ値およびインダクタンス値の低下を抑制することができる。
実施例１から実施例５において、導電性パターンの材料は、基板との密着性の高い高融点材料、例えばＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗ等と、高周波抵抗の低いＡｕ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ等とを積層した膜が好ましい。特に、Ｔｉ／Ａｕ／Ｔｉ、Ｔｉ／Ｃｕ／Ｔｉ、ＣｒまたはＮｉ／ＡｕまたはＣｕを用いることが好ましい。これにより、導電性パターンの高周波抵抗を低減でき、基板との密着性を向上させることができる。さらに、導電性パターンとキャパシタの下部電極とを同じ材料で形成した場合、下部電極とキャパシタの誘電体層との密着性を高めることができる。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 第１コイル
２０ 第２コイル
２５ 基板
３０ インダクタ
５０ 導電性パターン
１４１ 下部電極
２０ 第２コイル
２５ 基板
３０ インダクタ
５０ 導電性パターン
１４１ 下部電極
Claims (6)
- 基板と、
前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、
前記コイルの内側に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された導電性パターンと、
前記基板上に下部電極と前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極とを含み、前記コイルと電気的に接続されたキャパシタと、
を具備し、
前記導電性パターンは、前記下部電極と同じ材料から形成され、前記コイルはめっき層から形成されることを特徴とする電子部品。 - 前記コイルは、縦方向に離間して設けられ互いに電気的に接続された複数のコイルであることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
- 前記複数に分割された導電性パターンは、位置確認用マーカであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
- 前記複数に分割された導電性パターンは、画像認識用パターンであることを特徴とする請求項１または２記載の電子部品。
- 前記複数の分割された導電性パターンそれぞれの形状は、円形、方形、三角形、菱形および楕円形のいずれかであることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項記載の電子部品。
- 基板と、
前記基板上に設けられたスパイラル状のコイルと、
前記コイルの外周から前記コイルの半径の距離以内に設けられ、前記コイルの表面の光の反射率より高い光の反射率を有し、複数に分割された位置確認用マーカである導電性パターンと、
前記基板上に下部電極と前記下部電極上に形成された誘電体層と前記誘電体層上に形成された上部電極とを含み、前記コイルと電気的に接続されたキャパシタと、
を具備し、
前記導電性パターンは画像認識用パターンであり、
前記導電性パターンは、前記下部電極と同じ材料から形成され、前記コイルはめっき層から形成されることを特徴とする電子部品。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007254661A JP5090117B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 電子部品 |
| KR1020080094707A KR101150638B1 (ko) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | 전자 부품 |
| US12/239,202 US8259459B2 (en) | 2007-09-28 | 2008-09-26 | Electronic device |
| CN2008101497904A CN101447276B (zh) | 2007-09-28 | 2008-09-27 | 电子器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007254661A JP5090117B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 電子部品 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009088162A JP2009088162A (ja) | 2009-04-23 |
| JP2009088162A5 JP2009088162A5 (ja) | 2010-10-07 |
| JP5090117B2 true JP5090117B2 (ja) | 2012-12-05 |
Family
ID=40661215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007254661A Active JP5090117B2 (ja) | 2007-09-28 | 2007-09-28 | 電子部品 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8259459B2 (ja) |
| JP (1) | JP5090117B2 (ja) |
| KR (1) | KR101150638B1 (ja) |
| CN (1) | CN101447276B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8389385B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-03-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011013673A1 (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-03 | 株式会社ティーアイビーシー | 配線基板および配線基板の製造方法 |
| FR2961345A1 (fr) | 2010-06-10 | 2011-12-16 | St Microelectronics Tours Sas | Circuit integre passif |
| CN103094695B (zh) * | 2011-10-31 | 2016-05-04 | 深圳光启高等理工研究院 | 一种超材料的封装方法 |
| JP2017063146A (ja) * | 2015-09-25 | 2017-03-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | トランス装置およびその製造方法 |
| CN105679711A (zh) * | 2016-01-15 | 2016-06-15 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 射频工艺中减小带电感器件的芯片面积的方法及应用 |
| JP6593209B2 (ja) * | 2016-02-05 | 2019-10-23 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| JP6889399B2 (ja) * | 2017-08-08 | 2021-06-18 | 大日本印刷株式会社 | 貫通電極基板 |
| US11605492B2 (en) * | 2017-11-13 | 2023-03-14 | Tdk Corporation | Coil component |
| JP7266996B2 (ja) | 2018-11-20 | 2023-05-01 | 太陽誘電株式会社 | インダクタ、フィルタおよびマルチプレクサ |
| KR102671967B1 (ko) | 2019-03-05 | 2024-06-05 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
| JP6634184B1 (ja) * | 2019-09-30 | 2020-01-22 | 株式会社フジクラ | フレキシブルプリント配線板及びその製造方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6133623Y2 (ja) * | 1980-03-19 | 1986-10-01 | ||
| JPH04228135A (ja) * | 1990-12-26 | 1992-08-18 | Sony Corp | 磁界変調型光磁気ヘッドの組立方法 |
| US5420757A (en) * | 1993-02-11 | 1995-05-30 | Indala Corporation | Method of producing a radio frequency transponder with a molded environmentally sealed package |
| JP3177954B2 (ja) | 1997-11-20 | 2001-06-18 | 日本電気株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| KR20000011585A (ko) | 1998-07-28 | 2000-02-25 | 윤덕용 | 반도체소자및그제조방법 |
| JP2000058329A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 積層インダクタ並びにその整列測定装置および整列測定方法 |
| JP2001044105A (ja) | 1999-07-28 | 2001-02-16 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP4619551B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2011-01-26 | 株式会社トッパンＴｄｋレーベル | 書き換え可能な情報表示部を有する非接触ｉｃカード |
| US6304232B1 (en) * | 2000-02-24 | 2001-10-16 | The Goodyear Tire & Rubber Company | Circuit module |
| JP4223172B2 (ja) | 2000-05-15 | 2009-02-12 | 大日本印刷株式会社 | アンテナシートおよび非接触式データキャリア |
| JP4641096B2 (ja) * | 2000-12-07 | 2011-03-02 | 大日本印刷株式会社 | 非接触式データキャリア装置とブースターアンテナ部用配線部材 |
| JP2003124429A (ja) * | 2001-10-15 | 2003-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | モジュール部品 |
| JP3792635B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2006-07-05 | 富士通株式会社 | 電子装置 |
| JP2003296689A (ja) * | 2002-04-01 | 2003-10-17 | Nippon Information System:Kk | 非接触情報通信装置 |
| JP3881949B2 (ja) * | 2002-10-17 | 2007-02-14 | 東洋アルミニウム株式会社 | アンテナ回路構成体およびそれを備えた機能カードならびにアンテナ回路構成体の製造方法 |
| JP4367013B2 (ja) * | 2002-10-28 | 2009-11-18 | セイコーエプソン株式会社 | 非接触通信媒体 |
| JP2005045161A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Toppan Forms Co Ltd | アンテナシート |
| JP4762531B2 (ja) | 2004-11-30 | 2011-08-31 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品及びその製造方法 |
| JP4707056B2 (ja) * | 2005-08-31 | 2011-06-22 | 富士通株式会社 | 集積型電子部品および集積型電子部品製造方法 |
| JP2007173759A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-07-05 | Seiko Epson Corp | 高周波モジュール及びその製造方法 |
-
2007
- 2007-09-28 JP JP2007254661A patent/JP5090117B2/ja active Active
-
2008
- 2008-09-26 KR KR1020080094707A patent/KR101150638B1/ko active IP Right Grant
- 2008-09-26 US US12/239,202 patent/US8259459B2/en active Active
- 2008-09-27 CN CN2008101497904A patent/CN101447276B/zh active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8389385B2 (en) | 2009-02-04 | 2013-03-05 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor material manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101447276A (zh) | 2009-06-03 |
| US20090237894A1 (en) | 2009-09-24 |
| KR101150638B1 (ko) | 2012-05-25 |
| US8259459B2 (en) | 2012-09-04 |
| KR20090033115A (ko) | 2009-04-01 |
| CN101447276B (zh) | 2012-06-06 |
| JP2009088162A (ja) | 2009-04-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5090117B2 (ja) | 電子部品 | |
| CN110335739B (zh) | 线圈电子组件和制造该线圈电子组件的方法 | |
| JP4762531B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| KR101832559B1 (ko) | 코일 전자부품 | |
| KR102025708B1 (ko) | 칩 전자부품 및 그 실장기판 | |
| US11551847B2 (en) | Inductor | |
| JPH06290951A (ja) | 高精度表面実装型インダクタ | |
| JP5090118B2 (ja) | 電子部品 | |
| JP2010526456A (ja) | 電気部品 | |
| WO2007069794A1 (en) | Semiconductor device | |
| JP2020136392A (ja) | インダクタ部品 | |
| KR20160139967A (ko) | 코일 전자부품 | |
| KR102597150B1 (ko) | 인덕터 및 그 실장기판 | |
| KR20180006262A (ko) | 코일 부품 | |
| US8018027B2 (en) | Flip-bonded dual-substrate inductor, flip-bonded dual-substrate inductor, and integrated passive device including a flip-bonded dual-substrate inductor | |
| JP6288386B2 (ja) | 表面実装型ｌｃデバイス | |
| JP4675662B2 (ja) | 半導体装置 | |
| KR102154199B1 (ko) | 칩 전자부품 및 그 실장기판 | |
| JP5058770B2 (ja) | 電子部品 | |
| WO2023181806A1 (ja) | 電子部品 | |
| KR102130679B1 (ko) | 칩 전자부품 | |
| WO2020209261A1 (ja) | 非接触情報担体 | |
| JP2010268304A (ja) | 樹脂多層デバイスおよびその製造方法 | |
| KR102547736B1 (ko) | 코일 전자 부품 | |
| JP2006351687A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100818 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100818 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20101004 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20101202 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111222 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120213 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120911 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120912 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150921 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5090117 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |