JP5073975B2 - Ｉｃカード破壊装置 - Google Patents

Description

この発明は、金銭取引の記録や個人情報等を記憶したＩＣカードを廃棄する際における、カードに記憶された情報を確実に破壊するＩＣカード破壊装置に関する。

近年、非接触ＩＣカードの本格的な普及時期が到来しつつある。非接触ＩＣカードは、カード内にＩＣモジュールの他にコイル状のアンテナを内蔵しており、電波で電力供給と情報の授受を行なう。カード表面は、通常、樹脂で覆われており接触端子は設けられていない。電気的接点がないため、耐久性に優れ、読取装置のメンテナンスコストが低減できるという利点がある。このような非接触ＩＣカードは、たとえば、社員証、交通カード、電子マネーカード等に用いられている。

他方、近年しばしば個人情報の流出が社会的な問題となることがある。非接触ＩＣカードについても、使用しなくなったカードを廃棄する際に、カードから個人情報が第三者に流出しないように措置を講ずる必要がある。

特開２００３−１３２３０７号公報（特許文献１）は、非接触ＩＣカードを破壊して使用できないようにする非接触ＩＣカード破壊装置を開示する。この非接触ＩＣカード破壊装置は、非接触ＩＣカードに内蔵するループアンテナまたは回路の一部を切断することによりカードを使用不能にするものであった。
特開２００３−１３２３０７号公報 特開２００３−１５７４１１号公報 特開２００４−１４１８５４号公報

上記のＩＣカード破壊方法ではＩＣチップは破壊されず、アンテナ切断後でもほぼ完全な形で残る。したがって、このＩＣチップに作為的にループアンテナを付加したり、若しくは回路を修復したりすれば再び通信が可能になり、カードに記録されたデータの破棄を保証出来ないという問題があった。

これに対し、特開２００３−１５７４１１号公報（特許文献２）は、カードの破棄時にカード内部のＩＣを破壊する非接触型ＩＣカードの破壊装置を開示する。この破壊装置は、非接触型ＩＣカードがリーダ・ライタとの間で行なう電力伝送および情報通信に用いる搬送周波数と同じ周期の交番磁界によってカードのＩＣを破壊に至らしめる強磁界発生部を備える。

しかしながら、この非接触型ＩＣカードの破壊装置は、強磁界をカードに放射した後、実際にカードのＩＣが破壊されて読出し不能となっているか否か不明であり、個人情報等の流出を確実に防止するために改善の余地があった。

この発明の目的は、非接触ＩＣカードに記憶された情報を読み取り不能にし、カードの再生、複製や改ざんを防止でき、カード廃棄後に第三者に情報が漏洩することなく機密の保持が担保され、安心してカードを破棄することができるＩＣカード破壊装置を提供することである。

この発明は、要約すると、半導体装置を内蔵するＩＣカードを破壊するＩＣカード破壊装置であって、ＩＣカードに電磁波を放射する放射部と、電磁波を放射する際に半導体装置の電気的特性の変化を検知する検知部と、検知部の出力に応じてＩＣカードの破壊の成否を判断する制御装置とを備える。

好ましくは、ＩＣカードは、電磁波を受けて半導体装置に電力を供給する受電部をさらに内蔵する。放射部は、ＩＣカードの定格入力電力を超える電力を受電部に発生させる電磁波を放射する。検知部は、電気的特性としてＩＣカードの高周波インピーダンスの変化を検知する。

より好ましくは、放射部は、ループコイルを含む。検知部は、ループコイルに供給する高周波電流を検知する電流検知部を含む。制御装置は、検知された高周波電流に基づいてＩＣカードの高周波インピーダンスの変化の有無を判断する。

好ましくは、ＩＣカード破壊装置は、制御装置の出力に応じて、ＩＣカードを挿入した後に破壊に成功した場合とＩＣカードを破壊しなかった場合とで、排出方法を切換えるカード排出部をさらに備える。

より好ましくは、カード排出部は、放射部がＩＣカードに電磁波を放射する際にＩＣカードの位置決めを行なう爪部を含む。爪部はＩＣカードの破壊が成功した場合にＩＣカードを開放して排出し、ＩＣカードの破壊を行なわなかった場合にはカードを排出せずに保持する。

この発明の他の局面に従うと、半導体装置と電磁波を受けて半導体装置に電力を供給する受電部とを内蔵するカードを破壊するＩＣカード破壊装置であって、ＩＣカードの定格入力電力を超える電力を受電部に発生させる複数の周波数の電磁波を放射する放射部と、放射部に対して周波数の切換えを指示する制御装置とを備える。

好ましくは、ＩＣカード破壊装置は、ＩＣカードがＩＣカード破壊装置にセットされたことを検知するカード検知部をさらに備える。制御装置は、カード検知部の出力に応じて複数の周波数の電磁波を順次放射するように放射部を制御する。

好ましくは、放射部は、発振器と、発振器の出力を受ける増幅回路と、増幅回路の出力側の容量を調整するためのコンデンサと、コンデンサを増幅回路の出力側に結合するスイッチと、増幅回路の出力に応じて電流が流れるループコイルとを含む。制御装置は、スイッチの結合状態と非結合状態との切換えを行なう。

本発明によれば、ＩＣチップを破壊されたＩＣカードは、データの読み取りが不可能になり、第三者に情報が漏洩することなく機密の保持が担保され、安心してカードを破棄することができるようになる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰返さない。

図１は、本実施の形態に係るＩＣカード破壊装置１００の構成を示した回路図である。
図１を参照して、ＩＣカード破壊装置１００は、半導体装置（ＩＣチップ）を内蔵するＩＣカード２０を破壊するものであり、ＩＣカードに電磁波を放射する放射部６と、電磁波を放射する際に半導体装置の電気的特性の変化を検知する検知部８と、検知部８の出力に応じてＩＣカード２０の破壊の成否を判断する制御装置（Micro Processor Unit）１０とを含む。制御装置１０は、後に説明するように、破壊の成否に応じて異なる処理を行なう。放射部６は、ＩＣカード２０がリーダ・ライタとの間で行なう電力伝送および情報通信に用いる搬送周波数（たとえば１３．５６ＭＨｚ）と同じ周期の交番磁界によってカードのＩＣを破壊に至らしめる。

ＩＣカード破壊装置１００は、さらに、電源スイッチ２と、電源装置４と、動作表示ランプ１２と、電源ランプ１４と、カード排出部１５とを含む。カード排出部１５は、後に図で説明するカード挿入口と、ソレノイド１６と、ソレノイド１６によって動く爪部とで構成される。電源装置４は、ＡＣ１００Ｖの商用電源から電源電圧ＶＣＣ１，ＶＣＣ２を出力し、過負荷となったときに過電流が流れるのを防止する保護装置５を含む。

図２は、ＩＣカード２０の構成を示す図である。
図２を参照して、ＩＣカード２０は、半導体装置１１２と、電磁波を受けて半導体装置に電力を供給する受電部であるコイル１１１と、コイル１１１および半導体装置１１２を密閉支持する樹脂製のカード基材１１０とを含む。

再び図１を参照して、放射部６は、ＩＣカード２０の定格入力電力を超える電力をその受電部であるコイル１１１に発生させる電磁波を放射する。検知部８は、電気的特性としてＩＣカード２０の高周波インピーダンスの変化を検知する。

放射部６は、ＰＬＬシンセサイザ２２と、スイッチ２４，３２と、増幅回路２６と、トランス２７と、コンデンサ２８，３０と、ループコイル３４とを含む。

検知部８は、ループコイル３４に供給する高周波電流を検知する電流検知部４２と、電流検知部４２の出力の振幅を検出する検波回路４１と、検波回路４１が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器４０とを含む。

検知部８は、さらに、ループコイル３４に供給する高周波電圧を検知する電圧検知部３８と、電圧検知部３８の出力の振幅を検出する検波回路３７と、検波回路３７が出力するアナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換器３６とを含む。Ａ／Ｄ変換器３６，４０が出力するデジタル信号は、制御装置１０に与えられる。

制御装置１０は、電流検知部４２で検知された高周波電流に基づいてＩＣカード２０の高周波インピーダンスの変化の有無を判断し、ＩＣカードに搭載されたＩＣチップが破壊されたか否かを判断する。

図３は、ＩＣカード破壊装置の各要素の配置例を説明するための斜視図である。
図３では、ＩＣカード破壊装置の内部について説明するために、筐体５２の一部分が除去された状態が示される。

筐体５２の上部にはカード挿入口５０が設けられ、ソレノイド１６で動く爪部によってループコイル３４の真横でカードが保持され、強磁界がカードに向けて放射される。ループコイル３４の周辺には、制御装置１０が搭載されたプリント配線基板５４と電源装置４とが配置されている。そして、筐体５２の底部には、破壊されたＩＣカードを受けるカード受け箱５６が設けられている。

なお、電源装置４は、図１の電源電圧ＶＣＣ１を発生させる装置と電源電圧ＶＣＣ２を発生させる装置に分割して配置しても良い。

筐体５２の背面には、電源スイッチ２と、ＡＣ１００Ｖの商用電源から電力供給を受けるためのプラグ５８の配線出口とが設けられている。

図４は、ループコイル３４の側方から挿入された状態のカードを見た図である。
図１、図４を参照して、ＩＣカード破壊装置１００は、制御装置１０の出力に応じて、ＩＣカード２０を挿入した後に破壊に成功した場合とＩＣカードを破壊しなかった場合とで、排出方法を切換えるカード排出部１５を構成するカード挿入口５０、ソレノイド１６、およびソレノイド１６で動く爪部６２をさらに含む。制御装置１０は、カードの破壊の成否に応じて異なる処理としてカード排出方法の切換えを行なう。

すなわち、電磁波放射時や電源ＯＦＦ時には、爪部６２は６２Ａで示す位置にある。そして、制御装置１０は、破壊成功時には爪部６２を６２Ｂで示す位置に移動させてカードを排出し、破壊しなかった場合には爪部６２を６２Ａで示す位置に停止させてカードを保持したまま排出しない。

また、後に説明するように、制御装置１０は、カードの破壊の成否に応じて異なる処理として、動作表示ランプ１２の点灯方法を変化させる。すなわち、制御装置１０は、カード非破壊時には、動作表示ランプ１２を点滅させる。

これらの異なる処理により、使用者は、カードの破壊が正常に終了したか否かを知ることができる。

図５は、ソレノイド１６および爪部６２の形状を示した斜視図である。
図４、図５を参照して、爪部６２は、放射部６がＩＣカード２０に電磁波を放射する際にＩＣカード２０の位置決めを行なう。爪部６２はＩＣカード２０の破壊が成功した場合にＩＣカード２０を６２Ｂの位置に示すように開放して排出し、ＩＣカード２０の破壊を行なわなかった場合には６２Ａの位置に示すようにカード２０を排出せずに保持する。すなわち、ソレノイドの磁力をオン／オフさせることにより、内部の鉄片が吸引されたり解放されたりして爪部６２を矢印Ａ２で示す方向に動かす。解放されたＩＣカード２０は、自重で矢印Ａ１に示す向きに落下する。

図６は、カードの挿入を検知するセンサの形状を説明するための斜視図である。
図４、図６を参照して、スリットが設けられたカード検知センサ１８が爪部６２の上方かつカード２０の側方に配置される。カード２０が挿入され爪部６２で保持された状態では、カード検知センサ１８のスリットにちょうどカード２０の一部が差し込まれる形になる。

カード検知センサ１８は、矢印Ａ３に示す向きに光を放射する発光ダイオード等の発光素子と、その光を受光する光センサとを含む。カード２０が挿入され保持されると、その光が遮られて光センサが光を検知しなくなる。これにより、カード２０が挿入されていることを検知できる。なお、光に限らず他の近接センサ等を用いてカードの挿入を検知しても良い。

再び図１、図３を参照して、ＩＣカード破壊装置１００の動作を説明する。ＰＬＬシンセサイザ２２は制御装置１０からの制御によって周波数を可変することが可能であり、高周波を発生する。この高周波はスイッチ２４を経て増幅回路２６によりカードを破壊するのに十分な電力に増幅される。増幅回路２６の出力はトランス２７の一次側を駆動する。トランス２７の二次側の出力は、共振用コンデンサ２８，３０とループコイル３４を含んで構成される直列共振回路に印加される。

スイッチ３２はコンデンサ３０を共振回路に追加して共振周波数を補正するのに使用する。スイッチ３２が導通するとコンデンサ３０は共振回路に付加されない状態となり、スイッチ３２が非導通状態となるとコンデンサ３０は共振回路に付加される。

カード挿入口５０から挿入されたＩＣカード２０は、カード側面に設置されたループコイル３４と電磁結合するように挿入経路が構成される。また、カードの経路に設けたカード検知センサ１８によってＩＣカード２０が挿入されたことが検知される。

制御装置１０は、スイッチ２４を導通させることによりループコイル３４に高周波の印加を開始し、カード２０に電磁波を照射する。同時に、制御装置１０は、ループコイル３４に供給する高周波の電圧と電流を電圧検知部３８（電圧トランス）、検波回路３７およびＡ／Ｄ変換器３６ならびに電流検知部４２（電流トランス）、検波回路４１およびＡ／Ｄ変換器４０によって計測して、カード２０を含むループコイル３４の負荷インピーダンスを監視する。

この実施の形態は、他の局面では、半導体装置と電磁波を受けて半導体装置に電力を供給する受電部とを内蔵するカードを破壊するＩＣカード破壊装置１００であって、ＩＣカードの定格入力電力を超える電力を受電部に発生させる複数の周波数の電磁波を放射する放射部６と、放射部６に対して周波数の切換えを指示する制御装置１０とを含むものでもある。

好ましくは、ＩＣカード破壊装置１００は、ＩＣカード２０がＩＣカード破壊装置にセットされたことを検知するカード検知センサ１８をさらに備える。制御装置１０は、カード検知センサ１８の出力に応じて複数の周波数の電磁波を順次放射するように放射部６を制御する。

また、好ましくは、放射部６は、発振器であるＰＬＬシンセサイザ２２と、発振器の出力を受ける増幅回路２６と、増幅回路２６の出力側の容量を調整するためのコンデンサ３０と、コンデンサ３０を増幅回路２６の出力側に結合するスイッチ３２と、増幅回路２６の出力に応じて電流が流れるループコイル３４とを含み、制御装置１０は、スイッチ３２の結合状態と非結合状態との切換えを行なう。スイッチ３２を開放するとコンデンサ３０の容量が増幅回路２６に結合される結合状態となり、スイッチ３２を閉じるとコンデンサ３０の容量が増幅回路２６に非結合となる非結合状態になる。

つまり、ＩＣカード２０の負荷容量の違いによる共振周波数のずれを考慮し、直列共振コンデンサの容量をスイッチ３２で切換えてインピーダンスの整合を取りつつ高周波を複数回印加することにより、高周波が有効にカードに照射され、カードの破壊を効率よく行なえるように構成する。

制御装置１０は、電磁波の放射後にＩＣカード２０のインピーダンスが初期値よりも低くなった場合は図２のカード２０内の半導体装置１１２が焼損してコイル１１１が短絡したものと判断し、電磁波の印加を停止してカードを排出する。

一方、制御装置１０は、インピーダンスの値に有意な変化がない場合は、挿入されているものが破壊された非接触ＩＣカードではない異物であると判断し、電磁波の印加を停止してカードを排出せずに保持する。

なお、電磁波の照射は連続的であっても、パルス状に断続的に繰り返すものであっても良い。

図７は、制御装置１０が実行するプログラムの制御構造を示したフローチャートである。

図１、図７を参照して、まず処理が開始されると、ステップＳ１、Ｓ２において電源スイッチの投入に応じて残留カードの排出が行なわれる。ソレノイド１６に通電されることにより、爪部６２（ストッパ）が一旦図４の６２Ｂに示す位置に保持され、カードが自重で落下する。カードの排出が終わると再びソレノイド１６の通電が解除されバネ等による弾性力で爪部６２が６２Ａに示す位置に戻る。そして制御装置１０は、カードの挿入を待つ。

図４に示すように、カード挿入口５０から挿入されたＩＣカードは、爪部６２によって落下が阻止され、カード側面に近接させたループコイル３４と密に電磁結合する位置に保持される。

カードが通過する経路にはスリットが設けられたカード検知センサ１８（インタラプタ）が設けられている。制御装置１０は、カード検知センサ１８の出力を受けて破壊対象となるカードが挿入されたことを検知する。

カードが未挿入の間は、カードの検出待ち状態となる（ステップＳ３）。そして、カードが挿入されるとステップＳ４に処理が進み、制御装置１０は、スイッチ２４を導通させて、ＰＬＬシンセサイザ２２の源発振信号を増幅回路２６に伝達しループコイルに高周波の印加を開始する。ループコイル３４からは通常のデータ書き込みよりも強力な電磁波がＩＣカード２０に照射される。電磁波の照射は連続的であっても、パルス状に断続的に繰り返すものであっても良い。同時に、制御装置１０は、動作表示ランプ１２を点灯して、破壊動作中であることを表示する。

ステップＳ４では、制御装置１０は、高周波の印加と同時に、ループコイルに供給する高周波の電圧と電流を計測してカードを含むループコイルの負荷インピーダンスを監視する。即ち、高周波電圧を高周波電流で除した値を負荷インピーダンスとする。

ステップＳ５では、ステップＳ４で開始された電磁波の照射が一定時間行なわれたか否かを制御装置１０が判断し、一定時間に達するまで電磁波の照射が継続される。

ステップＳ５において一定時間が経過した場合には、処理はステップＳ６に進む。ステップＳ６では、制御装置１０は、カードの負荷容量の違いによって生じる共振周波数のずれを考慮し、ループコイルと直列共振回路を構成する共振コンデンサの値を切換えて周波数をずらして電磁波の照射を続行する。カードの負荷容量によっては、反射が低減されカードに有効に電磁波が照射される。このように、共振周波数のバラツキに対応させて複数の周波数を印加することで、あまり大きくない電力でかつ短時間でカードを破壊できる。

ステップＳ７では、ステップＳ６で共振周波数をずらした電磁波の照射が一定時間行なわれたか否かを制御装置１０が判断し、一定時間に達するまで電磁波の照射が継続される。このときも、電磁波の照射は連続的であっても、パルス状に断続的に繰り返すものであっても良い。

ステップＳ７において一定時間が経過した場合には、処理はステップＳ８に進む。ステップＳ８では、制御装置１０は、スイッチ２４を解放し、ループコイル３４からの電磁波の照射を停止する。同時に、制御装置１０は、動作表示ランプを消灯して電磁波の照射の停止を報知する。

続いてステップＳ９において、制御装置１０は、電磁波を照射している間に監視していた負荷インピーダンスにしきい値を超える変化が生じたか否かを判断する。負荷インピーダンスに変化があればカードを破壊できたものと判断し、ステップＳ１０に処理が進み制御装置１０は、ソレノイド１６を駆動してストッパを解除してカード２０を排出する。

一方、ステップＳ９でインピーダンスの変化が検出されない場合には、破壊対象ではないカード（異物）または破壊できなかったＩＣカード等であると考えられるので、ステップＳ１１に処理が進み制御装置１０はソレノイド１６に通電せずにカードを保持したまま動作表示ランプ１２を点滅させてカードの破壊が完了しなかったことを報知し、処理が終了する。

この場合は、使用者は、それまでに破壊処理されたカードを一旦カード受け箱５６から取り出した後に、電源スイッチ２を一旦切断して、（１０秒程度経過してから）再投入することによってステップＳ２に処理が戻り当該カードを排出する。使用者は、このようにして破壊されなかったカードをそれまでの破壊済みのカードと区別することができる。

次に、図７のステップＳ９のインピーダンス変化を判定する方法について詳細に説明する。

出願人が行なった実験によれば、正常なカードに過大な電磁波を照射するとＩＣチップはＩＣカード内部で発生する過大電圧によって瞬時に破壊して短絡し、負荷のインピーダンスが下がり高周波電流が増大するので、カードが破壊したか否かを判断することが可能である。

図８は、カードが破壊されない場合の検出電流および検出電圧の変化を示す図である。
図９は、カードが破壊された場合の検出電流および検出電圧の変化を示す図である。

図８、図９は、ともに縦軸が電圧や電流の値をＡ／Ｄコンバータで取り込んだときのサンプル値を示し、横軸は時間を示す。図８に示されるように未破壊の状態では電流値が２０未満、電圧値が１００〜１２０の間で安定している。これに対し、図９の状態では電流値はピーク時では２５０を超え、電圧値も２００位になっている。なお、図９では、電流値と電圧値が時間経過とともに減少しているのは、電源装置４に内蔵されている過電流から保護する保護装置５（または電圧を安定化する装置）の働きによる。時間が経過すると電圧については図８に示した場合と同様な値（１００〜１２０の間）に落ち着いている。

カードの破壊をインピーダンスの変化により検出する方法は、いくつか考えられるがいずれの方法を採用しても良い。たとえば、実際に電圧値を電流値で除してインピーダンスを算出してしきい値と比較しても良い。また制御装置１０の処理能力が低い場合には、電流値のみで判断しても良い。また、最初にＩＣカードの定格内の電力を供給する電磁波を照射しそのときのインピーダンスを求めてその値を制御装置に記憶しておき、その後定格を超える電磁波を照射した後のインピーダンスを求めて記憶した値と比較して所定量以上の変化が認められた場合にカードの破壊と判断しても良い。

なお、本実施の形態では垂直にループコイルを設置し、コイルの上方からカードを挿入するようにして、排出時にはカードの自重で落下するように構成してあるが、他の例として、適当な駆動搬送手段（ゴムローラー、ベルト等）を使用してカードを移動・保持し、水平あるいは斜めにループコイルを設置しても良い。あるいは、トレイを使用してカードを出し入れしても良い。また、破壊できなかったカードを保持して排出しないようにする代わりに別の排出口から排出するようにしても良い。

また好適には、ＩＣチップが破壊処理されたＩＣカードを更にカッターで裁断して、カード表面に印刷された文字、画像や、バーコード、磁気ストライプ、エンボス等の情報を破壊処理しても良い。

さらには、本発明は非接触型のＩＣカードを破壊する装置に好適に適用可能であるが、磁気等の接触読み取り媒体と複合されたカードであっても適用できる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本実施の形態に係るＩＣカード破壊装置１００の構成を示した回路図である。 ＩＣカード２０の構成を示す図である。 ＩＣカード破壊装置の各要素の配置例を説明するための斜視図である。 ループコイル３４の側方から挿入された状態のカードを見た図である。 ソレノイド１６および爪部６２の形状を示した斜視図である。 カードの挿入を検知するセンサの形状を説明するための斜視図である。 制御装置１０が実行するプログラムの制御構造を示したフローチャートである。 カードが破壊されない場合の検出電流および検出電圧の変化を示す図である。 カードが破壊された場合の検出電流および検出電圧の変化を示す図である。

符号の説明

２ 電源スイッチ、４ 電源装置、５ 保護装置、６ 放射部、８ 検知部、１０ 制御装置、１２ 動作表示ランプ、１４ 電源ランプ、１５ カード排出部、１６ ソレノイド、１８ カード検知センサ、２０ ＩＣカード、２２ ＰＬＬシンセサイザ、２４，３２ スイッチ、２６ 増幅回路、２７ トランス、２８，３０ コンデンサ、３４ ループコイル、３６，４０ Ａ／Ｄ変換器、３７，４１ 検波回路、３８ 電圧検知部、４２ 電流検知部、５０ カード挿入口、５２ 筐体、５４ プリント配線基板、５６ カード受け箱、５８ プラグ、６２ 爪部、１００ カード破壊装置、１１０ カード基材、１１１ コイル、１１２ チップ、１１２ 半導体装置。

Claims (8)

1. 半導体装置を内蔵するＩＣカードを破壊するＩＣカード破壊装置であって、
   前記ＩＣカードに電磁波を放射する放射手段と、
   前記電磁波を放射する際に前記半導体装置が焼損したことによる電気的特性の変化を検知する検知手段と、
   前記検知手段の出力に応じて前記半導体装置の焼損の成否を判断する制御手段とを備える、ＩＣカード破壊装置。
2. 前記ＩＣカードは、電磁波を受けて前記半導体装置に電力を供給する受電手段をさらに内蔵し、
   前記放射手段は、前記ＩＣカードの定格入力電力を超える電力を前記受電手段に発生させる電磁波を放射し、
   前記検知手段は、前記電気的特性として前記受電手段と前記半導体装置によって構成される回路の高周波インピーダンスの変化を検知する、請求項１に記載のＩＣカード破壊装置。
3. 前記放射手段は、
   ループコイルを含み、
   前記検知手段は、
   前記ループコイルに供給する高周波電流を検知する電流検知手段を含み、
   前記制御手段は、検知された前記高周波電流に基づいて前記受電手段と前記半導体装置によって構成される回路の前記高周波インピーダンスの変化の有無を判断する、請求項２に記載のＩＣカード破壊装置。
4. 前記制御手段の出力に応じて、前記ＩＣカードを挿入した後に前記半導体装置が焼損した場合と前記半導体装置が焼損しなかった場合とで、排出方法を切換えるカード排出手段をさらに備える、請求項１に記載のＩＣカード破壊装置。
5. 前記カード排出手段は、前記放射手段が前記ＩＣカードに電磁波を放射する際に前記ＩＣカードの位置決めを行なう爪部を含み、前記爪部は前記半導体装置が焼損した場合に前記ＩＣカードを開放して排出し、前記半導体装置が焼損しなかった場合にはカードを排出せずに保持する、請求項４に記載のＩＣカード破壊装置。
6. 前記ＩＣカードは、電磁波を受けて前記半導体装置に電力を供給する受電手段をさらに内蔵し、
   前記ＩＣカードの定格入力電力を超える電力を前記受電手段に発生させる複数の周波数の電磁波を放射する放射手段をさらに備え、
   前記制御手段は、前記放射手段に対して周波数の切換えを指示する、請求項１に記載のＩＣカード破壊装置。
7. 前記ＩＣカードが前記ＩＣカード破壊装置にセットされたことを検知するカード検知手段をさらに備え、
   前記制御手段は、前記カード検知手段の出力に応じて前記複数の周波数の電磁波を順次放射するように前記放射手段を制御する、請求項６に記載のＩＣカード破壊装置。
8. 前記放射手段は、
   発振器と、
   前記発振器の出力を受ける増幅回路と、
   前記増幅回路の出力側の容量を調整するためのコンデンサと、
   前記コンデンサを前記増幅回路の出力側に結合するスイッチと、
   前記増幅回路の出力に応じて電流が流れるループコイルとを含み、
   前記制御手段は、前記スイッチの結合状態と非結合状態との切換えを行なう、請求項６または７に記載のＩＣカード破壊装置。

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