JP5085179B2 - F級増幅回路 - Google Patents
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Description
図1は、本発明の第1の実施の形態に係るF級増幅器の模式的回路構成図を示し、図2は、本発明の第1の実施の形態に係るF級増幅器の模式的等価回路接続構成図を示す。
この様に、n=2の場合、第1のリアクタンス二端子回路12で3種類(図3〜図5)と第2のリアクタンス二端子回路14で3種類(図6〜図8)の合計9種類の組合せが可能となるので、インダクタやキャパシタの種類、サイズ、寄生リアクタンス、レイアウトなどを考慮して最適な回路を選定すれば良い。
図10は、本発明の第2の実施の形態に係るF級増幅器の模式的回路構成図を示す。
上記のように、本発明は第1乃至第2の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面はこの発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
12,12a,12b…第1のリアクタンス二端子回路
14,14a,14b…第2のリアクタンス二端子回路
16…基本波整合回路
16a,16b…基本波整合回路1
17a,17b…基本波整合回路2
18,18a,18b…チョークコイル
20,20a,20b…DCカットコンデンサ
22…負荷
26…外囲器
28…ボンディングワイヤ(BW)
32…高調波処理回路
34…パスコンサ
38…マイクロストリップ線路
40…入力側外部回路
42…入力ゲート側基本波整合回路
44…出力ドレイン側基本波整合回路
46…出力側外部回路
48…外囲器リード
50…バラン
Claims (16)
- 入力信号の角周波数ωoの成分およびその高調波成分を含む出力信号を出力する増幅素子と、
前記増幅素子の出力端子と接地端子を接続する第1のリアクタンス回路と、
前記増幅素子の前記出力端子側に配置される基本波整合回路と、
前記基本波整合回路の入力端子と前記増幅素子の前記出力端子間に接続される第2のリアクタンス回路と、
前記基本波整合回路の出力端子と前記接地端子を接続する負荷と
を備え、
前記増幅素子の出力インピーダンスを出力抵抗と出力容量からなる並列回路のインピーダンスとし、
前記第1のリアクタンス回路は、直流成分に対して開放、角周波数2ωo、4ωo、・・・、2nωo(ただし、nは1以上の自然数)成分に対して短絡、角周波数3ωo、5ωo、・・・、(2n+1)ωo成分に対して前記増幅素子の出力容量と並列共振し、
前記第2のリアクタンス回路は直流成分に対して短絡、角周波数3ωo、5ωo、・・・、(2n+1)ωo成分に対して開放となることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記第1のリアクタンス回路が、n個の直列共振回路を並列接続した回路であることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記第1のリアクタンス回路が、(n−1)個の並列共振回路と、1個のインダクタと、1個のキャパシタを直列接続した回路であることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記第1のリアクタンス回路が、直列インダクタと並列キャパシタを1段としたn段の梯子型回路であることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記第2のリアクタンス回路が、(n−1)個の直列共振回路と、1個のインダクタと、1個のキャパシタを並列接続した回路であることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記第2のリアクタンス回路が、n個の並列共振回路を直列接続した回路であることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記第2のリアクタンス回路が、並列キャパシタと直列インダクタを1段としたn段の梯子型回路であることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1記載のF級増幅器において、
前記第2のリアクタンス回路が、nが1の時は直流成分に対して短絡、nが2の時は直流成分と角周波数4ωoで短絡、nの時は直流成分と角周波数4ωo、6ωo、・・・、2nωoで短絡となることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1に記載のF級増幅器において、
前記基本波整合回路の少なくとも一部を前記負荷に移したことを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載のF級増幅回路において、
前記増幅素子は、接合ゲート型電界効果トランジスタであることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載のF級増幅回路において、
前記増幅素子は、ショットキーゲート型電界効果トランジスタであることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載のF級増幅回路において、
前記増幅素子は、絶縁ゲート型電界効果トランジスタであることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載のF級増幅回路において、
前記増幅素子は、高電子移動度電界効果トランジスタであることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1乃至9のいずれかに記載のF級増幅回路において、
前記増幅素子は、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタであることを特徴とするF級増幅回路。 - 請求項1乃至14のいずれかに記載のF級増幅回路を2個互いに逆相にプッシュプル動作させてバランで電力合成することを特徴とするF級増幅回路。
- 請求項15に記載のF級増幅回路において、
前記基本波整合回路の少なくとも一部の接地端子を接地から浮かして互いに接続したことを特徴とするF級増幅回路。
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