JP5074667B2 - 集積型半導体レーザ装置および集積型半導体レーザ装置の駆動方法 - Google Patents
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Description
図1は、この発明の実施の形態である光半導体装置である集積型半導体レーザ装置の構成を示すブロック図である。この集積型半導体レーザ装置は、特許文献1に記載されたものと同じ集積型半導体レーザ素子1を有する。この集積型半導体レーザ素子1は、広帯域の波長帯をカバーしうる信号光源用の半導体レーザ素子であり、互いに異なる波長で単一縦モード発振する複数のDFBレーザ2からなるDFBレーザアレイ3と、各DFBレーザ2の出力光をそれぞれ導波する複数の導波路4と、この複数の導波路4を合流させる光合波器としてのMMI(multimode interference)型カプラ5と、MMI型カプラ5からの出力光を増幅する半導体光増幅器(SOA)6を有する。
2 DFBレーザ
3 DFBレーザアレイ
4 導波路
5 MMI型カプラ
6 半導体光増幅器
11 APC回路
12 ACC回路
13,14 加算器
S1,S2 ディザー信号源
C 制御部
C1 ディザー制御部
Claims (5)
- レーザ光を発生するレーザストライプと該レーザストライプからの出力光を増幅する半導体光増幅器とが集積された集積型半導体レーザを有した集積型半導体レーザ装置であって、
前記レーザストライプに注入する第1の電流に第1のディザー信号を印加する第1ディザー信号印加手段と、
前記半導体光増幅器に注入する第2の電流に第2のディザー信号を印加する第2ディザー信号印加手段と、
前記第1ディザー信号印加手段と前記第2ディザー信号印加手段とを制御し、前記第1のディザー信号および前記第2のディザー信号をそれぞれ独立して設定する制御手段と、
を備え、前記制御手段は、前記集積型半導体レーザ装置から出力される出力レーザ光の光スペクトル線幅を制御する場合、前記光スペクトル線幅が誘導ブリルアン散乱を防止するために十分な広さとなるように前記第1のディザー信号を設定し、前記出力レーザ光の光強度変調度を制御する場合、前記光強度変調度が光信号経路追跡に適するように前記第2のディザー信号を設定する
ことを特徴とする集積型半導体レーザ装置。 - 前記制御手段は、前記第1のディザー信号および前記第2のディザー信号の周波数、変調度のうちの少なくともいずれかを制御することを特徴とする請求項1に記載の集積型半導体レーザ装置。
- 前記第2の電流は、前記半導体光増幅器が利得飽和の状態となるように設定されることを特徴とする請求項1または2に記載の集積型半導体レーザ装置。
- レーザ光を発生するレーザストライプと該レーザストライプからの出力光を増幅する半導体光増幅器とが集積された集積型半導体レーザを有した集積型半導体レーザ装置の駆動方法であって、
前記レーザストライプに注入する第1の電流に第1のディザー信号を印加する第1ディザー信号印加ステップと、
前記半導体光増幅器に注入する第2の電流に第2のディザー信号を印加する第2ディザー信号印加ステップと、
前記第1のディザー信号および前記第2のディザー信号をそれぞれ独立して設定する制御ステップと、
を含み、前記制御ステップは、前記集積型半導体レーザ装置からの出力レーザ光の光スペクトル線幅を設定する場合、前記光スペクトル線幅が誘導ブリルアン散乱を防止するために十分な広さとなるように前記第1のディザー信号を設定し、前記出力レーザ光の光強度変調度を設定する場合、前記光強度変調度が光信号経路追跡に適するように前記第2ディザー信号を設定するディザー信号設定ステップをさらに含む
ことを特徴とする集積型半導体レーザ装置の駆動方法。 - 前記第2の電流は、前記半導体光増幅器が利得飽和の状態となるように設定されることを特徴とする請求項4に記載の集積型半導体レーザ装置の駆動方法。
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