JP2008072010A - 片面封止型光半導体装置の製造方法およびそれにより得られる片面封止型光半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】プリント基板2の光半導体素子搭載面に光半導体素子4を搭載してダイボンド剤3により固着したのち、電極ワイヤー5を用いてワイヤーボンドにより電極接続し、ついで光半導体素子4を封止樹脂により樹脂封止する工程を備えた片面封止型光半導体装置の製造方法であって、上記プリント基板2の光半導体素子搭載面に対して反対側になる面に粘着テープ1を貼付し、その状態で上記光半導体素子4を樹脂封止したのち、上記粘着テープ1をプリント基板2から取り除くことにより、樹脂クラックを生じることなく片面封止型光半導体装置を製造することができる。
【選択図】図4
Description
シクロヘキサン骨格および末端エポキシ基を有する多官能エポキシ樹脂(固形樹脂)(EHPE−3150、ダイセル化学工業社製)
トリアジン核を骨格に持つエポキシ樹脂(TEPIC−S、日産化学工業社製)
市販シリコーン樹脂(YR3370、GE東芝シリコーン社製)
ヘキサヒドロフタル酸無水物
N,N−ジメチルベンジルアミン
TRM−6250L、日東電工社製
TRM−3650S、日東電工社製
上記封止樹脂組成物の各成分について、後記の表1に示す割合で配合し、封止樹脂組成物のパウダーを得た。このようにして得られた各封止樹脂組成物を用いて、下記に示す方法にしたがって特性評価を行い、その結果を後記の表1に併せて示す。
JIS K6911の測定方法に基づき、封止樹脂組成物を150℃で3分間射出成形することにより幅10mm、長さ100mm、厚み4mmの試験片を作成し、25℃にてオートグラフ(島津製作所製、AG500C)により、ヘッドスピード5mm/min、支点間距離64mmで測定した。
封止樹脂組成物を150℃で3分間射出成形することにより幅5mm、長さ20mm、厚み5mmの試験片を作成し、ついで150℃で3時間加熱処理した後、熱分析装置(TMA、島津製作所製、TMA−50)により、2℃/minの昇温速度でガラス転移温度を測定した。
まず、粘着テープaをプリント基板(材質:FR−4、サイズ:82mm×82mm、厚み:0.8mm)の底面(光半導体素子搭載面に対して反対側になる面)全体に貼り合わせ、図6(A)の平面図に示すように、光半導体素子相応のシリコンチップ(サイズ:3mm×3mm、厚み:0.37mm)を、ダイボンド剤(日立化成工業社製、EN−4000)を用いて、4個×4個の格子状に上記プリント基板の表面に16個配置した。その後、150℃で3時間加熱処理することにより、上記ダイボンド剤を熱硬化させ、ついで封止樹脂組成物Aを金型成形機を用いて150℃で3分間射出成形することにより樹脂封止して封止樹脂層6(サイズ:30mm×30mm、厚み:1.0mm)を形成した。つぎに、成形金型から片面封止型光半導体装置を取り出し、さらに150℃で3時間加熱処理したのち、粘着テープaを取り除くことにより、図6に示す構造の評価用の片面封止型光半導体装置を得た。なお、図6(B)は、図6(A)に示す片面封止型光半導体装置のA−A’断面図である。
封止樹脂組成物を、前記の表1に示す封止樹脂組成物Bに変更する以外は、上記実施例1と同様にして評価用の片面封止型光半導体装置を作製した。
封止樹脂組成物を、前記の表1に示す封止樹脂組成物Cに変更する以外は、上記実施例1と同様にして評価用の片面封止型光半導体装置を作製した。
封止樹脂組成物を、前記の表1に示す封止樹脂組成物Dに変更する以外は、上記実施例1と同様にして評価用の片面封止型光半導体装置を作製した。
粘着テープaを粘着テープbに変更する以外は、上記実施例4と同様にして評価用の片面封止型光半導体装置を作製した。
プリント基板に粘着テープを貼付しなかった。その変更以外は、上記実施例1と同様にして評価用の片面封止型光半導体装置を作製した。
プリント基板に粘着テープを貼付しなかった。その変更以外は、上記実施例4と同様にして評価用の片面封止型光半導体装置を作製した。
2 プリント基板
3 ダイボンド剤
4 光半導体素子
5 電極ワイヤー
6 封止樹脂層
Claims (5)
- プリント基板の光半導体素子搭載面に光半導体素子を搭載してダイボンドしたのち、ワイヤーボンドにより電極接続し、ついで光半導体素子を樹脂封止する工程を備えた片面封止型光半導体装置の製造方法であって、上記プリント基板の光半導体素子搭載面に対して反対側になる面に粘着テープを貼付し、その状態で上記光半導体素子を樹脂封止したのち、上記粘着テープをプリント基板から取り除くことを特徴とする片面封止型光半導体装置の製造方法。
- 上記プリント基板に粘着テープを貼付することを、プリント基板に光半導体素子を搭載するに先立って行うことを特徴とする請求項1記載の片面封止型光半導体装置の製造方法。
- 上記樹脂封止する封止樹脂組成物硬化体のJIS K6911に基づく室温での曲げ強度が80N/mm2 以下であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の片面封止型光半導体装置の製造方法。
- 上記樹脂封止する封止樹脂組成物は、エポキシ樹脂を必須成分としシリコーン樹脂を任意成分とすることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の片面封止型光半導体装置の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか一項に記載の片面封止型光半導体装置の製造方法により製造された片面封止型光半導体装置。
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