JP5084225B2 - 画像形成装置および画像形成方法 - Google Patents
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本発明者は、前述の課題を解決すべく、鋭意検討した結果、ハーフトーン(いわゆる中間色)でのゴースト画像の発生を検知し、その検知結果を用いて帯電および転写での作像条件を変更し、これによってハーフトーンでのゴースト画像の発生を抑えることが可能となり、電子写真装置の信頼性が飛躍的に向上することを見出して本発明を完成するに到った。ゴースト画像は、初期から発生することはないと考えられ、感光体が複写をたとえば数万回など、繰り返した後に発生する現象である。
表面電位計での結果と同様に、図5に示すフォトセンサ出力におけるトナー付着量差によって、ハーフトーンでのゴースト画像が検知できることが判る(図5のZの部分参照)。以上のように、本発明では、表面電位計またはフォトセンサの少なくとも1つの出力を検知し、作像条件を制御することにより、ハーフトーンにおけるゴースト画像の発生を抑制することができると考えられる。すなわち、図3の1周目のパターンに示すように、800V付近でのプラトー部(図3のA参照)は、図2の典型パターンの白色となっている部分であり、次いで交互に、黒→白→黒→白→黒→白→黒の窓状パターン後に、白となり次いでハーフトーン画像となっている。この黒→白の繰り返しが図3の表面電位では、800V近傍から一気に200V近傍→800V・・・と繰り返された後(図3のB〜H参照)、一旦、800V近傍のパターンとなり(図3のI参照)、その後520V近傍に低下し(図3のJ参照)、しばらくこの電位近傍に留まり、1週目が終了している。そして2週目の始まりでは、520V近傍から、480V近傍に低下し、その後上の電位が510〜520V、下の電位が480〜490程度で振動しているように振れている(図3の「ハーフトーンでのゴースト画像発生位置」参照)。これに対応するように、フォトセンサ出力を示した図5では、図3に示す800V付近でのプラトー部に対応してフォトセンサ出力が4V近傍のプラトー部が見られ(図5のA参照)、また図3の表面電位では、800V近傍から一気に200V近傍→800V・・・と繰り返された後、一旦、800V近傍となるのに対応して、4Vから1V→4V・・・と繰り返しの出力パターンとなり(図5のB〜H参照)、その後図3における一旦、800V近傍となるパターンに対応して、図5では4Vのプラトー部(図5のI参照)の後に、2V近傍のプラトー部(図5のJ参照)となってそれぞれ、対応していることがわかる。そして、図5においても、図3の「ハーフトーンでのゴースト画像発生位置」にあるような電位の振れと同様な2〜2.3V程度の範囲のフォトセンサ出力の振れを見出すことができた。この振れは、図3の「ハーフトーンでのゴースト画像発生位置」と同様のゴースト画像として検出された部分と対応している部分である。
(a)フェノール系化合物
2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソ−ル、2,6−ジ−t−ブチル−4−エチルフェノール、n−オクタデシル−3−(4'−ヒドロキシ−3',5'-ジ−t−ブチルフェノール)、2,2'−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2'−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4'−チオビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4'−ブチリデンビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェニル)ブタン、1,3,5−トリメチル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、テトラキス−[メチレン−3−(3',5'−ジ−t−ブチル−4'−ヒドロキシフェニル)プロピオネ−ト]メタン、ビス[3,3'−ビス(4'−ヒドロキシ−3'−t−ブチルフェニル)ブチリックアッシド]クリコールエステル、トコフェロール類など。
(b)パラフェニレンジアミン類
N−フェニル−N'−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N'−ジ−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N−フェニル−N−sec−ブチル−p−フェニレンジアミン、N,N'−ジ−イソプロピル−p−フェニレンジアミン、N,N'−ジメチル−N,N'−ジ−t−ブチル−p−フェニレンジアミンなど。
(c)ハイドロキノン類
2,5−ジ−t−オクチルハイドロキノン、2,6−ジドデシルハイドロキノン、2−ドデシルハイドロキノン、2−ドデシル−5−クロロハイドロキノン、2−t−オクチル−5−メチルハイドロキノン、2−(2−オクタデセニル)−5−メチルハイドロキノンなど。
(d)有機硫黄化合物類
ジラウリル−3,3'−チオジプロピオネート、ジステアリル−3,3'−チオジプロピオネート、ジテトラデシル−3,3'−チオジプロピオネートなど。
(e)有機燐化合物類
トリフェニルホスフィン、トリ(ノニルフェニル)ホスフィン、トリ(ジノニルフェニル)ホスフィン、トリクレジルホスフィン、トリ(2,4−ジブチルフェノキシ)ホスフィンなどである。
(a)リン酸エステル系可塑剤
リン酸トリフェニル、リン酸トリクレジル、リン酸トリオクチル、リン酸オクチルジフェニル、リン酸トリクロルエチル、リン酸クレジルジフェニル、リン酸トリブチル、リン酸トリ−2−エチルヘキシル、リン酸トリフェニルなどがある。
(b)フタル酸エステル系可塑剤
フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジイソブチル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジヘプチル、フタル酸ジ−2−エチルヘキシル、フタル酸ジイソオクチル、フタル酸ジ−n−オクチル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ジウンデシル、フタル酸ジトリデシル、フタル酸ジシクロヘキシル、フタル酸ブチルベンジル、フタル酸ブチルラウリル、フタル酸メチルオレイル、フタル酸オクチルデシル、フマル酸ジブチル、フマル酸ジオクチルなどがある。
(c)芳香族カルボン酸エステル系可塑剤
トリメリット酸トリオクチル、トリメリット酸トリ−n−オクチル、オキシ安息香酸オクチルなどがある。
(d)脂肪族二塩基酸エステル系可塑剤
アジピン酸ジブチル、アジピン酸ジ−n−ヘキシル、アジピン酸ジ−2−エチルヘキシル、アジピン酸ジ−n−オクチル、アジピン酸−n−オクチル−n−デシル、アジピン酸ジイソデシル、アジピン酸ジカプリル、アゼライン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジメチル、セバシン酸ジエチル、セバシン酸ジブチル、セバシン酸ジ−n−オクチル、セバシン酸ジ−2−エチルヘキシル、セバシン酸ジ−2−エトキシエチル、コハク酸ジオクチル、コハク酸ジイソデシル、テトラヒドロフタル酸ジオクチル、テトラヒドロフタル酸ジ−n−オクチルなどがある。
(e)脂肪酸エステル誘導体
オレイン酸ブチル、グリセリンモノオレイン酸エステル、アセチルリシノール酸メチル、ペンタエリスリトールエステル、ジペンタエリスリトールヘキサエステル、トリアセチン、トリブチリンなどがある。
(f)オキシ酸エステル系可塑剤
アセチルリシノール酸メチル、アセチルリシノール酸ブチル、ブチルフタリルブチルグリコレート、アセチルクエン酸トリブチルなどがある。
(g)エポキシ可塑剤
エポキシ化大豆油、エポキシ化アマニ油、エポキシステアリン酸ブチル、エポキシステアリン酸デシル、エポキシステアリン酸オクチル、エポキシステアリン酸ベンジル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジオクチル、エポキシヘキサヒドロフタル酸ジデシルなどがある。
(h)二価アルコールエステル系可塑剤
ジエチレングリコールジベンゾエート、トリエチレングリコールジ−2−エチルブチラートなどがある。
(i)含塩素可塑剤
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化脂肪酸メチル、メトキシ塩素化脂肪酸メチルなどがある。
(j)ポリエステル系可塑剤
ポリプロピレンアジペート、ポリプロピレンセバケート、ポリエステル、アセチル化ポリエステルなどがある。
(k)スルホン酸誘導体
p−トルエンスルホンアミド、o−トルエンスルホンアミド、p−トルエンスルホンエチルアミド、o−トルエンスルホンエチルアミド、トルエンスルホン−N−エチルアミド、p−トルエンスルホン−N−シクロヘキシルアミドなどがある。
(l)クエン酸誘導体
クエン酸トリエチル、アセチルクエン酸トリエチル、クエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリブチル、アセチルクエン酸トリ−2−エチルヘキシル、アセチルクエン酸−n−オクチルデシルなどがある。
(m)その他
ターフェニル、部分水添ターフェニル、ショウノウ、2−ニトロジフェニル、ジノニルナフタリン、アビエチン酸メチルなどがある。
(a)炭化水素系化合物
流動パラフィン、パラフィンワックス、マイクロワックス、低重合ポリエチレンなどがある。
(b)脂肪酸系化合物
ラウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸、アラキジン酸、ベヘン酸などがある。
(c)脂肪酸アミド系化合物
ステアリルアミド、パルミチルアミド、オレインアミド、メチレンビスステアロアミド、エチレンビスステアロアミドなどがある。
(d)エステル系化合物
脂肪酸の低級アルコールエステル、脂肪酸の多価アルコールエステル、脂肪酸ポリグリコールエステルなどがある。
(e)アルコール系化合物
セチルアルコール、ステアリルアルコール、エチレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリグリセロールなどがある。
(f)金属石けん
ステアリン酸鉛、ステアリン酸カドミウム、ステアリン酸バリウム、ステアリン酸カルシウム、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸マグネシウムなどがある。
(g)天然ワックス
カルナバロウ、カンデリラロウ、蜜ロウ、鯨ロウ、イボタロウ、モンタンロウなどがある。
(h)その他
シリコーン化合物、フッ素化合物などがある。
(a)ベンゾフェノン系
2−ヒドロキシベンゾフェノン、2,4−ジヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4−トリヒドロキシベンゾフェノン、2,2',4,4'−テトラヒドロキシベンゾフェノン、2,2'−ジヒドロキシ4−メトキシベンゾフェノンなどがある。
(b)サルシレート系
フェニルサルシレート、2,4ジ−t−ブチルフェニル3,5−ジ−t−ブチル4ヒドロキシベンゾエートなどがある。
(c)ベンゾトリアゾール系
(2'−ヒドロキシフェニル)ベンゾトリアゾール、(2'−ヒドロキシ5'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、(2'−ヒドロキシ5'−メチルフェニル)ベンゾトリアゾール、(2'−ヒドロキシ3'−ターシャリブチル5'−メチルフェニル)5−クロロベンゾトリアゾールなどがある。
(d)シアノアクリレート系
エチル−2−シアノ−3,3−ジフェニルアクリレート、メチル2−カルボメトキシ3(パラメトキシ)アクリレートなどがある。
(e)クエンチャー(金属錯塩系)
ニッケル(2,2'チオビス(4−t-オクチル)フェノレート)ノールマルブチルアミン、ニッケルジブチルジチオカルバメート、ニッケルジブチルジチオカルバメート、コバルトジシクロヘキシルジチオホスフェートなどがある。
(f)HALS(ヒンダードアミン)
ビス(2,2,6,6−テトラメチル−4−ピペリジル)セバケート、ビス(1,2,2,6,6−ペンタメチル−4−ピペリジル)セバケート、1−[2−〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ〕エチル]−4−〔3−(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオニルオキシ〕−2,2,6,6−テトラメチルピリジン、8−ベンジル−7,7,9,9−テトラメチル−3−オクチル−1,3,8−トリアザスピロ〔4,5〕ウンデカン−2,4−ジオン、4−ベンゾイルオキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジンなどがある。
6−ナイロン100部をメタノール160部に溶解し、これにホルムアルデヒド75部、リン酸2部を混合、撹拌し、125℃まで1時間かけて昇温した。125℃で30分間持続させた後、室温まで45分かけて冷却した。混合物は、半透明なゲル状であった。
リン酸を中和するために、過剰のアンモニアを含む95%エタノールに、前記ゲルを溶解した。この溶液を水中に注ぎ、ポリアミドを析出させた。
析出させたポリアミドを濾過し、1Lの水道水にて洗浄を行い、更に乾燥を行って、N−メトキシメチル化ナイロンを得た。
(電荷ブロッキング層用塗工液)
N−メトキシメチル化ナイロン(樹脂) 6.4部
メタノール 70部
n−ブタノール 30部
上記組成比で溶媒に樹脂のN−メトキシメチル化ナイロンを溶解し電荷ブロッキング層用塗工液を作製した。
酸化チタン(純度:99.8%) 70部
アルキッド樹脂 14部
(ベッコライトM6401-50-S(固形分50%)大日本インキ化学工業製)
メラミン樹脂 10部
(スーパーベッカミンG-821-60(固形分60%)、大日本インキ化学工業製)
2−ブタノン 100部
上記組成比からなる混合物をボールミルで72時間分散し、モアレ防止層用塗工液を作製した。
ポリカーボネート(TS2050:帝人化成社製) 10部
下記構造式1の電荷輸送物質 7部
直径100mmのアルミニウムシリンダー(JIS1050)に上記電荷ブロッキング層用塗工液、モアレ防止層用塗工液、電荷発生層塗工液2、および電荷輸送層塗工液を、順次塗布・乾燥し、1.0μmの電荷ブロッキング層、3.5μmのモアレ防止層、0.3μmの電荷発生層、30μmの電荷輸送層を形成し、電子写真感光体を作製した。続いて、得られた電子写真感光体を100℃で10時間熱処理を実施し、実施例1の電子写真感光体を得た。
直径100mmのアルミニウムシリンダー(JIS1050)上にポリアミド樹脂(商品名:アミランCM8000、東レ製)の5%メタノール溶液を浸漬法で塗布し、0.3μm厚の下引層を設けた。なお、アルミニウムシリンダーには、モアレが発生しないような切削処理を施した。
次に、CuKαのX線回折における回折角2θ±0.2°の9.0°、14.2°、23.9°及び27.1°に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン顔料を10部、ポリカーボネートZ樹脂(重量平均分子量28,000)10部及びシクロヘキサン60部を1φガラスビーズを用いたサンドミル装置で20時間分散した。この分散液にメチルエチケトン100部を加えた溶液を、上記下引層上に塗布し、乾燥することによって電荷発生層を形成した。膜厚は0.12μmであった。
電荷輸送性構造を有さない3官能以上のラジカル重合性モノマー 10部
〔トリメチロールプロパントリアクリレート(KAYARAD TMPTA、日本化薬製)分子量:296、官能基数:3官能、分子量/官能基数=99〕
1官能の電荷輸送性構造を有する下記のラジカル重合性化合物 10部
〔1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン(イルガキュア184、チバ・スペシャルティ・ケミカルズ製)〕
テトラヒドロフラン 100部
(粉砕法トナーの作製)
スチレン−nブチルアクリレート共重合体(Mw7万、Mn2万)200重量部
カーボンブラック 14重量部
極性樹脂〔飽和ポリエステル(テレフタル酸−プロピレンオキサイド変性ビスフェノールA、酸価15、ピーク分子量60000)〕 10重量部
負極性電荷制御剤(ジアルキルサリチル酸金属化合物) 2重量部
低軟化点物質(エステルワックス化合物) 15重量部
上記組成物エクストルーダーを用いて溶融混練後、冷却した混練物を機械的に粉砕し、粗粉砕物を、ジェット流を用いて衝突板に衝突させて微粉砕し、更に気流分級機で微粉砕物を分級し、体積平均粒径8.6μm、円形度0.914の粉砕トナーを得た。結果を表1に示す。
感光体表面へ供給する潤滑性物質を表2に示す。
比較例1および2では本発明での制御手段を用いない構成としている。
表3の感光体1と感光体2を用いて評価を行った。
各画像形成装置について、それぞれ初期および画像面積率6%の原稿を100万枚の画像出力後にて、ハーフトーンでのゴースト画像及びその他異常についても評価を行った。結果を表3に示す。
◎・・・全く発生せず
○・・・発生はしているが軽微なもの(許容範囲)
△・・・発生しており、許容範囲の限界
×・・・はっきりと発生しており、許容できない
の4段階で評価した。
2 画像露光系
3 表面電位計
4 現像装置
5 フォトセンサ
6 転写装置
7 クリーニング装置
7a クリーニングブラシ7a
7b 弾性ゴムクリーニングブレード
8 除電装置
9 感光体
10 コピー用紙
11 定着装置
12 プレチャージャ
90 導電性支持体
91 電荷発生層
92 電荷輸送層
93 下引き層
94 保護層
Claims (4)
- 少なくとも、像担持体を一様に帯電させる帯電手段と、前記一様に帯電された像担持体に潜像を形成する潜像形成手段と、前記潜像をトナーを用いて現像する現像手段と、前記像担持体上のトナーを被転写体に転写する転写手段と、前記像担持体におけるゴースト画像の発生を検知する検知手段と、当該検知結果に基づいて作像条件を補正する補正手段とを有し、
前記検知手段として、前記像担持体に作像されたパターンの表面電位を測定可能な表面電位計、及び、前記像担持体の表面に生じるトナー付着量差を測定可能なフォトセンサを有し、
前記補正手段は、
前記表面電位計により測定された値又は前記フォトセンサにより測定された値のいずれかが予め定められた規定値内ではない場合に、前記帯電手段における帯電電流の値が予め定められた複数の第1設定値内であるかを判定し、
当該判定の結果、前記複数の第1設定値内である場合は前記帯電電流を所定値に補正する一方で、前記複数の第1設定値内ではない場合は前記転写手段における転写電流の値が予め定められた第2設定値内であるかを判定し、
当該判定の結果、前記第2設定値内である場合は前記転写電流を所定値に補正する一方で、前記第2設定値内ではない場合は前記帯電電流及び前記転写電流の補正を行わないようにし、
前記帯電電流の補正は、
前記帯電電流のコントロール域を複数に分けて前記帯電手段の各チャージャに分担させることで制御されることを特徴とする画像形成装置。 - 前記帯電電流の補正は、前記帯電手段のメインチャージャ以外である該メインチャージャの前段のプレチャージャによるプレチャージまたは前記メインチャージャの後段のポストチャージャによるポストチャージの少なくとも1つであることを特徴とする請求項1に記載の画像形成装置。
- 前記検知手段による前記測定および前記補正手段による前記作像条件の補正は、定期的に行われることを特徴とする請求項1又は2に記載の画像形成装置。
- 少なくとも、像担持体を一様に帯電させる帯電工程と、前記一様に帯電された像担持体に潜像を形成する潜像形成工程と、前記潜像をトナーを用いて現像する現像工程と、前記像担持体上のトナーを被転写体に転写する転写工程と、前記像担持体におけるゴースト画像の発生を検知する検知工程と、当該検知結果に基づいて作像条件を補正する補正工程とからなり、
前記検知工程では、表面電位計により前記像担持体に作像されたパターンの表面電位を測定し、また、フォトセンサにより前記像担持体の表面に生じるトナー付着量差を測定し、
前記補正工程では、
前記表面電位計により測定された値又は前記フォトセンサにより測定された値のいずれかが予め定められた規定値内ではない場合に、前記帯電工程における帯電電流の値が予め定められた複数の第1設定値内であるかを判定し、
当該判定の結果、前記複数の第1設定値内である場合は前記帯電電流を所定値に補正する一方で、前記複数の第1設定値内ではない場合は前記転写工程における転写電流の値が予め定められた第2設定値内であるかを判定し、
当該判定の結果、前記第2設定値内である場合は前記転写電流を所定値に補正する一方で、前記第2設定値内ではない場合は前記帯電電流及び前記転写電流の補正を行わないようにし、
前記帯電電流の補正は、
前記帯電電流のコントロール域を複数に分けて前記帯電工程の各チャージャに分担させることで制御されることを特徴とする画像形成方法。
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